JP2021162639A - アクティブマトリクス基板、及び、表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】部品と端子部との接続性が向上されたアクティブマトリクス基板等を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板１は、複数の画素領域を含む表示領域２と、表示領域２の外側の周辺領域３とを有する基板１０を備える。表示領域２には、複数の画素領域のそれぞれに配置されたトランジスタ４０と、トランジスタ４０を含む表示領域２を覆う、無機材料を含む第１絶縁層と、第１絶縁層に積層され、基板の表面を平坦化する、有機材料を含む第２絶縁層とが形成され、周辺領域３には、部品が接続される接続端子と、接続端子及び基板１０の間の一部に配置され、無機材料を含む第３絶縁層とを有する実装端子部３ａが形成される。そして、第１絶縁層及び第３絶縁層は、同一層に形成されており、実装端子部３ａには、第２絶縁層と同一層の絶縁層が形成されていない。【選択図】図１

Description

本開示は、アクティブマトリクス基板、及び、当該アクティブマトリクス基板を備える表示装置に関する。

従来、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの発光素子を用いた表示装置が開発されている。このような表示装置では、発光素子が配置される表示領域と、当該表示領域の周辺の周辺領域とが設けられる。周辺領域には、ドライバなどの部品が実装される端子部が形成されている。特許文献１には、表示領域及び当該端子部を含む周辺領域に有機絶縁膜を有する構造が開示されている。

特開２０１９−４９５９５号公報

しかしながら、特許文献１に記載の構造では、端子部において、ドライバなどの部品と当該端子部との接続性に課題がある。

そこで、本開示は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、部品と端子部との接続性が向上されたアクティブマトリクス基板、及び、表示装置に関する。

上記目的を達成するために、本開示の一態様に係るアクティブマトリクス基板は、複数の画素領域を含む表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域とを有する基板を備え、前記表示領域には、前記複数の画素領域のそれぞれに配置されたトランジスタと、前記トランジスタを含む前記表示領域を覆う、無機材料を含む第１絶縁層と、前記第１絶縁層に積層され、前記基板の表面を平坦化する、有機材料を含む第２絶縁層とが形成され、前記周辺領域には、部品が接続される接続端子と、前記接続端子及び前記基板の間の一部に配置され、無機材料を含む第３絶縁層とを有する実装端子部が形成され、前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層は、同一層に形成されており、前記実装端子部には、前記第２絶縁層と同一層の絶縁層が形成されていない。

また、上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る表示装置は、上記のアクティブマトリクス基板を有する表示パネルと、前記表示パネルの前面以外の部分を覆う筐体とを備える。

本開示の一態様に係るアクティブマトリクス基板等によれば、部品と端子部との密着性が向上される。

図１は、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の構成を示す模式断面図である。 図２は、図１の破線領域を拡大して示す実装端子部の模式断面図である。 図３Ａは、実施の形態１に有機絶縁層の第１の配置例を示す図である。 図３Ｂは、実施の形態１に有機絶縁層の第２の配置例を示す図である。 図３Ｃは、実施の形態１に有機絶縁層の第３の配置例を示す図である。 図３Ｄは、実施の形態１に有機絶縁層の第４の配置例を示す図である。 図４は、図３Ａに示す破線領域を拡大して示す模式平面図である。 図５Ａは、実施の形態１に係る、配線部、実装端子部及び配線交差部の構成の第１例を示す模式断面図である。 図５Ｂは、実施の形態１に係る、配線部、実装端子部及び配線交差部の構成の第２例を示す模式断面図である。 図６Ａは、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法における第１の工程を説明するための模式断面図である。 図６Ｂは、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法における第２の工程を説明するための模式断面図である。 図６Ｃは、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法における第３の工程を説明するための模式断面図である。 図６Ｄは、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法における第４の工程を説明するための模式断面図である。 図６Ｅは、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法における第５の工程を説明するための模式断面図である。 図６Ｆは、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法における第６の工程を説明するための模式断面図である。 図６Ｇは、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法における第７の工程を説明するための模式断面図である。 図６Ｈは、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法における第８の工程を説明するための模式断面図である。 図６Ｉは、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法における第９の工程を説明するための模式断面図である。 図７は、実施の形態１に係る表示装置の外観図である。 図８は、図１の破線領域に対応する、実施の形態２に係る実装端子部の模式断面図である。 図９Ａは、実施の形態２に係る、配線部、実装端子部及び配線交差部の構成の第１例を示す模式断面図である。 図９Ｂは、実施の形態２に係る、配線部、実装端子部及び配線交差部の構成の第２例を示す模式断面図である。 図１０は、実施の形態２に係る表示領域の構成を示す模式断面図である。 図１１は、比較例に係るアクティブマトリクス基板の構成を示す模式断面図である。 図１２は、比較例に係るアクティブマトリクス基板の実装端子部の構成を示す模式断面図である。 図１３は、比較例に係るアクティブマトリクス基板において、有機絶縁層をなくし、かつ、他の無機絶縁層を設けた場合の課題を説明するための図である。

（本開示の基礎となった知見）
本開示の実施の形態の説明に先立ち、本開示の基礎となった知見について、図１１〜図１３を参照しながら説明する。まずは、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００の構成について、説明する。図１１は、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００の構成を示す模式断面図である。

図１１に示すように、アクティブマトリクス基板３００は、基板１０と、第１無機絶縁層２０と、ＣＳ下部電極３０と、第２無機絶縁層３１と、保持容量ＣＳと、トランジスタ
４０と、第３無機絶縁層５０と、有機絶縁層６０と、ゲート配線７０と、ゲートメタル層２８０と、ソース・ドレインメタル層２９０とを備える。

また、アクティブマトリクス基板３００は、表示領域３００ａと、周辺領域３００ｂとを有する。表示領域３００ａは、例えば、当該アクティブマトリクス基板３００を有する表示パネルにおいて、アクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像が表示される領域である。表示領域３００ａは、当該アクティブマトリクス基板３００を有する表示パネルにおいて複数の画素を構成する複数の画素領域を有する。

周辺領域３００ｂは、表示領域３００ａ以外の領域であり、当該アクティブマトリクス基板３００を有する表示パネルにおいて非表示領域となる領域である。周辺領域３００ｂは、例えば、表示領域３００ａを囲むように形成される。周辺領域３００ｂには、例えば、ドライバＩＣなどが実装される実装端子部３００ｂ１（図１２参照）、表示領域３００ａを駆動するための回路部などが設けられている。

また、表示領域３００ａから周辺領域３００ｂにわたって、例えば、画素配列の行方向に沿って延在する複数の走査線と、列方向に沿って延在する複数の信号線と、行方向に沿って延在する複数の電源線とが設けられている。アクティブマトリクス基板３００を用いて構成される表示パネルにおいて、表示領域３００ａに対応する表示部は、２次元状に配置された画素により構成される。各画素はそれぞれ、走査線、信号線及び電源線と電気的に接続されている。

基板１０は、例えばガラス、石英、シリコン、樹脂材料又は金属板等により構成されている。樹脂材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）又はＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などが挙げられるが、これに限定されない。

第１無機絶縁層２０は、基板１０からナトリウムイオンなどの物質が上層（例えば、トランジスタ４０の半導体層４１）に移動することを抑制するために設けられるバリア性を有する絶縁層であり、基板１０と半導体層４１との間に設けられる。また、第１無機絶縁層２０は、表示領域３００ａ及び周辺領域３００ｂにわたって形成される。第１無機絶縁層２０は、実装端子部３００ｂ１にも形成される。

第１無機絶縁層２０は、窒化シリコン層２１と、酸化シリコン層２２とを有し、基板１０側から窒化シリコン層２１と、酸化シリコン層２２とがこの順に積層されている。窒化シリコン層２１は、例えば、窒化シリコン膜により構成されるアンダーコート層であり、厚みは５０ｎｍ程度である。また、酸化シリコン層２２は、例えば、酸化シリコン膜により構成されるアンダーコート層であり、厚みは１００ｎｍ程度である。つまり、第１無機絶縁層２０の厚みは、１５０ｎｍ程度である。なお、窒化シリコン層２１は、水素を含んでいてもよい。なお、図面において、一例として、窒化シリコン層２１を第１ＵＣとも記載し、酸化シリコン層２２を第２ＵＣとも記載する。ここで、アンダーコート層はＳｉＯ、ＳｉＮに限るものではなく、バリア性を有する薄膜であればよい。その厚みも適宜変更可能である。

保持容量ＣＳは、ＣＳ下部電極３０と、ＣＳ上部電極３２とを有する。また、ＣＳ下部電極３０と、ＣＳ上部電極３２との間には、第２無機絶縁層３１が設けられる。つまり、ＣＳ下部電極３０、第２無機絶縁層３１及びＣＳ上部電極３２は、保持容量ＣＳを構成する。

ＣＳ下部電極３０は、第１無機絶縁層２０上の全体的な領域に設けられている。ＣＳ下
部電極３０は、ゲート配線７０を介して、半導体層４１と電気的に接続されている。ＣＳ下部電極３０は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及びチタン（Ｔｉ）等の金属を含んで構成されている。ＣＳ下部電極３０は、合金により構成されていてもよく、複数の金属膜を含む積層膜により構成されていてもよい。ＣＳ下部電極３０は、金属以外の導電性材料により構成されていてもよい。ＣＳ下部電極３０は、保持電極の一例である。

比較例に係るアクティブマトリクス基板３００においては、ＣＳ下部電極３０は、表示領域３００ａ及び周辺領域３００ｂのうち、表示領域３００ａのみに設けられる。言い換えると、周辺領域３００ｂには、ＣＳ下部電極３０と同層の金属層は形成されない。

