JP7299515B2

JP7299515B2 - 発光素子

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Publication number: JP7299515B2
Application number: JP2021092556A
Authority: JP
Inventors: 義典福井
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2021-06-01
Filing date: 2021-06-01
Publication date: 2023-06-28
Anticipated expiration: 2041-06-01
Also published as: JP2022184610A

Description

本発明は、発光素子に関する。

光取り出し面側にｐ側電極とｎ側電極を配置し、ｐ側電極とｐ側半導体層との間に透光性導電膜を配置した発光素子がある（例えば、特許文献１）。このような発光素子において、透光性導電膜を薄くすることは、透光性導電膜による光吸収を抑制して光取り出し効率の向上に有利であるが、順方向電圧の上昇をまねいてしまう。

特開２０１４－０４５１０８号公報

本発明は、順方向電圧の上昇を抑制しつつ、光取り出し効率を向上させることができる発光素子を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、発光素子は、ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層と、前記ｐ側半導体層と前記ｎ側半導体層との間に位置する活性層とを有する半導体積層体と、前記ｐ側半導体層上に設けられた透光性導電膜と、前記透光性導電膜上に設けられ、第１接続部と、前記第１接続部から延伸する第１延伸部とを有するｐ側電極と、前記ｎ側半導体層上に設けられたｎ側電極と、を備える。上面視において、前記ｐ側電極は、前記ｎ側電極の周囲に設けられる。上面視において、前記透光性導電膜は、前記ｐ側電極よりも外側であって、前記ｐ側電極と、前記ｐ側半導体層の外縁との間に位置する第１領域と、前記ｐ側電極よりも内側に位置する第２領域とを有する。上面視において、前記第１領域は、前記ｐ側電極から前記ｐ側半導体層の外縁に向かって延伸する複数の第１部分と、前記第１部分間に位置する第２部分とを有する。前記第１部分の膜厚は、前記第２領域の膜厚及び前記第２部分の膜厚よりも厚い。
また、本発明の一態様によれば、発光素子は、ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層と、前記ｐ側半導体層と前記ｎ側半導体層との間に位置する活性層とを有する半導体積層体と、前記ｐ側半導体層上に設けられた透光性導電膜と、前記透光性導電膜上に設けられ、第１接続部と、前記第１接続部から延伸する第１延伸部とを有するｐ側電極と、前記ｎ側半導体層上に設けられ、第２接続部と、前記第２接続部から延伸する第２延伸部とを有するｎ側電極と、を備える。前記第１延伸部は、前記第２延伸部と対向して設けられる。上面視において、前記透光性導電膜は、前記第１延伸部と、前記ｐ側半導体層の外縁との間に位置する外側領域と、前記第１延伸部と前記第２延伸部との間に位置する内側領域とを有する。上面視において、前記外側領域は、前記第１延伸部から前記ｐ側半導体層の外縁に向かって延伸する複数の第１部分と、前記第１部分間に位置する第２部分とを有する。前記第１部分の膜厚は、前記内側領域の膜厚及び前記第２部分の膜厚よりも厚い。

本発明の発光素子によれば、順方向電圧の上昇を抑制しつつ、光取り出し効率を向上させることができる。

本発明の第１実施形態の発光素子の模式上面図である。図１におけるＡ部の拡大図である。本発明の第１実施形態の発光素子の模式上面図である。図１のIII-III線における模式断面図である。図１のIV-IV線における模式断面図である。各サンプルの第１領域の全体の面積、第１領域の各部分の幅及び面積を示す表である。各サンプルの順方向電圧を説明するためのグラフである。各サンプルの出力を説明するためのグラフである。本発明の第２実施形態の発光素子の模式上面図である。図７におけるＢ部の拡大図である。図７のIX-IX線における模式断面図である。本発明の実施形態による透光性導電膜の第１の形成方法を示す模式断面図である。本発明の実施形態による透光性導電膜の第１の形成方法を示す模式断面図である。本発明の実施形態による透光性導電膜の第１の形成方法を示す模式断面図である。本発明の実施形態による透光性導電膜の第２の形成方法を示す模式断面図である。本発明の実施形態による透光性導電膜の第２の形成方法を示す模式断面図である。本発明の実施形態による透光性導電膜の第２の形成方法を示す模式断面図である。

以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。なお、断面図には切断面のみを示すものも含む。

［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態の発光素子１の模式上面図である。
図２Ａは、図１におけるＡ部の拡大図である。
図３は、図１のIII-III線における模式断面図である。
図４は、図１のIV-IV線における模式断面図である。

発光素子１は、基板１００と、半導体積層体１０と、透光性導電膜２０と、ｐ側電極５０と、ｎ側電極６０と、絶縁膜８１とを備える。なお、図１及び図２Ａは、図３及び図４に示す絶縁膜８１を除いた構成の上面を示す。基板１００の主面に対して平行な方向であり互いに直交する２方向を第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとする。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交し、基板１００から半導体積層体１０に向かう方向を第３方向Ｚとする。

上面視における半導体積層体１０の形状は、例えば、正方形、矩形とすることできる。第１実施形態の発光素子１においては、図１に示すように、上面視における半導体積層体１０の形状は正方形である。この正方形における角は、直角でもよいし、丸みをもっていてもよい。半導体積層体１０の一辺の長さは、例えば、１００μｍ以上１５００μｍ以下とすることができる。上面視における発光素子１の形状は、正方形である。

半導体積層体１０は、例えば、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）などの窒化物半導体を含む。基板１００は、例えば、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）のような絶縁性基板を用いることができる。また、基板１００として、ＧａＮ、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉなどの導電性の基板を用いても良い。上面視において、基板１００の一辺の長さは、例えば、１００μｍ以上１５００μｍ以下とすることができる。

