CN107305305A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基底,包括显示图像的显示区域和设置在显示区域的至少一侧上的非显示区域;多个像素,设置在基底上并设置在与显示区域对应的区域中;第一绝缘层,具有位于非显示区域的第一区域中的开口;第二绝缘层,设置在第一区域中;第一线,设置在基底上并连接到多个像素;第二线,设置在第一绝缘层和第二绝缘层上,并连接到第一线。第一线与第二线叠置的区域在平面图中观察时与第二绝缘层的边缘分隔开。
Description
本申请要求于2016年4月22日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0049637号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
发明构思的示例性实施例涉及一种能够防止线之间短路的显示装置。
背景技术
显示装置通常包括位于基底上的显示单元。通过使显示装置的至少一部分弯曲,可以改善各种角度的可视性和/或可以减小非显示区域的面积。
然而,对于传统的显示装置,在制造工艺期间,当使显示装置的一部分弯曲时会出现缺陷。
发明内容
根据发明构思的示例性实施例,一种显示装置包括:基底,包括显示图像的显示区域和设置在显示区域的至少一侧上的非显示区域;多个像素,设置在基底上并设置在与显示区域对应的区域中;第一绝缘层,具有位于非显示区域的第一区域中的开口;第二绝缘层,设置在第一区域中;第一线,设置在基底上并连接到所述多个像素;以及第二线,设置在第一绝缘层和第二绝缘层上,并连接到第一线。第一线与第二线叠置的区域在平面图中观察时与第二绝缘层的边缘分隔开。
第一线可以包括设置在每条第一线的端部处的第一焊盘,第二线包括设置在每条第二线的端部处的第二焊盘。第一焊盘和第二焊盘在平面图中观察时可以彼此叠置。
第一绝缘层可以包括位于第一焊盘与第二焊盘叠置的区域中的至少一个接触孔,第一焊盘和第二焊盘可以通过所述至少一个接触孔彼此连接。
显示装置还可以包括设置在第一绝缘层下方并具有位于第一区域中的开口的层间绝缘层。第一线包括设置在层间绝缘层下方的第一子线和设置在层 间绝缘层上的第二子线。
第一子线和第二子线在平面图中观察时可以交替地布置。
第二线可以包括设置在第一绝缘层上的第三子线和设置在第三绝缘层上的第四子线。
第三子线和第四子线在平面图中观察时可以交替地布置。
第一子线可以连接到第三子线,第二子线可以连接到第四子线。
第二绝缘层可以覆盖第一区域和与第一区域相邻的第二区域的一部分。
第一区域可以与显示区域分隔开。
第二绝缘层的边缘可以设置在显示区域和第一区域之间。
在平面图中观察时,第二绝缘层可以具有在与第一焊盘和第二焊盘对应的位置中暴露第一绝缘层的上表面的孔。
孔可以具有比第一焊盘和第二焊盘的面积大的面积。
可选择地,孔可以具有比第一焊盘和第二焊盘的面积小的面积。
在平面图中观察时,孔可以设置在与第一绝缘层的所述至少一个接触孔对应的位置中。
第一焊盘和第二焊盘的宽度可以大于第一线和第二线的第一焊盘和第二焊盘不叠置的部分的宽度。
可选择地,第一焊盘和第二焊盘的宽度可以与第一线和第二线的第一焊盘和第二焊盘不叠置的部分的宽度基本相同。
在平面图中观察时,第二绝缘层的边缘与显示区域之间的距离可以比第一焊盘和第二焊盘与显示区域之间的距离大。
在平面图中观察时,第二绝缘层的边缘与显示区域之间的距离可以比第一焊盘和第二焊盘与显示区域之间的距离短。
第二线可以包括设置在第一绝缘层上的第三子线和设置在第三绝缘层上的第四子线。
第三子线和第四子线在平面图中观察时可以交替地布置。
显示装置还可以包括设置在第一绝缘层和第二绝缘层上的第三绝缘层。
第三绝缘层可以包括沿显示区域的边缘的第二开口。
每个像素可以包括:有源图案,设置在基底上;栅极绝缘层,设置在有源图案上;栅电极,设置在栅极绝缘层与第一绝缘层之间;源电极和漏电极,设置在第一绝缘层上;第一电极,设置在第三绝缘层上并连接到漏电极;有 机层,设置在第一电极上;第二电极,设置在有机层上。
第一线的至少一部分可以利用与栅电极基本相同的材料与栅电极设置在同一层上。
第二线的至少一部分可以利用与源电极和漏电极基本相同的材料与源电极和漏电极设置在同一层上。
第一绝缘层可以包括无机材料。
第二绝缘层可以包括有机材料。
第一区域可以在第一方向上延伸,基底可以沿着在第一方向上延伸的折叠线弯曲。
显示装置的除了第一区域之外的区域可以是平坦的。
根据发明构思的示例性实施例,一种显示装置包括:基底,包括显示图像的显示区域和设置在显示区域的至少一侧上的非显示区域;多个像素,设置在基底上并设置在与显示区域对应的区域中;第一绝缘层,具有位于非显示区域的可弯曲区域中的开口;第二绝缘层,设置在可弯曲区域的开口中;第一线,设置在基底上并连接到所述多个像素;第二线,连接到第一线。第一线在多个叠置部分中与第二线叠置。所述多个叠置部分不与第二绝缘层叠置。所述多个叠置部分包括第一叠置部分至第N叠置部分。第一叠置部分至第N叠置部分之中的奇数的叠置部分和偶数的叠置部分分别具有距显示区域的第一距离和第二距离。第一距离大于第二距离或者小于第二距离。
第二线可以包括第一子线和第二子线。第一子线和第二子线设置在不同的层上。
第二绝缘层的边缘与显示区域之间的距离可以大于所述多个叠置部分与显示区域之间的距离。
所述多个叠置部分可以包括第一焊盘和第二焊盘。第一焊盘设置在每条第一线的端部处。第二焊盘设置在每条第二线的端部处。第一焊盘包括第一子焊盘和第二子焊盘。第二焊盘包括第三子焊盘和第四子焊盘。第一子焊盘和第二子焊盘分别与第三子焊盘和第四子焊盘叠置。
显示装置还可以包括设置在形成有第二子焊盘的区域中的桥接图案。第二子焊盘通过桥接图案连接到第四子焊盘。
附图说明
图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。
图2是根据发明构思的示例性实施例的图1的显示装置的透视图。
图3是根据发明构思的示例性实施例的沿图1的线I-I’截取的剖视图。
图4是根据发明构思的示例性实施例的与图1的A1对应的部分的平面图。
图5A是根据发明构思的示例性实施例的沿图4的线II-II’截取的剖视图,图5B是根据发明构思的示例性实施例的沿图4的线III-III’截取的剖视图,图5C是根据发明构思的示例性实施例的沿图4的线IV-IV’截取的剖视图。
图6是根据发明构思的示例性实施例的与图1的显示装置的A1对应的部分的平面图。
图7A是根据发明构思的示例性实施例的沿图6的线II-II’截取的剖视图,图7B是根据发明构思的示例性实施例的沿图6的线III-III’截取的剖视图,图7C是根据发明构思的示例性实施例的沿图6的线IV-IV’截取的剖视图。
图8是根据发明构思的示例性实施例的与图1的显示装置的A1对应的部分的平面图。
图9A是根据发明构思的示例性实施例的沿图8的线II-II’截取的剖视图,图9B是根据发明构思的示例性实施例的沿图8的线III-III’截取的剖视图,图9C是根据发明构思的示例性实施例的沿图8的线IV-IV’截取的剖视图。
图10是根据发明构思的示例性实施例的沿图1的显示装置的线I-I’截取的剖视图。
图11是根据发明构思的示例性实施例的与图1的显示装置的A1对应的部分的平面图。
图12A是根据发明构思的示例性实施例的沿图11的线II-II’截取的剖视图,图12B是根据发明构思的示例性实施例的沿图11的线III-III’截取的剖视图,图12C是根据发明构思的示例性实施例的沿图11的线IV-IV’截取的剖视图。
图13是根据发明构思的示例性实施例的沿关于显示装置的图1的线I-I’截取的剖视图。
图14是根据发明构思的示例性实施例的与图1的显示装置的A1对应的部分的平面图。
图15A是根据发明构思的示例性实施例的沿图14的线II-II’截取的剖视 图,图15B是根据发明构思的示例性实施例的沿图14的线III-III’截取的剖视图,图15C是根据发明构思的示例性实施例的沿图14的线IV-IV’截取的剖视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图更充分地描述发明构思的示例性实施例。在整个附图中,同样的附图标记可以表示同样的元件。
在附图中,为了清晰起见,可以夸大结构的尺寸。术语“第一”和“第二”用于描述各种元件,但所述元件不限于这些术语。术语用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离发明构思的精神和范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,相似地,第二元件可以被称为第一元件。除非单数在上下文中明确不同,否则以单数使用的表达可以包括复数的表达。
将理解的是,当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可以存在中间元件或中间层。如这里所使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关列出相的任意和全部组合。
发明构思的示例性实施例可以使在用于显示装置的制造工艺期间出现的诸如断开或短路的缺陷最小化,并且可以确保显示装置的长的寿命。
图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图,图2是图1的显示装置的透视图。
参照图1和图2,显示装置可以包括基底SUB(如图3中所示)、设置在基底SUB上的多个像素PXL以及连接到像素PXL的线部LP。
基底SUB可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA的至少一侧上的非显示区域NDA。
基底SUB可以大致具有矩形形状。根据发明构思的示例性实施例,基底SUB可以包括在第一方向DR1上彼此平行的一对短边和在第二方向DR2上彼此平行的一对长边。
然而,基底SUB的形状可以不限于此,可以具有各种形状。例如,基底SUB可以以各种形状(诸如具有由直线形成的边的闭合形式的多边形、具有由曲线形成的边的圆形、椭圆形、包括由直线和曲线形成的边的半圆形、半 椭圆形等)设置。根据发明构思的示例性实施例,当基底SUB具有由直线形成的边时,可以使基底SUB的角弯曲。换句话讲,当基底SUB具有矩形形状时,相邻的边接触的部分可以由具有预定曲率的曲线形成。可以根据位置而不同地确定该曲率。例如,该曲率可以根据曲线开始处和曲线的长度来变化。
显示区域DA可以以与如上所述的基底SUB的形状对应的形状设置。例如,根据发明构思的示例性实施例,当显示区域DA具有由直线形成的边时,角可以由曲线形成。
像素PXL可以设置在基底SUB的显示区域DA上或基底SUB的显示区域DA中以显示图像。多个像素PXL可以设置为用于显示图像的最小单元。像素PXL可以发射红光、绿光或蓝光,但不限于此。例如,像素PXL可以发射蓝绿色的光、品红色的光或黄色的光。
像素PXL可以是包括有机层的有机发光器件,但不限于此。例如,像素PXL可以以诸如液晶装置、电泳装置或电润湿装置的各种形式实现。
根据发明构思的示例性实施例,多个像素PXL可以以具有在第一方向DR1上延伸的行和在第二方向DR2上延伸的列的矩阵形式布置。然而,像素PXL的布置不限于此,像素PXL可以以各种方式布置。例如,像素PXL可以布置在行方向上或者相对于第一方向DR1或第二方向DR2的倾斜方向上。
非显示区域NDA可以是未设置像素PXL的区域,因此不显示图像。
非显示区域NDA可以包括连接到像素PXL的线部LP和连接到像素PXL并驱动像素PXL的驱动器。
线部LP可以连接到像素PXL。线部LP可以向每个像素PXL提供信号。线部LP可以包括扫描线、数据线和驱动电压线,并且还可以包括根据需要的其他线。
线部LP可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA的上方。
线部LP可以连接到驱动器。驱动器可以通过线部LP向每个像素PXL提供信号并控制每个像素PXL的驱动。
驱动器可以包括扫描驱动器、数据驱动器和时序控制器,扫描驱动器通过扫描线向每个像素PXL提供扫描信号,数据驱动器通过数据线向每个像素PXL提供数据信号,时序控制器控制扫描驱动器和数据驱动器。
根据发明构思的示例性实施例,扫描驱动器可以直接安装在基底SUB上。 当扫描驱动器直接安装在基底SUB上时,扫描驱动器可以在形成像素PXL时形成。然而,发明构思不限于此。例如,扫描驱动器可以形成在单独的芯片上并在基底SUB上设置为玻璃上芯片型,或者可以安装在印刷电路板上并通过连接构件连接到基底SUB。
根据发明构思的示例性实施例,数据驱动器可以直接安装在基底SUB上,但不限于此。根据发明构思的示例性实施例,数据驱动器可以形成在单独的芯片上并在基底SUB上设置为玻璃上芯片型,或者安装在印刷电路板上并通过连接构件连接到基底SUB。根据发明构思的示例性实施例,数据驱动器可以以层上芯片或膜上芯片COF的形状形成并连接到基底SUB。