第２無機絶縁層３１は、表示領域２では、ＣＳ下部電極３０とＣＳ上部電極３２との間に設けられ、周辺領域３では、第３無機絶縁層５０と基板１０との間に設けられる。第２無機絶縁層３１は、例えば、シリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜であるが、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）及び酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）膜等の無機絶縁膜により構成されてもよい。なお、図面において、一例として、第２無機絶縁層３１をＣＩ、ＣＳ絶縁膜とも記載する。また、第２無機絶縁層３１は、無機材料を含む第６絶縁層の一例である。

ＣＳ上部電極３２は、第２無機絶縁層３１を間にして、ＣＳ下部電極３０に対向して配置される。ＣＳ上部電極３２は、例えば、ＳＤメタル層９０と同層の金属層などと接続されている。ＣＳ上部電極３２は、例えば、半導体層４１と同一工程で形成されるものであり、半導体層４１と同一の構成材料を含むとともに、半導体層４１の低抵抗領域４１ｂと同層である。例えば、ＣＳ上部電極３２と低抵抗領域４１ｂとは、同一の厚みである。ＣＳ上部電極３２には、例えば、低抵抗化された酸化物半導体材料を用いることができる。ＣＳ上部電極３２は、不純物半導体で形成された保持容量電極の一例である。

トランジスタ４０は、例えば、画素回路における各種トランジスタのいずれかのトランジスタ（例えば、駆動トランジスタ）に相当し、表示領域３００ａに設けられている。トランジスタ４０は、複数の画素領域のそれぞれに配置されている。トランジスタ４０は、例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、基板１０に近い位置から、半導体層４１、ゲート絶縁層４２、ゲート電極４３及びソース・ドレイン電極４４をこの順に有している。

半導体層４１は、基板１０上にパターン形成されている。半導体層４１は、ゲート電極４３に対向するチャネル領域４１ａと、チャネル領域４１ａの外側の低抵抗領域４１ｂとを有している。低抵抗領域４１ｂの電気抵抗は、チャネル領域４１ａの電気抵抗よりも小さくなっている。低抵抗領域４１ｂは、ソース・ドレイン領域として機能する。半導体層４１は、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）及びニオブ（Ｎｂ）等のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む酸化物半導体から構成されている。具体的には、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ：ＩｎＧａＺｎＯ）、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）及び酸化インジウム（ＩｎＯ）等が挙げられる。あるいは、半導体層４１は、低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）又は非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）等から構成されていてもよい。

ゲート絶縁層４２は、半導体層４１とゲート電極４３との間に設けられた絶縁膜（ゲート絶縁膜）である。ゲート絶縁層４２は、例えば、ゲート電極４３と同一の平面形状を有しており、ゲート絶縁層４２の端面は、ゲート電極４３の端面と平面視で重なる位置に配
置されていてもよい。ゲート絶縁層４２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）及び酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）等のうちの１種よりなる単層膜、又はそれらのうちの２種以上よりなる積層膜から構成されている。

ゲート絶縁層４２は、表示領域３００ａ及び周辺領域３００ｂのそれぞれに形成される。ゲート絶縁層４２は、実装端子部３００ｂ１にも形成される。表示領域３００ａ及び周辺領域３００ｂのそれぞれに形成されるゲート絶縁層４２は、同一層に設けられている。表示領域３００ａ及び周辺領域３００ｂのそれぞれに形成されるゲート絶縁層４２は、例えば、同一工程で形成されており、同一材料からなる。なお、図面において、一例として、ゲート絶縁層４２をＧＩ、ゲート絶縁膜とも記載する。

ゲート電極４３は、ゲート絶縁層４２を介して半導体層４１に対向して配置され、印加されるゲート電圧（Ｖｇ）によって半導体層４１中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有する。ゲート電極４３の構成材料は、例えば、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、ネオジウム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のうちの１種を含む単体又は合金が挙げられる。あるいは、それらのうちの少なくとも１種を含む化合物又は２種以上を含む積層膜であってもよい。また、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜が用いられてもよい。

ゲート電極４３は、ゲート配線７０及びゲートメタル層２８０と、同一層に設けられている。ゲート電極４３、ゲート配線７０及びゲートメタル層２８０は、例えば、同一工程で形成されており、同一材料からなる。

ソース・ドレイン電極４４は、第３無機絶縁層５０及び有機絶縁層６０に設けられた接続孔を通じて半導体層４１の低抵抗領域４１ｂに電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極４４は、トランジスタ４０のソース又はドレインとして機能する。なお、図１１では、一対のソース・ドレイン電極４４（ソース電極及びドレイン電極）のうちの一方のみを図示している。例えば、ソース・ドレイン電極４４は、有機ＥＬ素子の電極（例えば、アノードとして機能する電極）に電気的に接続される。ソース・ドレイン電極４４は、例えば、ゲート電極４３の構成材料として列挙したものと同様の金属又は透明電極膜を含んで構成される。なお、図面において、一例として、ソース・ドレイン電極４４をＳＤ電極とも記載する。

第３無機絶縁層５０は、トランジスタ４０を含む表示領域３００ａ及び周辺領域３００ｂを覆う。第２無機絶縁層５０は、ゲート電極４３及び当該ゲート電極４３の上方に配置される。第３無機絶縁層５０は、半導体層４１、ゲート絶縁層４２、ゲート電極４３、ゲート配線７０、保持容量ＣＳ、及び、その他の各種配線を覆っており、表示領域３００ａから周辺領域３００ｂにわたって設けられている。第３無機絶縁層５０は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、酸化チタン（ＴｉＯｘ）膜、又は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）膜等により構成されている。このように、第３無機絶縁層５０は、トランジスタ４０及び複数の配線（走査線、信号線及び電源線など）を覆う、無機材料を含む絶縁層である。表示領域３００ａに形成された第３無機絶縁層５０は、第１絶縁層の一例である。

第３無機絶縁層５０は、単層膜によって構成されてもよいし、複数の膜を含む積層膜によって構成されてもよい。本比較例では、第３無機絶縁層５０は、基板１０に近い位置から順に、酸化アルミニウム層５１、酸化シリコン層５２及び酸化アルミニウム層５３を含む積層膜である。このような第３無機絶縁層５０では、半導体層４１の低抵抗領域４１ｂに下層の酸化アルミニウム層５１が接するので低抵抗領域４１ｂが安定化される。また、
上層の酸化アルミニウム層５３が、外気に対して良好なバリア性を有する保護膜として機能するので、酸素及び水分等に起因する半導体層４１の電気的特性の変化を抑えることができる。第３無機絶縁層５０は、表示領域３００ａ及び周辺領域３００ｂにわたって形成される。第３無機絶縁層５０は、実装端子部３００ｂ１にも形成される。

なお、図面において、一例として、第３無機絶縁層５０を無機ＩＬとも記載し、酸化アルミニウム層５１を第１無機ＩＬとも記載し、酸化シリコン層５２を第２無機ＩＬとも記載し、酸化アルミニウム層５３を第３無機ＩＬとも記載する。

有機絶縁層６０は、第３無機絶縁層５０上に積層して設けられ、アクティブマトリクス基板３００の表面を平坦化するための平坦化膜である。有機絶縁層６０は、例えば、第３無機絶縁層５０と接触して積層される。有機絶縁層６０は、例えば、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂等の感光性を有する有機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁層６０は、表示領域３００ａ及び周辺領域３００ｂにわたって形成される。有機絶縁層６０は、実装端子部３００ｂ１にも形成される。表示領域３００ａに形成される有機絶縁層６０は、有機材料を含む第２絶縁層の一例である。なお、図面において、一例として、有機絶縁層６０を有機ＩＬ、Ｃ−ＩＬとも記載する。

ゲート配線７０は、表示領域３００ａに設けられた配線である。本実施の形態では、ゲート配線７０は、低抵抗領域４１ｂを介してＣＳ下部電極３０と、半導体層４１とを電気的に接続する。ゲート配線７０は、ゲート電極４３と同一層に設けられる。

ゲートメタル層２８０は、周辺領域３００ｂに設けられた端子（接続端子）である。ゲートメタル層２８０は、ゲート絶縁層４２上に設けられる。ゲートメタル層２８０は、ゲート電極４３及びゲート配線７０と同一層に設けられる。ゲートメタル層２８０、ゲート電極４３及びゲート配線７０は、同一の層に形成された金属層である。なお、図面において、一例として、ゲートメタル層２８０をゲートメタル、ゲートメタル層とも記載する。

ゲート配線７０及びゲートメタル層２８０は、例えば、ゲート電極４３の構成材料として列挙したものと同様の金属又は透明電極膜を含んで構成される。

ソース・ドレインメタル層２９０は、第３無機絶縁層５０及び有機絶縁層６０に設けられた接続孔を通じてゲートメタル層２８０に電気的に接続された端子（接続端子）である。ソース・ドレインメタル層２９０は、ソース・ドレイン電極４４と同一層に設けられる。ソース・ドレインメタル層２９０は、例えば、ソース・ドレイン電極４４と同一工程で形成されており、同一材料からなる。なお、図面において、一例として、ソース・ドレインメタル層２９０をＳＤメタル、ＳＤメタル層とも記載する。

上記のように、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００は、表示領域３００ａ及び周辺領域３００ｂのそれぞれにおいて、第３無機絶縁層５０及び有機絶縁層６０が積層された積層構造を有する。このようなアクティブマトリクス基板３００において、ドライバＩＣが実装される場合、当該ドライバＩＣはＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などの導電性接着剤を介して、ソース・ドレインメタル層２９０に実装される。ＡＣＦの厚みは、例えば、５００ｎｍ程度であるが、これに限定されない。

図１２は、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００の実装端子部３００ｂ１の構成を示す模式断面図である。

