CN117650212A - 一种发光二极管及发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括外延结构、透明导电层、绝缘结构以及金属反射层。其中，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层。透明导电层设置于第二半导体层上。绝缘结构设置于透明导电层上，绝缘结构上设置有一开口，开口暴露透明导电层；开口的侧壁上形成有一台阶，台阶将开口划分为第一开口和第二开口，第一开口靠近透明导电层。第一开口的开口宽度小于第二开口的开口宽度。金属反射层设置于绝缘结构上，且填充第一开口及第二开口，通过透明导电层与第二半导体层形成电性接触。本发明通过绝缘结构、金属反射层的结构设置可以增加反射效率，进而提高发光二极管的出光率。

Description

一种发光二极管及发光装置

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管是一种将电能转换为光能的固体发光器件，由于其具有寿命长，体积小，耐震性好，节电，高效，响应时间快，驱动电压低，环保等优点，而广泛用于指示，显示，装饰，照明等诸多领域。

目前发光二极管的外量子效率很难再提升。例如，发光二极管的外延层出射的光容易被形成在外延层上方的金属电极吸收，进而减少了光的出射效率。现有技术中通常在电极与外延层之间设置反射层，然而反射层的反射效率很有限，如何进一步提升发光二极管的出射的光成为本领域亟需解决的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，以提高发光二极管的出光效率。

为了实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种发光二极管，包括：

外延结构，包括依次层叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层；

透明导电层，设置于第二半导体层上；

绝缘结构，设置于透明导电层上，绝缘结构上设置有一开口，开口暴露透明导电层；开口的侧壁上形成有一台阶，台阶将开口划分为第一开口和第二开口，第一开口靠近透明导电层；第一开口的开口宽度小于第二开口的开口宽度；

金属反射层，设置于绝缘结构上，且填充第一开口及第二开口，通过透明导电层与第二半导体层形成电性接触。

根据本发明的一个方面，本发明还提供一种发光装置，包括：

封装基板；

至少一个发光二极管，设置于封装基板的表面，封装基板与发光二极管的电极形成电性连接，发光二极管为上述的发光二极管。

与现有技术相比，本发明的发光二极管及发光装置至少具备如下有益效果：

本发明中的发光二极管包括外延结构、透明导电层、绝缘结构以及金属反射层。其中，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层。透明导电层设置于第二半导体层上。绝缘结构设置于透明导电层上，绝缘结构上设置有一开口，开口暴露透明导电层；开口的侧壁上形成有一台阶，台阶将开口划分为第一开口和第二开口，第一开口靠近透明导电层。第一开口的开口宽度小于第二开口的开口宽度。金属反射层设置于绝缘结构上，且填充第一开口及第二开口，通过透明导电层与第二半导体层形成电性接触。本发明的开口形成有一台阶，该台阶将开口划分为第一开口及第二开口，第一开口的开口宽度小于第二开口的开口宽度，这样地设置可以增加金属反射层与绝缘结构的接触面积，增加反射效率，进而提高发光二极管的出光率。