根据发明构思的示例性实施例,非显示区域NDA还可以包括从非显示区域NDA的一部分突出的附加区域ADA。附加区域ADA可以从基底SUB的构成非显示区域NDA的边突出。根据发明构思的示例性实施例,如图1中所示,附加区域ADA可以从基底SUB的短边中的一个边突出。然而,可选择地,附加区域ADA可以从长边中的一个边或者从两个或更多个边突出。根据发明构思的示例性实施例,数据驱动器可以设置有附加区域ADA或者连接到附加区域ADA,但数据驱动器不限于此,可以以各种构成元件设置。
根据发明构思的示例性实施例,显示装置的至少一部分可以具有柔性,并且显示装置可以在柔性部分处折叠或弯曲。换句话讲,显示装置可以包括可弯曲区域BA(或折叠区域)和平坦区域,可弯曲区域BA(或折叠区域)具有柔性并且可以在一个方向上弯曲,平坦区域设置在可弯曲区域BA的至少一侧上并且是相对平坦的(例如,不弯曲的)。平坦区域可以具有柔性或者可以不具有柔性。
根据发明构思的示例性实施例,可弯曲区域BA可以设置在附加区域ADA上。根据发明构思的示例性实施例,平坦区域包括彼此分隔开的第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2并且可弯曲区域BA设置在它们之间。根据发明构思的示例性实施例,可弯曲区域BA可以与显示区域DA分隔开。
折叠显示装置的线可以被定义为折叠线。折叠线可以设置在可弯曲区域BA中。术语“可弯曲(的)”表示结构不是固定的并且“折叠”在于将结构从初始类型改变为不同的类型。换句话讲,可以沿折叠线折叠、弯曲或卷绕一条或更多条特定的线。根据发明构思的示例性实施例,如图1中所示,第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2的最接近可弯曲区域BA的边可以彼此 平行并且彼此相对布置。然而,发明构思不限于此。例如,第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2的这些边可以关于设置在它们之间的可弯曲区域BA以预定的角度(例如,锐角、直角或钝角)被折叠。
根据发明构思的示例性实施例,附加区域ADA可以沿着折叠线弯曲,使得可以减小边框的宽度。
图3是根据发明构思的示例性实施例的沿图1的线I-I’截取的剖视图。显示装置可以具有如图2中所示的部分弯曲的形状。然而,在图3中,为了便于说明,示出了未弯曲的显示装置。换句话讲,显示装置构造为弯曲的并以其弯曲之前的形式示出。为了便于说明,在下面描述的示例性实施例的剖视图或平面图中也示出了弯曲之前的显示装置。
根据发明构思的示例性实施例,显示区域DA设置有多个像素PXL。每个像素PXL可以包括连接到线部LP中相应的线的晶体管、连接到晶体管的有机发光器件以及电容器Cst。晶体管可以包括用于控制有机发光器件的驱动晶体管和用于使驱动晶体管开关的开关晶体管。
像素PXL可以以如图3中所示的堆叠的层结构实现。在图3中,为了便于说明,单个像素PXL示出有单个晶体管和单个电容器,但发明构思不限于此。例如,单个像素PXL中可以包括两个或更多个晶体管和一个或更多个电容器,或者单个像素PXL中可以包括三个或更多个晶体管和两个或更多个电容器。
根据发明构思的示例性实施例,像素PXL可以设置在基底SUB上。
基底SUB可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料制成。此外,基底SUB可以由具有柔性的材料制成以被弯曲或折叠,并且可以具有单层结构或多层结构。
例如,基底SUB可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素中的一种。然而,构成基底SUB的材料可以变化并且可以包括纤维增强塑料(FRP)等。
缓冲层BF形成在基底SUB上。缓冲层BF防止杂质向开关晶体管和驱动晶体管的扩散。缓冲层BF可以是由无机材料制成的无机绝缘层。例如,缓冲层BF可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等形成。可以根据基底SUB的 材料和工艺条件省略缓冲层BF。
有源图案ACT设置在缓冲层BF上。有源图案ACT可以由半导体材料形成。有源图案ACT可以包括源区、漏区以及设置在源区和漏区之间的沟道区。有源图案ACT可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体形成的半导体图案。沟道区可以是具有掺杂有杂质的半导体图案的本征半导体。源区和漏区可以具有掺杂有杂质的半导体图案。杂质可以是n型杂质、p型杂质或其他金属。
栅极绝缘层GI设置在有源图案ACT上。栅极绝缘层GI可以是由无机材料制成的无机绝缘层。诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机材料可以作为无机绝缘材料使用。
栅电极GE和电容器下电极LE设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以形成为覆盖与有源图案ACT的沟道区对应的区域。
栅电极GE和电容器下电极LE可以由金属制成。例如,栅电极GE可以由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和金属的合金中的至少一种制成。此外,栅电极GE可以形成为单层,但不限于此,可以以形成有上述金属和/或两种或更多种金属的合金的多层结构形成。
根据发明构思的示例性实施例,包括扫描线的其他线可以利用与栅电极GE和电容器下电极LE基本相同的材料与栅电极GE和电容器下电极LE设置在同一层上。这些其他线可以直接或间接连接到每个像素PXL中的晶体管的一部分(例如,栅电极GE)。
层间绝缘层IL设置在栅电极GE和电容器下电极LE上。层间绝缘层IL可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
电容器上电极UE设置在层间绝缘层IL上。电容器上电极UE可以由金属制成。例如,电容器上电极UE可以由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和金属的合金中的至少一种形成。此外,电容器上电极UE可以类似于如上所述的栅电极GE而以单层或多层形成。
电容器下电极LE和电容器上电极UE构成电容器并且层间绝缘层IL介于电容器下电极LE与电容器上电极UE之间。根据本示例性实施例,电容器Cst包括电容器下电极LE和电容器上电极UE,但电容器Cst不限于此,可以以各种方式实现。
第一绝缘层INS1设置在电容器上电极UE上。第一绝缘层INS1可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
源电极SE和漏电极DE设置在第一绝缘层INS1上。源电极SE和漏电极DE可以通过形成在第一绝缘层INS1、层间绝缘层IL和栅极绝缘层GI上的接触孔分别接触源区和漏区。
源电极SE和漏电极DE可以由金属制成。例如,源电极SE和漏电极DE可以由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或金属的合金形成。此外,源电极SE和漏电极DE可以类似于如上所述的栅电极GE而以单层或多层结构形成。
根据发明构思的示例性实施例,数据线和电源线可以使用与源电极SE和漏电极DE基本相同的材料与源电极SE和漏电极DE设置在同一层上。数据线或电源线可以直接或间接连接到每个像素PXL中的晶体管的一部分(例如,源电极SE和/或漏电极DE)。
钝化层PSV设置在源电极SE和漏电极DE上。钝化层PSV可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
第三绝缘层INS3设置在钝化层PSV上。第三绝缘层INS3可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙(Teflon)的含氟碳化合物或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
连接图案CNP设置在第三绝缘层INS3上。连接图案CNP可以经由穿过第三绝缘层INS3和钝化层PSV的接触孔连接到晶体管的漏电极DE。连接图案CNP可以由至少一种金属形成,例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或金属的合金。此外,连接图案CNP可以类似于上述栅电极GE而以单层或多层结构形成。
根据发明构思的示例性实施例,诸如虚设电源线的其他线可以利用与连接图案CNP基本相同的材料与连接图案CNP设置在同一层上。
第四绝缘层INS4设置在连接图案CNP上。第四绝缘层INS4可以是由 有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙(Teflon)的含氟碳化合物或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
第一电极EL1设置在第四绝缘层INS4上。第一电极EL1通过穿过第四绝缘层INS4的接触孔连接到连接图案CNP,并通过穿过第三绝缘层INS3和钝化层PSV的接触孔连接到漏电极DE。第一电极EL1可以用作阳极和阴极中的一个。
根据发明构思的示例性实施例,钝化层PSV、第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4可以设置在漏电极DE上,但这些层的布置可以改变。例如,根据发明构思的示例性实施例,可以在漏电极DE上仅设置钝化层PSV,第一电极EL1可以设置在钝化层PSV上。根据发明构思的示例性实施例,可以仅设置钝化层PSV和第三绝缘层INS3,第一电极EL1可以设置在第三绝缘层INS3上。在这种情况下,连接图案CNP可以省略,第一电极EL1可以直接连接到漏电极DE。
第一电极EL1可以由使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr的合金和/或氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的金属层形成。
根据发明构思的示例性实施例,第一电极EL1由单一类型的金属制成,但第一电极EL1不限于此,可以由两种或更多种金属(例如,Ag和Mg的合金)制成。
当在基底SUB的下方向上提供图像时,第一电极EL1可以由透明导电层形成。当在基底SUB的上方向上提供图像时,第一电极EL1可以由金属反射层和/或透明导电层形成。
用于将区域分隔为与每个像素PXL对应的像素限定层PDL设置在基底SUB上。像素限定层PDL可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙(Teflon)的含氟碳化合物或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
像素限定层PDL暴露第一电极EL1的上表面,并沿着像素PXL的外围从基底SUB突出。
有机层OL设置在由像素限定层PDL围绕的区域中。
有机层OL可以包括具有低分子量的材料或聚合物。具有低分子量的材 料包括铜钛菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。这些材料可以通过真空沉积法形成。聚合物材料可以包括PEDOT、聚苯撑乙烯(PPV)或聚芴等。
有机层OL可以设置为单层或者可以以包括各种功能层的多层设置。当有机层OL以多层结构设置时,空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL等可以具有单一结构或复合结构。有机层OL可以通过丝网印刷法、喷墨印刷法、激光诱导热成像(LITI)法等形成。
有机层OL可以不必限制于此,可以具有各种结构。有机层OL的至少一部分可以整体地形成在第一电极EL1的上方,或者可以单独地设置为与第一电极EL1对应。
第二电极EL2形成在有机层OL上。第二电极EL2可以针对每个像素PXL设置。多个第二电极EL2可以设置为覆盖大部分显示区域DA并且被多个像素PXL共享。
第二电极EL2可以用作阳极和阴极中的一个。当第一电极EL1是阳极时,第二电极EL2可以用作阴极,当第一电极EL1是阴极时,第二电极EL2可以用作阳极。
第二电极EL2可以由包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等的金属层或者包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层形成。根据发明构思的示例性实施例,第二电极EL2可以以包含金属薄膜的双层结构或多层结构形成。例如,第二电极EL2可以由ITO/Ag/ITO的三层形成。
当在基底SUB的下方向上提供图像时,第二电极EL2可以由金属反射层和/或透明导电层形成。当在基底SUB的上方向上提供图像时,第二电极EL2可以由透明导电层形成。
