JP3311184B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置において
その視角特性を改善する構成に関する。
その視角特性を改善する構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、図１１、図１２を用いて従来の薄
膜トランジスタ（ＴＦＴと呼ぶ）アレイ基板で駆動され
る液晶表示装置の構成を示す。図１１（ａ）は、ＴＦＴ
液晶表示装置の平面構成図、図１１（ｂ）は、図１１
（ａ）においてａ−ａ′、およびｂ−ｂ′で切断し横方
向から見た断面図、図１２は、本ＴＦＴ液晶表示装置の
１画素の等価回路図である。
膜トランジスタ（ＴＦＴと呼ぶ）アレイ基板で駆動され
る液晶表示装置の構成を示す。図１１（ａ）は、ＴＦＴ
液晶表示装置の平面構成図、図１１（ｂ）は、図１１
（ａ）においてａ−ａ′、およびｂ−ｂ′で切断し横方
向から見た断面図、図１２は、本ＴＦＴ液晶表示装置の
１画素の等価回路図である。
【０００３】作製方法は、まず透明ガラス基板１ａ上
に、画素１２の液晶を駆動する透明電極２を形成する。
次に、絶縁体としてシリコン酸化膜３を堆積させる。そ
して、クロムなどの金属でゲート電極４を形成する。そ
して、ＴＦＴ１５のゲート絶縁膜として働くシリコン窒
化膜５をその上に堆積させる。次に、ＴＦＴ１５を構成
する半導体層６を形成する。半導体層６は、ゲート電極
４に印加される電圧によってその抵抗値が変化し、スイ
ッチ素子としての機能を与える。次に、透明電極２の上
のシリコン酸化膜３とシリコン窒化膜５の絶縁膜層にコ
ンタクトホール７ａ、７ｂを開け、透明電極２の一部を
露出させる。次に、アルミニウムなどの金属を用いて、
ソース電極８ａ、ドレイン電極８ｂ、付加容量電極８ｃ
を同時に形成する。このとき、ドレイン電極８ｂは、透
明電極２の上に開けたコンタクトホール７ａを介して、
ドレイン電極８ｂと透明電極２が接続するように形成
し、同様にコンタクトホール７ｂを介して、付加容量電
極８ｃと透明電極２が接続するように形成する。また、
付加容量電極８ｃと前段のゲート電極４′との間で付加
容量１４が形成され、この付加容量１４は画素１２と並
列に配置された構成となる。以上の工程によって、ＴＦ
Ｔアレイ基板が完成する。その後本基板を、一部にブラ
ックストライプ９が形成されかつ透明電極１０が一面に
堆積されたもう一つの基板１ｂと、約５μｍのギャップ
を形成して張り合わせ、間に液晶１１を注入する。そし
て、２枚の基板の各々外側に偏光板を配置する。
に、画素１２の液晶を駆動する透明電極２を形成する。
次に、絶縁体としてシリコン酸化膜３を堆積させる。そ
して、クロムなどの金属でゲート電極４を形成する。そ
して、ＴＦＴ１５のゲート絶縁膜として働くシリコン窒
化膜５をその上に堆積させる。次に、ＴＦＴ１５を構成
する半導体層６を形成する。半導体層６は、ゲート電極
４に印加される電圧によってその抵抗値が変化し、スイ
ッチ素子としての機能を与える。次に、透明電極２の上
のシリコン酸化膜３とシリコン窒化膜５の絶縁膜層にコ
ンタクトホール７ａ、７ｂを開け、透明電極２の一部を
露出させる。次に、アルミニウムなどの金属を用いて、
ソース電極８ａ、ドレイン電極８ｂ、付加容量電極８ｃ
を同時に形成する。このとき、ドレイン電極８ｂは、透
明電極２の上に開けたコンタクトホール７ａを介して、
ドレイン電極８ｂと透明電極２が接続するように形成
し、同様にコンタクトホール７ｂを介して、付加容量電
極８ｃと透明電極２が接続するように形成する。また、
付加容量電極８ｃと前段のゲート電極４′との間で付加
容量１４が形成され、この付加容量１４は画素１２と並
列に配置された構成となる。以上の工程によって、ＴＦ
Ｔアレイ基板が完成する。その後本基板を、一部にブラ
ックストライプ９が形成されかつ透明電極１０が一面に
堆積されたもう一つの基板１ｂと、約５μｍのギャップ
を形成して張り合わせ、間に液晶１１を注入する。そし
て、２枚の基板の各々外側に偏光板を配置する。
【０００４】次に、図１３を用いて、従来のＴＦＴ液晶
表示装置の駆動方法を説明する。ＴＦＴ１５は、スイッ
チ素子として働き、ゲート電極４に入力されたパルス信
号Ｖ（Ｇ）によってこのゲート電極４上のＴＦＴ１５は
オン状態となる。そして、ソース電極８ａに供給された
信号Ｖ（Ｓ）が、このオン状態となったＴＦＴ１５を介
して、画素１２に供給される。もう一方の基板１ｂの透
明電極１０には、一定電圧Ｖ（Ｃｏｍ）が印加されてい
る。その結果、画素１２と透明電極１０の間に任意の電
圧Ｖｌｃが印加され、その電圧の大きさによって、介在
する液晶分子１１の配列状態が変化し、この液晶層を通
過する光の偏光方向が変化する。２枚の基板の外側には
各々偏光板が配置されている。ここでは、２枚の偏光板
の偏光軸は、その成す角がほぼ９０度となるように設定
されている場合について説明する。これにより、液晶層
に電圧が印加されないとき明状態の表示となり、電圧が
印加されたとき暗状態の表示となる（このような、偏光
板の配置にる表示モードを、ノーマリーホワイトモード
と呼ぶ）。
表示装置の駆動方法を説明する。ＴＦＴ１５は、スイッ
チ素子として働き、ゲート電極４に入力されたパルス信
号Ｖ（Ｇ）によってこのゲート電極４上のＴＦＴ１５は
オン状態となる。そして、ソース電極８ａに供給された
信号Ｖ（Ｓ）が、このオン状態となったＴＦＴ１５を介
して、画素１２に供給される。もう一方の基板１ｂの透
明電極１０には、一定電圧Ｖ（Ｃｏｍ）が印加されてい
る。その結果、画素１２と透明電極１０の間に任意の電
圧Ｖｌｃが印加され、その電圧の大きさによって、介在
する液晶分子１１の配列状態が変化し、この液晶層を通
過する光の偏光方向が変化する。２枚の基板の外側には
各々偏光板が配置されている。ここでは、２枚の偏光板
の偏光軸は、その成す角がほぼ９０度となるように設定
されている場合について説明する。これにより、液晶層
に電圧が印加されないとき明状態の表示となり、電圧が
印加されたとき暗状態の表示となる（このような、偏光
板の配置にる表示モードを、ノーマリーホワイトモード
と呼ぶ）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】まず、従来におけるＴ
ＦＴ−ＬＣＤの視角特性について説明する。図１４は、
従来のノーマリーホワイトモードのＴＦＴ液晶表示装置
において、液晶表示装置の駆動電圧に対する輝度特性を
示している。図１４（ａ）は、液晶表示装置の真正面
（θ＝０°）から見たときの駆動電圧に対する輝度特性
を示し、図１４（ｂ）は、液晶表示装置の下方向（θ＞
０°、主視角方向と呼ぶ）に視点を傾けて見たときの駆
動電圧に対する輝度特性を示す。