図１２に示すように、ゲート絶縁層４２の厚みは、例えば、１５０ｎｍ〜２５０ｎｍ程
度であり、一例として２００ｎｍである。第３無機絶縁層５０の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度であり、一例として１５０ｎｍである。ゲートメタル層２８０の厚みは、例えば、５００ｎｍ〜７００ｎｍ程度であり、一例として６００ｎｍである。有機絶縁層６０の厚みは、例えば、１３００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度であり、一例として１５００ｎｍである。ソース・ドレインメタル層２９０の厚みは、例えば、５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であり、一例として８００ｎｍである。この場合、例えば、ソース・ドレインメタル層２９０におけるゲートメタル層２８０の上方部分に深さが８５０ｎｍ程度の凹み２９１が形成される。有機絶縁層６０の厚みが１５００ｎｍ程度と厚いため、凹み２９１の深さも深くなる。なお、凹み２９１の深さは、実装端子部３００ｂ１の各層の厚みにより変化し得る。また、各層の厚みは上記に限定されず、上記以外の厚みであってもよい。

このようなソース・ドレインメタル層２９０にドライバＩＣが実装される場合、ＡＣＦの厚みと、凹み２９１の深さとの関係により、接続不良が発生することがある。例えば、凹み２９１の深さがＡＣＦの厚みより深い場合、接続不良が発生することがある。また、有機絶縁層６０からの脱ガスにより、ソース・ドレインメタル層２９０がゲートメタル層２８０から剥がれてしまい、接続不良が発生することがある。

このように、接続不良が発生する要因が２つあり、それぞれに有機絶縁層６０が影響している。このことから、有機絶縁層６０を備えないアクティブマトリクス基板３００について検討が行われている。有機絶縁層６０を備えないことで、ソース・ドレインメタル層２９０の凹み２９１は浅くなり、かつ、脱ガスの発生を抑制することができるので、上記のような接続不良の発生が抑制される。

しかしながら、アクティブマトリクス基板３００が有機絶縁層６０を備えない場合、耐圧に課題がある。具体的には、周辺領域３００ｂにおいて、実装端子部３００ｂ１以外の領域において、ゲートメタル層２８０及びソース・ドレインメタル層２９０が平面視において交差する場合に、第３無機絶縁層５０で絶縁を行うこととなり、耐圧不足となる（例えば、ゲートメタル層２８０及びソース・ドレインメタル層２９０がショートする）可能性がある。

また、耐圧不足の対策として、第３無機絶縁層５０上に他の無機絶縁層を積層する、又は、第３無機絶縁層５０の厚みを厚くすることが考えられる。第３無機絶縁層５０上に他の無機絶縁層を積層する場合について、図１３を参照しながら説明する。図１３は、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００において、有機絶縁層６０をなくし、かつ、他の無機絶縁層を設けた場合の課題を説明するための図である。

図１３の(ａ)は、無機絶縁層（無機ＩＬ）の厚膜化工程が行われたアクティブマトリクス基板４００の模式断面図である。第３無機絶縁層３００に第４無機絶縁層４５０が積層されている。第４無機絶縁層４５０は、厚く形成されることで、例えば、ゲートメタル層２８０の周囲の凸部の側面４５０ａが丸みを帯びた形状となる。

図１３の（ｂ）は、ソース・ドレイン電極４４及びソース・ドレインメタル層２９０を形成するためのソース・ドレイン（ＳＤ）成膜工程が行われたアクティブマトリクス基板４００の模式断面図である。ソース・ドレイン電極４４及びソース・ドレインメタル層２９０を形成するための金属層が成膜された状態を示す。当該金属層は、スパッタなどにより成膜されるが、これに限定されない。

図１３の（ｃ）は、ソース・ドレイン（ＳＤ）パターニング工程が行われたアクティブマトリクス基板４００の模式断面図である。破線枠で示す領域に、金属残渣が発生してい
る。つまり、エッチング不良が発生している。金属残渣は、ソース・ドレインメタル層２９０が他の配線（例えば、他のソース・ドレインメタル層）とショートする原因となる。

このように、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００に対して、接続不良を改善するために有機絶縁層６０をなくし、かつ、耐圧を確保するために無機絶縁層のトータル厚みを厚くするといった単純な対策では、耐圧を確保しつつ部品と実装端子部との接続性を向上することが困難であった。つまり、接続性の改善と耐圧の確保とを両立することが困難であった。

そこで、本願発明者らは、部品（例えば、ドライバＩＣ）と実装端子部との接続性が向上されたアクティブマトリクス基板及び表示装置に関し、鋭意検討を行った。そして、以下に説明するアクティブマトリクス基板及び表示装置を創案した。

以下、本開示の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などなどは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示における独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

また、本明細書において、数値、および、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。

（実施の形態１）
［１−１．アクティブマトリクス基板の構成］
まずは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の構成について、図１〜図５Ｂを参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の構成を示す模式断面図である。なお、以降において、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００と同一又は類似の構成については、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００と同一の符号を付し、説明を省略する。

図１に示すように、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１は、表示領域２と、周辺領域３とを有する。

表示領域２においては、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００の表示領域３００ａに加えて、下層メタル配線１００を有する点において相違する。

下層メタル配線１００は、表示領域２に設けられる配線であり、ＣＳ下部電極３０及び後述するＣＳメタル層１１０と同一層に設けられている。下層メタル配線１００は、ＣＳ下部電極３０及びＣＳメタル層１１０と同一工程で形成されており、例えば、同一材料からなる。本実施の形態では、実装端子部３ａ（図２参照）に下層メタル配線１００と同一層であるＣＳメタル層１１０が設けられるので、ＣＳメタル層１１０と同一層の金属層を用いて、配線が可能である。つまり、表示領域２及び周辺領域３において、ＣＳメタル層１１０、ゲートメタル層８０、及び、ＳＤメタル層９０のいずれかと同一層の金属層により、配線が可能である。比較例に係るアクティブマトリクス基板３００では、ゲートメタル層２８０及びＳＤメタル層２９０のいずれかと同一層の金属層により配線が行われる。
よって、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１によれば、３つの金属層から配線する層を選択することができるので、表示領域２及び周辺領域３の配線設計時の自由度が増す。なお、アクティブマトリクス基板１は、表示領域２の構成を有することに限定されず、例えば、図１１に示す表示領域３００ａの構成を有していてもよい。つまり、アクティブマトリクス基板１は、下層メタル配線１００を備えない構成であってもよい。

また、アクティブマトリクス基板１は、表示領域２において、第３無機絶縁層５０及び有機絶縁層６０が積層された積層構造を有する。

周辺領域３においては、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００の実装端子部３００ｂ１に加えて、ＣＳメタル層１１０を有する点、及び、有機絶縁層６０を有していない点において主に相違する。本実施の形態に係る実装端子部３ａについて、図２を参照しながら説明する。図２は、図１の破線領域ＩＩを拡大して示す実装端子部３ａの模式断面図である。図２は、アクティブマトリクス基板１の実装端子部３ａの断面構成を示す。

図２に示すように、実装端子部３ａは、基板１０とゲートメタル層８０との間に、ＣＳメタル層１１０を有する。ＣＳメタル層１１０は、ＣＳ下部電極３０と同一層に形成される。本実施の形態では、実装端子部３ａは、第１無機絶縁層２０とゲートメタル層８０との間に、ＣＳメタル層１１０を有する。実装端子部３ａは、基板１０側から、ＣＳメタル層１１０、ゲートメタル層８０、ＳＤメタル層９０がこの順に積層された積層構造を有する。ＣＳメタル層１１０は、ゲートメタル層８０を介してＳＤメタル層９０（つまり、ＳＤメタル層９０に実装される部品）と電気的に接続されている。

詳細は後述するが、ＣＳメタル層１１０を設けることで、周辺領域３の実装端子部３ａ以外の領域において、例えば、ＣＳメタル層１１０とＳＤメタル層９０とが立体交差する場合、その間には第２無機絶縁層３１及び第３無機絶縁層５０の２つの絶縁層が形成されることになるので、耐圧を確保することができる。

なお、ＣＳメタル層１１０の断面視形状は、ＣＳメタル層１１０の第３無機絶縁層５０の厚みを均一化する、及び、第２絶縁層３１がＣＳメタル層１１０に掛かる場所でのクラックを防止する観点から順テーパ状（台形状）であるとよいが、順テーパ状に限定されず、ゲートメタル層８０と電気的に接続できれば、矩形上などの他の形状であってもよい。また、図面において、一例として、ＣＳメタル層１１０をＣＳメタル、ＣＳメタル層とも記載する。また、実装端子部３ａに形成されたＣＳメタル層１１０は、第１端子の一例である。

ゲートメタル層８０は、ゲート電極４３と同一層に形成される。実装端子部３ａに形成されたゲートメタル層８０は、第２端子の一例である。

ＳＤメタル層９０は、部品が接続される接続端子の一例である。ＳＤメタル層９０は、ソース・ドレイン電極４４と同一層に形成される。実装端子部３ａに形成されたＳＤメタル層９０は、第３端子の一例である。

第２無機絶縁層３１は、実装端子部３ａにおいて、ＳＤメタル層９０と基板１０との間に設けられる。実装端子部３ａに形成された第２無機絶縁層３１は、第３絶縁層の一例である。第１絶縁層と第３絶縁層とは、同一層に形成される。