密封层SL设置在第二电极EL2上。密封层SL可以由单层或多层制成。根据发明构思的示例性实施例,密封层SL可以由第一密封层SL1、第二密封层SL2和第三密封层SL3形成。第一密封层SL1至第三密封层SL3可以由有机材料和/或无机材料制成。布置为最外面的密封层的第三密封层SL3可以由无机材料制成。根据发明构思的示例性实施例,第一密封层SL1可以由无机材料制成,第二密封层SL2可以由有机材料制成,第三密封层SL3可以由无机材料制成。对于无机层,可以更好地防止湿气或氧的渗透,但它们由于较少的弹性或柔性而更容易受到裂纹的影响。可以通过利用无机材料形成第一密封层SL1和第三密封层SL3并利用有机材料形成第二密封层SL2来防止裂纹的扩展。利用有机材料形成的第二密封层SL2可以完全被第三密封层SL3覆盖,从而第二密封层SL2的端部不被外部暴露。诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙(Teflon)的含氟碳化合物、苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以作为有机材料使用。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅可以作为无机材料使用。
根据发明构思的示例性实施例,形成发光器件的有机层OL会容易受到来自外部源的湿气或氧的损害。如此,为了保护,密封层SL覆盖有机层OL。密封层SL覆盖显示区域DA并且可以延伸至显示区域DA的外部。然而,如果绝缘层由有机材料制成,则尽管绝缘层可以是更好的柔性的和弹性的,但是相比于由无机材料制成的绝缘层,湿气或氧的渗透会相对更容易。根据发明构思的示例性实施例,为了防止湿气和氧通过由有机材料制成的绝缘层的渗透,绝缘层的端部被由无机材料制成的绝缘层覆盖以不被外部暴露。例如,由有机材料制成的第三绝缘层INS3、第四绝缘层INS4和/或像素限定层PDL可以不连续地延伸至非显示区域NDA,并且可以包括第一开口OPN1,第三绝缘层INS3、第四绝缘层INS4和/或像素限定层PDL的一部分沿着第一开口OPN1的外围被去除。因此,像素限定层PDL的上表面、由第一开口OPN1暴露的第三绝缘层INS3、第四绝缘层INS4和/或像素限定层PDL的侧面可以被包括无机材料的绝缘层(例如,密封层SL)密封,从而可以防止像素限定层PDL的侧面被外部暴露。
然而,密封层SL的层结构和材料不限于此,而可以被各种改变。例如,密封层SL可以包括彼此交替堆叠的若干有机材料层和无机材料层。
下面将描述非显示区域NDA,将省略或简要地描述上面已经进行的描述以避免重复说明。
根据发明构思的示例性实施例,线部LP设置在非显示区域NDA中,基底SUB被折叠的可弯曲区域BA可以包括在非显示区域NDA中。
线部LP包括扫描线、数据线和电源线。根据发明构思的示例性实施例,构成线部LP的线可以是数据线。然而,可以不同地形成构成线部LP的线。
线部LP包括多条线。每条线可以将像素PXL连接到驱动器并且在第二 方向DR2上从像素PXL大致延伸以提供连接。线可以在第二方向DR2上延伸至附加区域ADA的端部,所述端部可以设置在接触电极CTE中。像素PXL可以通过结合到线的接触电极CTE连接到以层上芯片等实现的驱动器。
线部LP包括第一线L1、第二线L2和第三线L3。第一线L1和第二线L2可以一对一连接。第二线L2和第三线L3可以一对一连接。
如图3中所示,线部LP可以在非显示区域NDA中以堆叠结构实现。在图3中,为了便于描述,由于仅示意性地示出第一线L1和第二线L2的部分,所以下面将描述第一线L1与第二线L2之间的关系。
缓冲层BF设置在基底SUB的非显示区域NDA上。缓冲层BF可以在可弯曲区域BA中具有第二开口OPN2。
栅极绝缘层GI设置在缓冲层BF上。
第一线L1和第三线L3可以设置在栅极绝缘层GI上。第一线L1可以设置在第一平坦区域FA1中,第三线L3可以设置在第二平坦区域FA2中。第一线L1和第三线L3可以利用与栅电极GE基本相同的材料在同一工艺中形成。
层间绝缘层IL设置在第一线L1和第三线L3上。
第一绝缘层INS1可以设置在层间绝缘层IL上。
第二开口OPN2在可弯曲区域BA中设置在绝缘层中。如上所述,可弯曲区域BA可以是基底SUB的可以弯曲的部分。第二开口OPN2可以通过去除缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1中的与可弯曲区域BA对应的区域来设置。
由于第二开口OPN2与可弯曲区域BA对应,所以第二开口OPN2与可弯曲区域BA叠置。第二开口OPN2的面积可以大于可弯曲区域BA的面积。为了便于描述,图3中示出了第二开口OPN2的宽度和可弯曲区域BA的宽度基本相同。然而,第二开口OPN2的宽度可以大于可弯曲区域BA的宽度。
第二开口OPN2中的缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的内侧可以以直线设置使得这些层的开口基本相同,但发明构思不限于此。例如,第一绝缘层INS1的开口可以大于缓冲层BF的开口。根据发明构思的示例性实施例,第二开口OPN2的面积可以被定义为缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的面积之中的最小面积。
第二绝缘层INS2设置在第二开口OPN2中。第二绝缘层INS2可以填充 第二开口OPN2的至少一部分。在图3中,示出了第二绝缘层INS2填充第二开口OPN2的全部。根据发明构思的示例性实施例,第二绝缘层INS2可以填充第二开口OPN2以及与第二开口OPN2相邻的一部分(例如,第一绝缘层INS1的与平坦区域FA1和FA2对应的上部)。
第二绝缘层INS2可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟龙(Teflon)的含氟碳化合物、苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
第二线L2设置在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2上。此外,下接触电极CTEa可以设置在第一绝缘层INS1上。第二线L2和下接触电极CTEa可以利用与源电极SE和漏电极DE基本相同的材料与源电极SE和漏电极DE在同一工艺中形成。第二线L2可以在可弯曲区域BA的上方从第一平坦区域FA1延伸至第二平坦区域FA2,并且可以设置在第二绝缘层INS2上。第二线L2可以在未设置有第二绝缘层INS2的部分中设置在第一绝缘层INS1上。
如上所述,在图3中,示出了被弯曲之前的显示装置。然而,显示装置可以在可弯曲区域BA中被弯曲。显示装置可以形成为是平坦的,并且最终是弯曲的。当显示装置在制造之后被弯曲时,会在基底SUB等的弯曲工艺期间向第二线L2施加拉应力。然而,如上所述,第二线L2可以设置在由具有弹性和柔性的有机材料形成的第二绝缘层INS2上,从而使第二线L2上的缺陷最小化。换句话讲,根据发明构思的示例性实施例,为了保持基底SUB的柔性和弹性,可以在可弯曲区域BA中去除由具有低弹性和柔性的无机材料制成的无机绝缘层。此外,可以减小由具有低弹性和柔性的无机材料制成的绝缘层被弯曲时出现的缺陷。
当诸如缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和/或第一绝缘层INS1的无机绝缘层设置在可弯曲区域BA中时,会在弯曲基底SUB的工艺期间向设置在这些无机绝缘层上的线(例如,第二线L2)施加极大的拉应力。换句话讲,与有机绝缘层相比,无机绝缘层由于相对高的硬度和低的柔性而可能具有裂纹。当裂纹出现在无机绝缘层中时,裂纹会传播到位于无机绝缘层上的线(例如,第二线L2),最终会导致诸如线的断开的缺陷。
根据发明构思的示例性实施例,图3中示出的可弯曲区域BA与无机绝缘层被去除的部分一致,这是为了便于描述。可弯曲区域BA和无机绝缘层的被去除的部分可以不精确地叠置。例如,可弯曲区域BA通常可以与无机 绝缘层的已经被去除的部分对应,或者可以根据需要大于或小于无机绝缘层的已经被去除的部分。此外,根据发明构思的示例性实施例,仅可弯曲区域BA设置在非显示区域NDA中,但发明构思不限于此。例如,可弯曲区域BA可以设置在非显示区域NDA和显示区域DA的上方,或者可以设置在显示区域DA中。
钝化层PSV可以设置在基底SUB上。钝化层PSV可以不设置在与可弯曲区域BA对应的区域中。另外,钝化层PSV可以暴露下接触电极CTEa的上表面的一部分。
第三绝缘层INS3可以设置在钝化层PSV上。第四绝缘层INS4可以设置在第三绝缘层INS3上。沿着显示区域DA的外围的第一开口OPN1可以设置在第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4中。因此,第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4可以从显示区域DA不连续地延伸至非显示区域NDA,而可以在显示区域DA的边缘处断开。如上所述,第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4的设置在显示区域DA的这一侧上的侧表面可以被密封层SL覆盖,但在非显示区域NDA中,第四绝缘层INS4的上表面以及第四绝缘层INS4和第三绝缘层INS3的侧表面可以被外部暴露。
在形成第三绝缘层INS3之后,可以形成上接触电极CTEb。上接触电极CTEb可以利用与显示区域DA的连接图案CNP基本相同的材料与显示区域DA的连接图案CNP在同一工艺中形成。下接触电极CTEa和上接触电极CTEb可以构成接触电极CTE,如上所述,线可以通过接触电极CTE连接到在基底SUB上以层上芯片实现的驱动器。
下面将描述第一线L1与第二线L2之间的连接。第二线L2和第三线L3可以以与第一线L1和第二线L2基本相同的方式连接。
例如,当第一线L1至第三线L3连接到用于将数据信号传输到像素PXL的数据线时,第一线L1可以包括接触单元以连接至显示区域DA附近的数据线。
图4是根据发明构思的示例性实施例的与图1的A1对应的部分的平面图。图5A是沿图4的线II-II’截取的剖视图,图5B是沿图4的线III-III’截取的剖视图,图5C是沿图4的线IV-IV’截取的剖视图。
参照图4和图5A至图5C,线部LP可以包括第一线L1和第二线L2。第一线L1和第二线L2可以彼此一对一连接。
第一线L1可以在第二方向DR2上总体地延伸并且彼此分隔开。尽管图4中示出了第一线L1彼此平行,但是第一线L1不限于此。由于第一线L1在第二方向DR2上延伸,所以第一线L1之中的距离可以变得更小或更大。根据发明构思的示例性实施例,第一线L1之中的距离沿着第二方向DR2变得更小并且最终第一线L1延伸至平行以保持预定的距离。
每条第一线L1可以沿第二方向DR2在端部处具有第一焊盘P1。在第一线L1中,包括第一焊盘P1的部分的宽度(例如,第二宽度W2)可以大于不包括第一焊盘P1的部分的宽度(例如,第一宽度W1)(宽度表示在第一方向DR1上的距离)。换句话讲,第二宽度W2可以大于第一宽度W1。第一焊盘P1的相对大的宽度可以有利于与第二焊盘P2接触。可选择地,根据发明构思的示例性实施例,第二宽度W2可以基本等于第一宽度W1。
第一线L1可以包括第一子线L1a和第二子线L1b。多条第一子线L1a和多条第二子线L1b可以被设置,并且可以交替地布置在第一方向DR1上。例如,第一子线L1a可以是第一线L1中的奇数编号的线,第二子线L1b可以是第一线L1中的偶数编号的线。可选择地,第一子线L1a可以是第一线L1中的偶数编号的线,第二子线L1b可以是第一线L1中的奇数编号的线。
第一焊盘P1包括第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b,第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b可以分别包括在第一子线L1a的端部和第二子线L1b的端部中。第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b可以沿第二方向DR2以与显示区域DA不同的距离布置。换句话讲,第一子焊盘P1a的与显示区域DA的最小距离可以比第二子焊盘P1b的与显示区域DA的最小距离短。可以基于第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b在第二方向DR2上的长度来确定第一子焊盘P1a的与显示区域DA的最小距离和第二子焊盘P1b的与显示区域DA的最小距离。
第一子线L1a和第二子线L1b可以设置在同一层上。根据发明构思的示例性实施例,第一子线L1a和第二子线L1b可以与栅电极GE和电容器下电极LE一起设置在栅极绝缘层GI上。第一子线L1a和第二子线L1b可以利用与栅电极GE和电容器下电极LE基本相同的材料与栅电极GE和电容器下电极LE在同一工艺中形成。