図３及び図４に示すように、半導体積層体１０は、ｎ側半導体層１１と、ｐ側半導体層１２と、ｎ側半導体層１１とｐ側半導体層１２との間に位置する活性層１３とを有する。基板１００上にｎ側半導体層１１が設けられ、ｎ側半導体層１１上に活性層１３が設けられ、活性層１３上にｐ側半導体層１２が設けられる。活性層１３は、光を発する発光層である。活性層１３は、複数の障壁層と複数の井戸層とを含み、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造とすることができる。

ｎ側半導体層１１の上面は、活性層１３及びｐ側半導体層１２が設けられず、活性層１３及びｐ側半導体層１２から露出する第１面１１ａ及び第２面１１ｂを有する。第１面１１ａ上にｎ側電極６０が設けられる。

図１に示すように、第２面１１ｂは、ｎ側半導体層１１の最外周に位置し、ｎ側半導体層１１の外縁１１ｃに沿って連続している。ｎ側半導体層１１の外縁１１ｃは、半導体積層体１０の外縁を構成する。ｐ側半導体層１２の外縁１２ａは、ｎ側半導体層１１の外縁１１ｃよりも内側においてｎ側半導体層１１の外縁１１ｃに沿っている。上面視において、ｎ側半導体層１１の第２面１１ｂは、ｎ側半導体層１１の外縁１１ｃとｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する。

図３及び図４に示すように、ｐ側半導体層１２上に透光性導電膜２０が設けられている。透光性導電膜２０は、ｎ側半導体層１１の第１面１１ａ及び第２面１１ｂには設けられていない。透光性導電膜２０は、ｐ側電極５０を通じて供給される電流をｐ側半導体層１２の面方向に拡散させる。透光性導電膜２０は、ｐ側半導体層１２及びｐ側電極５０と電気的に接続されている。また、透光性導電膜２０は、活性層１３からの光の波長に対して透光性を有する。透光性導電膜２０は、活性層１３からの光の波長に対して６０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上の透過率を有することが好ましい。

透光性導電膜２０として、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、Ｇａ_２Ｏ_３などの酸化膜を用いることができる。透光性導電膜２０の膜厚は、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることができる。

透光性導電膜２０上にｐ側電極５０が設けられている。ｐ側電極５０は透光性導電膜２０に接している。ｐ側電極５０の抵抗率は、透光性導電膜２０の抵抗率よりも低い。活性層１３からの光の波長に対するｐ側電極５０の透過率は、活性層１３からの光の波長に対する透光性導電膜２０の透過率よりも低い。ｐ側電極５０は、金属材料からなる。ｐ側電極５０として、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉなどの金属材料、又はこれらの金属材料を含む合金を用いることができる。ｐ側電極５０の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上５μｍ以下とすることができる。

図１に示すように、ｐ側電極５０は、第１接続部５１と、第１接続部５１から延伸する第１延伸部５２とを有する。第１接続部５１は、半導体積層体１０の一辺を二等分し第１方向Ｘに平行な仮想線上に位置している。例えば、２つの第１延伸部５２が第１接続部５１から延伸している。２つの第１延伸部５２は、第１接続部５１を通り第１方向Ｘに平行な仮想線（図１においてIV-IV線に一致）を第２方向Ｙにおいて挟んで位置する。２つの第１延伸部５２は、第１接続部５１を通り第１方向Ｘに平行な仮想線に対して線対称に配置されている。

ｎ側半導体層１１の第１面１１ａ上にｎ側電極６０が設けられている。ｎ側電極６０はｎ側半導体層１１に接している。ｎ側電極６０の抵抗率は、透光性導電膜２０の抵抗率よりも低い。ｎ側電極６０の抵抗率は、例えば、１μΩ・ｃｍ以上１００μΩ・ｃｍ以下とすることができる。透光性導電膜２０の抵抗率は、１０μΩ・ｃｍ以上３００μΩ・ｃｍ以下とすることができる。活性層１３からの光の波長に対するｎ側電極６０の透過率は、活性層１３からの光の波長に対する透光性導電膜２０の透過率よりも低い。ｎ側電極６０は、金属材料からなる。ｎ側電極６０として、例えば、上述したｐ側電極５０と同様の金属材料を用いることができる。ｎ側電極６０の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上５μｍ以下とすることができる。

ｎ側電極６０は、第２接続部６１と、第２接続部６１から延伸する第２延伸部６２とを有する。第２接続部６１は、半導体積層体１０の一辺を二等分し第１方向Ｘに平行な仮想線上に位置している。第２接続部６１は、第１方向Ｘにおいて、ｐ側電極５０の第１接続部５１と対向して配置されている。例えば、２つの第２延伸部６２が第２接続部６１から延伸している。２つの第２延伸部６２は、第２方向Ｙにおいて、ｐ側電極５０の２つの第１延伸部５２の間に位置する。また、２つの第２延伸部６２は、第１接続部５１及び第２接続部６１を通り第１方向Ｘに平行な仮想線（図１においてIV-IV線に一致）を第２方向Ｙにおいて挟んで位置する。２つの第２延伸部６２は、第１接続部５１及び第２接続部６１を通り第１方向Ｘに平行な仮想線に対して線対称に配置されている。

上面視において、ｐ側電極５０の第１接続部５１及び２つの第１延伸部５２は、ｎ側電極６０の周囲に設けられている。ｐ側電極５０の第１延伸部５２の先端部５４ａは、第１方向Ｘにおいて、ｎ側電極６０の第２接続部６１よりもｐ側半導体層１２の外縁１２ａ側に位置する。すなわち、第１延伸部５２の先端部５４ａとｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間の第１方向Ｘにおける距離は、第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間の第１方向Ｘにおける距離よりも短い。

ｐ側電極５０は、さらに第３延伸部５３を有する。第３延伸部５３は、第１接続部５１から、ｎ側電極６０の第２接続部６１に向かって延伸している。第３延伸部５３の先端部５３ａは、第２方向Ｙにおいて、ｎ側電極６０の２つの第２延伸部６２の間に位置する。

