JP5245980B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数の発光素子が搭載される線状光源部を備えた発光装置及びその製造方法に関する。

従来から、複数の発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）素子を細長い配線基板に搭載し、各ＬＥＤを配線基板上にて樹脂封止材で封止した線状光源が知られている（例えば、特許文献１の段落[０００５]参照）。しかしながら、この線状光源では、各ＬＥＤ素子にて生じる熱に起因して、樹脂封止材が劣化により黄変して光量が経時的に低下したり、配線基板と樹脂封止材とが剥離して電気的不具合を生ずるといった問題点がある。

この問題点を解決すべく、配線基板と、配線基板上に配列した複数のＬＥＤ素子と、配線基板上に形成しＬＥＤ素子を被覆するガラス材と、を備えた線状光源が提案されている（例えば、特許文献１の段落[００２１]参照）。特許文献１には、従来の樹脂よりガラスは熱伝導率が５倍程度大きいので発光素子（ＬＥＤ素子）の熱を外へ放熱する量が増えて発光素子（ＬＥＤ素子）の温度上昇を抑えることができる、と記載されている。

特開２００６−３４４４５０号公報

しかしながら、ガラス及び樹脂は金属等の熱伝導率に比べて極めて小さく、特許文献１の線状光源においては、ガラスの熱伝導率が樹脂よりも大きいとはいえ、封止材による放熱性能が低いことに変わりはない。すなわち、特許文献１の線状光源は、従来の樹脂封止の線状光源に対し放熱性に関して改善が図られておらず、装置全体として許容される各ＬＥＤ素子の発熱量は従来の樹脂封止の線状光源と同等である。従って、特許文献１の線状光源では、封止材をガラスとすることにより、封止材についてはＬＥＤ素子の発熱量の増大が許容されるにもかかわらず、各ＬＥＤ素子の光量を増大させたり各ＬＥＤ素子を密集させるなど発熱量が増大する構成をとることができず、各ＬＥＤ素子の性能を十分に引き出すことができない。

本発明は前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、複数の発光素子から生じる熱を的確に放散することのできる発光装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明によれば、所定方向に並べられた複数の発光素子と、前記各発光素子を上面に搭載し下面に放熱パターンが形成されるセラミック基板と、前記セラミック基板の前記上面にて前記各発光素子を一括して封止する封止部と、前記各発光素子へ電力を供給するための線状のフレキシブル基板と、を有する線状光源部と、前記セラミック基板の前記放熱パターンが接続材を介して又は接続材を介さずに端面に接続され、前記フレキシブル基板が当該端面に沿って配置される放熱板と、を備え、前記フレキシブル基板は、前記放熱板に対して非拘束であり、前記放熱パターン及び前記放熱板の接続を許容する孔部を有する発光装置が提供される。

上記発光装置において、前記封止部は、ガラスからなるようにしてもよい。

上記発光装置において、前記セラミック基板の下面には電極パターンが形成され、前記セラミック基板と前記電極パターンと前記フレキシブル基板の回路パターンとは、第１の接続材を介して接続され、前記セラミック基板の前記放熱パターンと前記放熱板とは、第２の接続材を介して接続されてもよい。

上記発光装置において、前記第１の接続材は、前記第２の接続材よりも融点が高いようにしてもよい。

上記発光装置において、前記放熱板は、前記放熱パターンと接続される凸部を有し、前記フレキシブル基板の前記孔部は、前記放熱板の前記凸部と嵌合するようにしてもよい。

本発明によれば、上記発光装置の製造方法であって、前記フレキシブル基板の前記回路パターンに前記第１の接続材をスクリーン印刷により塗布し、前記放熱板に前記第２の接続材をディスペンサにより塗布する発光装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、上記発光装置の製造方法であって、前記フレキシブル基板の前記回路パターンに前記第１の接続材をスクリーン印刷により塗布し、前記放熱板に前記第２の接続材をディスペンサにより塗布し、前記セラミック基板を、前記第１の接続材及び前記第２の接続材を溶融固化して、前記フレキシブル基板及び前記放熱板に同時に実装する発光装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、上記発光装置の製造方法であって、前記フレキシブル基板の前記回路パターンに前記第１の接続材をスクリーン印刷により塗布した後、前記セラミック基板を前記フレキシブル基板に前記第１の接続材を溶融固化して実装し、前記放熱板に前記第２の接続材をディスペンサにより塗布し、前記フレキシブル基板に実装された前記セラミック基板を、前記第２の接続材が塗布された前記放熱板に、前記第２の接続材を溶融固化して実装する発光装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、線状に配置された複数の発光素子から生じる熱を的確に放散することができる。