第二线L2可以在第二方向DR2上基本延伸并且彼此分开。尽管第二线L2在图4中示出为彼此平行,但是第二线L2不限于此。由于第二线L2在第 二方向DR2上延伸,所以第二线L2之中的距离可以被加宽或逐渐变窄。
每条第二线L2可以在与可弯曲区域BA最接近的端部中具有第二焊盘P2。第二线L2的除了第二焊盘P2之外的部分具有第三宽度W3。第二焊盘P2具有第四宽度W4。第四宽度W4可以大于第三宽度W3。
第二焊盘P2的第四宽度W4可以相对大以有利于与第一焊盘P1接触。可选择地,根据发明构思的示例性实施例,如果需要,第四宽度W4可以基本等于第三宽度W3。
如上所述,第二宽度W2可以大于第一宽度W1,第四宽度W4可以大于第三宽度W3。换句话讲,第一焊盘P1和第二焊盘P2的宽度(例如W2和W4)可以大于第一线L1和第二线L2的不与第一焊盘和第二焊盘叠置的部分的宽度(例如,W1和W3)。可选择地,如上所述,第二宽度W2可以基本等于第一宽度W1,第四宽度W4可以基本等于第三宽度W3。换句话讲,第一焊盘P1和第二焊盘P2的宽度(例如,W2和W4)可以与第一线L1和第二线L2的不与第一焊盘和第二焊盘叠置的部分的宽度(例如,W1和W3)基本相同。
第二线L2可以包括与第一线L1的第一子线L1a对应的第三子线L2a和与第一线L1的第二子线L1b对应的第四子线L2b。多条第三子线L2a和多条第四子线L2b可以沿第一方向DR1交替地布置。换句话讲,第三子线L2a可以是第二线L2的奇数编号的线,第四子线L2b可以是第二线L2的偶数编号的线。可选择地,第三子线L2a可以是第二线L2的偶数编号的线,第四子线L2b可以是第二线L2的奇数编号的线。
第二焊盘P2包括第三子焊盘P2a和第四子焊盘P2b。第三子线L2a和第四子线L2b可以分别在与可弯曲区域BA最接近的端部中包括第三子焊盘P2a和第四子焊盘P2b。第三子焊盘P2a可以与第一子线L1a的第一子焊盘P1a对应,第四子焊盘P2b可以与第二子线L1b的第二子焊盘P1b对应。
当在平面图中观察时,第三子焊盘P2a可以与第一子焊盘P1a叠置,第四子焊盘P2b可以与第二子焊盘P1b叠置。因此,第三子焊盘P2a和第四子焊盘P2b可以分别与第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b的位置对应,并且可以沿第二方向DR2形成为具有距显示区域DA不同的距离。换句话讲,第三子焊盘P2a的与显示区域DA的最短距离可以比第四子焊盘P2b的与显示区域DA的最短距离短。
根据发明构思的示例性实施例,第三子线L2a和第四子线L2b可以设置在同一层上。第三子线L2a和第四子线L2b可以与显示区域DA的源电极SE和漏电极DE一起设置在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2上。第三子线L2a和第四子线L2b可以利用与源电极SE和漏电极DE基本相同的材料在同一工艺中形成。
每个第二焊盘P2的宽度可以与每个第一焊盘P1的宽度基本相同,或者可以不同。在图4中,为了便于说明,第二焊盘P2的宽度稍微大于第一焊盘P1的宽度。例如,根据发明构思的示例性实施例,第二焊盘P2的宽度可以与第一焊盘P1的宽度基本相同。
第二线L2可以设置在第二绝缘层INS2与第三绝缘层INS3之间。
第二线L2和第一线L1可以一一对应并且在第一线L1延伸的方向上延伸。当在平面图中观察时,第一线L1的端部和第二线L2的端部可以彼此叠置。根据发明构思的示例性实施例,第一线L1的第一焊盘P1和第二线L2的第二焊盘P2可以彼此叠置。
在形成有第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a的区域以及形成有第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b的区域中,可以设置穿过层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的第一接触孔CH1。第一接触孔CH1可以设置在子焊盘的叠置部分中的至少一个或更多个中。根据发明构思的示例性实施例,在图5A至图5C中示出了三个第一接触孔CH1。
第一孔H1可以在第二绝缘层INS2中设置在与第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b对应的位置中。第一孔H1可以暴露第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b的上表面。第一孔H1可以形成为与第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b对应并且具有比每个第一子焊盘P1a和每个第二子焊盘P1b的面积大的面积。
因此,第二焊盘P2的一部分(例如,第三子焊盘P2a)可以与通过第一接触孔CH1和第一孔H1暴露的第一子焊盘P1a接触,第二焊盘P2的剩余部分(例如,第四子焊盘P2b)可以与通过第一接触孔CH1和第一孔H1暴露的第二子焊盘P1b接触。结果,第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a可以彼此电连接,第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b可以彼此电连接。
当在平面图中观察时,第二绝缘层INS2的边缘可以设置在显示区域DA和第一线L1与第二线L2叠置的部分之间。当在平面图中观察时,第二绝缘层INS2的所述边缘可以表示第二绝缘层INS2的最外边界或最外侧,不包括 第二绝缘层INS2的由第一孔H1形成的剩余部分(例如,如图5A中所示的第二绝缘层INS2的距可弯曲区域BA最远的部分)。
在根据发明构思的示例性实施例的显示装置中,第二绝缘层INS2的所述边缘、第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a以及第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b可以沿第二方向DR2顺序地布置。因此,第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a的叠置部分以及第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b的叠置部分可以与第二绝缘层INS2的所述边缘隔开。根据发明构思的示例性实施例,第二绝缘层INS2的所述边缘可以与第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a的叠置部分分隔开至少一微米。
具有上述结构的线部LP可以防止由于在形成线部LP期间会产生的残余物而发生短路。
传统上,第一线L1和第二线L2(例如,第一焊盘P1和第二焊盘P2)的叠置部分可以布置为具有与显示区域DA相同的最小距离。此外,第二绝缘层INS2的所述边缘可以与第一焊盘P1和第二焊盘P2的至少一部分部分地叠置。对于第一焊盘P1和第二焊盘P2,由于焊盘的宽度大于线的其他部分的宽度从而邻近焊盘之间的距离相对小,所以邻近焊盘之间的短距离会引起残余物。
然而,如上所述,根据发明构思的示例性实施例,第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a以及第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b可以沿第二方向DR2以与显示区域DA不同的距离布置,从而使邻近焊盘之间的间隔最大化。
第二绝缘层INS2可以通过向其施用有机材料来制造,设置有第二绝缘层INS2的部分和未设置有第二绝缘层INS2的部分可以置于距基底SUB不同的高度处。当在由第二绝缘层INS2引起的距基底SUB的高度处利用金属材料等形成第一焊盘P1和第二焊盘P2时,还未被去除的金属残余物会保留在第二绝缘层INS2的所述边缘处。金属残余物会使彼此邻近的第一线L1和第二线L2短路,导致在显示装置中发生缺陷。
参照图4,对于第三子线L2a,第一距离D1是未设置有第四子焊盘P2b的区域中与最接近的第二线L2的最小距离,第二距离D2是设置有第四子焊盘P2b的区域中与最接近的第二线L2的最小距离。第二距离D2可以小于第一距离D1。
由于第二绝缘层INS2的所述边缘与线(例如,第二线L2)之间的间隔 相对狭窄处的第三子焊盘P2a分隔开,所以尽管金属残余物会保留,也可以减小或防止线之间的短路。在这种情况下,金属残余物可以位于第二绝缘层INS2的所述边缘上浮置的导电层中。
根据发明构思的示例性实施例,在第一线L1与第二线L2的叠置部分中,为了减小或防止邻近线之间的短路,可以不同地布置第一线L1。在下面描述的示例性实施例中,为了避免赘述,将省略重复的描述。
图6是根据本公开的示例性实施例的与图1的显示装置的A1对应的部分的平面图。图7A是沿图6的线II-II’截取的剖视图,图7B是沿图6的线III-III’截取的剖视图,图7C是沿图6的线IV-IV’截取的剖视图。
参照图6和图7A至图7C,线部LP可以包括第一线L1和第二线L2。第一线L1和第二线L2可以一一对应连接。
第一线L1可以包括第一子线L1a和第二子线L1b。第一子线L1a和第二子线L1b可以沿第一方向DR1交替地布置。第一子线L1a和第二子线L1b可以在其端部上分别包括第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b。
在本示例性实施例中,第一子线L1a和第二子线L1b形成在不同的层上并在第一方向DR1上交替地布置。
第一子线L1a可以与显示区域DA的栅电极GE和电容器下电极LE设置在栅极绝缘层GI上。第一子线L1a可以利用与栅电极GE和电容器下电极LE基本相同的材料与栅电极GE和电容器下电极LE在同一工艺中形成。
第二子线L1b可以与显示区域DA的电容器上电极UE设置在层间绝缘层IL上。第二子线L1b可以利用与电容器上电极UE基本相同的材料与电容器上电极UE在同一工艺中形成。
第二线L2可以包括与第一子线L1a对应的第三子线L2a和与第二子线L1b对应的第四子线L2b。第三子线L2a和第四子线L2b可以在其与可弯曲区域BA最近的端部处分别包括第三子焊盘P2a和第四子焊盘P2b。
第三子线L2a和第四子线L2b可以设置在同一层上。第三子线L2a和第四子线L2b可以与显示区域DA的源电极SE和漏电极DE设置在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2上。第三子线L2a和第四子线L2b可以利用与源电极SE和漏电极DE基本相同的材料与源电极SE和漏电极DE在同一工艺中形成。
第二线L2和第一线L1可以一一对应。第一线L1的第一焊盘P1和第二 线L2的第二焊盘P2可以彼此叠置。
在形成有第一子焊盘P1a的区域中,可以设置穿过层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的第一接触孔CH1。可以设置至少一个第一接触孔CH1。根据发明构思的示例性实施例,设置三个第一接触孔CH1。
在形成有第二子焊盘P1b的区域中,可以设置穿过第一绝缘层INS1的第二接触孔CH2。可以设置至少一个第二接触孔CH2。根据发明构思的示例性实施例,设置三个第二接触孔CH2。
第一孔H1可以在第二绝缘层INS2中设置在与第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b对应的位置中。
因此,第二焊盘P2的一部分(例如,第三子焊盘P2a)可以与通过第一接触孔CH1和第一孔H1暴露的第一子焊盘P1a接触,第二焊盘P2的剩余部分(例如,第四子焊盘P2b)可以与通过第二接触孔CH2和第一孔H1暴露的第二子焊盘P1b接触。结果,第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a彼此电连接,第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b彼此电连接。
当在平面图中观察时,第二绝缘层INS2的所述边缘可以设置在显示区域DA和第一线L1与第二线L2的叠置部分之间。第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a的叠置部分以及第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b的叠置部分可以与第二绝缘层INS2的所述边缘隔开。
由于第一子线L1a和第二子线L1b具有上面描述的结构,所以可以在第一线L1之中的邻近的线之间建立更大的宽度。当第一线L1交替地形成在单一层上时,邻近的第一线L1之间的间隔小。然而,当第一线L1交替地布置在不同的层上时,邻近的第一线L1之间的间隔可以更宽。结果,设计第一线L1的自由度可以增大。
在图6中,对于第一子线L1a,同一层上最邻近的线可以不是第二子线L1b,而是其他第一子线L1a。第二子线L1b可以位于与第一子线L1a不同的层上。