図３及び図４に示すように、絶縁膜８１が、半導体積層体１０、透光性導電膜２０、ｐ側電極５０、及びｎ側電極６０を覆っている。図４に示すように、ｐ側電極５０の第１接続部５１の上面５１ａの一部、及びｎ側電極６０の第２接続部６１の上面６１ａの一部は、絶縁膜８１から露出している。第１接続部５１の上面５１ａ及び第２接続部６１の上面６１ａには例えばワイヤが接合され、ワイヤを介してｐ側電極５０及びｎ側電極６０が外部回路と電気的に接続される。

上面視において、透光性導電膜２０は、第１領域２１と第２領域２２と第３領域２３とを有する。図２Ｂは図１と同様の模式上面図であり、図２Ｂにおいて第１領域２１及び第３領域２３をドットによるハッチングで表す。第１領域２１は、ｐ側電極５０よりも外側であって、第１延伸部５２とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間、及び第１接続部５１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する。第２領域２２は、ｐ側電極５０の第１延伸部５２及び第１接続部５１よりも内側に位置する。上面視において、第１領域２１と第２領域２２との間に、ｐ側電極５０の第１接続部５１と第１延伸部５２が位置する。

図２に示すように、上面視において、透光性導電膜２０の第１領域２１は、複数の第１部分２１ａと、複数の第２部分２１ｂと、複数の第３部分２１ｃとを有する。第１部分２１ａは、ｐ側電極５０の第１延伸部５２からｐ側半導体層１２の外縁１２ａ（図１に示す）に向かって延伸している。また、第１部分２１ａは、ｐ側電極５０の第１接続部５１からｐ側半導体層１２の外縁１２ａに向かって延伸している。第２部分２１ｂは、複数の第１部分２１ａ間に位置する。第３部分２１ｃは、第１部分２１ａに接続され、複数の第１部分２１ａのうち隣り合う２つの第１部分２１ａ間に位置する。上面視において、１つの第２部分２１ｂは、第１部分２１ａと第３部分２１ｃに囲まれている。

本明細書において、膜厚は第３方向Ｚにおける厚さを表す。第１部分２１ａは、第１膜厚を持つ。第１膜厚は、第１部分２１ａの最大膜厚である。第２部分２１ｂは、第１膜厚よりも薄い第２膜厚を持つ。第２膜厚は、第２部分２１ｂの最大膜厚である。以降、第１膜厚を単に第１部分２１ａの膜厚と称し、第２膜厚を単に第２部分２１ｂの膜厚と称する。また、以下に説明するその他の領域や部分の膜厚も最大膜厚を表す。

第１部分２１ａの膜厚は、第２領域２２の膜厚及び第２部分２１ｂの膜厚よりも厚い。第３部分２１ｃの膜厚は、第２領域２２の膜厚及び第２部分２１ｂの膜厚よりも厚い。例えば、第１部分２１ａの膜厚と第３部分２１ｃの膜厚は同じである。第１領域２１において、同じ膜厚を有する透光性導電膜２０が、格子状に配置されている。例えば、第２領域２２の膜厚と第２部分２１ｂの膜厚は同じである。第１部分２１ａの膜厚は、例えば、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることができる。第２部分２１ｂの膜厚は、例えば、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることができる。第１部分２１ａの第１膜厚と第２部分２１ｂの第２膜厚の差は、例えば、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることできる。断面視において、第1部分２１ａと第２部分２１ｂの間に傾斜面又は曲面が形成される場合、例えば、第１部分２１ａの第１膜厚の６０％以下の膜厚になる部分を第２部分２１ｂとする。

図３における透光性導電膜２０の第１領域２１の断面は、第１部分２１ａの切断面を示す。図４における透光性導電膜２０の第１領域２１の断面は、第１部分２１ａの切断面及び後述する第５部分２１ｄの切断面を表す。図２Ａに示すように、第１部分２１ａは第１延伸部５２から第２方向Ｙに沿ってｐ側半導体層１２の外縁１２ａに向かって延伸している。図１におけるIV-IV線上においては、第１部分２１ａは第１接続部５１から第１方向Ｘに沿ってｐ側半導体層１２の外縁１２ａに向かって延伸している。

図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、上面視において、透光性導電膜２０は、第１領域２１に連続し、第１延伸部５２の先端部５４ａと第２領域２２との間に位置する第３領域２３をさらに有する。また、第３領域２３は、第１延伸部５２の先端側部分５４と第２領域２２との間にも位置する。第１延伸部５２の先端側部分５４は、先端部５４ａを含む部分である。先端側部分５４は、第１延伸部５２のうち、第１方向Ｘに平行な部分と先端部５４ａの間の部分である。先端側部分５４の長さは、例えば、１つの第１延伸部５２の全体の長さの２０％以上３０％以下である。

上面視において、第３領域２３は、第１延伸部５２の先端側部分５４に隣接している。上面視において、第２領域２２と先端側部分５４との間に第３領域２３が位置し、第３領域２３と第１領域２１との間に先端側部分５４が位置している。

図２Ｂに示すように、第２領域２２と第３領域２３との第１境界９１は、ｎ側電極６０よりもｐ側電極５０の第１延伸部５２側に位置する。第２領域２２と第３領域２３との第１境界９１と、先端部５４ａとの間の最短距離は、第２領域２２と第３領域２３との第１境界９１と、ｎ側電極６０との間の最短距離よりも短い。

先端側部分５４の延伸方向に直交する方向における第３領域２３の幅は、先端部５４ａから先端側部分５４に沿って第１接続部５１に近づくにしたがって徐々に小さくなっていることが好ましい。

図２Ａに示すように、上面視において、第３領域２３は、複数の第４部分２３ａと、複数の第６部分２３ｂとを有する。第４部分２３ａは、第１延伸部５２の先端側部分５４からｎ側電極６０に向かって延伸している。第６部分２３ｂは、複数の第４部分２３ａ間に位置する。上面視において、例えば、第４部分２３ａは格子状に配置されている。

