CN100470313C - 有源矩阵液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

在TFT基板上形成数据配线的区域中，形成凸起部分，其每一个都具有梯形横截面或类似形状。在凸起部分的侧面中的一个上形成像素电极，并且在另一个侧面上形成公共电极。进而，设置像素电极和公共电极，以在彼此相邻的凸起部分之间彼此面对。

Description

有源矩阵液晶显示装置
技术领域
本发明涉及有源矩阵液晶显示装置，并且更加具体地，涉及平面切换模式有源矩阵液晶显示装置。
背景技术
近年来，使用薄膜晶体管(TFT)作为像素切换元件的有源矩阵液晶显示(LCD)装置已被广泛使用。上面描述的LCD装置的操作模式包括：在垂直于玻璃基板的方向上旋转液晶分子的扭转向列(TN)模式；以及在平行于玻璃基板的方向上旋转液晶分子的横向电场模式。横向电场模式还被称作平面切换(IPS)模式。
如图8或图9所示，在IPS模式LCD装置中，通常地，像素电极51和公共电极52交替地形成，以便在TFT基板50上相互平行。因此，两个电极之间的电场53改变液晶分子的取向，以控制透射光的量。如上所述，在IPS模式中，在平行于基板表面的平面内旋转液晶分子。这样，与TN模式相比，IPS模式使视角特性更好。关于这样的IPS模式LCD装置，例如已知日本特开平7-191336号公报。
然而，在现有技术的IPS模式LCD装置中，为了减少驱动电压，以梳齿样式布置像素电极51和公共电极52，并且在孔径中形成梳齿状电极。如果像素电极51或公共电极52由不透明的或者具有低透光率的导电膜形成，则孔径比不可避免地降低。
此外，由于在近似相同的平面上形成梳齿状电极，如图9所示，所以在梳齿状电极之间，除了平行于基板50或60的横向电场之外，还生成垂直于基板50和60的垂直电场。因此，在液晶层70中不能形成一致的横向电场。这样一来，视角特性就可能恶化。
此外，由于在孔径中形成梳齿状电极，所以孔径中的梳齿状电极形成水平面差异。因此，在用于控制液晶分子的初始排列取向的研磨处理中，水平面差异产生研磨灰尘。这样一来，研磨灰尘就可能造成诸如点缺陷之类的劣质显示特性。
发明内容
因此，本发明的示范性特征是提供一种IPS模式有源矩阵LCD装置，其能够改善孔径比和视角特性，并且能够抑制由研磨灰尘引起的诸如点缺陷之类的劣质显示特性的出现。
本发明的IPS模式LCD装置包括彼此面对的一对基板以及夹在该对基板之间的液晶层。该对基板中的一个包括：彼此交叉的多个栅极配线和多个数据配线；公共电极配线，其近似平行于所述各个栅极配线布置；切换元件，其布置在所述栅极配线和所述数据配线包围的各个像素区域中；以及像素电极，其连接到所述切换元件。在所述LCD装置中，在连接到一个所述公共电极配线的公共电极和所述像素电极之间施加的电压，在近似平行于所述基板的平面内旋转所述像素区域之内的所述液晶层的液晶分子。在所述一个基板上，提供条纹状凸起部分，其被形成以便至少重叠所述数据配线形成的区域。在包括所述凸起部分的侧壁中的一个的至少一部分的区域中形成所述像素电极。此外，在包括所述凸起部分的另一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述公共电极。
本发明的另一个IPS模式LCD装置包括彼此面对的一对基板以及夹在所述基板对之间的液晶层。该对基板中的一个包括：彼此交叉的多个栅极配线和多个数据配线；公共电极配线，其近似平行于所述各个栅极配线布置；切换元件，其布置在所述栅极配线和所述数据配线包围的各个像素区域中；以及像素电极，其连接到所述切换元件。在所述LCD装置中，在连接到所述公共电极配线中的一个的公共电极和所述像素电极之间施加的电压，在近似平行于所述基板的平面内旋转所述像素区域之内的所述液晶层的液晶分子。在所述一个基板上，提供晶格状凸起部分，其被形成以便至少重叠所述数据配线、所述栅极配线和所述公共电极配线形成的区域。在包括沿着所述数据配线的所述凸起部分的侧壁中的一个的至少一部分的区域中形成所述像素电极。此外，在包括所述凸起部分的另一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述公共电极。