第三距离D3可以是邻近的第一子线L1a之间未设置有第一子焊盘P1a处的距离。第四距离D4可以是邻近的第一子线L1a之间设置有第一子焊盘P1a处的距离。第四距离D4可以小于第三距离D3。此外,当在平面图中观察时,由于第一子线L1a和第二子线L1b设置在不同的层上,所以邻近线之间的间隔可以更大。如上所述,根据发明构思的示例性实施例,由于线设置 在不同的层上,所以更多条线可以布置在更狭窄的区域中,设计的自由度增大。
根据发明构思的示例性实施例,如上所述,在第一线L1与第二线L2的叠置部分中,可以减少或防止邻近线之间的短路。
图8是根据发明构思的示例性实施例的与图1的显示装置的A1对应的部分的平面图。图9A是沿图8的线II-II’截取的剖视图,图9B是沿图8的线III-III’截取的剖视图,图9C是沿图8的线IV-IV’截取的剖视图。
参照图8和图9A至图9C,第一线L1可以在第二方向DR2上总体地延伸并且可以彼此分隔开。每条第一线L1在第二方向DR2上具有第一焊盘P1。第一焊盘P1可以具有比第一线L1的除第一焊盘P1之外的宽度大的宽度。
第一线L1可以包括第一子线L1a和第二子线L1b。第一子线L1a和第二子线L1b可以沿第一方向DR1交替地布置。第一子线L1a和第二子线L1b可以在其端部处分别具有第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b。
第一子线L1a可以与栅电极GE和电容器下电极LE设置在栅极绝缘层GI上。第一子线L1a可以利用与栅电极GE和电容器下电极LE基本相同的材料与栅电极GE和电容器下电极LE在同一工艺中形成。
第二线L2可以包括与第一线L1的第一子线L1a对应的第三子线L2a和与第一线L1的第二子线L1b对应的第四子线L2b。第三子线L2a和第四子线L2b可以沿第一方向DR1交替地布置。
第三子线L2a和第四子线L2b可以设置在不同的层上。
第三子线L2a可以与显示区域DA的源电极SE和漏电极DE设置在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2上。第三子线L2a可以利用与源电极SE和漏电极DE基本相同的材料与源电极SE和漏电极DE在同一工艺中形成。
第四子线L2b可以与显示区域DA的连接图案CNP设置在第三绝缘层INS3上。第四子线L2b可以利用与连接图案CNP基本相同的材料与连接图案CNP在同一工艺中形成。
第三子线L2a和第四子线L2b可以形成在不同的层上并且可以在第一方向DR1上顺序地并交替地布置。因此,可以建立邻近的第二线L2之间的大的距离。当第二线L2形成在单一层上时,邻近的第二线L2之间的间隔相对狭窄。然而,当第二线L2交替地布置在不同的层上时,邻近的第二线L2之间的距离可以更宽。因此,第二线L2的设计自由可以增大。
穿过层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的第一接触孔CH1可以设置在形成有第一子焊盘P1a的区域中。穿过第一绝缘层INS1的第二接触孔CH2可以设置在形成有第二子焊盘P1b的区域中。
第一孔H1可以在第二绝缘层INS2中设置在与第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b对应的位置中。第一孔H1可以暴露第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b的上表面。
第三子焊盘P2a可以与通过第一接触孔CH1和第一孔H1暴露的第一子焊盘P1a接触。
在形成有第二子焊盘P1b的区域中,可以设置连接第二子焊盘P1b与第四子焊盘P2b的桥接图案BR。桥接图案BR可以与通过第二接触孔CH2和第一孔H1暴露的第二子焊盘P1b接触。
在形成有第二子焊盘P1b的区域中,可以设置穿过钝化层PSV和第三绝缘层INS3的第三接触孔CH3。可以设置一个或更多个第三接触孔CH3。根据发明构思的示例性实施例,设置三个第三接触孔CH3。
因此,第四子焊盘P2b可以通过第三接触孔CH3与桥接图案BR接触,桥接图案BR可以通过第二接触孔CH2与第二子焊盘P1b接触。结果,第二子焊盘P1b可以电连接到第四子焊盘P2b。
根据发明构思的示例性实施例,当在平面图中观察时,第二绝缘层INS2的所述边缘可以设置在显示区域DA和第一线L1与第二线L2的叠置部分之间。具有这样结构的线部LP可以防止在形成线部LP时会产生的残余物而引起的短路。
此外,参照图8,对于第四子线L2b,因为第三子线L2a和第四子线L2b位于不同的层上,所以同一层上最邻近的线可以不是第三子线L2a,而是另一第四子线L2b。第五距离D5可以是邻近的第四子线L2b之间未设置有第四子焊盘P2b处的距离。第六距离D6可以是邻近的第四子线L2b之间设置有第四子焊盘P2b处的距离。第六距离D6可以小于第五距离D5。此外,由于第三子线L2a和第四子线L2b设置在不同的层上,所以同一层上邻近线之间的距离可以更大。如上所述,根据发明构思的示例性实施例,随着更多条线可以布置在更狭窄的区域中,邻近线之间的间隔更大,设计自由度相应地增大。
如上所述,针对线部LP,第一线L1和第二线L2可以设置在各种层上, 并且可以在不脱离发明构思的情况下彼此结合。形成在不同层上的线可以通过接触孔彼此连接。
根据发明构思的示例性实施例,第二绝缘层INS2可以以各种形式设置。例如,暴露线的一部分的孔可以具有不同的形状。
图10是根据发明构思的示例性实施例的沿图1的显示装置的线I-I’截取的剖视图。图11是根据发明构思的示例性实施例的与图1的显示装置的A1对应的部分的平面图。图12A是沿图11的线II-II’截取的剖视图,图12B是沿图11的线III-III’截取的剖视图,图12C是沿图11的线IV-IV’截取的剖视图。
参照图10、图11以及图12A至图12C,当在平面图中观察时,第二绝缘层INS2的所述边缘可以设置在显示区域DA与第一线L1和第二线L2的叠置部分之间。换句话讲,第二绝缘层INS2的所述边缘、第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a以及第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b可以在第二方向DR2上从显示区域DA顺序地布置。
第二孔H2可以在第二绝缘层INS2中设置在与第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b对应的位置处。每个第二孔H2可以具有比每个第一子焊盘P1a的面积和每个第二子焊盘P1b的面积小的面积。更详细地讲,第二孔H2可以设置在与设置有第二接触孔CH2的位置对应的位置中。在这种情况下,当在平面图中观察时,第二孔H2可以与第二接触孔CH2叠置。在图12A至图12C中,示出了第二孔H2的面积稍微大于第二接触孔CH2的面积,但发明构思不限于此。例如,每个第二孔H2的面积可以与每个第二接触孔CH2的面积基本相同。
根据发明构思的示例性实施例,对于第一线L1和第二线L2的叠置部分,第二绝缘层可以不同地布置以减小或防止短路,这将在下面进行描述。
图13是根据发明构思的示例性实施例的沿图1的显示装置的线I-I’截取的剖视图。图14是根据发明构思的示例性实施例的与图1的显示装置的A1对应的部分的平面图。图15A是沿图14的线II-II’截取的剖视图,图15B是沿图14的线III-III’截取的剖视图,图15C是沿图14的线IV-IV’截取的剖视图。
参照图13、图14以及图15A至图15C,线部LP可以包括第一线L1和第二线L2。第一线L1和第二线L2可以彼此一对一连接。
第一线L1可以包括第一子线L1a和第二子线L1b。第一子线L1a和第二子线L1b可以沿第一方向DR1交替地布置。第一子线L1a和第二子线L1b在其端部上分别具有第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b。第一子焊盘P1a和第二子焊盘P1b可以形成为具有在第二方向DR2上与显示区域DA不同的距离。
第一子线L1a可以与显示区域DA的栅电极GE和电容器下电极LE设置在栅极绝缘层GI上。第一子线L1a可以利用与栅电极GE和电容器下电极LE基本相同的材料与栅电极GE和电容器下电极LE在同一工艺中形成。
第二子线L1b可以与显示区域DA的电容器上电极UE设置在层间绝缘层IL上。第二子线L1b可以利用与电容器上电极UE基本相同的材料与电容器上电极UE在同一工艺中形成。
第二线L2可以设置在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2上。
第二线L2和第一线L1可以一一对应。当在平面图中观察时,第一线L1的端部和第二线L2的端部可以彼此叠置。换句话讲,第一线L1的第一焊盘P1和第二线L2的第二焊盘P2可以彼此叠置。
在与第一子线L1a的第一子焊盘P1a对应的部分中,可以设置穿过层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的第一接触孔CH1。在与第二子线L1b的第二子焊盘P1b对应的部分中,可以设置穿过第一绝缘层INS1的第二接触孔CH2。
第二线L2的第三子线L2a可以与第一子线L1a对应并且可以通过穿过层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的第一接触孔CH1连接到第一子线L1a。第二线L2的第四子线L2b可以与第二子线L1b对应并且可以通过穿过第一绝缘层INS1的第二接触孔CH2连接到第二子线L1b。结果,第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a彼此电连接,第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b彼此电连接。
当在平面图中观察时,第二绝缘层INS2的所述边缘可以与显示区域DA分隔开并且第一线L1和第二线L2的叠置部分介于第二绝缘层INS2的所述边缘与显示区域DA之间。换句话讲,显示区域DA、第一线L1和第二线L2的叠置部分以及第二绝缘层INS2的所述边缘可以沿第二方向DR2顺序地布置。如此,第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a、第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b以及第二绝缘层INS2的所述边缘可以从显示区域DA沿第二方向DR2顺序地布置。第二绝缘层INS2的所述边缘与第一线L1和第二线L2的叠置 部分分隔开预定的距离。根据发明构思的示例性实施例,第二绝缘层INS2的所述边缘可以与第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b的端部分隔开至少一微米。
由于第二绝缘层INS2与第一线L1和第二线L2的叠置部分分隔开,所以与上面描述的示例性实施例不同,在形成有第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a以及形成有第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b的位置中,可以不形成暴露第一子焊盘P1a和第三子焊盘P2a以及暴露第二子焊盘P1b和第四子焊盘P2b的孔。
在具有上述结构的本示例性实施例中,由于第二绝缘层INS2的所述边缘与第一线L1和第二线L2的叠置部分之间的间隔相对狭窄,所以即使金属残余物会保留,也可以减少或防止线之间的短路。
在上面的示例性实施例中,除非与发明构思的精神相反,否则各个实施例可以彼此结合。例如,根据发明构思的示例性实施例,图8和图9A至图9C示出的示例性实施例的一部分与图13、图14和图15A至图15C示出的示例性实施例的一部分可以彼此结合。例如,如参照图13、图14和图15A至图15C所描述的,第二绝缘层INS2的所述边缘可以与显示区域DA分隔开并且第一线L1和第二线L2的叠置部分位于第二绝缘层INS2的所述边缘与显示区域DA之间。换句话讲,显示区域DA、第一线L1和第二线L2的叠置部分以及第二绝缘层INS2的所述边缘可以沿第二方向DR2按照顺序设置。第二线L2可以具有与第一线L1的第一子线L1a对应的第三子线L2a和与第一线L1的第二子线L1b对应的第四子线L2b。如参照图8和图9A至图9C所描述的,第三子线L2a和第四子线L2b可以沿第一方向DR1交替地布置。第三子线L2a和第四子线L2b可以形成在不同的层上并且可以交替地并顺序地布置在第一方向DR1上。因此,在邻近的第二线L2之间可以获得宽的间隙,第二绝缘层INS2的所述边缘可以形成在远离第三子焊盘P2a和第四子焊盘P2b的区域中,从而在残余物出现时可以大大减小短路的危险。
根据发明构思的示例性实施例的显示装置可以以各种类型的电子装置实施。例如,显示装置可以应用于诸如电视机、膝上型电脑、移动电话、智能电话、智能平板、便携式媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)等的装置。