ＦＴ−ＬＣＤの視角特性について説明する。図１４は、
従来のノーマリーホワイトモードのＴＦＴ液晶表示装置
において、液晶表示装置の駆動電圧に対する輝度特性を
示している。図１４（ａ）は、液晶表示装置の真正面
（θ＝０°）から見たときの駆動電圧に対する輝度特性
を示し、図１４（ｂ）は、液晶表示装置の下方向（θ＞
０°、主視角方向と呼ぶ）に視点を傾けて見たときの駆
動電圧に対する輝度特性を示す。
【０００６】ここで下方向とは、図１５の下図に示すよ
うに、液晶が２枚の透明ガラス基板１ａ、１ｂの間に挟
持され、基板の垂直方向から見た各基板の液晶分子の配
向方向２１ａ、２１ｂが矢印の方向としたとき、下図を
ａ−ａ′面で割断して横方向から見た上図（２枚の基板
間に電圧が印加され、液晶分子が立ち上がったときのも
のを示したもの）において、右方向に視点を傾けたとき
と定義する。また、本発明における視角は、基板の垂線
からの視点の傾き角度を示す。
うに、液晶が２枚の透明ガラス基板１ａ、１ｂの間に挟
持され、基板の垂直方向から見た各基板の液晶分子の配
向方向２１ａ、２１ｂが矢印の方向としたとき、下図を
ａ−ａ′面で割断して横方向から見た上図（２枚の基板
間に電圧が印加され、液晶分子が立ち上がったときのも
のを示したもの）において、右方向に視点を傾けたとき
と定義する。また、本発明における視角は、基板の垂線
からの視点の傾き角度を示す。
【０００７】図１４（ａ）に示すように、従来の液晶表
示装置において８階調表示をさせるとき、まず真正面
（０°）から見て輝度を８等分割（Ｂ１，Ｂ２，…，Ｂ
８）とし、各々の輝度レベルに対して、電圧レベル（Ｖ
１，Ｖ２，…，Ｖ８）を設定する。一方、視点を主視角
方向に傾けた場合、図１４（ｂ）に示すように、輝度−
駆動電圧カーブは、θ＝０°のときに比べて低駆動電圧
側にシフトするとともに、高駆動電圧側に新たなピーク
が現れる。この状態で各電圧レベルに対する輝度レベル
（Ｂ１′，Ｂ２′，…，Ｂ８′）を見てみると、Ｂ６′
とＢ７′の輝度レベルは、高電圧側に現れた新たなピー
クによって逆転している。これは階調反転現象と呼ば
れ、目視では写真のネガのような画像として見える。さ
らに、高輝度部分（Ｂ１′とＢ２′間など）では、輝度
レベル間の差が大きくなり、一方低輝度部分では輝度レ
ベル間の差が小さくなる。これは目視では、正面から見
た画像に比べて非常に暗い画像として見える（黒つぶれ
現象と呼ぶ）。以上のように、従来の液晶表示装置で
は、視点を主視角方向に傾けると、階調表示がかなり悪
化するという問題があった。
示装置において８階調表示をさせるとき、まず真正面
（０°）から見て輝度を８等分割（Ｂ１，Ｂ２，…，Ｂ
８）とし、各々の輝度レベルに対して、電圧レベル（Ｖ
１，Ｖ２，…，Ｖ８）を設定する。一方、視点を主視角
方向に傾けた場合、図１４（ｂ）に示すように、輝度−
駆動電圧カーブは、θ＝０°のときに比べて低駆動電圧
側にシフトするとともに、高駆動電圧側に新たなピーク
が現れる。この状態で各電圧レベルに対する輝度レベル
（Ｂ１′，Ｂ２′，…，Ｂ８′）を見てみると、Ｂ６′
とＢ７′の輝度レベルは、高電圧側に現れた新たなピー
クによって逆転している。これは階調反転現象と呼ば
れ、目視では写真のネガのような画像として見える。さ
らに、高輝度部分（Ｂ１′とＢ２′間など）では、輝度
レベル間の差が大きくなり、一方低輝度部分では輝度レ
ベル間の差が小さくなる。これは目視では、正面から見
た画像に比べて非常に暗い画像として見える（黒つぶれ
現象と呼ぶ）。以上のように、従来の液晶表示装置で
は、視点を主視角方向に傾けると、階調表示がかなり悪
化するという問題があった。
【０００８】本発明は上記問題を解決するもので、アク
ティブマトリックス型液晶表示装置において、特に主視
角方向から観測した階調表示性能を改善することを目的
としたものである。
ティブマトリックス型液晶表示装置において、特に主視
角方向から観測した階調表示性能を改善することを目的
としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装
置において、液晶が２枚の基板に挟持され、画素が前記
基板の平面上にマトリックス状に配列され、前記画素が
２つの副画素で形成され、前記副画素各々を構成する各
々の液晶層に互いに異なる大きさの電圧を印加する手段
を有し、前記基板の断面において液晶層中の中間に位置
する液晶分子の長軸方向に沿った、前記基板の垂線から
の傾き角０°〜４０°における輝度−電圧特性が単調減
少または、単調増加するように、前記画素の２つの副画
素間の表示面積比、および各副画素の光量−信号電圧特
性の駆動電圧差を最適化するために、前記画素の２つの
副画素の装置正面から観察した光量−信号電圧特性の駆
動電圧差ΔＶが、 −０．５Ｖ＜γ−ΔＶ＜１．０ γ＝｜Ｖ１０−Ｖ９０｜ ΔＶ＝Ｖ５０′−Ｖ５０ （ここで、Ｖ１０、Ｖ５０、およびＶ９０は、液晶層に
高い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特性
において、最大光量に対して１０％、５０％、および９
０％となる信号電圧であり、同様にＶ５０′は、液晶層
に低い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特
性において、最大光量に対して５０％となる信号電圧で
ある）の範囲に設定される。また、前記画素の２つの副
画素間の表示面積比が、９：１から６：４の範囲であ
る。
に、本発明は、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装
置において、液晶が２枚の基板に挟持され、画素が前記
基板の平面上にマトリックス状に配列され、前記画素が
２つの副画素で形成され、前記副画素各々を構成する各
々の液晶層に互いに異なる大きさの電圧を印加する手段
を有し、前記基板の断面において液晶層中の中間に位置
する液晶分子の長軸方向に沿った、前記基板の垂線から
の傾き角０°〜４０°における輝度−電圧特性が単調減
少または、単調増加するように、前記画素の２つの副画
素間の表示面積比、および各副画素の光量−信号電圧特
性の駆動電圧差を最適化するために、前記画素の２つの
副画素の装置正面から観察した光量−信号電圧特性の駆
動電圧差ΔＶが、 −０．５Ｖ＜γ−ΔＶ＜１．０ γ＝｜Ｖ１０−Ｖ９０｜ ΔＶ＝Ｖ５０′−Ｖ５０ （ここで、Ｖ１０、Ｖ５０、およびＶ９０は、液晶層に
高い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特性
において、最大光量に対して１０％、５０％、および９
０％となる信号電圧であり、同様にＶ５０′は、液晶層