図１は本発明の一実施形態を示す発光装置の外観斜視図である。 図２は発光装置の分解斜視図である。 図３は線状光源部の外観斜視図である。 図４は線状光源部の縦断面図である。 図５はガラス封止ＬＥＤのセラミック基板の平面図である。 図６は発光装置の正面図である。 図７は図６のＡ−Ａ断面図である。 図８は発光装置の側面図である。 図９は基板シートの平面図である。 図１０は発光装置の製造工程を示す説明図であり、（ａ）はフレキシブル基板が放熱部に載置される前の状態を示し、（ｂ）は第１のはんだ材が塗布されたフレキシブル基板が放熱部に載置される状態を示し、（ｃ）は放熱部に第２のはんだ材が塗布された状態を示し、（ｄ）は放熱部及びフレキシブル基板にガラス封止ＬＥＤが載置された状態を示す。 図１１は変形例を示す発光装置の正面図である。 図１２は変形例を示す線状光源部の縦断面図である。 図１３は変形例を示す発光装置の正面図である。 図１４は変形例を示す線状光源部の縦断面図である。 図１５は変形例を示す線状光源部の縦断面図である。 図１６は、絶縁層にポリイミド、液晶ポリマー及びＢＴレジンを用いた場合の、フレキシブル基板の初期反射率を示すグラフである。 図１７は絶縁層にポリイミドを用いたフレキシブル基板の試験前及び耐候性試験後の反射率を示すグラフであり、（ａ）は絶縁層にポリイミドを用いたもの、（ｂ）は絶縁層に液晶ポリマーを用いたもの、（ｃ）は絶縁層にＢＴレジンを用いたものである。 図１８は変形例を示す発光装置の外観斜視図である。 図１９は変形例を示す発光装置の平面図である。 図２０は変形例を示す発光装置の外観斜視図である。 図２１は変形例の発光装置の製造工程を示す説明図であり、第１のはんだ材が塗布されたフレキシブル基板が放熱部に載置される状態を示す。 図２２は変形例の発光装置の製造工程を示す説明図であり、放熱部に第２のはんだ材が塗布された状態を示す。

図１から図８は本発明の一実施形態を示し、図１は発光装置の外観斜視図である。

図１に示すように、発光装置１は、複数のガラス封止ＬＥＤ２が搭載される線状光源部３と、線状光源部３に接続され線状光源部３から下方向へ延びる放熱板４１を有する放熱部４と、を備えている。また、発光装置１は、線状光源部３の左右方向外側に線状光源部３と間隔をおいて形成される一対の側壁５ａと、各側壁５ａと放熱部４とを接続する支持部５ｂと、各側壁５ａに形成され各側壁５ａの左右方向内外を連通する通気口５ｃと、を有するケース５を備えている。

図２は発光装置の分解斜視図である。図２では、説明のため、ケースについては省略して図示している。
図２に示すように、放熱部４は、金属からなり板面を左右に向けた放熱板４１と、金属からなる一対の反射板４２と、を有している。放熱板４１の上面端面と前後端面によって形成される角部は、湾曲形成された面取り部４１ｂを有している。各反射板４２は、放熱板４１の左右方向外側に配置され、リベット６により放熱板４１と重なった状態で固定される。放熱板４１にはリベット６が挿通する挿通孔４１ａが、各反射板４２には、リベット６が挿通する挿通孔４２ｃが、それぞれ形成されている。本実施形態においては、リベット６は、放熱板４１及び反射板４２を打ち抜くと同時に締結される打込み型のリベットである。尚、リベット６は、中空型、ブラインド型、ロールアップ型等であってもよい。線状光源部３は、放熱板４１と左右方向寸法が同じである。