また、実装端子部３ａは、有機絶縁層６０を有していない。つまり、実装端子部３ａには、有機絶縁層６０と同一層の絶縁層が形成されていない。これにより、ＳＤメタル層９０に形成される凹み９１の深さが、有機絶縁層６０が形成されている場合に比べて、浅く
なる。例えば、ＣＳメタル層１１０の厚みは、例えば、５０〜１８０ｎｍ程度であり、一例として９０ｎｍである。第２無機絶縁層３１の厚みは、例えば、５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度であり、一例として１００ｎｍである。ゲート絶縁層４２の厚みは、一例として２００ｎｍであり、第３無機絶縁層５０の厚みは、一例として１５０ｎｍであり、ゲートメタル層８０の厚みは、一例として６００ｎｍであり、ＳＤメタル層９０の厚みは、一例として８００ｎｍである。この場合、ＳＤメタル層９０におけるゲートメタル層８０の上方部分に深さが４５０ｎｍ程度の凹み９１が形成される。有機絶縁層６０が形成されていないので、凹み９１の深さは、比較例に係る凹み２９１よりも浅くなる。このように、アクティブマトリクス基板１は、周辺領域３において、少なくとも実装端子部３ａが有機絶縁層６０を有していない構成を有する。

ここで、周辺領域３の実装端子部３ａ以外の領域における有機絶縁層６０の有無のバリエーションについて、図３Ａ〜図３Ｄを参照しながら説明する。図３Ａ〜図３Ｄのそれぞれは、本実施の形態に有機絶縁層６０の第１の配置例〜第４の配置例を示す図である。なお、図３Ａ〜図３Ｄでは、有機絶縁層６０を有しない領域をドットハッチングで示している。

図３Ａ〜図３Ｄに示すように、周辺領域３は、実装端子部３ａと、配線交差部３ｂと、配線部３ｃとを有する。

配線交差部３ｂは、実装端子部３ａから延在する配線が形成され、少なくとも一部において、２つの配線が基板１０の平面視において交差する領域である。配線交差部３ｂは、例えば、実装端子部３ａの外周を囲むように形成される領域であるが、実装端子部３ａと、表示領域２との間に配置されていてもよい。２つの配線それぞれは、ＳＤメタル層９０、ゲートメタル層８０及びＣＳメタル層１１０のいずれかと電気的に接続された配線である。また、当該２つの配線は、互いに電気的に接続されていない。

配線部３ｃは、実装端子部３ａから延在する配線が形成され、ＳＤメタル層９０、ゲートメタル層８０及びＣＳメタル層１１０のいずれかと表示領域２内の配線とを電気的に接続するための配線（接続配線）が設けられる領域である。配線部３ｃは、例えば、実装端子部３ａと表示領域２との間に設けられる領域である。接続配線は、ＳＤメタル層９０、ゲートメタル層８０及びＣＳメタル層１１０のいずれかと電気的に接続された配線である。

なお、以降において、実装端子部３ａのＣＳメタル層１１０から配線交差部３ｂ及び配線部３ｃの少なくとも一方に延在する配線を第１配線とする。第１配線は、ＣＳメタル層１１０と電気的に接続される。第１配線の一方の端部が実装端子部３ａのＣＳメタル層１１０であるとも言える。また、実装端子部３ａのゲートメタル層８０から配線交差部３ｂ及び配線部３ｃの少なくとも一方に延在する配線を第２配線とする。第２配線は、ゲートメタル層８０と電気的に接続される。第２配線の一方の端部が実装端子部３ａのゲートメタル層８０であるとも言える。また、実装端子部３ａのＳＤメタル層９０から配線交差部３ｂ及び配線部３ｃの少なくとも一方に延在する配線を第３配線とする。第３配線は、ＳＤメタル層９０と電気的に接続される。第３配線の一方の端部が実装端子部３ａのＳＤメタル層９０であるとも言える。アクティブマトリクス基板１は、例えば、第１配線〜第３配線の少なくとも１つの配線を有する。なお、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃの少なくとも一方に延在することは、実装端子部３ａから当該実装端子部３ａの外部の領域に延在することの一例である。

図３Ａに示すように、実装端子部３ａ、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃのそれぞれは、有機絶縁層６０を有していなくてもよい。つまり、有機絶縁層６０は、アクティブマトリ
クス基板１の平面視において、表示領域２及び周辺領域３のうち表示領域２のみに設けられていてもよい。この場合、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃには、第３無機絶縁層５０が形成されており、かつ、有機絶縁層６０が形成されていない。

図３Ｂに示すように、実装端子部３ａ及び配線交差部３ｂのそれぞれは、有機絶縁層６０を有していなくてもよい。つまり、有機絶縁層６０は、アクティブマトリクス基板１の平面視において、表示領域２及び配線部３ｃより内側の領域のみに設けられていてもよい。この場合、配線交差部３ｂには、第３無機絶縁層５０が形成されており、かつ、有機絶縁層６０が形成されていない。また、配線部３ｃには、第３無機絶縁層５０と、有機絶縁層６０とが形成されている。

図３Ｃに示すように、実装端子部３ａは、有機絶縁層６０を有していない。つまり、有機絶縁層６０は、アクティブマトリクス基板１の平面視において、実装端子部３ａ、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃのうち少なくとも実装端子部３ａには設けられていない。この場合、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃには、第３無機絶縁層５０及び有機絶縁層６０が形成されている。

図３Ｄに示すように、実装端子部３ａ及び配線部３ｃのそれぞれは、有機絶縁層６０を有していなくてもよい。つまり、有機絶縁層６０は、アクティブマトリクス基板１の平面視において、表示領域２及び配線交差部３ｂのみに設けられていてもよい。この場合、配線交差部３ｂには、第３無機絶縁層５０及び有機絶縁層６０が形成されている。また、配線部３ｃには、第３無機絶縁層５０が形成されており、かつ、有機絶縁層６０が形成されていない。

比較例に係るアクティブマトリクス基板３００においては、実装端子部３ａ、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃのそれぞれに、有機絶縁層６０が形成されている。例えば、図３Ａ〜図３Ｄに示すように、実装端子部３ａに有機絶縁層６０が形成されていないことにより、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００に比べて、ＳＤメタル層９０の凹み９１の深さを浅くすることができ、かつ、実装端子部３ａにおける脱ガスの発生を抑制することができる。

また、例えば、図３Ａ及び図３Ｂ示すように、配線交差部３ｂに有機絶縁層６０が形成されていないことにより、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００に比べて、有機絶縁層６０を介して外部から表示領域２に水分が侵入することを抑制でき、かつ、配線交差部３ｂにおける脱ガスの発生を抑制することができる。

また、例えば、図３Ａ及び図３Ｄに示すように、配線部３ｃに有機絶縁層６０が形成されていないことにより、比較例に係るアクティブマトリクス基板３００に比べて、有機絶縁層６０を介して外部から表示領域２に水分が侵入することができ、かつ、配線部３ｃにおける脱ガスの発生を抑制することができる。

有機絶縁層６０を介して外部から表示領域２に水分が侵入することを抑制する及び脱ガスの発生を抑制する観点から、実装端子部３ａを含む領域において、有機絶縁層６０が形成されていないとよい。例えば、実装端子部３ａ、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃのそれぞれにおいて、有機絶縁層６０が形成されていないとよい。

なお、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃに形成される第３無機絶縁層５０は、第１絶縁層及び第３絶縁層と同一層の第４絶縁層の一例である。また、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃに形成される有機絶縁層６０は、第２絶縁層と同一層の第５絶縁層の一例である。

図４は、図３Ａに示す破線領域ＩＶを拡大して示す模式平面図である。

図４に示すような、実装端子部３ａのＶＡ１−ＶＡ１切断線、配線部３ｃのＶＡ２−ＶＡ２切断線、及び、配線交差部３ｂのＶＡ３−ＶＡ３切断線における各断面図について、図５Ａ及び図５Ｂを参照しながら説明する。図５Ａは、本実施の形態に係る、実装端子部３ａ、配線部３ｃ及び配線交差部３ｂの構成の第１例を示す模式断面図である。具体的には、図５Ａは、図３Ａ及び図３Ｂに示す有機絶縁層６０の配置の場合における、実装端子部３ａ、配線部３ｃ及び配線交差部３ｂの断面構成の一例を示す。

図３Ａ及び図３Ｂの違いは、配線部３ｃにおける有機絶縁層６０の有無であり、実装端子部３ａ及び配線交差部３ｂの断面構造は、図３Ａ及び図３Ｂの場合で共通である。

図５Ａの（ａ）は、ＶＡ１−ＶＡ１切断線における実装端子部３ａの模式断面図を示す。図５Ａの（ａ）は、図２と同様の断面構成であり、説明を省略する。

図５Ａの（ｂ）は、ＶＡ２−ＶＡ２切断線における配線部３ｃの模式断面図を示す。図５Ａの（ｂ）に示すように、実装端子部３ａにＣＳメタル層１１０が形成されているので、配線部３ｃにおいて、ＣＳメタル層１１０により配線可能である。配線部３ｃに形成されるＣＳメタル層１１０は、第１配線の一例である。

図５Ａの（ｃ）は、ＶＡ３−ＶＡ３切断線における配線交差部３ｂの模式断面図を示す。図５Ａの（ｃ）では、ＳＤメタル層９０及びＣＳメタル層１１０が交差している例を示している。この場合、ＳＤメタル層９０（第３配線）及びＣＳメタル層１１０（第１配線）との間には、第２無機絶縁層３１及び第３無機絶縁層５０の２つの絶縁層が設けられているので、耐圧は確保できる。つまり、第２無機絶縁層３１及び第３無機絶縁層５０の２つの絶縁層が設けられているので、ＳＤメタル層９０及びＣＳメタル層１１０とのが短絡することを抑制することができる。なお、ゲートメタル層８０及びＣＳメタル層１１０が交差している場合についても、同様である。また、第１配線及び第３配線は、少なくとも２つの配線の一例である。