优选地，所述像素电极由第一像素电极和第二像素电极形成，所述第一像素电极在和所述数据配线形成的层相同的层中形成，所述第二像素电极以绝缘膜夹在其间的方式形成在所述第一像素电极上，并且通过接触孔连接到所述第一像素电极。此外，优选地，在相同的层中形成所述第二像素电极和所述公共电极。
此外，优选地，在所述凸起部分的上部形成所述数据配线，并且在包括所述凸起部分的所述一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述第一和第二像素电极。
此外，优选地，在所述凸起部分的下部形成所述数据配线和所述第一像素电极，并且在包括所述凸起部分的所述一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述第二像素电极。
此外，优选地，所述凸起部分在垂直于延伸方向的方向上的横截面具有梯形形状，其中，两侧的侧壁以相对于所述基板的平面近似相同的角度倾斜。
根据本发明的IPS模式有源矩阵LCD装置，实现了以下示范性优点。
本发明的第一个优点在于，与现有技术的IPS模式LCD装置相比，可以增加孔径比并改善亮度和对比度。其原因在于，由于用于生成横向电场的像素电极和公共电极形成在沿着数据配线形成的凸起部分的两个侧壁上，所以能够增加像素电极和公共电极的有效面积。这样一来，就不再需要形成交叉像素区域孔径的梳齿状电极。具体地，能够增加像素电极和公共电极的有效面积，同时抑制基板上的平面方向上的占有面积的增加。
此外，本发明的第二个优点在于，与现有技术的IPS模式LCD装置相比，能够改善视角特性。其原因在于，通过在凸起部分的两个侧壁上形成用于生成横向电场的像素电极和公共电极，能够允许像素电极和公共电极在彼此相邻的凸起部分之间彼此面对。这样一来，像素电极和公共电极之间生成的电场就能够被设置得一致，并且近似平行于基板表面。
此外，本发明的第三个优点在于，能够抑制诸如点缺陷之类的劣质显示特性。其原因在于，由于不需要形成交叉像素区域孔径的梳齿状电极，所以能够平整孔径。这样一来，在研磨处理中就较少可能产生研磨灰尘，所述研磨处理是允许液晶分子具有取向的过程。
附图说明
通过结合附图参考说明，本发明的这些以及其他的目标、优点和进一步的说明，对本领域技术人员而言将会更加明显，其中：
图1是显示根据本发明的第一示范性实施例的IPS模式LCD装置的TFT基板的构造的平面图；
图2是显示根据本发明的第一示范性实施例的IPS模式LCD装置的TFT基板的结构的示图，并且是沿着图1中的线I—I得到的横截面图；
图3是示意性显示根据本发明的第一示范性实施例的IPS模式LCD装置中生成的电场的示图；
图4是显示根据本发明的第一示范性实施例的IPS模式LCD装置的TFT基板上的凸起部分的构造的平面图；
图5是显示根据本发明的第一示范性实施例的IPS模式LCD装置的TFT基板上的凸起部分的另一个构造的平面图；
图6是显示根据本发明的第二示范性实施例的IPS模式LCD装置的TFT基板的构造的平面图；
图7是显示根据本发明的第二示范性实施例的IPS模式LCD装置的TFT基板的结构的示图，并且是沿着图6中的线II—II得到的横截面图；
图8是显示现有技术的IPS模式LCD装置的TFT基板的构造的平面图；以及
图9是示意性显示现有技术的IPS模式LCD装置中生成的电场的示图。
具体实施方式