本发明中的发光装置包括上述发光二极管，同样地也具备上述技术效果。

附图说明

图1为本发明实施例1中所述发光二极管的截面结构示意图；

图2为图1中A处的放大图；

图3为本发明实施例2中所述的发光二极管的结构示意图；

图4为图3中A处的放大图；

图5为图3中一可选实施例中的A处的放大图；

图6为本发明实施例中在第二半导体层的表面上依次形成透明导电层、电流阻挡层以及绝缘反射层后的结构示意图；

图7为在图6的绝缘反射层中形成第二开口后的结构示意图；

图8为在图7中的第二开口在电流阻挡层中形成第一开口后的结构示意图；

图9为本发明实施例中所述发光装置的结构示意图。

附图标记列表：

100 衬底

200 外延结构

201 第一半导体层

202 有源层

203 第二半导体层

204 通孔

300 透明导电层

400 绝缘结构

401 第一绝缘层

4011 第一开口

402 绝缘反射层

4021 第二开口

500 台阶

600 金属反射层

701 第一电极接触层

702 第二电极接触层

801 第一电极

802 第二电极

900 第二绝缘层

1000 保护层

001 封装基板

002 发光二极管

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

须知，本发明实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

为了提高发光二极管的发光效率，本实施例提供一种发光二极管，该发光二极管包括外延结构、透明导电层、绝缘结构以及金属反射层。其中，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层。透明导电层设置于第二半导体层上。绝缘结构设置于透明导电层上，绝缘结构上设置有一开口，开口暴露透明导电层。开口的侧壁上形成有一台阶，台阶将开口划分为第一开口和第二开口，第一开口靠近透明导电层。第一开口的开口宽度小于第二开口的开口宽度。金属反射层设置于绝缘结构上，且填充第一开口及第二开口，通过透明导电层与第二半导体层形成电性接触。由此，本实施例发光二极管在外延结构的上方形成了包括绝缘结构和金属反射层构成的ODR反射结构，以对射向外延结构的上方的光进行反射，并且，在绝缘结构的上开设有具有台阶的开口，金属反射层填充于开口内能够增加金属反射层与绝缘结构的接触面积，进而增加对光的反射率，提高发光二极管的出光效率。

可选地，第一开口的开口宽度自透明导电层向第二开口的方向上逐渐增大，第二开口的开口宽度自第一开口向金属反射层的方向上逐渐增大。

可选地，第一开口的侧壁的倾斜度小于第二开口的侧壁的倾斜度。

可选地，第二开口的侧壁形成为弧形。

可选地，第二开口的下开口的开口宽度大于第一开口的下开口的开口宽度的2倍。

可选地，绝缘结构包括：

第一绝缘层，设置于透明导电层上，第一开口开设于靠近透明导电层的部分第一绝缘层上；

绝缘反射层，设置于第一绝缘层上，第二开口开设于绝缘反射层上，并自绝缘反射层延伸至部分第一绝缘层内，至第一开口的边缘相接触。由此，本实施例中的反射结构是由第一绝缘层、绝缘反射层以及金属反射层，由于绝缘反射层的加入，能够进一步提高ODR反射结构的反射效率，有助于发光二极管的出光效率。

可选地，第二开口的侧壁包括全部厚度的绝缘反射层以及部分厚度的第一绝缘层。

可选地，绝缘反射层的厚度大于第一绝缘层的厚度。

可选地，绝缘反射层为DBR反射层。

可选地，DBR反射层包括多个由第一材料层和第二材料层组成的层对，第一材料层的折射率大于第二材料层的折射率。

可选地，第一材料层为氧化钛层，第二材料层为氧化硅层。

可选地，DBR反射层靠近第一绝缘层的一半数量的层对中的至少一个层对的第二材料层的厚度大于其他剩余层对中的第二材料层的厚度，以增强反射效果，有助于提亮。

可选地，第一绝缘层为二氧化硅层。

可选地，第一开口的开口宽度介于1～5μm。

可选地，第二开口的开口宽度介于2～10μm。

可选地，金属反射层为银层。

可选地，外延结构上设置有自第二半导体层刻蚀至第一半导体层的通孔，通孔的底部暴露部分第一半导体层。

可选地，发光二极管还包括：

第一电极，设置于金属反射层上，与金属反射层形成电性连接；

第二电极，设置于金属反射层的上方，与金属反射层绝缘连接，与通孔的底部暴露的第一半导体层形成电性连接。

可选地，发光二极管包括：

第一电极接触层，设置于金属反射层与第一电极之间；

第二绝缘层，设置于金属反射层上；

第二电极接触层，设置于第二绝缘层与第二电极之间。

本实施例还提供一种发光装置，发光装置包括：

封装基板；

至少一个发光二极管，设置于封装基板的表面，封装基板与发光二极管的电极形成电性连接；发光二极管为上述的发光二极管。

下面结合具体实施例对本发明进行详细的介绍。

实施例1

本实施例提供一种发光二极管，参照图1和2，该发光二极管包括外延结构、透明导电层、绝缘结构以及金属反射层。

具体地，参照图1，发光二极管包括一衬底100，外延结构200形成在衬底100的表面上。衬底100为透明衬底，该透明衬底可以为绝缘型基板或导电性基板。透明衬底可以用以使发光构造体生长的生长基板，可包括蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板或者氮化铝基板等。衬底100的一个面上形成外延结构200，与其相对的另一个面形成为发光二极管的出光面。

外延结构200设置于衬底100的表面，并自衬底100的表面依次层叠第一半导体层201、有源层202及第二半导体层203。其中，第一半导体层201可以是N型半导体层，第二半导体层203为P型半导体层，当然，第一半导体层201为P型半导体层，第二半导体层203为N型半导体层也是可以的。第一半导体层201用于提供进行复合发光的电子，第二半导体层203用于提供进行复合发光的空穴。有源层202为单量子阱或多量子阱，用于进行电子和空穴的复合发光。并且，外延结构200上设置有自第二半导体层203刻蚀至第一半导体层201的通孔204，该通孔204的底部暴露部分第一半导体层201。