図５Ａの（ｄ）〜図５Ａの（ｆ）は、ＶＡ２−ＶＡ２切断線における配線部３ｃの模式断面図を示す。図５Ａの（ｄ）〜図５Ａの（ｆ）に示すように、配線部３ｃに有機絶縁層６０が形成されている場合、３つの金属層（３つのレイヤ）のいずれかを用いて配線することができるので、配線設計の自由度が増す。図５Ａの（ｄ）は、ＣＳメタル層１１０（第１配線）を用いて配線（ＣＳ配線）を行った場合の模式断面図であり、図５Ａの（ｅ）は、ゲートメタル層８０（第２配線）を用いて配線（ＧＭ配線）を行った場合の模式断面であり、図５Ａの（ｆ）は、ＳＤメタル層９０（第３配線）を用いて配線（ＳＤ配線）を行った場合の模式断面である。

次に、図３Ｃ及び図３Ｄに示す有機絶縁層６０の配置の場合における、実装端子部３ａ、配線部３ｃ及び配線交差部３ｂの構成の一例について、図５Ｂを参照しながら説明する。図５Ｂは、本実施の形態に係る、実装端子部３ａ、配線部３ｃ及び配線交差部３ｂの構成の第２例を示す模式断面図である。

図３Ｃ及び図３Ｄの違いは、配線部３ｃにおける有機絶縁層６０の有無であり、実装端子部３ａ及び配線交差部３ｂの断面構造は、図３Ａ及び図３Ｂの場合で共通である。

図５Ｂの（ａ）は、ＶＡ１−ＶＡ１切断線における実装端子部３ａの模式断面図を示す。図５Ｂの（ａ）は、図２と同様の断面構成であり、説明を省略する。

図５Ｂの（ｂ）〜図５Ｂの（ｄ）は、ＶＡ２−ＶＡ２切断線における配線部３ｃの模式断面図を示す。図５Ｂの（ｂ）〜図５Ｂの（ｄ）に示すように、配線部３ｃに有機絶縁層６０が形成されている場合、３つの金属層（３つのレイヤ）のいずれかを用いて配線することができるので、配線設計の自由度が増す。図５Ｂの（ｂ）は、ＣＳメタル層１１０（第１配線）を用いて配線（ＣＳ配線）を行った場合の模式断面図であり、図５Ｂの（ｃ）は、ゲートメタル層８０（第２配線）を用いて配線（ＧＭ配線）を行った場合の模式断面であり、図５Ｂの（ｄ）は、ＳＤメタル層９０（第３配線）を用いて配線（ＳＤ配線）を行った場合の模式断面である。

図５Ｂの（ｅ）〜図５Ｂの（ｇ）は、ＶＡ３−ＶＡ３切断線における配線交差部３ｂの模式断面図を示す。図５Ｂの（ｅ）〜図５Ｂの（ｇ）に示すように、配線交差部３ｂに有機絶縁層６０が形成されており、３つの金属層（３つのレイヤ）のいずれか２つを交差させて配線することができるので、配線設計の自由度が増す。

図５Ｂの（ｅ）は、ＣＳメタル層１１０（第１配線）とゲートメタル層８０（第２配線）とが交差している場合の模式断面図である。この場合、ＣＳメタル層１１０とゲートメタル層８０との間には、第２無機絶縁層３１及びゲート絶縁層４２の２層の絶縁膜が設けられるので、耐圧を確保することができる。配線交差部３ｂにおいて、ＣＳメタル層１１０、第２無機絶縁層３１、ゲート絶縁層４２及びゲートメタル層８０が、基板１０側からこの順に互いに接触して配置される。第１配線及び第２配線は、少なくとも２つの配線の一例である。

図５Ｂの（ｆ）は、ＣＳメタル層１１０（第１配線）とＳＤメタル層９０（第３配線）とが交差している場合の模式断面図である。この場合、ＣＳメタル層１１０とＳＤメタル層９０との間には、有機絶縁層６０が設けられるので、耐圧を確保することができる。配線交差部３ｂにおいて、ＣＳメタル層１１０、第２無機絶縁層３１、第３無機絶縁層５０、有機絶縁層６０及びＳＤメタル層９０が、基板１０側からこの順に互いに接触して配置される。第１配線及び第３配線は、少なくとも２つの配線の一例である。

図５Ｂの（ｇ）は、ゲートメタル層８０（第２配線）とＳＤメタル層９０（第３配線）とが交差している場合の模式断面図である。この場合、ゲートメタル層８０とＳＤメタル層９０との間には、有機絶縁層６０が設けられるので、耐圧を確保することができる。配線交差部３ｂにおいて、ＣＳメタル層１１０、第３無機絶縁層５０、有機絶縁層６０及びＳＤメタル層９０が、基板１０側からこの順に互いに接触して配置される。第２配線及び第３配線は、少なくとも２つの配線の一例である。

図５Ｂの（ｈ）は、ＶＡ２−ＶＡ２切断線における配線部３ｃの模式断面図を示す。図５Ｂの（ｈ）は、図５Ａの（ｂ）と同様であり、説明を省略する。

なお、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃに形成されるゲート絶縁層４２は、表示領域２に形成されるゲート絶縁層４２と同一層の第８絶縁層の一例である。また、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃに形成される第２無機絶縁層３１は、第１配線及び第３配線の間に形成される第２絶縁層３１は、第６絶縁層と同一層の第７絶縁層の一例である。

上記のように、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃにおける有機絶縁層６０の有無により、図５Ａ及び図５Ｂに示すような各種配線パターンが可能となる。例えば、配線の設計自由度を向上させる観点では、図３Ｃのように、配線交差部３ｂ及び配線部３ｃのそれぞれに、有機絶縁層６０が形成されているとよい。

また、上記のように、アクティブマトリクス基板１は、表示領域２において、複数の画
素領域のそれぞれに配置された保持容量ＣＳに用いられるＣＳ下部電極３０を備え、実装端子部３ａにおいて、ＣＳ下部電極３０と同一層に形成されたＣＳメタル層１１０と、ゲート電極４３と同一層に形成されたゲートメタル層８０と、ソース・ドレイン電極４４と同一層に形成されたＳＤメタル層９０であって接続端子として機能するＳＤメタル層９０とを備える。そして、ＣＳメタル層１１０と、ゲートメタル層８０と、ＳＤメタル層９０とは、この順に接触して積層されている。

［１−２．アクティブマトリクス基板の製造方法］
続いて、上記のようなアクティブマトリクス基板１の製造方法について、図６Ａ〜図６Ｉを参照しながら説明する。図６Ａ〜図６Ｉは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の製造方法における各工程を示す模式断面図である。なお、図６Ａ〜図６Ｉにおいて、便宜上、表示領域２の各層の縮尺を他の図から変更している。

図６Ａは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の製造方法における第１の工程を説明するための模式断面図であり、基板１０に第１無機絶縁層２０が成膜された状態を示す。例えば、アルカリ水溶液などで洗浄された基板１０上の全面に、窒化シリコン層２１及び酸化シリコン層２２がこの順に成膜される。窒化シリコン層２１及び酸化シリコン層２２は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて成膜されるが、スパッタ法などにより成膜されてもよい。なお、全面とは、表示領域２及び周辺領域３を含むことを意味する。

図６Ｂは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の製造方法における第２の工程を説明するための模式断面図であり、酸化シリコン層２２上にＣＳ下部電極３０及びＣＳメタル層１１０が形成された状態を示す。酸化シリコン層２２上の全面に金属膜を成膜し、成膜された金属膜を例えば、エッチングにより所定の形状にパターニングしてＣＳ下部電極３０及びＣＳメタル層１１０を形成する。ＣＳ下部電極３０及びＣＳメタル層１１０は、スパッタ法などにより全面に成膜された金属膜を、フォトリソグラフィ法により所定の形状に形成されたフォトレジストをマスクとして例えば、エッチング法で除去することで形成される。つまり、ＣＳ下部電極３０及びＣＳメタル層１１０は、１つの工程で同時に形成される。

このとき、フォトレジストがポジ型である場合、所定の形状に形成されたフォトレジストを形成するためのマスク（治工具）は、ＣＳ下部電極３０及びＣＳメタル層１１０に対応する領域を遮光するように形成される。当該マスクは、周辺領域３の一部に遮光領域を有するとも言える。このように、周辺領域３のＣＳメタル層１１０が形成される領域に対応する領域を遮光するマスク（治工具）等を用いて、フォトレジストを所定の形状に形成する。

なお、フォトレジストは、ポジ型であることに限定されず、ネガ型であってもよい。この場合、所定の形状に形成されたフォトレジストを形成するためのマスク（治工具）は、ＣＳ下部電極３０及びＣＳメタル層１１０に対応する領域以外を遮光するように形成される。

図６Ｃは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の製造方法における第３の工程を説明するための模式断面図であり、ＣＳ下部電極３０及びＣＳメタル層１１０が形成された基板１０に、第２無機絶縁層３１が形成された状態を示す。当該基板１０上の全面に絶縁膜を成膜し、成膜された絶縁膜を、例えばエッチングにより所定の形状にパターニングして、ＣＳメタル層１１０の一部が露出するように第２無機絶縁層３１を形成する。このときに用いられるマスク（治工具）は、例えば、ＣＳメタル層１１０の上部の領域に開口を有するマスクである。周辺領域３のＣＳメタル層１１０が形成される領域に対応
する領域に開口を有するマスク（治工具）を用いて、フォトレジストを所定の形状に形成する。このように、基板１０上の全面に絶縁膜を成膜した後、周辺領域３に形成されたＣＳメタル層１１０を露出するための工程が行われる。ＣＳメタル層１１０の露出した部分は、ゲートメタル層８０と電気的及び物理的に接続される部分である。

