JP6547661B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
基板10は、ガラスからなる正方形の平板である。基板10の正方形の一辺の長さや厚さは任意でよいが、放熱性や物理的強度などを考えて一辺の長さを500〜2000μm、厚さ50〜200μmとすることが好ましい。
LED11は、III 族窒化物半導体からなるフリップチップ型の発光素子であり、平面視において正方形である。発光波長は450nmの青色光であり、線膨張係数(LED11全体としての平均)は、5ppm/℃である。LED11は、基板10上にフリップチップ実装されており、図示しないパンプを介してLED11の電極と、基板10上の配線パターン13とが接続されている。LED11の素子構造は、従来用いられている任意の構造を採用することができる。
封止ガラス12は、基板10上に設けられ、LED11を覆って封止している。封止ガラス12の形状は直方体状であり、側面は基板10と揃えられており、基板10と封止ガラス12とを合わせて立方体状となっている。
次に、実施例1の発光装置の製造工程について、図2を参照に説明する。
実施例1の発光装置によれば、以下のような効果が得られる。実施例1の発光装置は、LED11を封止する封止ガラス12、LED11を実装する基板10の双方がガラスで構成されているため、熱や光などによる劣化がなく、信頼性が高い。また、基板10の線膨張係数が、封止ガラス12の線膨張係数の0.9倍以上1.1倍以下となるように設定されているため、線膨張係数差に起因して封止ガラス12や基板10にクラックが生じるのを防止することができる。また、基板10の転移点を封止ガラス12の転移点よりも高い温度としているため、封止時において基板10は軟化しておらず、封止ガラス12のみが軟化しており、LED11の封止ガラス12による封止を精度よく行うことができる。また、基板10がガラスであるため、基板10裏面側からも光を取り出すことができ、全方位に光を放射する発光装置を実現することができる。
実施例では発光素子としてIII 族窒化物半導体からなる青色発光の素子を用いているが、発光素子の材料はIII 族窒化物半導体に限るものではなく、発光色も青色に限るものではない。たとえば、III 族窒化物半導体からなる紫外発光の素子を用いてもよい。また、実施例では発光素子としてフリップチップ型を用い、基板10にフリップチップ実装するものとしたが、フェイスアップ型や縦型の発光素子を用いることも可能である。
11、21、31、41:LED
12、22、32、42:封止ガラス
13:配線パターン
14:裏面電極パターン
23、33、43:回路フレーム
Claims (3)
- 基板と、基板上に実装された発光素子と、基板上に設けられ前記発光素子を封止する封止ガラスと、によって構成された発光装置において、
前記基板上に設けられ、前記発光素子と接続する回路フレームを有し、
前記回路フレームの両端は、前記封止ガラスの端部から外部へと突出していて、
前記基板および前記封止ガラスは細長い半円柱状であり、前記発光装置全体として細長い円柱状であり、前記発光素子は、前記基板の長方形状の平坦面上に前記回路フレームを介して実装されていて、
前記基板はガラスからなり、前記基板の線膨張係数は、前記封止ガラスの線膨張係数の0.9倍以上1.1倍以下である、
ことを特徴とする発光装置。 - 前記基板の軟化点は、600℃よりも高く、前記封止ガラスの軟化点は200〜500℃である、ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記基板と前記封止ガラスは同一材料である、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
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