透明导电层300设置于第二半导体层203上。该透明导电层300其主要起到欧姆接触与横向电流扩展的作用。在本实施例中，透明导电层300为ITO层。

绝缘结构400设置于透明导电层300上。绝缘结构400的材料可以为SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Ti₂O₃、Ti₃O₅、Ta₂O₅、ZrO₂等材料中的一种或多种，在本实施例中，绝缘结构400的材料为二氧化硅层。参照图2，绝缘结构400上设置有一开口，该开口暴露透明导电层300。该开口的侧壁上形成有一台阶500，台阶500将开口划分为第一开口4011和第二开口4021，第一开口4011靠近透明导电层300，并且第一开口4011的开口宽度小于第二开口4021的开口宽度。

可选地，参照图2，第一开口4011的开口宽度自透明导电层300向第二开口4021的方向上逐渐增大，第二开口4021的开口宽度自第一开口4011向金属反射层600的方向上逐渐增大。第一开口4011的侧壁的倾斜度小于第二开口4021的侧壁倾斜度，也即第一开口4011的侧壁与衬底100所在的平面的夹角α1小于第二开口4021的侧壁与衬底100所在的平面的夹角α2。可选地，α1数值介于10°～30°，α2的数值介于20°～60°。第一开口4011、第二开口4012的侧壁的倾斜度配合设置，能够形成特定的开口形状构造，能够促进将更多的光反射至出射面，避免光的反射路径中的光损失。

可选地，第一开口4011的侧壁与第二开口4021的侧壁可以形成为直线形状，也可以形成为弧形。在本实施例中，参照图2，第一开口4011的侧壁为直线形，第二开口4021的侧壁形成为直线形。

可选地，参照图2，第二开口4021的下开口的开口宽度d2大于第一开口4011的下开口的开口宽度d1的2倍，进而增加第一开口4011与第二开口4012之间的台阶的面积，该台阶结构与金属反射层600的接触，能够增加反射效果。需要说明的是，本实施例中的下开口是指第一开口4011或者第二开口4021靠近透明导电层300的一侧的边缘开口。可选地，第一开口4011的开口宽度介于1～5μm。第二开口4021的开口宽度介于2～10μm。

参照图1，金属反射层600设置于绝缘结构400上，填充第一开口4011及第二开口4021，并且通过透明导电层300与外延结构200上的第二半导体层203形成电性接触。该金属反射层600能够对光进行反射。在本实施例中，金属反射层600的材料为银。

参照图1，第一电极801设置于金属反射层600上，与金属反射层600形成电性连接。可选地，在金属反射层600与第一电极801之间还形成有第一电极接触层701。第二电极802设置于金属反射层600的上方，与金属反射层600绝缘连接，且与外延结构200的通孔204暴露的第一半导体层201电性连接。可选地，金属反射层600上依次形成有第二绝缘层900及第二电极接触层702，该第二电极接触层702自第二绝缘层900的表面延伸至外延结构200的通孔204内，与通孔204内暴露的第一半导体层201形成电性连接。第二电极802设置于第二电极接触层702上。第一电极接触层701及第二电极接触层702的材料可以为诸如A1、Ni、Ti、Pt、Cr、Au等一种材料或者这些材料中的至少两种组成的合金。第一电极801及第二电极802的材料可以为Au或Au的合金。

参照图1，保护层1000形成于外延结构200上，覆盖上述外延结构200上方的层结构，同时暴露出第一电极801和第二电极802。可选地，该保护层1000也为绝缘层，其材料可以为SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Ti₂O₃、Ti₃O₅、Ta₂O₅、ZrO₂等材料中的一种或多种。

本实施例发光二极管在外延结构200的上方形成了包括绝缘结构400和金属反射层600构成的ODR反射结构，以对射向外延结构200的上方的光进行反射，并且，在绝缘结构400的上开设有具有台阶500的开口，金属反射层600填充于开口内能够增加金属反射层600与绝缘结构400的接触面积，进而增加对光的反射率，提高发光二极管的出光效率。