に低い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特
性において、最大光量に対して５０％となる信号電圧で
ある）の範囲に設定される。また、前記画素の２つの副
画素間の表示面積比が、９：１から６：４の範囲であ
る。
【００１０】
【作用】上記構成により、視点を主視角方向から観測し
た画素の光量−信号電圧特性を示す図２のように、副画
素１は従来と同じ特性であるが、副画素２は、任意の手
段を用いて、液晶層に低い電圧が印加されることによ
り、副画素１に対して任意の電圧だけ高信号電圧（高駆
動電圧）側にシフトした特性とする。また各副画素の表
示面積比を任意の値にすることによって、各々の副画素
の光量を制御する。そして１つの画素の光量は、この２
つの副画素の光量を足し合わせたものである。ここで、
各副画素においては、、高信号電圧側に階調反転現象の
要因となるピークが存在する。しかしながら、これらを
足し合わせた１画素の特性は、各々の副画素のピークが
互いに打ち消し合うため、たとえば単調減少する滑らか
なカーブとなる。これによって、従来観測された階調反
転現象はなくなる。また、１画素の光量−信号電圧カー
ブは、従来に比べて傾きが緩くなる。先に述べたよう
に、視点を主視角方向に傾けることによって、光量−信
号電圧カーブは低信号電圧（低駆動電圧）側へシフトす
る。この電圧のシフト量は従来の構成と変わらないた
め、階調表示させた場合において、本発明の各レベル間
の光量差は、従来の構成の各レベルの光量の差に比べて
均一になる。これによって、従来観測された黒つぶれ現
象は緩和される。以上のように本発明においては、主視
角方向の視角において、従来に比べてかなり表示性能が
改善される。
た画素の光量−信号電圧特性を示す図２のように、副画
素１は従来と同じ特性であるが、副画素２は、任意の手
段を用いて、液晶層に低い電圧が印加されることによ
り、副画素１に対して任意の電圧だけ高信号電圧（高駆
動電圧）側にシフトした特性とする。また各副画素の表
示面積比を任意の値にすることによって、各々の副画素
の光量を制御する。そして１つの画素の光量は、この２
つの副画素の光量を足し合わせたものである。ここで、
各副画素においては、、高信号電圧側に階調反転現象の
要因となるピークが存在する。しかしながら、これらを
足し合わせた１画素の特性は、各々の副画素のピークが
互いに打ち消し合うため、たとえば単調減少する滑らか
なカーブとなる。これによって、従来観測された階調反
転現象はなくなる。また、１画素の光量−信号電圧カー
ブは、従来に比べて傾きが緩くなる。先に述べたよう
に、視点を主視角方向に傾けることによって、光量−信
号電圧カーブは低信号電圧（低駆動電圧）側へシフトす
る。この電圧のシフト量は従来の構成と変わらないた
め、階調表示させた場合において、本発明の各レベル間
の光量差は、従来の構成の各レベルの光量の差に比べて
均一になる。これによって、従来観測された黒つぶれ現
象は緩和される。以上のように本発明においては、主視
角方向の視角において、従来に比べてかなり表示性能が
改善される。
【００１１】ところで、特開平２−１２号公報に記載の
ものは、視角に依存しない白と黒のレベルを利用して、
画素を構成する複数の副画素を白と黒の２つのレベルで
駆動し、白または黒表示を行う副画素の数によって、視
角に依存しない階調表示（グレーレベルの表示）を行う
ものである。一方、本発明のものは、画素を構成する２
つ以上の副画素を、適当な駆動電圧差、表示面積比に設
定することによって、主に下視角方向の光強度−信号電
圧特性を改善し階調表示性能を向上させるものであっ
て、上記公報の構成とは異なるものである。
ものは、視角に依存しない白と黒のレベルを利用して、
画素を構成する複数の副画素を白と黒の２つのレベルで
駆動し、白または黒表示を行う副画素の数によって、視
角に依存しない階調表示（グレーレベルの表示）を行う
ものである。一方、本発明のものは、画素を構成する２
つ以上の副画素を、適当な駆動電圧差、表示面積比に設
定することによって、主に下視角方向の光強度−信号電
圧特性を改善し階調表示性能を向上させるものであっ
て、上記公報の構成とは異なるものである。
【００１２】
【実施例】第１の実施例を図１〜５とともに説明する。
図１は、第１の実施例において正面から観測したＴＦＴ
液晶表示装置の各画素の光量−信号電圧特性である。図
２は、下視角θ＝４０°から観測したＴＦＴ液晶表示装
置の各画素の光量−信号電圧特性である。図３（ａ）
は、ＴＦＴ液晶表示装置の平面構成図、図３（ｂ）は、
図３（ａ）において、ａ−ａ′で切断し横方向からみた
断面構成図、図４は、同ＴＦＴ液晶表示装置の１画素の
等価回路図である。図５は、下視角θ＝０〜６０°の範
囲で観測したＴＦＴ液晶表示装置の光量−信号電圧特性
で、図５（ａ）は、本実施例の特性、図５（ｂ）は従来
のＴＦＴ液晶表示装置の特性である。
図１は、第１の実施例において正面から観測したＴＦＴ
液晶表示装置の各画素の光量−信号電圧特性である。図
２は、下視角θ＝４０°から観測したＴＦＴ液晶表示装
置の各画素の光量−信号電圧特性である。図３（ａ）
は、ＴＦＴ液晶表示装置の平面構成図、図３（ｂ）は、
図３（ａ）において、ａ−ａ′で切断し横方向からみた
断面構成図、図４は、同ＴＦＴ液晶表示装置の１画素の
等価回路図である。図５は、下視角θ＝０〜６０°の範
囲で観測したＴＦＴ液晶表示装置の光量−信号電圧特性
で、図５（ａ）は、本実施例の特性、図５（ｂ）は従来
のＴＦＴ液晶表示装置の特性である。
【００１３】まず図３、図４を参照させながらこのＴＦ
Ｔ液晶表示装置の作製工程を説明する。まず、透明ガラ
ス基板１ａ上に、副画素１２ａ、１２ｂの液晶を駆動す
る透明電極２ａ、２ｂを形成する。次に、絶縁膜として
シリコン酸化膜３を堆積させる。そして、クロムなどの
金属でＴＦＴのゲート電極４を形成する。そして、ＴＦ
Ｔ１５のゲート絶縁膜として働くシリコン窒化膜５をそ
の上に堆積させる。次に、ＴＦＴ１５を構成する半導体
層６を形成する。半導体層６は、ゲート電極４に印加さ
れる電圧によってその抵抗値が変化し、スイッチ素子と
しての機能を与える。次に、透明電極２ａの上のシリコ
ン酸化膜３とシリコン窒化膜５の絶縁膜層にコンタクト
ホール７ａ、７ｂを開け、透明電極２ａの一部を露出さ
せる。次に、アルミニウムなどの金属を用いて、ソース
電極８ａ、ドレイン電極８ｂ、付加容量および制御容量
電極８ｄを同時に形成する。このとき、透明電極２ａ上
のドレイン電極８ｂは、透明電極２ａの上に開けたコン
タクトホール７ａを介して、ドレイン電極８ｂと透明電
極２ａが接続するように形成する。また、透明電極２ａ