図６Ｄは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の製造方法における第４の工程を説明するための模式断面図であり、第２無機絶縁層３１上に、例えば、酸化物半導体材料をスパッタ法等により基板１０上の全面に成膜した後、所定の形状にパターニングされた半導体層４１が形成された状態を示す。このとき、ＣＳメタル層１１０上に成膜された半導体層４１は、除去される。つまり、半導体層４１が形成された状態で、ＣＳメタル層１１０は、露出している。

図６Ｅは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の製造方法における第５の工程を説明するための模式断面図であり、半導体層４１が形成された基板１０上に、ゲート絶縁層４２を形成するための絶縁膜が成膜され、かつ、コンタクトホールが形成された状態を示す。当該基板１０上の全面にＣＶＤ法又はスパッタ法等により絶縁膜を成膜し、成膜された絶縁膜にコンタクトホールを形成する。具体的には、半導体層４１の一部、及び、ＣＳメタル層１１０の一部が露出するように、パターニングが行われる。このとき、ＣＳメタル層１１０上に成膜された絶縁膜は、除去される。

図６Ｆは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の製造方法における第６の工程を説明するための模式断面図であり、ゲート絶縁層４２、並びに、ゲート電極４３、ゲート配線７０及びゲートメタル層８０が形成された状態を示す。コンタクトホールが形成された絶縁膜が形成された基板１０上の全面にスパッタ法などにより金属膜を成膜し、成膜された金属膜及び当該絶縁膜を所定の形状に一括してパターニングして、ゲート絶縁層４２、並びに、ゲート電極４３、各ゲート配線７０及びゲートメタル層８０を形成する。例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、一括してパターニングすることでゲート絶縁層４２、並びに、ゲート電極４３、各ゲート配線７０及びゲートメタル層８０が形成され。つまり、ゲート電極４３、各ゲート配線７０及びゲートメタル層８０は、１つの工程で同時に形成される。これにより、ＣＳメタル層１１０は、ゲートメタル層８０と電気的及び物理的に接続され、ＣＳ下部電極３０は、ゲート配線７０と電気的及び物理的に接続される。

図６Ｇは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の製造方法における第７の工程を説明するための模式断面図であり、ゲート電極４３、各ゲート配線７０及びゲートメタル層８０が形成された基板１０上に、第３無機絶縁層５０が形成された状態を示す。当該基板１０上の全面にＣＶＤ法又はスパッタ法等により絶縁膜を成膜し、成膜された絶縁膜を所定の形状にパターニングして第３無機絶縁層５０を形成する。このとき、ゲートメタル層８０上及び低抵抗領域４１ｂの一部の上に成膜された絶縁膜は、除去される。

図６Ｈは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の製造方法における第８の工程を説明するための模式断面図であり、第３無機絶縁層５０が形成された基板１０上に、有機絶縁層６０が形成された状態を示す。有機絶縁層６０は、例えば、塗布などにより形成される。ここで、有機絶縁層６０を形成するための材料は、周辺領域３には、塗布されない。これにより、有機絶縁層６０が形成された状態で、少なくとも実装端子部３ａのゲートメタル層８０及び第３無機絶縁層５０は、露出している。

そして、本実施形態では、コンタクトホールの酸化アルミニウム層５３がエッチング等により除去される。これにより、低抵抗領域４１ｂの一部が露出する。

図６Ｉは、有機絶縁層６０が形成された基板１０上に、ＳＤ電極４４及びＳＤメタル層９０が形成された状態を示す。有機絶縁層６０が形成された基板１０上の全面にスパッタ法などにより金属膜を成膜し、成膜された金属膜を所定の形状にパターニングして、ＳＤ電極４４及びＳＤメタル層９０を形成する。つまり、ＳＤ電極４４及びＳＤメタル層９０は、１つの工程で同時に形成される。これにより、ＳＤメタル層９０は、ゲートメタル層８０と電気的及び物理的に接続され、ＳＤ電極４４は、低抵抗領域４１ｂと電気的及び物理的に接続される。

これにより、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１が作製される。なお、上記に記載した各種のパターニングの手法は特に限定されず、公知のいかなる技術が用いられてもよい。

［１−３．表示装置］
続いて、上記のようなアクティブマトリクス基板１を用いた表示装置について、図７を参照しながら説明する。図７は、本実施の形態に係る表示装置１５０の外観図である。具体的には、図７は、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１を備える表示装置１５０の外観図である。

図７に示すように、表示装置１５０は、アクティブマトリクス基板１を有する表示パネル１６０と、筐体１７０とを備える。

表示パネル１６０は、２次元状に配置された複数の画素（図示せず）を有し、映像信号等に基づいて、画像を表示する。表示パネル１６０に用いられるアクティブマトリクス基板として、上記で説明したアクティブマトリクス基板１が用いられる。

表示パネル１６０は、有機ＥＬパネル、液晶パネル又はＬＥＤパネルなどであるが、これに限定されない。表示パネル１６０が有機ＥＬパネルである場合、表示装置１５０は有機ＥＬ表示装置である。また、表示パネル１６０が液晶パネルである場合、表示装置１５０は液晶表示装置である。また、表示パネル１６０がＬＥＤパネルである場合、表示装置１５０はＬＥＤ表示装置である。

筐体１７０は、表示パネル１６０の前面以外の部分を覆う。筐体１７０は、ポリカーボネート、ポリスチレン等の樹脂又はアルミニウム合金等の金属が用いられる。

上記の表示装置１５０は、ＳＤメタル層９０と、導電性接着剤との接着性が向上しているので、例えば、振動などの負荷が加わる用途（例えば、自動車など）で用いられても、ＳＤメタル層９０と、導電性接着剤との接続性に起因する表示異常が発生することを抑制することができる。

［１−４．効果など］
以上のように、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１は、複数の画素領域を含む表示領域２と、表示領域２の外側の周辺領域３とを有する基板１０を備える。表示領域２には、複数の画素領域のそれぞれに配置されたトランジスタ４０と、トランジスタ４０を含む表示領域２を覆う第３無機絶縁層５０と、第３無機絶縁層５０に積層され、基板１０の表面を平坦化する有機絶縁層６０とが形成される。また、周辺領域３には、部品が接続される接続端子（例えば、ＳＤメタル層９０）と、接続端子及び基板１０の間の一部に配置されたゲート絶縁層４２とを有する実装端子部３ａが形成される。そして、表示領域２に形成された第３無機絶縁層５０と、実装端子部３ａに形成された第３無機絶縁層５０とは、同一層に形成されており、実装端子部３ａには、有機絶縁層６０は形成されていない。

言い換えると、アクティブマトリクス基板１は、表示領域において、複数の画素領域のそれぞれに配置されたトランジスタ４０と、トランジスタ４０を含む表示領域２を覆う第３無機絶縁層５０と、第３無機絶縁層５０に積層され、基板１０の表面を平坦化する有機絶縁層６０とを備え、周辺領域において、部品が接続される接続端子（例えば、ＳＤメタル層９０）と、接続端子及び基板１０の間の一部に配置されたゲート絶縁層４２とを有する実装端子部３ａを備える。そして、表示領域２に形成された第３無機絶縁層５０と、実装端子部３ａに形成された第３無機絶縁層５０とは、同一層に形成されており、アクティブマトリクス基板１は、実装端子部３ａにおいて、有機絶縁層６０を備えていない。

これにより、第３無機絶縁層５０とＳＤメタル層９０との間に有機絶縁層６０が形成されている場合に比べて、当該ＳＤメタル層９０に形成される凹み９１を浅くすることができる。よって、ＳＤメタル層９０に部品が接続されるときに、ＡＣＦなどの導電性接着剤がＳＤメタル層９０の凹み９１の表面との接触面積を増やすことができるので、部品とＳＤメタル層９０との接続性を向上させることができる。

また、トランジスタ４０は、ゲート電極４３と、ゲート絶縁層４２と、ゲート絶縁層４２を介してゲート電極４３と対向して配置された半導体層４１と、半導体層４１に電気的に接続されたソース・ドレイン電極４４とを有する。表示領域２には、複数の画素領域のそれぞれに配置された保持容量ＣＳに用いられるＣＳ下部電極３０が設けられ、実装端子部３ａには、ＣＳ下部電極３０と同一層に形成されたＣＳメタル層１１０と、ゲート電極４３と同一層に形成されたゲートメタル層８０と、ソース・ドレイン電極４４と同一層に形成されたＳＤメタル層９０であって接続端子として機能するＳＤメタル層９０とが、この順に接触して形成されている。そして、実装端子部３ａから当該実装端子部３ａの外部の領域（例えば、配線交差部３ｂ、配線部３ｃなど）に延在する第１配線、第２配線及び第３配線であって、実装端子部３ａのＣＳメタル層１１０（第１端子）を含む第１配線、実装端子部３ａのゲートメタル層８０（第２端子）を含む第２配線、及び、実装端子部３ａのＳＤメタル層９０を含む第３配線の少なくとも１つを有する。

言い換えると、ＣＳメタル層１１０は、延在して設けられており第１配線を形成してもよい。ゲートメタル層８０は、延在して設けられており第２配線を形成してもよい。ＳＤメタル層９０は、延在して設けられており第３配線を形成してもよい。

これにより、ＣＳメタル層１１０と電気的に接続された第１配線、ゲートメタル層８０と電気的に接続された第２配線、及び、ＳＤメタル層９０と電気的に接続された第３配線の少なくとも１つを用いて配線することができるので、配線設計時の自由度が増す。なお、従来では、実装端子部３ａにＣＳメタル層１１０は形成されていなかったので、当該ＣＳメタル層１１０と接続された第１配線を用いることができない。