根据本发明的实施例，凸起部分，其每一个都具有梯形横截面或类似形状，被形成以便与至少这样的区域重叠，其中，在所述区域处，在有源矩阵LCD装置中包括的TFT基板上形成数据配线。在包括凸起部分的侧壁中的一个的至少一部分的区域中形成像素电极。此外，在包括另一个侧壁的至少一部分的区域中形成公共电极。在彼此相邻的凸起部分之间，像素电极和公共电极被设置成彼此面对。在上述结构中，由于能够增加像素电极和公共电极的有效面积，所以不再需要形成交叉像素区域孔径的梳齿状电极。这样一来，与现有技术的IPS模式LCD装置相比，就能够增加孔径比。此外，由于像素电极和公共电极能够被设置成彼此面对，所以电极之间生成的电场能够被设置得一致，并且近似平行于基板表面。这样一来，与现有技术的IPS模式LCD装置相比，就能够改善视角特性。进而，由于不需要在孔径中形成梳齿状电极，所以在孔径中较少可能产生研磨灰尘。这样一来，就能够抑制诸如点缺陷之类的劣质显示特性。
为了给出本发明的上面实施例的更加详细的说明，参考图1到5来说明根据本发明的第一示范性实施例的IPS模式有源矩阵LCD装置。
这个实施例的有源矩阵LCD装置包括：一个基板，在该基板上形成诸如TFT之类的切换元件；另一个基板，在该基板上形成滤色器等；以及液晶层，其夹在基板之间。在以下的说明中，在其上形成诸如TFT之类的切换元件的所述一个基板被称作TFT基板。此外，在以下的说明中，在其上形成滤色器等的所述另一个基板被称作相对基板。
在TFT基板上，如图1所示，以彼此近似呈直角布置栅极配线22和数据配线17，并且近似平行于各个栅极配线22布置公共电极配线21。此外，在栅极配线22和数据配线17包围的像素区域中的每一个中，布置TFT20，其中，源和漏电极中的一个连接到数据配线17。TFT20的源和漏电极中的另一个连接到在像素区域之内沿着数据配线17延伸的第一像素电极18。第一像素电极18在公共电极配线21的一部分处弯曲，并且与公共电极配线21重叠，以形成存储电容器电极19。此外，在数据配线17中每一个的两侧布置：公共电极15，其通过第一接触孔23连接到公共电极配线21；以及第二像素电极16，其通过第二接触孔24连接到第一像素电极18。
此外，如图2和4所示，在玻璃基板11的主要表面上，形成沿着数据配线17凸出的凸起部分。在凸起部分12中每一个的上表面上，以第一绝缘膜13夹在其间的方式形成数据配线17。在包括凸起部分12的侧壁中的一个的至少一部分的区域中，形成第一像素电极18。此外，在包括凸起部分12的所述一个侧壁的至少一部分的区域中，以第二绝缘膜14夹在其间的方式在第一像素电极18上形成第二像素电极16。在包括凸起部分12的另一个侧壁的至少一部分的区域中，形成公共电极15。具体地，如图3所示，在这个实施例的TFT基板上，布置电极以便允许公共电极15跨越孔径25面对第一和第二像素电极18和16。这样一来，就可以在两个电极之间生成一致的并且近似平行于基板表面的电场27。进而，在公共电极15、第二像素电极16以及第二绝缘膜14的暴露部分上形成配向膜26。
注意图1和2中显示的构造是例子。只要公共电极15形成在凸起部分12的所述一个侧壁上，并且第二像素电极16形成在其另一个侧壁上，就不特别限制各个配线和电极的形状与宽度、接触孔的位置等等。此外，在图1和2中，为了易于理解，重点显示了数据配线17、公共电极15、第二像素电极16和第一像素电极18之间的关系以及凸起部分12。然而，并不限制凸起部分12的宽度和高度、其侧壁的倾斜角度等等。此外，在图2中，凸起部分12的横截面具有梯形形状。然而，只要侧壁以相对于基板主要表面预定角度倾斜，可以采用矩形形状、多边形形状、具有圆角的形状或诸如此类。
如图2所示，在相对基板中，在玻璃基板31上形成黑矩阵层32，其规定各个像素区域并且阻塞像素区域之间的光。在像素区域中的每一个中，形成红色滤色器层33R、绿色滤色器层33G和蓝色滤色器层33B。另外，形成保护层34，其覆盖黑矩阵层32以及滤色器层33R、33G和33B，并且平整其表面。此外，在保护层34上，形成配向膜35。进而，液晶层40夹在TFT基板和相对基板之间。
接下来，参考图1和2来给出制造这个实施例的有源矩阵LCD装置的方法的说明。