第４部分２３ａの膜厚は、第２領域２２の膜厚、第２部分２１ｂの膜厚、及び第６部分２３ｂの膜厚よりも厚い。例えば、第４部分２３ａの膜厚は、第１部分２１ａの膜厚及び第３部分２１ｃの膜厚と同じである。例えば、第６部分２３ｂの膜厚は、第２領域２２の膜厚及び第２部分２１ｂの膜厚と同じである。

図２Ｂに示すように、上面視において、第１領域２１は、第１方向Ｘにおいて、第１延伸部５２の先端部５４ａとｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間、及び第３領域２３とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間にも位置する。また、第１方向Ｘにおいて、ｎ側電極６０とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に、第２領域２２と第１領域２１が位置する。２つの第１延伸部５２の先端部５４ａを結び第２方向Ｙに平行な仮想線９３よりも第１方向Ｘにおいてｐ側半導体層１２の外縁１２ａ側に、第２領域２２と第１領域２１との第２境界９２が位置する。第２境界９２は、第１境界９１と連続していてもよい。図２Ｂに示すように、第２境界９２は、１つの曲線で設けられている。第２境界９２は、例えば、第２接続部６１及び第２延伸部６２の形状に対応させた複数の曲線で設けてもよい。第１領域２１と第３領域２３との間の境界は、仮想線９３上に位置する。

ｎ側電極６０の第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する第１領域２１は、第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する第２領域２２よりもｐ側半導体層１２の外縁１２ａ側に位置する。第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する第２領域２２と第１領域２１との第２境界９２と、ｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間の最短距離は、第２境界９２と第２接続部６１との間の最短距離よりも短い。

上面視において、第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する第１領域２１は、第５部分２１ｄをさらに有する。第５部分２１ｄは、少なくとも、ｎ側電極６０の第２接続部６１を通り、第１方向Ｘに平行な仮想線（IV-IV線に一致する）上において、第２接続部６１と、ｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する。第５部分２１ｄの膜厚は、第１部分２１ａの膜厚及び第３部分２１ｃの膜厚よりも薄く、第２部分２１ｂの膜厚及び第２領域２２の膜厚よりも厚い。

第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する第１領域２１において、第５部分２１ｄが格子状に配置されてもよい。また、第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する第１領域２１において、複数の第５部分２１ｄ間に位置し、第５部分２１ｄよりも膜厚が薄い部分が配置されてもよい。

透光性導電膜２０は、厚膜部と、厚膜部よりも膜厚が薄い薄膜部とを有する。厚膜部は、第１部分２１ａを含む。厚膜部は、第３部分２１ｃ、第４部分２３ａ、及び第５部分２１ｄを含んでいてもよい。薄膜部は、第２領域２２、第２部分２１ｂを含む。薄膜部は、第６部分２３ｂを含んでいてもよい。例えば、透光性導電膜２０において、厚膜部の膜厚は、薄膜部の膜厚の１．５倍以上３．０倍以下である。

また、ｐ側電極５０の直下に配置された透光性導電膜２０の膜厚は、薄膜部の膜厚よりも厚いことが好ましい。例えば、ｐ側電極５０の直下に配置された透光性導電膜２０の膜厚は、厚膜部の膜厚と同じである。ｐ側電極５０の直下には、透光性導電膜２０の薄膜部を配置してもよい。

本実施形態の発光素子１において、活性層１３からの光は、主にｐ側半導体層１２及び透光性導電膜２０を介して発光素子１の外部に取り出される。

上面視においてｎ側電極６０の周囲にｐ側電極５０が設けられた構成において、ｐ側電極５０とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する透光性導電膜２０の第１領域２１は、ｐ側電極５０よりも内側に位置する第２領域２２よりも電流が拡散されにくい領域である。

本実施形態によれば、第１領域２１に、第２領域２２よりも厚い厚膜部である第１部分２１ａを配置している。これにより、第１領域２１の全体を第２領域２２のような薄膜部にする場合に比べて、第１領域２１のシート抵抗を低減でき、第１領域２１に電流を拡散させやすくできる。また、第１領域２１に第１部分２１ａよりも薄い薄膜部である第２部分２１ｂを配置することで、第１領域２１の全体を厚膜部にする場合に比べて、第１領域２１における光吸収を抑制できる。また、第１領域２１よりも電流が拡散されやすい第２領域２２の膜厚は第１領域２１の厚膜部よりも薄くすることで、透光性導電膜２０の全領域を厚くする場合に比べて、透光性導電膜２０による光吸収を抑制できる。したがって、本実施形態の発光素子１によれば、順方向電圧の上昇を抑制しつつ、光取り出し効率を向上させることができる。

ｐ側電極５０からの電流を透光性導電膜２０の面方向に拡散させやすくするために、ｐ側電極５０の直下に配置されｐ側電極５０に接する領域の透光性導電膜２０の膜厚は、第１部分２１ａなどの厚膜部の膜厚と同じにすることが好ましい。

第１領域２１において、隣り合う第１部分２１ａ間に厚膜部としてさらに第３部分２１ｃを配置することで、第１部分２１ａだけを配置した場合に比べて第１領域２１に電流を拡散させやすくできる。

発光素子１には、例えば第１接続部５１及び第２接続部６１に設けたワイヤを介して外部回路から電流が供給される。第１接続部５１に供給された電流は、第１接続部５１から先端部５４ａに向かって第１延伸部５２を流れる。先端部５４ａは、第１延伸部５２の中でも電流が流れる経路において第１接続部５１から最も遠い位置にある。したがって、透光性導電膜２０において、第１延伸部５２の先端部５４ａを含む先端側部分５４の近くの領域は、先端側部分５４よりも第１接続部５１に近い領域に比べて電流が拡散されにくい領域である。

そのような電流が拡散されにくい領域においては、第１延伸部５２の内側に透光性導電膜２０の厚膜部として第４部分２３ａを含む第３領域２３を設けることで、透光性導電膜２０における先端側部分５４に近い領域に電流を拡散させやすくでき、順方向電圧の上昇を抑制できる。