上の付加容量および制御容量電極８ｄは、透明電極２ａ
の上に開けたコンタクトホール７ｂを介して、付加容量
および制御容量電極８ｄと透明電極２ａが接続するよう
に形成する。付加容量および制御電極８ｄと、透明電極
２ｂとの間で、制御容量１３が形成され、この制御容量
１３は副画素１２ｂと直列に接続された構成となる。ま
た、付加容量および制御容量電極８ｄと前段のゲート電
極４′との間で、付加容量１４が形成され、この付加容
量１４は副画素１２ａ、および副画素１２ｂと並列に配
置された構成となる。以上の工程によって、ＴＦＴアレ
イ基板が完了する。その後本基板を、一部にブラックス
トライプ９が形成されかつ透明電極１０が一面に堆積さ
れたもう一つの基板１ｂと、約５μｍのギャップを形成
して張り合わせ、間に液晶１０を注入する。そして、２
枚の基板の各々外側に、２枚の偏光板の偏光軸の成す角
が９０度となるように、偏光板を配置する。
Ｔ液晶表示装置の作製工程を説明する。まず、透明ガラ
ス基板１ａ上に、副画素１２ａ、１２ｂの液晶を駆動す
る透明電極２ａ、２ｂを形成する。次に、絶縁膜として
シリコン酸化膜３を堆積させる。そして、クロムなどの
金属でＴＦＴのゲート電極４を形成する。そして、ＴＦ
Ｔ１５のゲート絶縁膜として働くシリコン窒化膜５をそ
の上に堆積させる。次に、ＴＦＴ１５を構成する半導体
層６を形成する。半導体層６は、ゲート電極４に印加さ
れる電圧によってその抵抗値が変化し、スイッチ素子と
しての機能を与える。次に、透明電極２ａの上のシリコ
ン酸化膜３とシリコン窒化膜５の絶縁膜層にコンタクト
ホール７ａ、７ｂを開け、透明電極２ａの一部を露出さ
せる。次に、アルミニウムなどの金属を用いて、ソース
電極８ａ、ドレイン電極８ｂ、付加容量および制御容量
電極８ｄを同時に形成する。このとき、透明電極２ａ上
のドレイン電極８ｂは、透明電極２ａの上に開けたコン
タクトホール７ａを介して、ドレイン電極８ｂと透明電
極２ａが接続するように形成する。また、透明電極２ａ
上の付加容量および制御容量電極８ｄは、透明電極２ａ
の上に開けたコンタクトホール７ｂを介して、付加容量
および制御容量電極８ｄと透明電極２ａが接続するよう
に形成する。付加容量および制御電極８ｄと、透明電極
２ｂとの間で、制御容量１３が形成され、この制御容量
１３は副画素１２ｂと直列に接続された構成となる。ま
た、付加容量および制御容量電極８ｄと前段のゲート電
極４′との間で、付加容量１４が形成され、この付加容
量１４は副画素１２ａ、および副画素１２ｂと並列に配
置された構成となる。以上の工程によって、ＴＦＴアレ
イ基板が完了する。その後本基板を、一部にブラックス
トライプ９が形成されかつ透明電極１０が一面に堆積さ
れたもう一つの基板１ｂと、約５μｍのギャップを形成
して張り合わせ、間に液晶１０を注入する。そして、２
枚の基板の各々外側に、２枚の偏光板の偏光軸の成す角
が９０度となるように、偏光板を配置する。
【００１４】本実施例においては、図４の等価回路に示
すように、副画素１２ａには、ＴＦＴ１５から供給され
るソース電極からの信号電圧（Ｖｓ）がそのまま液晶層
に供給される。一方、副画素１２ｂは、付加容量および
制御容量電極８ｄと透明電極２ｂの間で形成された制御
容量１３（Ｃｃ）が、画素容量１２ｂ（Ｃｌｃ２）と直
列に接続された構成となるため、ＴＦＴ１５から供給さ
れた信号電圧（Ｖｓ）は、制御容量１３と画素容量１２
ｂに分割され、画素１２ｂには画素１２ａに比較して低
い電圧が印加される。これを式で表すと、 Ｖｌｃ１＝Ｖｓ Ｖｌｃ２＝Ｖｓ×（Ｃｃ／（Ｃｌｃ２＋Ｃｃ）） となり、その結果、 Ｖｌｃ２＜Ｖｌｃ１ となる。したがって、低いＶｌｃ２の電圧が印加される
副画素２の光量−信号電圧特性が高信号電圧側にシフト
する。
すように、副画素１２ａには、ＴＦＴ１５から供給され
るソース電極からの信号電圧（Ｖｓ）がそのまま液晶層
に供給される。一方、副画素１２ｂは、付加容量および
制御容量電極８ｄと透明電極２ｂの間で形成された制御
容量１３（Ｃｃ）が、画素容量１２ｂ（Ｃｌｃ２）と直
列に接続された構成となるため、ＴＦＴ１５から供給さ
れた信号電圧（Ｖｓ）は、制御容量１３と画素容量１２
ｂに分割され、画素１２ｂには画素１２ａに比較して低
い電圧が印加される。これを式で表すと、 Ｖｌｃ１＝Ｖｓ Ｖｌｃ２＝Ｖｓ×（Ｃｃ／（Ｃｌｃ２＋Ｃｃ）） となり、その結果、 Ｖｌｃ２＜Ｖｌｃ１ となる。したがって、低いＶｌｃ２の電圧が印加される
副画素２の光量−信号電圧特性が高信号電圧側にシフト
する。
【００１５】ここで、Ｃｃは、Ｃｃ：Ｃｌｃ２（Ｖ５
０）の比が、９：５となるように設定した。この液晶容
量Ｃｌｃ２は、印加電圧値、つまり液晶分子の配列の方
向によってその容量値が変化する。ここでＣｌｃ２（Ｖ
５０）は、副画素１２ｂからの光量が、電圧無印加時の
最大光量（液晶分子は基板にほぼ並行に配列）に対し
て、５０％となるときの容量値である。その結果、図１
で示される正面方向から観測した光量−信号電圧特性に
おいて、副画素１の光量−信号電圧の傾きγ、副画素１
と副画素２の駆動電圧差ΔＶは以下のように設定され
た。
０）の比が、９：５となるように設定した。この液晶容
量Ｃｌｃ２は、印加電圧値、つまり液晶分子の配列の方
向によってその容量値が変化する。ここでＣｌｃ２（Ｖ
５０）は、副画素１２ｂからの光量が、電圧無印加時の
最大光量（液晶分子は基板にほぼ並行に配列）に対し
て、５０％となるときの容量値である。その結果、図１
で示される正面方向から観測した光量−信号電圧特性に
おいて、副画素１の光量−信号電圧の傾きγ、副画素１
と副画素２の駆動電圧差ΔＶは以下のように設定され
た。
【００１６】γ＝Ｖ１０−Ｖ９０＝１．３Ｖ ΔＶ＝Ｖ５０′−Ｖ５０＝１．０Ｖ γ−ΔＶ＝０．３Ｖ ここで、Ｖ１０、Ｖ５０、およびＶ９０は、副画素１の
正面の光量−信号電圧特性において、電圧無印加時の最
大光量に対して１０％、５０％および９０％となる信号
電圧、同様にＶ５０′は、副画素２の正面の光量−信号
電圧特性において、電圧無印加時の最大光量に対して５
０％となる信号電圧である。
正面の光量−信号電圧特性において、電圧無印加時の最
大光量に対して１０％、５０％および９０％となる信号
電圧、同様にＶ５０′は、副画素２の正面の光量−信号
電圧特性において、電圧無印加時の最大光量に対して５
０％となる信号電圧である。
【００１７】また、図３（ａ）で示す副画素１と副画素
２の各々の表示面積２０ａ、２０ｂの比率は、７：３と
した。その結果、図２の下視角θ＝４０°の光量−信号
電圧特性に示すように、副画素１と副画素２を合わせた
１画素の光量−信号電圧特性は、単調減少した滑らかな
特性が得られる。また図５に示すように、図５（ｂ）の
従来のＴＦＴ液晶表示装置の特性において、下視角０〜