首先，在玻璃基板11上，借助于众所周知的照相平板印刷技术，沿着形成数据配线17的区域形成抗蚀图。在这之后，借助于众所周知的蚀刻技术，用氢氟酸蚀刻剂或其类似物蚀刻暴露的玻璃基板11。这样，就形成了如图2所示的凸起部分12。通过适当地设置形成抗蚀图的区域、蚀刻时间、蚀刻剂的类型等，能够将凸起部分12形成为具有预期形状。此外，根据数据配线17之间的间距，凸起部分12可以形成为条纹样式。作为替换，如图5所示，通过仅蚀刻将要成为孔径25的部分，而不蚀刻布置公共电极配线21和栅极配线22的位置，可以形成晶格状凸起部分。具体地，可以仅将要成为孔径25的部分形成为具有凹下的形状。此外，可以将凸起部分12的高度设置得等于或小于孔径25中液晶层的厚度。
下一步，使用溅射方法在玻璃基板11上沉积Al、Mo及其类似物，所述玻璃基板11具有在其上形成的凸起部分12。因此，借助于照相平板印刷和蚀刻技术，形成公共电极配线21和栅极配线22。
下一步，借助于等离子增强CVD方法，层压第一绝缘膜13，其由氧化硅膜、氮化硅膜或其类似物制成。随后，沉积非晶硅、多晶硅或其类似物，继而借助于照相平板印刷和蚀刻技术形成将要成为TFT20的岛状半导体层。
下一步，使用溅射方法沉积Cr及其类似物，并且借助于照相平板印刷和蚀刻技术，形成数据配线17、第一像素电极18以及源和漏电极。通过允许第一像素电极18与公共电极配线21重叠，如图1所示，可以允许第一像素电极18具有保持施加到液晶层的电压的功用，如存储电容器电极19。
在这之后，借助于等离子增强CVD方法，层压由氧化硅膜、氮化硅膜或其类似物制成的第二绝缘膜14。随后，在公共电极配线21上的预定位置处形成第一接触孔23，其穿透第一和第二绝缘膜13和14。与此同时，在第一像素电极18上的预定位置处形成第二接触孔24，其穿透第二绝缘膜14。
下一步，借助于溅射方法形成诸如ITO(铟锡氧化物)之类的透明导电层。借助于用于透明导电层的照相平板印刷和蚀刻技术，在凸起部分12的两个侧壁上形成公共电极15和第二像素电极16，如图1和2所示。公共电极15通过第一接触孔23相应地电连接到公共电极配线21。第二像素电极16通过第二接触孔24相应地电连接到第一像素电极18。这里，在两个侧壁上形成的公共电极15和第二像素电极16可以彼此电绝缘。上述电极可以被形成以便与凸起部分12的上表面重叠，或者可以被形成以便部分地覆盖侧壁。
在这之后，在TFT基板的整个表面上形成配向膜26，并且与用于液晶层的初始排列取向一起，执行研磨处理。在这种场合，在现有技术的TFT基板中，在孔径中形成由像素电极和公共电极形成的梳齿状电极。因此，研磨灰尘由梳齿状电极形成的水平面差异产生，并且趋于保持在孔径中。这样一来，研磨灰尘就可能造成诸如点缺陷之类的劣质显示特性。另一方面，在这个实施例的TFT基板中，在像素区域的孔径25中没有形成电极。这样，在孔径25中就不产生研磨灰尘。因此，能够抑制劣质显示特性的出现。
同时，在相对基板中，形成用于阻塞像素区域之间的光的黑矩阵层32。另外，形成各个红色、绿色和蓝色滤色器层33R、33G和33B。此外，形成保护层34，其覆盖黑矩阵层32以及滤色器层33R、33G和33B，并且平整其表面。进而，将配向膜35应用于保护层34，并且类似地执行研磨处理。在这之后，借助于真空注射方法或ODF(滴注)方法，在TFT基板和相对基板之间引入液晶材料。通过在其边框区域处相互粘合两个基板，完成这个实施例的有源矩阵LCD装置，其中，液晶层40夹在TFT基板和相对基板之间。
如上所述，在这个实施例的TFT基板中，在凸起部分12的两个侧壁上形成公共电极15、第二像素电极16和第一像素电极18。这样，就能够增加电极的有效面积，同时抑制基板上的平面方向上的占有面积的增加。另外，不像现有技术的TFT基板，不再需要在孔径中提供梳齿状电极。因此，能够改善孔径比。此外，在这个实施例的TFT基板中，布置公共电极15，以便面对第二像素电极16和第一像素电极18。因此，在两个电极之间生成了一致的并且近似平行于基板表面的电场。这样，还能够改善视角特性。此外，在这个实施例的TFT基板中，由于在孔径25中不存在由梳齿状电极形成的水平面差异，所以在研磨处理中较少可能产生研磨灰尘。这样一来，就可以抑制由研磨灰尘造成的诸如点缺陷之类的劣质显示特性的出现。