第１方向Ｘにおいて、ｐ側電極５０の第１接続部５１と、ｎ側電極６０の第２接続部６１とは対向して配置されている。このような配置の場合、第１接続部５１と第２接続部６１との間の透光性導電膜２０に電流が偏る傾向があり、第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間の領域には電流が拡散されにくくなる。

本実施形態によれば、第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間の領域に、透光性導電膜２０の厚膜部として第５部分２１ｄを配置することで、第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間の領域に電流を拡散させやすくでき、順方向電圧の上昇を抑制できる。

なお、第２接続部６１とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間の領域は、第１延伸部５２とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間の領域よりは電流が拡散されやすい傾向がある。そのため、第５部分２１ｄの膜厚は、第１部分２１ａの膜厚ほどに厚くしなくても順方向電圧の上昇を抑制できる。したがって、第５部分２１ｄの膜厚を、第１部分２１ａの膜厚よりは薄く、第２領域２２の膜厚及び第２部分２１ｂの膜厚よりも厚くすることで、順方向電圧を低減しつつ、光吸収も抑制できる。

本実施形態において、絶縁膜８１を設ける形態を説明したが、絶縁膜８１は設けなくてもよい。本実施形態において、第３延伸部５３を設ける形態を説明したが、第３延伸部５３は設けなくてもよい。本実施形態において、第３部分２１ｃを設ける形態を説明したが、第３部分２１ｃは設けなくてもよい。本実施形態において、第３領域２３を設ける形態を説明したが、第３領域２３は設けなくてもよい。例えば、上面視において、先端側部分５４と第２延伸部６２との間の距離が同じである場合は、第３領域２３を設けなくてもよい。本実施形態において、第１接続部５１及び第２接続部６１が、半導体積層体１０の一辺を二等分し第１方向Ｘに平行な仮想線上に位置している形態を説明したが、第１接続部５１及び第２接続部６１は、半導体積層体１０の対角線上にそれぞれ配置されていてもよい。

次に、各サンプルの順方向電圧と出力を測定した結果について説明する。

図５は、第１実施形態の発光素子のサンプルＡ、サンプルＢ、及びサンプルＣの第１領域の全体の面積、第１領域の各部分の幅及び面積を示す表である。

第１部分２１ａの幅は、第１部分２１ａが延伸する方向に直交する方向における幅である。第３部分２１ｃの幅は、第３部分２１ｃが延伸する方向に直交する方向における幅である。

サンプルＡの第１部分２１ａの幅及び第３部分２１ｃの幅は、５μｍである。サンプルＢの第１部分２１ａの幅及び第３部分２１ｃの幅は、７μｍである。サンプルＣの第１部分２１ａの幅及び第３部分２１ｃの幅は、９μｍである。なお、ｐ側電極５０の第１延伸部５２が延伸する方向に直交する方向における第１延伸部５２の幅は、６μｍである。

第１領域２１の全面積は、４００μｍ^２である。第２部分２１ｂの面積は、第１領域２１における複数の第２部分２１ｂの合計面積を表す。サンプルＡの第２部分２１ｂの面積は、２２５μｍ^２である。サンプルＢの第２部分２１ｂの面積は、１６９μｍ^２である。サンプルＣの第２部分２１ｂの面積は、１２１μｍ^２である。

第１部分２１ａ及び第３部分２１ｃの面積は、第１領域２１における複数の第１部分２１ａ及び複数の第３部分２１ｃの合計面積を表す。サンプルＡの第１部分２１ａ及び第３部分２１ｃの面積は、１７５μｍ^２である。サンプルＢの第１部分２１ａ及び第３部分２１ｃの面積は、２３１μｍ^２である。サンプルＣの第１部分２１ａ及び第３部分２１ｃの面積は、２７９μｍ^２である。

サンプルＡの第１領域２１の全面積に対する第１部分２１ａ及び第３部分２１ｃの面積の割合は、４３．７５％である。サンプルＢの第１領域２１の全面積に対する第１部分２１ａ及び第３部分２１ｃの面積の割合は、５７．７５％である。サンプルＣの第１領域２１の全面積に対する第１部分２１ａ及び第３部分２１ｃの面積の割合は、６９．７５％である。

各サンプルＡ～Ｃにおける透光性導電膜２０の厚膜部（第１部分２１ａ、第３部分２１ｃ）の膜厚は６０ｎｍであり、薄膜部（第２部分２１ｂ、第２領域２２）の膜厚は３０ｎｍである。

図６Ａは、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、比較サンプルRef１、及び比較サンプルRef２の順方向電圧Ｖｆ［Ｖ］を説明するためのグラフである。
図６Ｂは、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、比較サンプルRef１、及び比較サンプルRef２の出力Ｐｏ［ｍＷ］を説明するためのグラフである。
図６Ａ及び図６Ｂに示す順方向電圧差及び出力差は、Ref２の順方向電圧及び出力と、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、比較サンプルRef１の順方向電圧及び出力との差である。また、図６Ａ及び図６Ｂに示す値は、それぞれのサンプルにおける３つの測定値の平均値から算出している。

比較サンプルRef１及び比較サンプルRef２の透光性導電膜は、厚膜部と薄膜部を含まない。比較サンプルRef１の透光性導電膜の全領域の膜厚は、サンプルＡ～Ｃの厚膜部の膜厚と同じ６０μｍである。比較サンプルRef２の透光性導電膜の全領域の膜厚は、サンプルＡ～Ｃの薄膜部の膜厚と同じ３０μｍである。透光性導電膜以外の構成については、サンプルＡ～Ｃ、比較サンプルRef１、及び比較サンプルRef２は同じである。

図６Ａの結果より、実施形態のサンプルＡ～Ｃによれば、比較サンプルRef２よりも順方向電圧Ｖｆを低くできる。すなわち、透光性導電膜の全領域を薄膜部にする比較サンプルRef２に比べて、透光性導電膜に厚膜部と薄膜部とを設ける実施形態のサンプルＡ～Ｃでは順方向電圧を低くすることができる。サンプルＡ～Ｃにおいて、厚膜部（第１部分２１ａ、第３部分２１ｃ）の幅が広くなり、第１領域２１の全面積に対する厚膜部（第１部分２１ａ、第３部分２１ｃ）の面積の割合が大きくなるほど順方向電圧Ｖｆが低くなる。