６０°の範囲で観測された階調反転現象は、本実施例を
行うことによって、図５（ａ）に示すように全ての角度
において解消されていることがわかる。
２の各々の表示面積２０ａ、２０ｂの比率は、７：３と
した。その結果、図２の下視角θ＝４０°の光量−信号
電圧特性に示すように、副画素１と副画素２を合わせた
１画素の光量−信号電圧特性は、単調減少した滑らかな
特性が得られる。また図５に示すように、図５（ｂ）の
従来のＴＦＴ液晶表示装置の特性において、下視角０〜
６０°の範囲で観測された階調反転現象は、本実施例を
行うことによって、図５（ａ）に示すように全ての角度
において解消されていることがわかる。
【００１８】なお、本γ−ΔＶは、−０．２Ｖ＜γ−Δ
Ｖ＜０．８Ｖ、また、副画素１と副画素２の表示面積の
比率は、８：２から６：４の範囲においても、１画素の
光量−信号電圧特性は、同様に単調減少した滑らかな特
性が得られる。
Ｖ＜０．８Ｖ、また、副画素１と副画素２の表示面積の
比率は、８：２から６：４の範囲においても、１画素の
光量−信号電圧特性は、同様に単調減少した滑らかな特
性が得られる。
【００１９】以上の構成にすることによって、従来観測
された階調反転現象は解消される。また、１画素の光量
−信号電圧カーブは、従来に比べて傾きが緩くなる。先
に述べたように、階調表示させた場合において、主視角
方向の視角における各階調レベル間の光量差は、従来に
比べて均一になる。これによって、従来観測された黒つ
ぶれ現象は緩和される。以上本実施例を行うことによっ
て、主視角方向の視角において、従来に比べてかなり表
示性能が改善される。
された階調反転現象は解消される。また、１画素の光量
−信号電圧カーブは、従来に比べて傾きが緩くなる。先
に述べたように、階調表示させた場合において、主視角
方向の視角における各階調レベル間の光量差は、従来に
比べて均一になる。これによって、従来観測された黒つ
ぶれ現象は緩和される。以上本実施例を行うことによっ
て、主視角方向の視角において、従来に比べてかなり表
示性能が改善される。
【００２０】次に、第２の実施例を図６〜１０とともに
説明する。図６は、第２の実施例の正面から観測したＴ
ＦＴ液晶表示装置の各画素の光量−信号電圧特性であ
る。図７は、θ＝４０°から観測した光量−信号電圧特
性である。図８は、ＴＦＴ液晶表示装置の平面構成図、
図９は、同ＴＦＴ液晶表示装置の１画素の等価回路図で
ある。図１０は、本ＴＦＴ液晶表示装置を駆動する信号
波形図を示す。
説明する。図６は、第２の実施例の正面から観測したＴ
ＦＴ液晶表示装置の各画素の光量−信号電圧特性であ
る。図７は、θ＝４０°から観測した光量−信号電圧特
性である。図８は、ＴＦＴ液晶表示装置の平面構成図、
図９は、同ＴＦＴ液晶表示装置の１画素の等価回路図で
ある。図１０は、本ＴＦＴ液晶表示装置を駆動する信号
波形図を示す。
【００２１】まず図８、図９を参照させながらこのＴＦ
Ｔ液晶表示装置の構成を説明する。作製工程は、第１の
実施例と同じである。第２の実施例においては、１つの
画素に２つのＴＦＴ１５ａ、１５ｂが形成されている。
そして、各々のＴＦＴ１５ａ、１５ｂに接続した副画素
１２ａ、１２ｂが形成されている。そしてさらに、各々
の副画素１２ａ、１２ｂに各々付加容量１４ａ、１４ｂ
が形成されている。付加容量１４ａ、１４ｂは、付加容
量電極８ｃ、８ｃ′と前段のゲート電極４′との間で形
成される。
Ｔ液晶表示装置の構成を説明する。作製工程は、第１の
実施例と同じである。第２の実施例においては、１つの
画素に２つのＴＦＴ１５ａ、１５ｂが形成されている。
そして、各々のＴＦＴ１５ａ、１５ｂに接続した副画素
１２ａ、１２ｂが形成されている。そしてさらに、各々
の副画素１２ａ、１２ｂに各々付加容量１４ａ、１４ｂ
が形成されている。付加容量１４ａ、１４ｂは、付加容
量電極８ｃ、８ｃ′と前段のゲート電極４′との間で形
成される。
【００２２】次に、本ＴＦＴ液晶表示装置の駆動方法を
図１０とともに説明する。ここで、Ｖ（Ｇｎ）は、ゲー
ト電極４に供給される信号、Ｖ（Ｇｎ−１）は、前段の
ゲート電極４′に供給される信号、Ｖ（Ｓ）は、ソース
電極８ａに供給される信号、Ｖ（ｌｃ）は、各副画素に
印加される信号波形を示す。ＴＦＴ１５ａ、１５ｂはス
イッチ素子として働き、ゲート電極４のＴ２の期間に供
給されたパルス信号Ｖ（Ｇｎ）によって、このゲート電
極上のＴＦＴ１５ａ、１５ｂはオン状態となる。そし
て、ソース電極８ａに供給された信号Ｖ（Ｓ）が、この
オン状態となったＴＦＴ１５ａ、１５ｂを介して、画素
１２ａ、１２ｂに各々同様に供給される。次に、Ｔ３の
期間の終わりにおいて、前段のゲート電極４′に供給さ
れた信号Ｖ（Ｇｎ−１）の変調信号によってＶ（ｌｃ）
は変化する。そして、この変化量は、各副画素の付加容
量Ｃｓｔ１、Ｃｓｔ２、液晶容量Ｃｌｃ１、Ｃｌｃ２、
ゲート−ドレイン間容量Ｃｇｄ１、Ｃｇｄ２の大きさに
依存する。副画素１と２でこれらのいずれかの値を変化
させることによって、各副画素の液晶に印加される電圧
値をＶｌｃ１とＶｌｃ２のように変化させることができ
る。各副画素に印加される電圧Ｖｌｃ１，Ｖｌｃ２は、
以下の式で表せる。
図１０とともに説明する。ここで、Ｖ（Ｇｎ）は、ゲー
ト電極４に供給される信号、Ｖ（Ｇｎ−１）は、前段の
ゲート電極４′に供給される信号、Ｖ（Ｓ）は、ソース
電極８ａに供給される信号、Ｖ（ｌｃ）は、各副画素に
印加される信号波形を示す。ＴＦＴ１５ａ、１５ｂはス
イッチ素子として働き、ゲート電極４のＴ２の期間に供
給されたパルス信号Ｖ（Ｇｎ）によって、このゲート電
極上のＴＦＴ１５ａ、１５ｂはオン状態となる。そし
て、ソース電極８ａに供給された信号Ｖ（Ｓ）が、この
オン状態となったＴＦＴ１５ａ、１５ｂを介して、画素
１２ａ、１２ｂに各々同様に供給される。次に、Ｔ３の
期間の終わりにおいて、前段のゲート電極４′に供給さ
れた信号Ｖ（Ｇｎ−１）の変調信号によってＶ（ｌｃ）
は変化する。そして、この変化量は、各副画素の付加容
量Ｃｓｔ１、Ｃｓｔ２、液晶容量Ｃｌｃ１、Ｃｌｃ２、
ゲート−ドレイン間容量Ｃｇｄ１、Ｃｇｄ２の大きさに
依存する。副画素１と２でこれらのいずれかの値を変化
させることによって、各副画素の液晶に印加される電圧
値をＶｌｃ１とＶｌｃ２のように変化させることができ
る。各副画素に印加される電圧Ｖｌｃ１，Ｖｌｃ２は、
以下の式で表せる。
【００２３】 Ｖｌｃ１＝Ｖｓ＋（Ｃｓｔ１／Ｃｔｏｔａｌ１）×Ｖｇｅ Ｃｔｏｔａｌ１＝Ｃｓｔ１＋Ｃｌｃ１＋Ｃｇｄ１ Ｖｌｃ２＝Ｖｓ＋（Ｃｓｔ２／Ｃｔｏｔａｌ２）×Ｖｇｅ Ｃｔｏｔａｌ２＝Ｃｓｔ２＋Ｃｌｃ２＋Ｃｇｄ２ ここでは、Ｖｇｅ＝１２Ｖ、（Ｃｓｔ１／Ｃｔｏｔａｌ