接下来，参考图6和7来给出根据本发明的第二示范性实施例的IPS模式有源矩阵LCD装置的说明。
在上述第一示范性实施例中，在玻璃基板11上形成凸起部分12之后，形成各种配线和电极。然而，借助于上述方法，需要形成栅极配线22和公共电极配线21以便跨越凸起部分12。此外，需要在玻璃基板11上不规则地形成抗蚀图。这样一来，就需要在制造装置的同时适当地考虑控制照相平板印刷和蚀刻技术的能力。因此，在这个实施例中，通过直接在形成公共电极15和第二像素电极16之前形成凸起部分12，提供了用于使制造便利的实现手段。
这个实施例的TFT基板的平面形状与第一示范性实施例的相同。如图6所示，以彼此近似呈直角布置栅极配线22和数据配线17，并且近似平行于各个栅极配线22布置公共电极配线21。此外，在栅极配线22和数据配线17包围的像素区域中的每一个中，布置TFT 20，其中，源和漏电极中的一个连接到数据配线17。TFT 20的源和漏电极中的另一个连接到在像素区域之内沿着数据配线17延伸的第一像素电极18。第一像素电极18在公共电极配线21的一部分处弯曲，并且与公共电极配线21重叠，以形成存储电容器电极19。此外，在数据配线17中每一个的两侧布置：公共电极15，其通过第一接触孔23连接到公共电极配线21；以及第二像素电极16，其通过第二接触孔24连接到第一像素电极18。
此外，如图7所示，在玻璃基板11的主要表面上，以第一绝缘膜13夹在其间的方式形成数据配线17和第一像素电极18。在数据配线17、第一像素电极18和第一绝缘膜13之上的第二绝缘膜14上，形成沿着数据配线17凸出的凸起部分12。在包括凸起部分12的侧壁中的一个的至少一部分的区域中，形成第二像素电极16。此外，在包括凸起部分12的另一个侧壁的至少一部分的区域中，形成公共电极15。进而，在公共电极15、第二像素电极16和凸起部分12上形成配向膜26。
注意图6和7中显示的构造是例子。如第一示范性实施例的情况下那样，不特别限制各个配线和电极的形状与宽度、接触孔的位置等等。此外，在图6和7中，重点显示了凸起部分12。然而，并不限制凸起部分12的宽度和高度、其侧壁的倾斜角度等等。此外，凸起部分12的横截面可以具有这样的形状，在所述形状中，其侧壁关于基板表面倾斜。
如图7所示，在相对基板中，在玻璃基板31上形成黑矩阵层32，其规定各个像素区域并且阻塞像素区域之间的光。在像素区域中的每一个中，形成红色滤色器层33R、绿色滤色器层33G和蓝色滤色器层33B。另外，形成保护层34，其覆盖黑矩阵层32以及滤色器层33R、33G和33B，并且平整其表面。此外，在保护层34上，形成配向膜35。进而，液晶层40夹在TFT基板和相对基板之间。
接下来，参考图6和7来给出制造这个实施例的有源矩阵LCD装置的方法的说明。
首先，使用溅射方法在玻璃基板11上沉积Al、Mo及其类似物，并且借助于照相平板印刷技术和蚀刻技术形成公共电极配线21和栅极配线22。
在这之后，借助于等离子增强CVD方法，层压第一绝缘膜13，其由氧化硅膜、氮化硅膜或其类似物制成。随后，沉积非晶硅、多晶硅或其类似物，继而借助于照相平板印刷和蚀刻技术形成将要成为TFT20的岛状半导体层。
下一步，使用溅射方法沉积Cr及其类似物，并且借助于照相平板印刷和蚀刻技术，形成数据配线17、第一像素电极18以及源和漏电极。
下一步，在借助于等离子增强CVD方法层压由氧化硅膜、氮化硅膜或其类似物制成的第二绝缘膜14之后，形成将要成为凸起部分12的诸如聚酰亚胺之类的绝缘膜，以在基板的整个表面上具有大厚度。随后，借助于照相平板印刷技术在数据配线17上形成抗蚀图。借助于蚀刻技术蚀刻暴露的绝缘膜，并且形成如图7所示的凸起部分12。注意，同样在这个实施例中，通过适当地设置形成抗蚀图的区域以及蚀刻条件，凸起部分12能够被形成为具有预期形状。此外，根据数据配线17之间的间距，凸起部分12可以形成为条纹样式。作为替换，通过仅蚀刻将要成为孔径25的部分，可以形成晶格状凸起部分。进而，可以将凸起部分12的高度设置得等于或小于孔径25中液晶层的厚度。