根据发明构思的示例性实施例,可以使显示装置的制造工艺期间的诸如 断开或短路的缺陷最小化。因此,可以提供高质量的显示装置。
尽管已经参照发明构思的示例性实施例示出和描述了发明构思,但本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离如由权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下,可以对其做出形式上和细节上的各种改变。
Claims (35)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示图像的显示区域和设置在所述显示区域的至少一侧上的非显示区域;
多个像素,设置在所述基底上并设置在与所述显示区域对应的区域中;
第一绝缘层,具有位于所述非显示区域的第一区域中的开口;
第二绝缘层,设置在所述第一区域中;
第一线,设置在所述基底上并连接到所述多个像素;以及
第二线,设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上,并连接到所述第一线,
其中,所述第一线与所述第二线叠置的区域在平面图中观察时与所述第二绝缘层的边缘分隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一线包括设置在每条第一线的端部处的第一焊盘,
所述第二线包括设置在每条第二线的端部处的第二焊盘,
所述第一焊盘和所述第二焊盘在平面图中观察时彼此叠置。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一绝缘层包括位于所述第一焊盘与所述第二焊盘叠置的区域中的至少一个接触孔,所述第一焊盘和所述第二焊盘通过所述至少一个接触孔彼此连接。
4.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述第一绝缘层下方并具有位于所述第一区域中的开口的层间绝缘层,
其中,所述第一线包括设置在所述层间绝缘层下方的第一子线和设置在所述层间绝缘层上的第二子线。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第一子线和所述第二子线在平面图中观察时交替地布置。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第二线包括设置在所述第一绝缘层上的第三子线和设置在第三绝缘层上的第四子线。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第三子线和所述第四子线在平面图中观察时交替地布置。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一子线连接到所述第三子线,所述第二子线连接到所述第四子线。
9.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二绝缘层覆盖所述第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域的一部分。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第一区域与所述显示区域分隔开。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第二绝缘层的所述边缘设置在所述显示区域和所述第一区域之间。
12.根据权利要求3所述的显示装置,其中,在平面图中观察时,所述第二绝缘层具有在与所述第一焊盘和所述第二焊盘对应的位置中暴露所述第一绝缘层的上表面的孔。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述孔具有比所述第一焊盘和所述第二焊盘的面积大的面积。
14.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述孔具有比所述第一焊盘和所述第二焊盘的面积小的面积。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,在平面图中观察时,所述孔设置在与所述第一绝缘层的所述至少一个接触孔对应的位置中。
16.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一焊盘和所述第二焊盘的宽度大于所述第一线和所述第二线的所述第一焊盘和所述第二焊盘不叠置的部分的宽度。
17.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一焊盘和所述第二焊盘的宽度与所述第一线和所述第二线的所述第一焊盘和所述第二焊盘不叠置的部分的宽度相同。
18.根据权利要求2所述的显示装置,其中,在平面图中观察时,所述第二绝缘层的所述边缘与所述显示区域之间的距离比所述第一焊盘和所述第二焊盘与所述显示区域之间的距离大。
19.根据权利要求2所述的显示装置,其中,在平面图中观察时,所述第二绝缘层的所述边缘与所述显示区域之间的距离比所述第一焊盘和所述第二焊盘与所述显示区域之间的距离短。
20.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二线包括设置在所述第一绝缘层上的第三子线和设置在第三绝缘层上的第四子线。
21.根据权利要求20所述的显示装置,其中,所述第三子线和所述第四子线在平面图中观察时交替地布置。
22.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的第三绝缘层。
23.根据权利要求22所述的显示装置,其中,所述第三绝缘层包括沿所述显示区域的边缘的第二开口。
24.根据权利要求22所述的显示装置,其中,每个像素包括:
有源图案,设置在所述基底上;
栅极绝缘层,设置在所述有源图案上;
栅电极,设置在所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层之间;
源电极和漏电极,设置在所述第一绝缘层上;
第一电极,设置在所述第三绝缘层上并连接到所述漏电极;
有机层,设置在所述第一电极上;以及
第二电极,设置在所述有机层上。
25.根据权利要求24所述的显示装置,其中,所述第一线的至少一部分利用与所述栅电极相同的材料与所述栅电极设置在同一层上。
26.根据权利要求24所述的显示装置,其中,所述第二线的至少一部分利用与所述源电极和所述漏电极相同的材料与所述源电极和所述漏电极设置在同一层上。
27.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一绝缘层包括无机材料。
28.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二绝缘层包括有机材料。
29.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一区域在第一方向上延伸,所述基底沿着在所述第一方向上延伸的折叠线弯曲。
30.根据权利要求29所述的显示装置,其中,所述显示装置除了所述第一区域之外的区域是平坦的。
31.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示图像的显示区域和设置在所述显示区域的至少一侧上的非显示区域;
多个像素,设置在所述基底上并设置在与所述显示区域对应的区域中;
第一绝缘层,具有位于所述非显示区域的可弯曲区域中的开口;
第二绝缘层,设置在所述可弯曲区域的所述开口中;
第一线,设置在所述基底上并连接到所述多个像素;以及
第二线,连接至所述第一线,
其中,所述第一线在多个叠置部分中与所述第二线叠置,
所述多个叠置部分不与所述第二绝缘层叠置,
所述多个叠置部分包括第一叠置部分至第N叠置部分,
所述第一叠置部分至所述第N叠置部分之中的奇数的叠置部分和偶数的叠置部分分别具有距所述显示区域的第一距离和第二距离,
所述第一距离大于所述第二距离或者小于所述第二距离。
32.根据权利要求31所述的显示装置,其中,
所述第二线包括第一子线和第二子线,
所述第一子线和所述第二子线设置在不同的层上。
33.根据权利要求31所述的显示装置,其中,
所述第二绝缘层的边缘与所述显示区域之间的距离大于所述多个叠置部分与所述显示区域之间的距离。
34.根据权利要求31所述的显示装置,其中,
所述多个叠置部分包括第一焊盘和第二焊盘,
所述第一焊盘设置在每条第一线的端部处,
所述第二焊盘设置在每条第二线的端部处,
所述第一焊盘包括第一子焊盘和第二子焊盘,
所述第二焊盘包括第三子焊盘和第四子焊盘,
所述第一子焊盘和所述第二子焊盘分别与所述第三子焊盘和所述第四子焊盘叠置。
35.根据权利要求34所述的显示装置,所述显示装置还包括:
桥接图案,设置在形成有所述第二子焊盘的区域中,
其中,所述第二子焊盘通过所述桥接图案连接到所述第四子焊盘。
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107305305A true CN107305305A (zh) | 2017-10-31 |
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---|---|---|---|
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---|---|
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KR (2) | KR102587229B1 (zh) |
CN (1) | CN107305305B (zh) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109755256A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置 |
CN109801942A (zh) * | 2017-11-17 | 2019-05-24 | 三星显示有限公司 | 显示面板 |
CN109841659A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 三星显示有限公司 | 显示面板和用于制造显示面板的方法 |
CN109841656A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置 |
CN110136577A (zh) * | 2018-02-02 | 2019-08-16 | 三星显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
CN110164933A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-23 | 昆山维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111630445A (zh) * | 2018-02-09 | 2020-09-04 | 三星电子株式会社 | 包括弯曲区域中的多个布线层的显示器 |
TWI830563B (zh) * | 2022-12-30 | 2024-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 電子裝置 |
TWI841300B (zh) | 2017-11-29 | 2024-05-01 | 南韓商三星顯示器有限公司 | 顯示面板 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9911762B2 (en) * | 2015-12-03 | 2018-03-06 | Innolux Corporation | Display device |
JP6756508B2 (ja) | 2016-04-04 | 2020-09-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102587229B1 (ko) | 2016-04-22 | 2023-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20180024081A (ko) * | 2016-08-25 | 2018-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 표시장치 |
CN106972030B (zh) * | 2017-03-30 | 2019-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板、显示装置及柔性显示面板的制作方法 |