１）＝０．５３、（Ｃｓｔ２／Ｃｔｏｔａｌ２）＝０．
２９に設定した。その結果、図６で示される正面から観
測した副画素１の光量−信号電圧の傾きγ、副画素１と
副画素２の駆動電圧差ΔＶは以下のように設定された。
１）＝０．５３、（Ｃｓｔ２／Ｃｔｏｔａｌ２）＝０．
２９に設定した。その結果、図６で示される正面から観
測した副画素１の光量−信号電圧の傾きγ、副画素１と
副画素２の駆動電圧差ΔＶは以下のように設定された。
【００２４】γ＝Ｖ１０−Ｖ９０＝１．７Ｖ ΔＶ＝Ｖ５０′−Ｖ５０＝１．５Ｖ γ−ΔＶ＝０．２Ｖ また、図８で示す副画素１と副画素２の各々の表示面積
２０ａ、２０ｂの比率は、８：２とした。
２０ａ、２０ｂの比率は、８：２とした。
【００２５】なお、本γ−ΔＶは、−０．４Ｖ＜γ−Δ
Ｖ＜０．６Ｖ、また、表示面積２０ａ、２０ｂの比率
は、９：１から７：３の範囲においても、１画素の光量
−信号電圧特性は、同様に単調減少した滑らかな特性が
得られる。
Ｖ＜０．６Ｖ、また、表示面積２０ａ、２０ｂの比率
は、９：１から７：３の範囲においても、１画素の光量
−信号電圧特性は、同様に単調減少した滑らかな特性が
得られる。
【００２６】以上の構成にすることによって、従来観測
された階調反転現象はなくなる。また、１画素の光量−
信号電圧カーブは、従来に比べて傾きが緩くなる。先に
述べたように、階調表示させた場合において、各レベル
間の光量差は、従来の構成の各レベルの光量の差に比べ
て均一になる。これによって、従来観測された黒つぶれ
現象は緩和される。以上本実施例を行うことによって、
主視角方向の視角において、従来に比べてかなり表示性
能が改善される。
された階調反転現象はなくなる。また、１画素の光量−
信号電圧カーブは、従来に比べて傾きが緩くなる。先に
述べたように、階調表示させた場合において、各レベル
間の光量差は、従来の構成の各レベルの光量の差に比べ
て均一になる。これによって、従来観測された黒つぶれ
現象は緩和される。以上本実施例を行うことによって、
主視角方向の視角において、従来に比べてかなり表示性
能が改善される。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、画素を
構成する２つ以上の副画素を適当な駆動電圧差、表示面
積比に設定することによって、主視角方向の視角におい
て、光強度−信号電圧特性は改善され、従来に比べてか
なり表示性能を向上でき、従来観測された階調反転現象
はなくなる。また、１画素の光量−信号電圧カーブは、
従来に比べて傾きが緩くなり、階調表示させた場合にお
いて、各レベル間の光量差は、従来の構成の各レベルの
光量の差に比べて均一になる。これによって、従来観測
された黒つぶれ現象は緩和される。また本発明の液晶表
示装置は、従来のほとんど同じ方法で作製することが可
能であり、本液晶表示装置を実現するために、コストの
増加はほとんどない。
構成する２つ以上の副画素を適当な駆動電圧差、表示面
積比に設定することによって、主視角方向の視角におい
て、光強度−信号電圧特性は改善され、従来に比べてか
なり表示性能を向上でき、従来観測された階調反転現象
はなくなる。また、１画素の光量−信号電圧カーブは、
従来に比べて傾きが緩くなり、階調表示させた場合にお
いて、各レベル間の光量差は、従来の構成の各レベルの
光量の差に比べて均一になる。これによって、従来観測
された黒つぶれ現象は緩和される。また本発明の液晶表
示装置は、従来のほとんど同じ方法で作製することが可
能であり、本液晶表示装置を実現するために、コストの
増加はほとんどない。
【図１】本発明の第１の実施例で、正面から観測したＴ
ＦＴ液晶表示装置の各画素からの光量−信号電圧特性図
ＦＴ液晶表示装置の各画素からの光量−信号電圧特性図
【図２】本発明の第１の実施例で、下視角θ＝４０°か
ら観測したＴＦＴ液晶表示装置の各画素の光量−信号電
圧特性図
ら観測したＴＦＴ液晶表示装置の各画素の光量−信号電
圧特性図
【図３】本発明の第１の実施例で、（ａ）は、ＴＦＴ液
晶表示装置の平面構成図、（ｂ）は、（ａ）において、
ａ−ａ′で切断し横方向からみた断面構成図
晶表示装置の平面構成図、（ｂ）は、（ａ）において、
ａ−ａ′で切断し横方向からみた断面構成図
【図４】本発明の第１の実施例で、ＴＦＴ液晶表示装置
の１画素の等価回路図
の１画素の等価回路図
【図５】下視角θ＝０〜６０°の範囲で観測した光量−
信号電圧特性（縦軸のスケールを拡大し、階調反転部を
拡大したもの）で、（ａ）は、本発明の第１の実施例、
（ｂ）は、従来のＴＦＴ液晶表示装置の特性図
信号電圧特性（縦軸のスケールを拡大し、階調反転部を
拡大したもの）で、（ａ）は、本発明の第１の実施例、
（ｂ）は、従来のＴＦＴ液晶表示装置の特性図
【図６】本発明の第２の実施例で、正面から観測したＴ
ＦＴ液晶表示装置の各画素の光量−信号電圧特性図
ＦＴ液晶表示装置の各画素の光量−信号電圧特性図
【図７】本発明の第２の実施例で、下視角θ＝４０°か
ら観測したＴＦＴ液晶表示装置の各画素の光量−信号電
圧特性図
ら観測したＴＦＴ液晶表示装置の各画素の光量−信号電
圧特性図
【図８】本発明の第２の実施例で、ＴＦＴ液晶表示装置
の平面構成図
の平面構成図
【図９】本発明の第２の実施例で、ＴＦＴ液晶表示装置
の１画素の等価回路図
の１画素の等価回路図
【図10】本発明の第２の実施例で、ＴＦＴ液晶表示装置
を駆動する各信号波形図
を駆動する各信号波形図
【図11】従来例で、（ａ）は、ＴＦＴ液晶表示装置の平
面構成図、（ｂ）は、（ａ）において、ａ−ａ′、およ
びｂ−ｂ′で切断し横方向からみた断面構成図
面構成図、（ｂ）は、（ａ）において、ａ−ａ′、およ
びｂ−ｂ′で切断し横方向からみた断面構成図
【図12】本発明の第２の実施例で、ＴＦＴ液晶表示装置
の１画素の等価回路図
の１画素の等価回路図
【図13】従来例で、ＴＦＴ液晶表示装置を駆動する各信
号波形図
号波形図
【図14】従来例で、θ＝０°、θ＞０°の各角度で観察
したところの液晶表示装置の輝度−駆動電圧特性の模式
図
したところの液晶表示装置の輝度−駆動電圧特性の模式
図
【図15】液晶表示装置の視角特性を測定するときの視点
を示す模式図
を示す模式図
１ａ、１ｂ ガラス基板 ２ａ、２ｂ 透明電極 ３ シリコン酸化膜 ４、４′ ゲート電極 ５ シリコン窒化膜 ６ 半導体膜 ７ａ、７ｂ コンタクトホール ８ａ ソース電極 ８ｂ、８ｂ′ ドレイン電極 ８ｃ、８ｃ′ 付加容量電極 ８ｄ 付加容量および制御容量電極 ９ ブラックマトリクス １０ 透明電極 １１ 液晶 １２ａ、１２ｂ 画素（または、画素容量） １３ 制御容量 １４、１４ａ、１４ｂ 付加容量 １５、１５ａ、１５ｂ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ２０ａ 副画素１の表示部 ２０ｂ 副画素２の表示部 ２１ａ、２１ｂ 液晶分子の配向処理の方向