図３は線状光源部の外観斜視図である。
図３に示すように、線状光源部３は、前後方向へ延びる放熱板４１の端面に沿って配置されるフレキシブル基板３１と、フレキシブル基板３１の上面に一列に実装される複数のガラス封止ＬＥＤ２と、を有している。本実施形態においては、計８つのガラス封止ＬＥＤ２が電気的に直列に実装されている。各ガラス封止ＬＥＤ２は、それぞれ、セラミック基板２１上に３つのＬＥＤ素子２２が前後方向に並んで搭載され、各ＬＥＤ素子２２が電気的に直列に接続されている。各ＬＥＤ素子２２は、順方向が４．０Ｖ、順電流が１００ｍＡの場合に、ピーク波長が４６０ｎｍの光を発する。この線状光源部３は、計２４個のＬＥＤ素子２２が直列に接続されていることから、家庭用のＡＣ１００Ｖの電源を利用すると、各ＬＥＤ素子２２に約４．０Ｖの順方向電圧が印加され、各ＬＥＤ素子２２が所期の動作をするようになっている。

図４は線状光源部の縦断面図である。
図４に示すように、ガラス封止ＬＥＤ２は、フリップチップ型のＧａＮ系半導体材料からなるＬＥＤ素子２２と、ＬＥＤ素子２２を搭載するセラミック基板２１と、セラミック基板２１に形成されＬＥＤ素子２２へ電力へ供給するための回路パターン２４と、ＬＥＤ素子２２をセラミック基板２１上にて封止するガラス封止部２３と、を備えている。

ＬＥＤ素子２２は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる成長基板の表面に、III族窒化物系半導体をエピタキシャル成長させることにより、バッファ層と、ｎ型層と、ＭＱＷ層と、ｐ型層とがこの順で形成されている。このＬＥＤ素子２２は、７００℃以上でエピタキシャル成長され、その耐熱温度は６００℃以上であり、ガラスを用いた封止加工における加工温度に対して安定である。また、ＬＥＤ素子２２は、ｐ型層の表面に設けられるｐ側電極と、ｐ側電極上に形成されるｐ側パッド電極と、を有するとともに、ｐ型層からｎ型層にわたって一部をエッチングすることにより露出したｎ型層に形成されるｎ側電極を有する。ｐ側パッド電極とｎ側電極には、それぞれバンプ２５が形成される。本実施形態においては、ＬＥＤ素子２２は、厚さ１００μｍで３４６μｍ角に形成される。

セラミック基板２１は、単層のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の多結晶焼結材料からなり、厚さ方向（上下方向）寸法が０．２５ｍｍ、長手方向（前後方向）寸法が２．６ｍｍ、幅方向（左右方向）寸法が０．７５ｍｍに形成される。図４に示すように、回路パターン２４は、セラミック基板２１の上面に形成されてＬＥＤ素子２２と電気的に接続される上面パターン２４ａと、セラミック基板２１の下面に形成されてフレキシブル基板３１と電気的に接続される電極パターン２４ｂと、上面パターン２４ａと電極パターン２４ｂを電気的に接続するビアパターン２４ｃと、を有している。電極パターン２４ｂはセラミック基板２１の長手方向両端に形成され、一方が正電極、他方が負電極をなす。また、セラミック基板２１の裏面における各電極パターン２４ｂの間には、放熱パターン２６が形成される。

上面パターン２４ａ、電極パターン２４ｂ及び放熱パターン２６は、セラミック基板２１の表面に形成されるＷ層と、Ｗ層の表面を覆う薄膜状のＮｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層の表面を覆う薄膜状のＡｇメッキ層と、を含んでいる。ビアパターン２４ｃは、Ｗからなり、セラミック基板２１を厚さ方向に貫通するビアホールに設けられる。本実施形態においては、電極パターン２４ｂ及び放熱パターン２６は、平面視にて矩形状に形成される。例えば、各電極パターン２４ｂは、セラミック基板２１の長手方向に０．４ｍｍ、セラミック基板２１の幅方向に０．６５ｍｍの寸法となるよう形成される。また、例えば、放熱パターン２６は、セラミック基板２１の長手方向に１．３ｍｍ、セラミック基板２１の幅方向に０．６５ｍｍの寸法となるよう形成される。各電極パターン２４ｂと放熱パターン２６は、セラミック基板２１の長手方向に例えば０．２ｍｍ離れて形成されている。本実施形態においては、放熱パターン２６は、平面視にて各ＬＥＤ素子２２と重なるように、各ＬＥＤ素子２２の真下に形成されている。