KR102386906B1 (ko) * | 2017-05-11 | 2022-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102465376B1 (ko) * | 2017-06-16 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP6843710B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2021-03-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
KR102393377B1 (ko) * | 2017-08-07 | 2022-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102341412B1 (ko) | 2017-08-29 | 2021-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2019064429A1 (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR102414940B1 (ko) | 2017-10-31 | 2022-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조방법 |
KR102416038B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102436813B1 (ko) * | 2017-12-08 | 2022-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 그 제조방법 |
KR102526111B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2023-04-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102524346B1 (ko) * | 2018-01-03 | 2023-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
US11404525B2 (en) * | 2018-03-01 | 2022-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for manufacturing display device |
US10734459B2 (en) | 2018-03-08 | 2020-08-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR20190117133A (ko) * | 2018-04-06 | 2019-10-16 | 삼성전자주식회사 | 벤딩 가능한 디스플레이를 포함하는 전자 장치 |
US20190326329A1 (en) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | Innolux Corporation | Electronic device |
KR102591811B1 (ko) * | 2018-05-18 | 2023-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20200062445A (ko) | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102661283B1 (ko) * | 2018-11-26 | 2024-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20200088930A (ko) | 2019-01-15 | 2020-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110136651B (zh) * | 2019-06-12 | 2021-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、oled显示面板和显示装置 |
CN110335875A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
KR20210037801A (ko) | 2019-09-27 | 2021-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
KR20210044356A (ko) * | 2019-10-14 | 2021-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210060715A (ko) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20210080687A (ko) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN113287209B (zh) | 2019-12-20 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法和柔性显示装置 |
KR20210084766A (ko) * | 2019-12-27 | 2021-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20210142808A (ko) * | 2020-05-18 | 2021-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
CN111725436A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板 |
KR20200077477A (ko) * | 2020-06-18 | 2020-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111679525B (zh) * | 2020-06-22 | 2021-06-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
KR20220049683A (ko) * | 2020-10-14 | 2022-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102501143B1 (ko) * | 2020-10-27 | 2023-02-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조방법 |
KR20220099198A (ko) * | 2021-01-05 | 2022-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07199210A (ja) * | 1994-01-05 | 1995-08-04 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
CN101174036A (zh) * | 2006-07-21 | 2008-05-07 | 三菱电机株式会社 | 安装端子基板和使用其的显示装置 |
CN104241295A (zh) * | 2013-06-07 | 2014-12-24 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
CN104241544A (zh) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 三星显示有限公司 | 阵列衬底 |
CN105448252A (zh) * | 2014-09-23 | 2016-03-30 | 三星显示有限公司 | 弯曲显示装置 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100831280B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2008-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
US20050184392A1 (en) * | 2004-02-23 | 2005-08-25 | Kun-Hong Chen | Method for fabricating interconnect and interconnect fabricated thereby |
US7764012B2 (en) * | 2004-04-16 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light emitting device comprising reduced frame portion, manufacturing method with improve productivity thereof, and electronic apparatus |
CN1822385B (zh) | 2005-01-31 | 2013-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及含有其的电子设备 |
US20080204618A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | Min-Kyung Jung | Display substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus having the same |
KR20080003962U (ko) | 2007-03-14 | 2008-09-19 | 이미지랩(주) | 플렉서블 멀티 디스플레이 장치 |
KR100836472B1 (ko) | 2007-03-22 | 2008-06-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
CN101295717B (zh) | 2007-04-25 | 2010-07-14 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管面板及其制造方法 |
TW201022779A (en) | 2008-12-12 | 2010-06-16 | Au Optronics Corp | Pixel array and manufacturing method thereof |
KR101648806B1 (ko) * | 2009-07-20 | 2016-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101746198B1 (ko) | 2009-09-04 | 2017-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 전자기기 |
CN102640203B (zh) | 2009-12-01 | 2014-09-10 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和显示装置 |
KR101881020B1 (ko) | 2010-12-02 | 2018-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 형성 방법 |
TWI445170B (zh) | 2010-12-03 | 2014-07-11 | Au Optronics Corp | 有機發光二極體畫素陣列 |
JP5720222B2 (ja) | 2010-12-13 | 2015-05-20 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
KR101802523B1 (ko) * | 2011-08-02 | 2017-11-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