また、周辺領域２には、実装端子部３ａと表示領域２との間に設けられ、第１配線、第２配線及び第３配線の少なくとも１つが形成される配線部３ｃと、第１配線、第２配線、及び、第３配線の少なくとも２つの配線が、基板１０の平面視において交差する配線交差部３ｂとが形成される。そして、配線部３ｃ及び配線交差部３ｂには、第３無機絶縁層５０が形成されており、かつ、有機絶縁層６０が形成されていない。

これにより、配線部３ｃ及び配線交差部３ｂにおいて、有機絶縁層６０が形成されている場合に発生する脱ガスの発生を抑制することができる。また、有機絶縁層６０を介して表示領域２内に水分が侵入することを抑制することができる。つまり、アクティブマトリクス基板１の信頼性が向上する。

また、配線部３ｃには、有機絶縁層６０と、第３無機絶縁層５０とが形成されており、配線交差部３ｂには、第３無機絶縁層５０が形成されており、かつ、有機絶縁層６０が形成されていない。

これにより、配線部３ｃに形成される配線に、ゲートメタル層８０、ＳＤメタル層９０及びＣＳメタル層１１０のいずれかを用いることができるので、配線部３ｃにおける配線設計時の自由度が増す。

また、配線部３ｃ及び配線交差部３ｂには、有機絶縁層６０と、第３無機絶縁層５０とが形成されている。

これにより、配線部３ｃ及び配線交差部３ｂのそれぞれに形成される配線に、ゲートメタル層８０、ＳＤメタル層９０及びＣＳメタル層１１０のいずれかを用いることができるので、配線部３ｃ及び配線交差部３ｂのそれぞれにおける配線設計時の自由度が増す。

また、配線交差部３ｂには、有機絶縁層６０と、第３無機絶縁層５０とが形成されており、配線部３ｃには、第３無機絶縁層５０が形成されており、かつ、有機絶縁層６０が形成されていない。

これにより、配線交差部３ｂに形成される配線に、ゲートメタル層８０、ＳＤメタル層９０及びＣＳメタル層１１０のいずれかを用いることができるので、配線交差部３ｂにおける配線設計時の自由度が増す。

また、少なくとも２つの配線は、第１配線及び第２配線を含む。保持容量ＣＳは、ＣＳ下部電極３０と、第２無機絶縁層３１と、第３無機絶縁層５０を介してＣＳ下部電極３０と対向して配置されたＣＳ上部電極３２とを含む。そして、配線交差部３ｂにおいて、第１配線及び第２配線の間に、第２無機絶縁層３１と、ゲート絶縁層４２とが形成されている。

これにより、有機絶縁層６０が形成されていなくても、ゲート絶縁層４２と、第２無機絶縁層３１とで、第１配線（ＣＳメタル層１１０）と第２配線（ゲートメタル層８０）との間の耐圧を確保することができる。

また、少なくとも２つの配線は、第１配線及び第３配線を含む。そして、配線交差部３ｂにおいて、第１配線及び第３配線の間に、第２無機絶縁層３１と、第３無機絶縁層５０とが形成されている。

これにより、第１配線（ＣＳメタル層１１０）を用いた場合であっても、第３無機絶縁層５０と、第２無機絶縁層３１とにより、第３配線（ＳＤメタル層９０）との耐圧を確保した上で、配線を行うことができる。

また、少なくとも２つの配線は、第１配線及び第３配線を含む。そして、配線交差部３ｂにおいて、第１配線及び第３配線の間に、第２無機絶縁層３１と、第３無機絶縁層５０と、有機絶縁層６０とが形成されている。

これにより、配線交差部３ｂにおいて、耐圧を確保した上で、第１配線（ＣＳメタル層１１０）と第３配線（ＳＤメタル層９０）とを用いて配線を行うことができる。

また、少なくとも２つの配線は、第２配線及び第３配線を含む。そして、配線交差部３ｂにおいて、第２配線及び第３配線の間に、第３無機縁層５０と有機絶縁層６０とが形成
されている。

これにより、配線交差部３ｂにおいて、耐圧を確保した上で、第２配線（ゲートメタル層８０）と第３配線（ＳＤメタル層９０）とを用いて配線を行うことができる。

また、以上のように、本実施の形態に係る表示装置１５０は、上記のアクティブマトリクス基板１を有する表示パネル１６０と、表示パネル１６０の前面以外の部分を覆う筐体１７０とを備える。

これにより、ＳＤメタル層９０と導電性接着剤との接続性に起因する表示異常が発生することが抑制された表示装置１５０を実現することができる。

（実施の形態２）
［２−１．アクティブマトリクス基板の構成］
まずは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板１の構成について、図８〜図１０を参照しながら説明する。図８は、図１の破線領域に対応する、本実施の形態に係る実装端子部３ａの模式断面図である。図８は、アクティブマトリクス基板１の実装端子部３ａの断面構成を示す。なお、以降において、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板１と同一又は類似の構成については、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板１と同一の符号を付し、説明を省略する。

図８に示すように、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板２００は、第１無機絶縁層２０を備えていない点において、実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板１と相違する。

アクティブマトリクス基板２００は、基板１０とＣＳメタル層１１０との間に、第１無機絶縁層２０を備えていない。言い換えると、ＣＳメタル層１１０は、基板１０と直接接触して設けられる。ＣＳメタル層１１０は、実施の形態１で説明したように、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及びチタン（Ｔｉ）等の金属を含んで構成されているので、基板１０からのナトリウムイオンなどの物質の影響を受けにくい。これにより、アクティブマトリクス基板２００の構成を簡略化することができる。

本実施の形態では、ＣＳメタル層１１０の厚みは、例えば、５０〜２００ｎｍ程度であり、一例として９０ｎｍである。第２無機絶縁層３１の厚みは、例えば、５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であり、一例として１５０ｎｍである。ゲート絶縁層４２の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜２５０ｎｍ程度であり、一例として２００ｎｍである。第３無機絶縁層５０の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度であり、一例として１５０ｎｍである。ゲートメタル層８０の厚みは、例えば、５００ｎｍ〜７００ｎｍ程度であり、一例として６００ｎｍである。ＳＤメタル層９０の厚みは、例えば、７００ｎｍ〜９００ｎｍ程度であり、一例として８００ｎｍである。この場合、例えば、ＳＤメタル層９０におけるゲートメタル層８０の上方部分に深さが５００ｎｍ程度の凹み９１が形成される。なお、各層の厚みは上記に限定されず、上記以外の厚みであってもよい。

本実施の形態では、第２無機絶縁層３１は、実施の形態１の第２無機絶縁層３１に比べて厚く形成される。第２無機絶縁層３１の厚みは、例えば、第３無機絶縁層５０と同程度であってもよい。また、第２無機絶縁層３１の厚みは、第１無機絶縁層２０と同程度であってもよい。また、第２無機絶縁層３１の厚みは、ＣＳメタル層１１０の厚み以上であってもよい。また、第２無機絶縁層３１の厚みは、ゲート絶縁層４２の厚み以下であってもよい。第２無機絶縁層３１の厚みは、例えば、５０ｎｍより厚く、かつ、２００ｎｍ以下
であるとよく、より好ましくは、１００ｎｍより厚く、かつ１５０ｎｍ以下であるとよい。

ここで、実施の形態１の図４に示すＶＡ１−ＶＡ１切断線、ＶＡ２−ＶＡ２切断線及びＶＡ３−ＶＡ３切断線に対応する、本実施の形態に係る周辺領域３の各断面図について、図９Ａ及び図９Ｂを参照しながら説明する。図９Ａは、本実施の形態に係る、配線部３ｃ、実装端子部３ａ及び配線交差部３ｂの構成の第１例を示す模式断面図である。図９Ｂは、本実施の形態に係る、配線部３ｃ、実装端子部３ａ及び配線交差部３ｂの構成の第２例を示す模式断面図である。

図９Ａの（ａ）は、ＶＡ１−ＶＡ１切断線に対応する、本実施の形態に係る実装端子部３ａの模式断面図を示す。図９Ａの（ａ）は、図８と同様の断面構成であり、説明を省略する。

図９Ａの（ｂ）〜図９Ａの（ｆ）のそれぞれは、図５Ａの（ｂ）〜図５Ａの（ｆ）のそれぞれにおいて、第１無機絶縁層２０をなくした構成を有する。

図９Ｂの（ａ）は、ＶＡ１−ＶＡ１切断線に対応する、本実施の形態に係る実装端子部３ａの模式断面図を示す。図９Ａの（ａ）は、図８と同様の断面構成であり、説明を省略する。

図９Ｂの（ｂ）〜図９Ｂの（ｈ）のそれぞれは、図５Ｂの（ｂ）〜図５Ｂの（ｈ）のそれぞれにおいて、第１無機絶縁層２０をなくした構成を有する。

このように、アクティブマトリクス基板２００では、実装端子部３ａ及び配線交差部３ｂにおける構成も簡略化することができる。

ここで、本実施の形態に係る表示領域２の断面構成について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、本実施の形態に係る表示領域２の構成を示す模式断面図である。

図１０に示すように、表示領域２においても、第１無機絶縁層２０が形成されていないので、ＣＳメタル層１１０と同層に形成されるＣＳ下部電極３０及び下層メタル配線１００は、基板１０と直接接触して設けられる。ＣＳ下部電極３０及び下層メタル配線１００は、ＣＳメタル層１１０と同一材料により形成されるので、基板１０からのナトリウムイオンなどの物質の影響を受けにくい。

なお、第１無機絶縁層２０が設けられていないので、基板１０と半導体層４１との間には、第２無機絶縁層３１が設けられる。そのため、第２無機絶縁層３１は、厚みが厚いとよい。第２無機絶縁層３１は、例えば、１００ｎｍより厚く、かつ、１５０ｎｍ以下であるとよい。第２無機絶縁層３１の厚みが１００ｎｍより厚いことで、基板１０からの物質が半導体層４１に移動することを抑制することができる。また、第２無機絶縁層３１の厚みが１５０ｎｍ以下であることで、保持容量ＣＳに蓄積される電荷量が減ることを抑制することができる。