随后，在公共电极配线21上的预定位置处形成第一接触孔23，其穿透第一和第二绝缘膜13和14。与此同时，在第一像素电极18上的预定位置处形成第二接触孔24，其穿透第二绝缘膜14。
下一步，借助于溅射方法形成诸如ITO之类的透明导电层。在这之后，借助于用于透明导电层的照相平板印刷和蚀刻技术，在凸起部分12的两个侧壁上形成公共电极15和第二像素电极16，如图6和7所示。公共电极15通过第一接触孔23相应地电连接到公共电极配线21。第二像素电极16通过第二接触孔24相应地电连接到第一像素电极18。注意，如第一示范性实施例的情况下那样，在两个侧壁上形成的公共电极15和第二像素电极16可以彼此电绝缘。上述电极可以被形成以便与凸起部分12的上表面重叠，或者可以被形成以便部分地覆盖侧壁。
在这之后，将配向膜26应用于TFT基板的整个表面，并且执行研磨处理。在这种场合，同样在这个实施例的TFT基板中，没有电极形成在孔径25中。这样一来，就没有研磨灰尘粘附在孔径25中。
同时，在相对基板中，形成用于阻塞像素区域之间的光的黑矩阵层32。另外，形成各个红色、绿色和蓝色滤色器层33R、33G和33B。此外，形成保护层34，其覆盖黑矩阵层32以及滤色器层33R、33G和33B，并且平整其表面。进而，将配向膜35应用于保护层34，并且类似地执行研磨处理。在这之后，借助于真空注射方法或ODF(滴注)方法，在TFT基板和相对基板之间引入液晶材料。通过在其边框区域处相互粘合两个基板，完成这个实施例的有源矩阵LCD装置，其中，液晶层40夹在TFT基板和相对基板之间。
如上所述，同样在这个实施例的TFT基板中，在凸起部分12的两个侧壁上形成公共电极15和第二像素电极16。这样一来，就能够增加电极的有效面积，并且不再需要在孔径25中提供梳齿状电极，不像现有技术的TFT基板那样。因此，能够改善孔径比。此外，在这个实施例的TFT基板中，布置公共电极15和第二像素电极16，以便跨越孔径25彼此面对。因此，在两个电极之间生成了一致的并且近似平行于基板表面的电场。这样一来，还能够改善视角特性。此外，在这个实施例的TFT基板中，由于在孔径25中不存在由梳齿状电极形成的水平面差异，所以在研磨处理中较少可能产生研磨灰尘。这样一来，就可以抑制由研磨灰尘造成的诸如点缺陷之类的劣质显示特性的出现。
注意，尽管图1和6中显示的像素区域采取了所谓的单域结构，但是为了改善视角特性，可以采用包括弯曲孔径的多域结构。另外，尽管在上述各个实施例中使用了玻璃基板，但是基板的材料不限于玻璃，只要基板是由能够替换玻璃的绝缘体制成的透明基板。此外，尽管在上述各个实施例中使用TFT作为切换元件，但是可以使用具有等价功能的其他切换元件。进而，在上述实施例中，将本发明的结构应用于反向交错类型(inverted staggered type)的TFT。然而，本发明并不限于上述实施例，而是还能够应用于前向交错类型(forward staggeredtype)的TFT。
本发明通常能够应用于IPS模式LCD装置。具体地，在具有小像素尺寸的高清晰度IPS模式LCD装置中，能够实现卓越的效果。
尽管已参考附图说明了本发明的优选实施例，但是对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以进行各种改变或修改而不背离本发明的真实范围。

Claims (10)

1.一种平面切换模式液晶显示装置，其包含：
彼此面对的一对基板；以及
夹在所述一对基板之间的液晶层，
其中，所述一对基板中的一个包括：彼此交叉的多个栅极配线和多个数据配线；公共电极配线，其近似平行于所述各个栅极配线布置；切换元件，其布置在所述栅极配线和所述数据配线包围的各个像素区域中；以及像素电极，其连接到所述切换元件，