図６Ｂの結果より、透光性導電膜に厚膜部と薄膜部とを設ける実施形態のサンプルＡ～Ｃによれば、透光性導電膜の全領域を厚膜部にする比較サンプルRef１よりも大きな出力Ｐｏが得られ、比較サンプルRef２と同等以上の出力Ｐｏが得られる。

したがって、実施形態のサンプルＡ～Ｃによれば、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制しつつ、光取り出し効率を向上させることができる。

特に、サンプルＢ及びサンプルＣにおいて、サンプルＡよりも順方向電圧Ｖｆを低くでき、且つ比較サンプルRef２よりも大きな出力Ｐｏが得られる。したがって、透光性導電膜２０の第１領域２１における厚膜部（第１部分２１ａ、第３部分２１ｃ）の幅は、ｐ側電極５０の第１延伸部５２の幅（６μｍ）よりも広く、第１領域２１において、単位面積当たりの厚膜部（第１部分２１ａ、第３部分２１ｃ）の面積は第２部分２１ｂの面積よりも大きいことが好ましい。

［第２実施形態］
図７は、本発明の第２実施形態の発光素子２の模式上面図である。
図８は、図７におけるＢ部の拡大図である。
図９は、図７のIX-IX線における模式断面図である。

第２実施形態の発光素子２は、基板１００と、半導体積層体１０と、透光性導電膜２０と、ｐ側電極１５０と、ｎ側電極１６０と、絶縁膜８１とを備える。なお、図７は、図９に示す絶縁膜８１を除いた構成の上面を示す。

第２実施形態の発光素子２においては、図７に示すように、上面視における半導体積層体１０の形状は矩形である。この矩形における角は、直角でもよいし、丸みをもっていてもよい。半導体積層体１０の長手方向は第１方向Ｘに平行であり、短手方向は第２方向Ｙに平行である。上面視における発光素子２の形状は、矩形である。

第２実施形態においても、図９に示すように、半導体積層体１０は、ｎ側半導体層１１と、ｐ側半導体層１２と、ｎ側半導体層１１とｐ側半導体層１２との間に位置する活性層１３とを有する。ｎ側半導体層１１は、活性層１３及びｐ側半導体層１２が設けられず、活性層１３及びｐ側半導体層１２から露出する露出面１１ｄを有する。

図７に示すように、ｎ側半導体層１１の外縁は、第１方向Ｘに延びる一対の長辺側の外縁１１ｃ１と、第２方向Ｙに延びる一対の短辺側の外縁１１ｃ２とを有する。上面視において、ｎ側半導体層１１の露出面１１ｄは、ｎ側半導体層１１の外縁１１ｃ１、１１ｃ２と、ｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する。露出面１１ｄは、ｎ側半導体層１１の外縁１１ｃ１、１１ｃ２に沿って連続している。

図９に示すように、ｐ側半導体層１２上に透光性導電膜２０が設けられている。透光性導電膜２０は、ｎ側半導体層１１の露出面１１ｄには設けられていない。透光性導電膜２０は、ｐ側電極１５０を通じて供給される電流をｐ側半導体層１２の面方向に拡散させる。透光性導電膜２０は、ｐ側半導体層１２及びｐ側電極１５０と電気的に接続されている。

透光性導電膜２０上にｐ側電極１５０が設けられている。ｐ側電極１５０は透光性導電膜２０に接している。ｐ側電極１５０の抵抗率は、透光性導電膜２０の抵抗率よりも低い。活性層１３からの光に対するｐ側電極１５０の透過率は、活性層１３からの光の波長に対する透光性導電膜２０の透過率よりも低い。ｐ側電極１５０は、金属材料からなる。

図７に示すように、ｐ側電極１５０は、第１接続部１５１と、第１接続部１５１から延伸する第１延伸部１５２とを有する。第１接続部１５１は、第１方向Ｘにおける一方の端側に位置し、第１延伸部１５２は第１接続部１５１から第１方向Ｘにおける他方の端側に向けて延伸している。

ｎ側半導体層１１の露出面１１ｄ上にｎ側電極１６０が設けられている。ｎ側電極１６０はｎ側半導体層１１に接している。ｎ側電極１６０の抵抗率は、透光性導電膜２０の抵抗率よりも低い。活性層１３からの光に対するｎ側電極１６０の透過率は、活性層１３からの光の波長に対する透光性導電膜２０の透過率よりも低い。ｎ側電極１６０は、金属材料からなる。

ｎ側電極１６０は、第２接続部１６１と、第２接続部１６１から延伸する第２延伸部１６２とを有する。第２接続部１６１は、第１接続部１５１が位置する第１方向Ｘにおける一方の端とは反対側の他方の端側に位置している。第２接続部１６１は、ｎ側半導体層１１が有する４つの角部のうちの１つの角部の近くに位置する。第２延伸部１６２は、ｎ側半導体層１１の長辺側の露出面１１ｄ上を、第２接続部１６１から一方の端側に向けて延伸している。

図９に示すように、絶縁膜８１が、半導体積層体１０、透光性導電膜２０、ｐ側電極１５０、及びｎ側電極１６０を覆っている。ｐ側電極１５０の第１接続部１５１の上面の一部、及びｎ側電極１６０の第２接続部１６１の上面の一部は絶縁膜８１から露出する。それら露出した上面には例えばワイヤが接合され、ワイヤを介してｐ側電極１５０及びｎ側電極１６０が外部回路と電気的に接続される。