实施例2

本实施例还提供一种发光二极管，其与实施例1中的相同之处在此不再赘述，其不同之处在于：

在本实施例中，参照图3，绝缘结构400包括第一绝缘层401和绝缘反射层402。第一绝缘层401设置于透明导电层300上，第一开口4011开设于靠近透明导电层300的部分第一绝缘层401上。绝缘反射层402设置于第一绝缘层401上，第二开口4021开设于绝缘反射层402上，并自绝缘反射层402延伸至部分第一绝缘层401内，至第一开口4011的边缘相接触。由此，本实施例中的ODR反射结构是由第一绝缘层401、绝缘反射层402以及金属反射层600，由于绝缘反射层402的加入，能够进一步提高ODR反射结构的反射效率，有助于发光二极管的出光效率。

参照图4，第一绝缘层401设置在透明导电层300的上方，绝缘反射层402的下方。在绝缘反射层402上采用干法刻蚀形成第二开口4021时，第一绝缘层401可以作为刻蚀停止层，避免干法刻蚀对下层透明导电层300的刻蚀。第一绝缘层401的厚度只要能够对干法刻蚀进行阻挡即可。可选地，绝缘反射层402的厚度大于第一绝缘层401的厚度。第一绝缘层401的材料可以为SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Ti₂O₃、Ti₃O₅、Ta₂O₅、ZrO₂等材料中的一种或多种。在本实施例中，第一绝缘层401形成为二氧化硅层。

参照图4，绝缘反射层402为DBR反射层。该DBR反射层是由不同折射率材料交替层叠形成的布拉格反射层。布拉格反射层的材料为SiO₂、TiO₂、ZnO₂、ZrO₂、Cu₂O₃中不同材料中的至少两种。具体可以是高折射率以及低折射率材料交替层叠的方式形成。在本实施例中，该DBR反射层包括多个由第一材料层和第二材料层组成的层对。第一材料层的折射率大于第二材料层的折射率。也即，第一材料层为低折射率层，在本实施例中其低折射率材料为SiO₂。第二材料层为高折射率层，在本实施例中其高折射率材料为TiO₂。

为了进一步提高ODR结构的反射效率，提高发光二极管的亮度，本实施例中的DBR反射层靠近第一绝缘层401的一半数量的层对中的至少一个层对的第二材料层的厚度大于其他剩余层对中的第二材料层的厚度，这样的设置更有利于提亮。

可选地，参照图4，第一开口4011的侧壁为直线形，第二开口4021的侧壁也为直线形。在其他实施例中，参照图5，第一开口4011的侧壁为直线形，第二开口4021的侧壁为弧形。该弧形侧壁能够进一步增加金属反射层600与绝缘结构400的接触面积，增加提亮效果。

可选地，参照图5，第一开口4011的开口宽度自透明导电层300向第二开口4021的方向上逐渐增大，第二开口4021的开口宽度自第一开口4011向金属反射层600的方向上逐渐增大。第一开口4011的侧壁的倾斜度大于第二开口4021的侧壁倾斜度，也即第一开口4011的侧壁与衬底100所在的平面的夹角α1小于第二开口4021的侧壁与衬底100所在的平面的夹角α2。可选地，α1数值介于10°～30°，α2的数值介于20°～60°。本实施例中，绝缘结构400配合第一开口4011、第二开口4012的侧壁的倾斜度、形状的配合设置，能够形成特定的开口形状构造，并促进将更多的光反射至出射面，避免光的反射路径中的光损失。

为了避免刻蚀第二开口4021时，干法刻蚀对于透明导电层300的影响，参照图6～图8，上述绝缘结构400的形成方法包括以下步骤：

参照图6，提供一衬底100，在衬底100的表面形成外延结构200，外延结构200自衬底100的表面依次包括第一半导体层201、有源层202及第二半导体层203，且外延结构200暴露有部分第一半导体层201，在第二半导体层203的表面依次形成透明导电层300、第一绝缘层401以及绝缘反射层402。

参照图7，采用干法刻蚀的方法在绝缘反射层402内形成第二开口4021，沿绝缘反射层402的厚度方向上刻蚀并贯穿绝缘反射层402，直至暴露第一绝缘层401的表面，以形成第二开口4021。在此过程中，由于第一绝缘层401可以作为干法刻蚀的刻蚀停止层。参照图8，后续采用湿法刻蚀的方式沿第二开口4021的开口位置刻蚀第一绝缘层401，直至暴露透明导电层300，以形成第一开口4011。