在连接到所述公共电极配线中之一的公共电极和所述像素电极之间施加的电压，在近似平行于所述基板的平面内旋转所述像素区域之内的所述液晶层的液晶分子，
形成条纹状凸起部分，以便至少与形成所述数据配线的区域重叠，
在包括所述凸起部分的一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述像素电极，以及
在包括所述凸起部分的另一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述公共电极。
2.根据权利要求1所述的平面切换模式液晶显示装置，
其中所述像素电极由第一像素电极和第二像素电极形成，其中所述第一像素电极从和形成所述数据配线的层相同的层中形成，并且所述第二像素电极以绝缘膜夹在其间的方式形成在所述第一像素电极上，并通过接触孔连接到所述第一像素电极，并且其中在相同的层中形成所述第二像素电极和所述公共电极。
3.根据权利要求2所述的平面切换模式液晶显示装置，
其中，在所述凸起部分的上部形成所述数据配线，并且
在包括所述凸起部分的所述一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述第一和第二像素电极。
4.根据权利要求2所述的平面切换模式液晶显示装置，
其中，在所述凸起部分的下部形成所述数据配线和所述第一像素电极，并且在包括所述凸起部分的所述一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述第二像素电极。
5.根据权利要求1所述的平面切换模式液晶显示装置，
其中，所述凸起部分在垂直于延伸方向的方向上的横截面具有梯形形状，在所述梯形形状中，两侧的侧壁以相对于所述基板的平面近似相同的角度倾斜。
6.一种平面切换模式液晶显示装置，其包含：
彼此面对的一对基板；以及
夹在所述一对基板之间的液晶层，
其中，所述一对基板中的一个包括：彼此交叉的多个栅极配线和多个数据配线；公共电极配线，其近似平行于所述各个栅极配线布置；切换元件，其布置在所述栅极配线和所述数据配线包围的各个像素区域中；以及像素电极，其连接到所述切换元件，
在连接到所述公共电极配线中之一的公共电极和所述像素电极之间施加的电压，在近似平行于所述基板的平面内旋转所述像素区域之内的所述液晶层的液晶分子，
形成晶格状凸起部分，以便至少与形成所述数据配线、所述栅极配线和所述公共电极配线的区域重叠，
在包括沿着所述数据配线的所述凸起部分的一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述像素电极，以及
在包括所述凸起部分的另一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述公共电极。
7.根据权利要求6所述的平面切换模式液晶显示装置，
其中所述像素电极由第一像素电极和第二像素电极形成，其中所述第一像素电极从和形成所述数据配线的层相同的层中形成，并且所述第二像素电极以绝缘膜夹在其间的方式形成在所述第一像素电极上，并通过接触孔连接到所述第一像素电极，并且其中在相同的层中形成所述第二像素电极和所述公共电极。
8.根据权利要求7所述的平面切换模式液晶显示装置，
其中，在所述凸起部分的上部形成所述数据配线，并且在包括所述凸起部分的所述一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述第一和第二像素电极。
9.根据权利要求7所述的平面切换模式液晶显示装置，
其中，在所述凸起部分的下部形成所述数据配线和所述第一像素电极，并且在包括所述凸起部分的所述一个侧壁的至少一部分的区域中形成所述第二像素电极。
10.根据权利要求6所述的平面切换模式液晶显示装置，
其中，所述凸起部分在垂直于延伸方向的方向上的横截面具有梯形形状，在所述梯形形状中，两侧的侧壁以相对于所述基板的平面近似相同的角度倾斜。
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