図７に示すように、上面視において、ｐ側電極１５０の第１延伸部１５２は、ｎ側電極１６０の第２延伸部１６２と対向している。上面視において、透光性導電膜２０は、第１延伸部１５２とｐ側半導体層１２の外縁１２ａとの間に位置する外側領域２６と、第１延伸部１５２と第２延伸部１６２との間に位置する内側領域２５とを有する。上面視において、内側領域２５と外側領域２６との間に、ｐ側電極１５０が位置する。

図８に示すように、上面視において、透光性導電膜２０の外側領域２６は、複数の第１部分２６ａと、複数の第２部分２６ｂと、複数の第３部分２６ｃとを有する。第１部分２６ａは、第１延伸部１５２からｐ側半導体層１２の外縁１２ａに向かって延伸している。また、第１部分２６ａは、第１接続部１５１からｐ側半導体層１２の外縁１２ａに向かって延伸している。第２部分２６ｂは、複数の第１部分２６ａ間に位置する。第３部分２６ｃは、第１部分２６ａに接続され、複数の第１部分２６ａのうち隣り合う２つの第１部分２６ａ間に位置する。第１部分２６ａと第３部分２６ｃとが、格子状に配置されている。上面視において、１つの第２部分２６ｂは、第１部分２６ａと第３部分２６ｃに囲まれている。

第１部分２６ａの膜厚は、内側領域２５の膜厚及び第２部分２６ｂの膜厚よりも厚い。第３部分２６ｃの膜厚は、内側領域２５の膜厚及び第２部分２６ｂの膜厚よりも厚い。例えば、第１部分２６ａの膜厚と第３部分２６ｃの膜厚は同じである。外側領域２６において、同じ膜厚を有する透光性導電膜２０が、格子状に配置されている。例えば、内側領域２５の膜厚と第２部分２６ｂの膜厚は同じである。第１部分２６ａの膜厚は、例えば、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることができる。第２部分２６ｂの膜厚は、例えば、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることができる。

図９における透光性導電膜２０の外側領域２６の断面は、第１部分２６ａの切断面を示す。

第１実施形態と同様に第２実施形態においても、透光性導電膜２０は、厚膜部（第１部分２６ａ、第３部分２６ｃ）と、厚膜部よりも膜厚が薄い薄膜部（内側領域２５、第２部分２６ｂ）とを有する。例えば、厚膜部の膜厚は、薄膜部の膜厚の１．５倍以上３．０倍以下である。

また、ｐ側電極１５０の直下に配置された透光性導電膜２０の膜厚は、薄膜部の膜厚よりも厚い。例えば、ｐ側電極１５０の直下に配置された透光性導電膜２０の膜厚は、厚膜部の膜厚と同じである。

第２実施形態においても、活性層１３からの光は、主にｐ側半導体層１２及び透光性導電膜２０を介して発光素子２の外部に取り出される。

発光素子２の透光性導電膜２０において、外側領域２６は、ｐ側電極１５０の第１延伸部１５２とｎ側電極１６０の第２延伸部１６２との間に位置する内側領域２５よりも電流が拡散されにくい領域である。

そのような外側領域２６に、内側領域２５よりも厚い厚膜部である第１部分２６ａを配置することで、外側領域２６の全体を内側領域２５のような薄膜部にする場合に比べて、外側領域２６のシート抵抗を低減でき、外側領域２６に電流を拡散させやすくできる。また、外側領域２６に第１部分２６ａよりも薄い薄膜部である第２部分２６ｂを配置することで、外側領域２６の全体を厚膜部にする場合に比べて、外側領域２６における光吸収を抑制できる。また、外側領域２６よりも電流が拡散されやすい内側領域２５の膜厚は外側領域２６の厚膜部よりも薄くすることで、透光性導電膜２０の全領域を厚くする場合に比べて、透光性導電膜２０による光吸収を抑制できる。したがって、第２実施形態の発光素子２によれば、順方向電圧の上昇を抑制しつつ、光取り出し効率を向上させることができる。

ｐ側電極１５０からの電流を透光性導電膜２０の面方向に拡散させやすくするために、ｐ側電極１５０の直下に配置されｐ側電極１５０に接する領域の透光性導電膜２０の膜厚は、第１部分２６ａなどの厚膜部の膜厚と同じにすることが好ましい。

外側領域２６において、隣り合う第１部分２６ａ間に厚膜部としてさらに第３部分２６ｃを配置することで、第１部分２６ａだけを配置した場合に比べて外側領域２６に電流を拡散させやすくできる。

図１０Ａ～図１０Ｃは、本発明の各実施形態による透光性導電膜２０の第１の形成方法を示す模式断面図である。

図１０Ａに示すように、ｐ側半導体層１２上に透光性導電膜２０を形成する。透光性導電膜２０の上面にはレジスト２００が形成され、そのレジスト２００に対するフォトリソグラフィー及び現像処理により、透光性導電膜２０の上面の一部にレジスト２００を残す。透光性導電膜２０のうち厚膜部にする部分にレジスト２００が残される。そして、図１０Ｂに示すように、レジスト２００をマスクにして透光性導電膜２０をエッチングし、透光性導電膜２０のうちレジスト２００から露出する部分を除去する。この後、レジスト２００を除去し、図１０Ｃに示すように、図１０Ｂに示す工程で残された透光性導電膜２０の上面と、ｐ側半導体層１２の上面と覆うように再び透光性導電膜２０を成膜する。これらの工程により、前述した工程で透光性導電膜２０がエッチングされた部分に形成された薄膜部２０ｂと、レジスト２００に覆われ透光性導電膜２０エッチングされなかった部分に形成された厚膜部２０ａとを含む透光性導電膜２０を形成することできる。