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−107556（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−289108（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−102537（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置
において、液晶が２枚の基板に挟持され、画素が前記基
板の平面上にマトリックス状に配列され、前記画素が２
つの副画素で形成され、前記副画素各々を構成する各々
の液晶層に互いに異なる大きさの電圧を印加する手段を
有し、電圧無印加時の液晶層の中間に位置する液晶分子
の長軸方向に沿った前記基板の垂線からの傾き角が０°
〜４０°の位置から観測した光量−信号電圧特性が単調
減少または、単調増加するように、前記画素の２つの副
画素間の表示面積比、および各副画素の光量−信号電圧
特性の駆動電圧差が設定され、前記画素の２つの副画素
の装置正面から観察した光量−信号電圧特性の駆動電圧
差ΔＶが、 −０．５Ｖ＜γ−ΔＶ＜１．０ γ＝｜Ｖ１０−Ｖ９０｜ ΔＶ＝Ｖ５０′−Ｖ５０ （ここで、Ｖ１０、Ｖ５０、およびＶ９０は、液晶層に
高い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特性
において、最大光量に対して１０％、５０％、および９
０％となる信号電圧であり、同様にＶ５０′は、液晶層
に低い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特
性において、最大光量に対して５０％となる信号電圧で
ある）の範囲に設定されていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置
において、液晶が２枚の基板に挟持され、画素が前記基
板の平面上にマトリックス状に配列され、前記画素が２
つの副画素で形成され、前記副画素各々を構成する各々
の液晶層に互いに異なる大きさの電圧を印加する手段を
有し、電圧無印加時の液晶層の中間に位置する液晶分子
の長軸方向に沿った前記基板の垂線からの傾き角が０°
〜４０°の位置から観測した光量−信号電圧特性が単調
減少または、単調増加するように、前記画素の２つの副
画素間の表示面積比、および各副画素の光量−信号電圧
特性の駆動電圧差が設定され、前記画素の２つの副画素
の装置正面から観察した光量−信号電圧特性の駆動電圧
差ΔＶが、 −０．５Ｖ＜γ−ΔＶ＜１．０ γ＝｜Ｖ１０−Ｖ９０｜ ΔＶ＝Ｖ５０′−Ｖ５０ （ここで、Ｖ１０、Ｖ５０、およびＶ９０は、液晶層に
高い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特性
において、最大光量に対して１０％、５０％、および９
０％となる信号電圧であり、同様にＶ５０′は、液晶層
に低い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特
性において、最大光量に対して５０％となる信号電圧で
ある）の範囲に設定され、さらに前記画素の２つの副画
素間の表示面積比が、９：１から６：４の範囲であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01213895A JP3311184B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 液晶表示装置 |
| US08/450,622 US5610739A (en) | 1994-05-31 | 1995-05-25 | Liquid crystal display unit with a plurality of subpixels |
| EP95108260A EP0685756A3 (en) | 1994-05-31 | 1995-05-30 | Liquid crystal display unit with multiply divided picture elements. |
| KR1019950014034A KR100196202B1 (ko) | 1994-05-31 | 1995-05-31 | 복수의 부화소를 가진 액정표시장치 |
| US08/762,419 US5748276A (en) | 1994-05-31 | 1996-12-09 | Liquid crystal display unit with a plurality of subpixels |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01213895A JP3311184B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201777A JPH08201777A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3311184B2 true JP3311184B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=11797161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01213895A Expired - Fee Related JP3311184B2 (ja) | 1994-05-31 | 1995-01-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3311184B2 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100552291B1 (ko) * | 1998-07-23 | 2006-05-23 | 삼성전자주식회사 | 광시야각 액정 표시 장치 |
| JP4882140B2 (ja) * | 1999-06-25 | 2012-02-22 | 日本電気株式会社 | マルチドメイン液晶表示装置 |
| KR100379287B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2003-04-10 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 멀티 도메인 액정 표시장치 |