KR101885806B1 (ko) | 2012-05-01 | 2018-08-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101921965B1 (ko) | 2012-08-07 | 2018-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 |
KR102025835B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR102222680B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2021-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102018284B1 (ko) | 2013-02-28 | 2019-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102076666B1 (ko) | 2013-04-11 | 2020-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시패널 |
KR102047729B1 (ko) | 2013-04-30 | 2019-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR102066087B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2020-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR102085274B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2020-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102086644B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20160002018A (ko) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9349758B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-05-24 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same |
KR102199359B1 (ko) | 2014-10-13 | 2021-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9535522B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-01-03 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible organic light emitting diode display device |
KR102239481B1 (ko) | 2014-12-31 | 2021-04-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102334553B1 (ko) | 2015-08-13 | 2021-12-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
US10516118B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, display device, method for manufacturing the same, and system including a plurality of display devices |
US10444877B2 (en) | 2015-12-27 | 2019-10-15 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with touch sensor |
KR102426742B1 (ko) | 2015-12-31 | 2022-07-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US10354578B2 (en) | 2016-04-15 | 2019-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR102587229B1 (ko) | 2016-04-22 | 2023-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102457244B1 (ko) | 2016-05-19 | 2022-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP6815159B2 (ja) | 2016-10-14 | 2021-01-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102615687B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102619425B1 (ko) | 2016-11-21 | 2023-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20180061860A (ko) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 표시패널 |
KR20180096875A (ko) | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP6912080B2 (ja) | 2017-06-09 | 2021-07-28 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル |
KR102341412B1 (ko) | 2017-08-29 | 2021-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN107978622B (zh) | 2017-11-22 | 2020-08-11 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
-
2016
- 2016-04-22 KR KR1020160049637A patent/KR102587229B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-14 US US15/293,779 patent/US10192896B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-31 EP EP17154020.6A patent/EP3236309B1/en active Active
- 2017-01-31 EP EP20181796.2A patent/EP3734357A1/en active Pending
- 2017-02-24 CN CN201710102617.8A patent/CN107305305B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-11 US US16/245,670 patent/US10886306B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-04 US US17/140,521 patent/US11749690B2/en active Active
-
2023
- 2023-10-04 KR KR1020230132100A patent/KR102650168B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07199210A (ja) * | 1994-01-05 | 1995-08-04 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
CN101174036A (zh) * | 2006-07-21 | 2008-05-07 | 三菱电机株式会社 | 安装端子基板和使用其的显示装置 |
CN104241295A (zh) * | 2013-06-07 | 2014-12-24 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
CN104241544A (zh) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 三星显示有限公司 | 阵列衬底 |
CN105448252A (zh) * | 2014-09-23 | 2016-03-30 | 三星显示有限公司 | 弯曲显示装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109755256A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置 |
CN109755256B (zh) * | 2017-11-01 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置 |
CN109801942A (zh) * | 2017-11-17 | 2019-05-24 | 三星显示有限公司 | 显示面板 |
TWI799473B (zh) * | 2017-11-29 | 2023-04-21 | 南韓商三星顯示器有限公司 | 顯示面板及其製造方法 |
CN109841659A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 三星显示有限公司 | 显示面板和用于制造显示面板的方法 |
CN109841656A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置 |
TWI841300B (zh) | 2017-11-29 | 2024-05-01 | 南韓商三星顯示器有限公司 | 顯示面板 |
US11824065B2 (en) | 2017-11-29 | 2023-11-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method for manufacturing the same |
CN109841656B (zh) * | 2017-11-29 | 2023-08-08 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置 |
CN110136577A (zh) * | 2018-02-02 | 2019-08-16 | 三星显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
US11569087B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of fabricating a display apparatus |
CN111630445B (zh) * | 2018-02-09 | 2023-10-20 | 三星电子株式会社 | 包括弯曲区域中的多个布线层的显示器 |
CN111630445A (zh) * | 2018-02-09 | 2020-09-04 | 三星电子株式会社 | 包括弯曲区域中的多个布线层的显示器 |
CN110164933B (zh) * | 2019-05-24 | 2021-05-18 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110164933A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-23 | 昆山维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
TWI830563B (zh) * | 2022-12-30 | 2024-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 電子裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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