ガラス封止部２３は、珪酸系のゾルゲルガラスからなる。尚、ガラスの組成はこれに限定されるものではない。このゾルゲルガラスは、１００℃〜３００℃における熱膨張率（α）が５〜７×１０^−６／℃、屈折率が１．４となっている。尚、ゾルゲルガラスは、１００℃程度の加熱処理を行い、バインダーを揮発させること等により硬化される。

図４に示すように、フレキシブル基板３１は、樹脂からなる絶縁層３２と、絶縁層３２の内部に形成され金属からなる回路パターン層３３と、を有している。また、フレキシブル基板３１は、ガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターン２６及び放熱板４１の接続を許容する孔部としての挿通孔３４を有している。絶縁層３２の材料は、ポリイミドからなる。回路パターン層３３は、例えば表面（上面）に薄膜状の金を有する銅からなり、接続材としての第１のはんだ材３５を介して、各ガラス封止ＬＥＤ２の電極パターン２４ｂと接続される。また、接続材としての第２のはんだ材３６を介して、各ガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターン２６が放熱板４１の端面に接続されている。尚、例えば超音波接続等を利用して第１のはんだ材３５を介さずに、各電極パターン２４ｂと回路パターン層３３とを接続するようにしてもよい。

図５はガラス封止ＬＥＤのセラミック基板の平面図である。
図５に示すように、セラミック基板２１は、上面パターン２４ａが複数のＬＥＤ素子２２を電気的に直列に接続するよう形成されている。本実施形態においては、上面パターン２４ａは、セラミック基板２１の長手方向両端で、ビアパターン２４ｃと接続される。上面パターン２４ａは、セラミック基板２１の幅方向一方で所定のＬＥＤ素子２２のｐ電極と接続され、セラミック基板２１の幅方向他方で当該ＬＥＤ素子２２と隣接するＬＥＤ素子２２のｎ電極と接続される。従って、上面パターン２４ａは、各ＬＥＤ素子２２間で、セラミック基板２１の長手方向に対して幅方向に傾斜して斜めに形成されている。

図６は発光装置の正面図である。
図６に示すように、放熱部４の放熱板４１は左右方向寸法がフレキシブル基板３１と同じであり、フレキシブル基板３１及び放熱板４１の左右側面は面一となっている。具体的に、放熱板４１の厚さは１．２ｍｍである。フレキシブル基板３１と放熱板４１との間には何も介在しておらず、フレキシブル基板３１は放熱板４１に対して非拘束となっている。本実施形態においては、放熱板４１は銅により形成される。

各反射板４２は、厚さが０．５ｍｍのアルミニウムにより形成される。各反射板４２は、放熱板４１の側面に固定される固定部４２ａと、固定部４２ａの上端から左右方向外側へ傾斜して斜め上方へ延びる反射鏡部４２ｂと、を有する。固定部４２ａは、平板状に形成され、上端がフレキシブル基板３１の上面と同じ高さで放熱板４１の下面と同じ高さに形成される。各反射板４２は、固定部４２ａの左右内側がフレキシブル基板３１及び放熱板４１と当接した状態で、リベット６により放熱板４１に固定される。

各反射鏡部４２ｂは、正面視にて、内面がガラス封止ＬＥＤ２のＬＥＤ素子２２を焦点とする放物線形状に形成されている。これにより、ガラス封止ＬＥＤ２から出射された光のうち、各反射鏡部４２ｂの内面へ入射するものについては上方へ向かうよう反射する。反射鏡部４２ｂは、上端がケース５の側壁５ａの上端と同じ高さとなるよう形成される。本実施形態においては、反射鏡部４２ｂの外面の上端側は、ケース５の側壁５ａと当接している。