図１１Ａ～図１１Ｃは、本発明の各実施形態による透光性導電膜２０の第２の形成方法を示す模式断面図である。

図１１Ａに示すように、ｐ側半導体層１２上に透光性導電膜２０を形成する。透光性導電膜２０の上面にはレジスト２００が形成され、そのレジスト２００に対するフォトリソグラフィー及び現像処理により、透光性導電膜２０の上面の一部にレジスト２００を残す。図１１Ｂに示すように、透光性導電膜２０のうち厚膜部にする部分にレジスト２００が残される。そして、レジスト２００をマスクにして、レジスト２００から露出する透光性導電膜２０をエッチングする。図１１Ｃに示すように、レジスト２００から露出する透光性導電膜２０を厚さ方向の途中までエッチングを行う。これにより、厚さ方向の途中までエッチングされた薄膜部２０ｂと、レジスト２００に覆われエッチングされなかった厚膜部２０ａとを含む透光性導電膜２０を形成することできる。

透光性導電膜２０の膜厚が比較的薄く、エッチングによる膜厚制御が難しい場合には、第２の形成方法よりも、第１の形成方法が好ましい。また、透光性導電膜２０のエッチング後の表面はダメージを受けやすいため、透光性導電膜２０の上面の表面状態を悪化させないという観点においても、透光性導電膜２０をエッチング後に再び透光性導電膜２０を成膜する第１の形成方法が好ましい。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。

１、２…発光素子、１０…半導体積層体、１１…ｎ側半導体層、１２…ｐ側半導体層、１３…活性層、２０…透光性導電膜、２１…第１領域、２１ａ…第１部分、２１ｂ…第２部分、２１ｃ…第３部分、２１ｄ…第５部分、２２…第２領域、２３…第３領域、２３ａ…第４部分、２３ｂ…第６部分、２５…内側領域、２６…外側領域、２６ａ…第１部分、２６ｂ…第２部分、５０、１５０…ｐ側電極、５１、１５１…第１接続部、５２、１５２…第１延伸部、５４…先端側部分、５４ａ…先端部、６０、１６０…ｎ側電極、６１、１６１…第２接続部、６２、１６２…第２延伸部、１００…基板

Claims

ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層と、前記ｐ側半導体層と前記ｎ側半導体層との間に位置する活性層とを有する半導体積層体と、
前記ｐ側半導体層上に設けられた透光性導電膜と、
前記透光性導電膜上に設けられ、第１接続部と、前記第１接続部から延伸する第１延伸部とを有するｐ側電極と、
前記ｎ側半導体層上に設けられたｎ側電極と、
を備え、
上面視において、前記ｐ側電極は、前記ｎ側電極の周囲に設けられ、
上面視において、前記透光性導電膜は、前記ｐ側電極よりも外側であって、前記ｐ側電極と、前記ｐ側半導体層の外縁との間に位置する第１領域と、前記ｐ側電極よりも内側に位置する第２領域とを有し、
上面視において、前記第１領域は、前記ｐ側電極から前記ｐ側半導体層の外縁に向かって延伸する複数の第１部分と、前記第１部分間に位置する第２部分と、前記第１部分に接続され、複数の前記第１部分のうち隣り合う２つの前記第１部分間に位置する第３部分とを有し、
前記第１部分の膜厚及び前記第３部分の膜厚は、前記第２領域の膜厚及び前記第２部分の膜厚よりも厚い発光素子。
前記ｎ側電極は、第１方向において、前記第１接続部と対向して配置される第２接続部を有し、
前記第１延伸部の先端部は、前記第１方向において、前記第２接続部よりも前記ｐ側半導体層の外縁側に位置し、
上面視において、前記透光性導電膜は、前記第１領域に連続し、前記第１延伸部の前記先端部と前記第２領域との間に位置する第３領域をさらに有し、
上面視において、前記第３領域は、前記先端部から前記ｎ側電極に向かって延伸する第４部分を有し、
前記第４部分の膜厚は、前記第２領域の膜厚及び前記第２部分の膜厚よりも厚く、
前記第２領域と前記第３領域との境界は、前記ｎ側電極よりも前記ｐ側電極側に位置している請求項１に記載の発光素子。
上面視において、前記第１領域は、前記第２接続部を通り前記第１方向に平行な仮想線上において、前記第２接続部と前記ｐ側半導体層の外縁との間に位置する第５部分をさらに有し、
前記第５部分の膜厚は、前記第１部分の膜厚よりも薄く、前記第２部分の膜厚よりも厚い請求項２に記載の発光素子。
前記第１部分が延伸する方向に直交する方向における前記第１部分の幅は、前記第１延伸部が延伸する方向に直交する方向における前記第１延伸部の幅よりも広い請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。
前記第１領域において、単位面積当たりの前記第１部分の面積は前記第２部分の面積よりも大きい請求項１～４のいずれか１つに記載の発光素子。
前記ｐ側電極の直下に配置された前記透光性導電膜の膜厚は、前記第１部分の膜厚と同じである請求項１～５のいずれか１つに記載の発光素子。
前記第１部分の膜厚は、前記第２領域の膜厚の１．５倍以上３．０倍以下である請求項１～６のいずれか１つに記載の発光素子。
ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層と、前記ｐ側半導体層と前記ｎ側半導体層との間に位置する活性層とを有する半導体積層体と、
前記ｐ側半導体層上に設けられた透光性導電膜と、
前記透光性導電膜上に設けられ、第１接続部と、前記第１接続部から延伸する第１延伸部とを有するｐ側電極と、
前記ｎ側半導体層上に設けられ、第２接続部と、前記第２接続部から延伸する第２延伸部とを有するｎ側電極と、
を備え、
前記第１延伸部は、前記第２延伸部と対向して設けられ、
上面視において、前記透光性導電膜は、前記第１延伸部と、前記ｐ側半導体層の外縁との間に位置する外側領域と、前記第１延伸部と前記第２延伸部との間に位置する内側領域とを有し、
上面視において、前記外側領域は、前記第１延伸部から前記ｐ側半導体層の外縁に向かって延伸する複数の第１部分と、前記第１部分間に位置する第２部分と、前記第１部分に接続され、複数の前記第１部分のうち隣り合う２つの前記第１部分間に位置する第３部分とを有し、
前記第１部分の膜厚及び前記第３部分の膜厚は、前記内側領域の膜厚及び前記第２部分の膜厚よりも厚い発光素子。