| KR100806889B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2008-02-22 | 삼성전자주식회사 | 광시야각 모드용 액정 표시 장치와 이의 구동 방법 |
| KR100855478B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-09-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널과 그의 구동장치 및 구동방법 |
| JP4342200B2 (ja) | 2002-06-06 | 2009-10-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100840326B1 (ko) | 2002-06-28 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판 |
| JP4571782B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2010-10-27 | シャープ株式会社 | 画像処理方法及びそれを用いた液晶表示装置 |
| US8502762B2 (en) | 2003-03-31 | 2013-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image processing method and liquid-crystal display device using the same |
| US7206048B2 (en) | 2003-08-13 | 2007-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and panel therefor |
| EP1640964B1 (en) | 2003-10-16 | 2011-03-02 | Panasonic Corporation | Matrix type display apparatus and method of driving the same |
| CN101510034B (zh) * | 2003-12-05 | 2013-06-19 | 夏普株式会社 | 液晶显示器 |
| KR101189267B1 (ko) | 2004-12-03 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치 |
| TWI240904B (en) * | 2004-05-28 | 2005-10-01 | Quanta Display Inc | LCD with improved gray-scale display |
| KR101112537B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2012-02-29 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 |
| TW200620675A (en) * | 2004-08-04 | 2006-06-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Thin film transistor array panel and liquid crystal display |
| KR101100882B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 구동 장치 |
| KR101133757B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN100405193C (zh) * | 2004-11-26 | 2008-07-23 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构及其制造方法 |
| JP5090620B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2012-12-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR101240642B1 (ko) | 2005-02-11 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US7884890B2 (en) | 2005-03-18 | 2011-02-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7948463B2 (en) | 2005-03-18 | 2011-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| JP4731206B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-07-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US7830346B2 (en) * | 2007-07-12 | 2010-11-09 | Au Optronics Corporation | Liquid crystal display panel with color washout improvement by scanning line coupling and applications of same |
| KR101487738B1 (ko) * | 2007-07-13 | 2015-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
| JP2011008276A (ja) * | 2010-08-02 | 2011-01-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP4940374B2 (ja) * | 2011-10-18 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP5688444B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
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Also Published As
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