ケース５は、放熱部４よりも熱伝導率の小さな部材により構成される。ケース５は、例えばステンレス鋼からなり、線状光源部３及び放熱部４の幅方向外側を覆う外壁としての一対の側壁５ａと、各側壁５ａの下端を連結し線状光源部３及び放熱部４の下側を覆う底壁５ｄと、を有する。ケース５は、ガラス封止ＬＥＤ２の光がケース５から上方へ出射されるように上側が開放されている。底壁５ｄは、各側壁５ａとの接続部分よりも放熱板４１の支持部分が上方となるよう形成されている。底壁５ｄの上面には、放熱板４１及び各反射板４２の下端を受容する溝状の支持部５ｅが前後方向にわたって形成されている。ここで、底壁５ｄの支持部５ｅは、放熱部４と直接接しているので熱が伝わり易いが、底壁５ｄの他の部分よりも上方に位置し、ケース５の外部から直接触れ難い構成となっている。

図７は図６のＡ−Ａ断面図である。
図７に示すように、各側壁５ａの一部を左右内側へ曲げることにより、各側壁５ａと放熱部４とを接続する複数の支持部５ｂが形成される。各支持部５ｂは、側壁５ａから左右内側へ延びる延在部５ｂ１と、延在部５ｂ１の先端から前後方向外側へ延びる当接部５ｂ２と、を有する。本実施形態においては、１つの側壁５ａに前後方向に間隔をおいて計４つの支持部５ｂが形成され、前後中央より前側に位置する２つの支持部５ｂの当接部５ｂ２が前方へ延び、前後中央より後側に位置する２つの支持部５ｂの当接部５ｂ２が後方へ延びている。また、各支持部５ｂは、２つのガラス封止ＬＥＤ２あたり１つ設けられており、前後方向についてガラス封止ＬＥＤ２の中間にて放熱部４と接続されている。

図８は発光装置の側面図である。
図８に示すように、各支持部５ｂは、反射板４２の固定部４２ａよりも上下に短く形成され、固定部４２ａの上下中央側にて放熱部４を支持する。また、各側壁５ａには支持部５ｂの形成に伴って通気口５ｃが形成される。各通気口５ｃは、上下に延びる矩形状に形成される。

以上のように構成された発光装置１は、以下の工程を経て製造することができる。
図９に示すように、フレキシブル基板３１を作製するにあたっては、長尺なフレキシブル基板３１を幅方向に複数並べられた基板シート５０を作製しておき、基板シート５０を裁断して複数のフレキシブル基板３１を一括して作製する。基板シート５０は平面視にて長方形状であり、４つの角部に孔５１がそれぞれ形成されている。図９では、基板シート５０の内側に、各フレキシブル基板３１の長手方向へ延びる複数の切り込み５２が並んで形成されている。各切り込み５２により、各フレキシブル基板３１が互いに幅方向に分割される。尚、図９に示す状態では、各フレキシブル基板３１は未だ長手方向両端にて接続されている。

基板シート５０には、全面的に絶縁層３２が形成されている。基板シート５０の絶縁層３２は、ガラス封止ＬＥＤ２の電極パターン２４ｂと接続される箇所に、回路パターン層３３を露出させる実装用露出部３２ａを有している。また、基板シート５０の絶縁層３２は、各フレキシブル基板３１の長手方向両端側に、外部電源と電気的に接続可能なように回路パターン３３を露出させる接続用露出部３２ｂを有している。また、基板シート５０には、ガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターン２６と放熱板４１の接続を許容する挿通孔３４が形成されている。

図９に示すように、基板シート５０の実装用露出部３２ａには、第１のはんだ材３５が塗布されている。本実施形態においては、スクリーン印刷によって、基板シート５０の各実装用露出部３２ａに第１のはんだ材３５が塗布される。尚、スクリーン印刷以外の方法ではんだ材３５を塗布するようにしてもよい。この後、基板シート５０を各フレキシブル基板３１の両端側で裁断して、各フレキシブル基板３１を分離する。