在本实施例中，先形成DBR反射层上的第二开口4021，然后在第二开口4021中形成第一开口4011。由于DBR反射层采用干法刻蚀形成，若直接形成在透明导电层300上，干法刻蚀至透明导电层300，会对透明导电层300造成不必要的刻蚀损伤。若控制不当，甚至会将透明导电层300刻蚀穿，刻蚀到透明导电层300下方的第二半导体层203，影响器件的可靠性。本实施例在透明导电层300上先形成第一绝缘层401，该第一绝缘层401可以作为干法刻蚀的刻蚀停止层。在DBR反射层中形成第二开口4021，采用湿法刻蚀工艺刻蚀下层的第一绝缘层401，在此过程中，第二开口4021会向下延伸至第一绝缘层401中，第一开口4011自第一绝缘层401的表面形成，暴露出透明导电层300。由于湿法刻蚀不会对透明导电层300产生损伤，所以本实施例的形成方法能够对透明导电层300形成保护。同时，在外延结构200的上方形成第一绝缘层401、DBR反射层以及金属反射层600的ODR结构也会增加对外延层发射出的光的反射效果，提高发光二极管的出光效率。

实施例3

本实施例提供一种发光装置，参照图9，该发光装置封装基板001以及设置于封装基板001的表面的至少一个发光二极管002。该封装基板001与发光二极管002的电极形成电性连接。该发光二极管为实施例1或者实施例2中的发光二极管。如上所述，由于本实施例中的发光装置包括实施例1或者实施例2中的发光二极管，进而该发光装置具有较好的出光效果。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (20)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

外延结构，包括依次层叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层；

透明导电层，设置于所述第二半导体层上；

绝缘结构，设置于所述透明导电层上，所述绝缘结构上设置有一开口，所述开口暴露所述透明导电层；所述开口的侧壁上形成有一台阶，所述台阶将所述开口划分为第一开口和第二开口，所述第一开口靠近所述透明导电层；所述第一开口的开口宽度小于所述第二开口的开口宽度；

金属反射层，设置于所述绝缘结构上，且填充所述第一开口及所述第二开口，通过所述透明导电层与所述第二半导体层形成电性接触。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的开口宽度自所述透明导电层向第二开口的方向上逐渐增大，所述第二开口的开口宽度自所述第一开口向所述金属反射层的方向上逐渐增大。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的侧壁的倾斜度小于所述第二开口的侧壁的倾斜度。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的侧壁形成为弧形。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的下开口的开口宽度大于所述第一开口的下开口的开口宽度的2倍。

6.根据权利要求1～5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘结构包括：

第一绝缘层，设置于所述透明导电层上，所述第一开口开设于靠近所述透明导电层的部分所述第一绝缘层上；

绝缘反射层，设置于所述第一绝缘层上，所述第二开口开设于所述绝缘反射层上，并自所述绝缘反射层延伸至部分所述第一绝缘层内，至所述第一开口的边缘相接触。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的侧壁包括全部厚度的所述绝缘反射层以及部分厚度的第一绝缘层。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘反射层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。

9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘反射层为DBR反射层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述DBR反射层包括多个由第一材料层和第二材料层组成的层对，所述第一材料层的折射率大于所述第二材料层的折射率。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述第一材料层为氧化钛层，所述第二材料层为氧化硅层。

12.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述DBR反射层靠近所述第一绝缘层的一半数量的层对中的至少一个层对的第二材料层的厚度大于其他剩余层对中的第二材料层的厚度。

13.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层为二氧化硅层。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的开口宽度介于1～5μm。

15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的开口宽度介于2～10μm。

16.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属反射层为银层。

17.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构上设置有自所述第二半导体层刻蚀至所述第一半导体层的通孔，所述通孔的底部暴露部分所述第一半导体层。

18.根据权利要求17所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

第一电极，设置于所述金属反射层上，与所述金属反射层形成电性连接；

第二电极，设置于所述金属反射层的上方，与所述金属反射层绝缘连接，与所述通孔的底部暴露的第一半导体层形成电性连接。

19.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

第一电极接触层，设置于所述金属反射层与所述第一电极之间；

第二绝缘层，设置于所述金属反射层上；

第二电极接触层，设置于所述第二绝缘层与所述第二电极之间。

20.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：

封装基板；

至少一个发光二极管，设置于所述封装基板的表面，所述封装基板与所述发光二极管的电极形成电性连接；所述发光二极管为权利要求1～19任一项所述的发光二极管。