第２無機絶縁層３１は、例えば、シリコン酸化（ＳｉＯｘ）膜、シリコン窒化（ＳｉＮｘ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）及び酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）膜等の無機絶縁膜により構成される。第２無機絶縁層３１は、例えば、上記のいずれかの無機絶縁膜により構成されてもよいし、上記のいずれか２つ以上の無機絶縁膜の積層により構成されてもよい。第２無機絶縁層３１は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、及び、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）が積層されて構成されてもよい。なお、図面において、一例として、第
２無機絶縁層３１をＣＩとも記載する。

また、このようなアクティブマトリクス基板２００は、例えば、図６Ａの工程が行われていない基板１０に対して、図６Ｂ以降の工程が行われることで形成される。

［２−２．効果など］
以上のように、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板２００の、同一層であるＣＳメタル層１１０及びＣＳ下部電極３０は、基板１０に直接接触して設けられている。そして、第２無機絶縁層３１の厚みは、１００ｎｍより大きく１５０ｎｍ以下である。

言い換えると、アクティブマトリクス基板２００は、同一層に設けられ、基板１０に直接接触して設けられるＣＳメタル層１１０及び下部電極３０を備える。

これにより、部品と実装端子部３ａとの密着性が向上され、かつ、構成が簡略化されたアクティブマトリクス基板２００を実現することができる。

（その他の実施の形態）
以上、本開示に係るアクティブマトリクス基板、及び、表示装置について、実施の形態等に基づいて説明してきたが、本開示に係るアクティブマトリクス基板、及び、表示装置は、上記実施の形態等に限定されるものではない。実施の形態等における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態等に対して本開示の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、実施の形態等に係るアクティブマトリクス基板、又は、表示装置を内蔵した各種機器も本開示に含まれる。

例えば、上記実施の形態等において実装端子部にＣＳメタル層は、形成されていなくてもよい。

また、上記実施の形態等で説明したアクティブマトリクス基板の製造方法は、一例であり上記に限定されない。例えば、ゲート絶縁層とゲート電極とは、同時にエッチングされることに限定されず、別々にエッチングされてもよい。また、上記で説明したアクティブマトリクス基板の製造方法の順序は、上記に限定されない。

本開示は、例えば、有機ＥＬ素子などの発光素子を有する表示パネルに用いられるアクティブマトリクス基板等に有用である。

１、２００、３００、４００ アクティブマトリクス基板
２、３００ａ 表示領域
３、３００ｂ 周辺領域
３ａ、３００ｂ１ 実装端子部
３ｂ 配線交差部
３ｃ 配線部
１０ 基板
２０ 第１無機絶縁層
２１ 窒化シリコン層
２２ 酸化シリコン層
３０ ＣＳ下部電極（保持電極）
３１ 第２無機絶縁層（第６絶縁層、第７絶縁層）
３２ ＣＳ上部電極
４０ トランジスタ
４１ 半導体層
４１ａ チャネル領域
４１ｂ 低抵抗領域
４２ ゲート絶縁層（第８絶縁層）
４３ ゲート電極
４４ ソース・ドレイン電極
５０ 第３無機絶縁層（第１絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層）
５１、５３ 酸化アルミニウム層
５２ 酸化シリコン層
６０ 有機絶縁層（第２絶縁層、第５絶縁層）
７０ ゲート配線
８０、２８０ ゲートメタル層（第２端子、第２配線）
９０、２９０ ソース・ドレインメタル層（第３端子、第３配線）
９１、２９１ 凹み
１００ 下層メタル配線
１１０ ＣＳメタル層（第１端子、第１配線）
１５０ 表示装置
１６０ 表示パネル
１７０ 筐体
４５０ 第４無機絶縁層
４５０ａ 側面
ＣＳ 保持容量

Claims (12)

1. 複数の画素領域を含む表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域とを有する基板を備え、
   前記表示領域には、
   前記複数の画素領域のそれぞれに配置されたトランジスタと、
   前記トランジスタを含む前記表示領域を覆う、無機材料を含む第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層に積層され、前記基板の表面を平坦化する、有機材料を含む第２絶縁層とが形成され、
   前記周辺領域には、部品が接続される接続端子と、前記接続端子及び前記基板の間の一部に配置され、無機材料を含む第３絶縁層とを有する実装端子部が形成され、
   前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層は、同一層に形成されており、
   前記実装端子部には、前記第２絶縁層と同一層の絶縁層が形成されていない
   アクティブマトリクス基板。
2. 前記トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極と対向して配置された半導体層と、前記半導体層に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極とを有し、
   前記表示領域には、前記複数の画素領域のそれぞれに配置された保持容量に用いられる保持電極が設けられ、
   前記実装端子部には、前記保持電極と同一層に形成された第１端子と、前記ゲート電極と同一層に形成された第２端子と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一層に形成された第３端子であって前記接続端子として機能する第３端子とが、この順に接触して形成され、
   前記実装端子部から前記実装端子部の外部の領域に延在する第１配線、第２配線及び第３配線であって、前記第１端子を含む第１配線、前記第２端子を含む第２配線、及び、前記第３端子を含む第３配線の少なくとも１つを有する
   請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
3. 前記周辺領域には、前記実装端子部と前記表示領域との間に設けられ、前記第１配線、前記第２配線及び前記第３配線の前記少なくとも１つが形成される配線部と、前記第１配線、前記第２配線、及び、前記第３配線の少なくとも２つの配線が、前記基板の平面視において交差する配線交差部とが形成され、
   前記配線部及び前記配線交差部には、前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層と同一層の第４絶縁層が形成されており、かつ、前記第２絶縁層と同一層の絶縁層が形成されていない
   請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
4. 前記周辺領域には、前記実装端子部と前記表示領域との間に設けられ、前記第１配線、前記第２配線及び前記第３配線の前記少なくとも１つが形成される配線部と、前記第１配線、前記第２配線、及び、前記第３配線の少なくとも２つの配線が、前記基板の平面視において交差する配線交差部とが形成され、
   前記配線部には、前記第２絶縁層と同一層の第５絶縁層と、前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層と同一層の第４絶縁層とが形成されており、
   前記配線交差部には、前記第４絶縁層が形成されており、かつ、前記第５絶縁層が形成されていない
   請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
5. 前記周辺領域には、前記実装端子部と前記表示領域との間に設けられ、前記第１配線、前記第２配線及び前記第３配線の前記少なくとも１つが形成される配線部と、前記第１配線、前記第２配線、及び、前記第３配線の少なくとも２つの配線が、前記基板の平面視に
   おいて交差する配線交差部とが形成され、
   前記配線部及び前記配線交差部には、前記第２絶縁層と同一層の第５絶縁層と、前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層と同一層の第４絶縁層とが形成されている
   請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
6. 前記周辺領域には、前記実装端子部と前記表示領域との間に設けられ、前記第１配線、前記第２配線及び前記第３配線の前記少なくとも１つが形成される配線部と、前記第１配線、前記第２配線、及び、前記第３配線の少なくとも２つの配線が、前記基板の平面視において交差する配線交差部とが形成され、
   前記配線交差部には、前記第２絶縁層と同一層の第５絶縁層と、前記第１絶縁層及び前記第３絶縁層と同一層の第４絶縁層とが形成されており、
   前記配線部には、前記第４絶縁層が形成されており、かつ、前記第５絶縁層が形成されていない
   請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
7. 前記少なくとも２つの配線は、前記第１配線及び前記第２配線を含み、
   前記保持容量は、前記保持電極と、無機材料を含む第６絶縁層と、前記第６絶縁層を介して前記保持電極と対向して配置され、不純物半導体で形成された保持容量電極とを含み、
   前記配線交差部において、前記第１配線及び前記第２配線の間に、前記第６絶縁層と同一層の第７絶縁層と、前記ゲート絶縁層と同一層の第８絶縁層とが形成されている
   請求項３〜６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
8. 前記少なくとも２つの配線は、前記第１配線及び前記第３配線を含み、
   前記保持容量は、前記保持電極と、無機材料を含む第６絶縁層と、前記第６絶縁層を介して前記保持電極と対向して配置され、不純物半導体で形成された保持容量電極とを含み、
   前記配線交差部において、前記第１配線及び前記第３配線の間に、前記第６絶縁層と同一層の第７絶縁層と、前記第４絶縁層とが形成されている
   請求項３又は４に記載のアクティブマトリクス基板。
9. 前記少なくとも２つの配線は、前記第１配線及び前記第３配線を含み、
   前記保持容量は、前記保持電極と、無機材料を含む第６絶縁層と、前記第６絶縁層を介して前記保持電極と対向して配置され、不純物半導体で形成された保持容量電極とを含み、
   前記配線交差部において、前記第１配線及び前記第３配線の間に、前記第６絶縁層と同一層の第７絶縁層と、前記第４絶縁層と、前記第５絶縁層とが形成されている
   請求項５又は６に記載のアクティブマトリクス基板。
10. 前記少なくとも２つの配線は、前記第２配線及び前記第３配線を含み、
    前記配線交差部において、前記第２配線及び前記第３配線の間に、前記第４絶縁層と前記第５絶縁層とが形成されている
    請求項５又は６に記載のアクティブマトリクス基板。
11. 同一層である前記第１端子及び前記保持電極は、前記基板に直接接触して設けられており、
    前記第６絶縁層の厚みは、１００ｎｍより大きく１５０ｎｍ以下である
    請求項７〜９のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板を有する表示パネル
    と、
    前記表示パネルの前面以外の部分を覆う筐体とを備える
    表示装置。

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