一方、図１０（ａ）に示すように、放熱部４の本体４１を準備しておく。そして、図１０（ｂ）に示すように放熱部４の本体４１の端面にフレキシブル基板３１を載置する。このとき、本体４１とフレキシブル基板３１とが位置決めされるように、本体４１の端面とフレキシブル基板３１の裏面に、互いに係合する係合部を設けておくことが好ましい。係合部は、例えば、端面と裏面の一方に形成される凹部と、他方に形成される凸部と、組み合わせにより構成することができる。

そして、図１０（ｃ）に示すようにディスペンサを用いて挿通孔３４を通じて第２のはんだ材３６を本体４１に塗布する。尚、図１０においては、フレキシブル基板３１に第１のはんだ材３５を塗布した後に、放熱部４の本体４１に第２のはんだ材３６を塗布するものを示しているが、先に第２のはんだ材３６を塗布しておいてもよいことは勿論である。この後、図１０（ｄ）に示すようにガラス封止ＬＥＤ２を本体４１及びフレキシブル基板３１上に載置し、リフロー炉にて第１のはんだ材３５及び第２のはんだ材３６を溶融固化させて、ガラス封止ＬＥＤ２をフレキシブル基板３１及び本体４１に同時に実装する。ガラス封止ＬＥＤ２を実装した後、本体４１に反射鏡４２をリベット６を用いて締結する。

以上のように発光装置１を製造することにより、第１のはんだ材３５及び第２のはんだ材３６によるガラス封止ＬＥＤ２とフレキシブル基板３１及び放熱部４との接合を一括して行うことができ、製造コストを低減することができる。また、フレキシブル基板３１に第１のはんだ材３５をスクリーン印刷により一括して塗布しているので、第１のはんだ材３５の塗布作業を簡素化することができる。さらに、第２のはんだ材３６をディスペンサを用いて塗布することにより、第２のはんだ材３６がフレキシブル基板３１より盛り上がった状態となり、ガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターン２６と本体４１とを確実に当該はんだ材で接合することができ、歩留まりが向上する。

尚、発光装置１の製造は、第１のはんだ材３５及び第２のはんだ材３６による接合を一括して行わずに、別個に接合を行ってもよい。例えば、フレキシブル基板３１にのみガラス封止ＬＥＤ２を実装しておいて、フレキシブル基板３１に実装された状態でガラス封止ＬＥＤ２を放熱部４に実装するようにしてもよい。

この場合、フレキシブル基板３１の回路パターン層３３に第１のはんだ材３５をスクリーン印刷により塗布した基板シート５０を、ガラス封止ＬＥＤ２を実装する実装装置に対して、各孔５１を用いて位置決めしておく。この後、実装装置を用いて第１のはんだ材３５を溶融固化してガラス封止ＬＥＤ２をフレキシブル基板３１に実装する。一方、放熱部４の本体４１の端面に、ディスペンサを用いて第２のはんだ材３６を塗布しておく。ここで、ガラス封止ＬＥＤ２のフレキシブル基板３１への実装工程と、放熱部４への第２のはんだ材３６の塗布工程は、その先後を問わない。この後、フレキシブル基板３１を本体４１の端面に載置し、リフロー炉にて第２のはんだ材３６を溶融固化させて、フレキシブル基板３１に実装されたガラス封止ＬＥＤ２を本体４１に実装する。このとき、第１のはんだ材３５を第２のはんだ材３６より融点が高いものとし、リフロー炉における設定温度を第２のはんだ材３６の融点より高く、第１のはんだ材３５の融点より低くすることにより、リフロー炉における第１のはんだ材３５の溶融を防止することができる。

このような発光装置１の製造方法であっても、フレキシブル基板３１に第１のはんだ材３５をスクリーン印刷により一括して塗布しているので、第１のはんだ材３５の塗布作業を簡素化することができるし、第２のはんだ材３６をディスペンサを用いて塗布することにより、歩留まりが向上する。また、ガラス封止ＬＥＤ２をフレキシブル基板３１が整列配置されている基板シート５０の状態で実装することにより、ガラス封止ＬＥＤ２の実装時の作業性が向上する。

以上のように構成された発光装置１では、線状光源部３の各ガラス封止ＬＥＤ２に電圧を印加すると、各ガラス封止ＬＥＤ２の各ＬＥＤ素子２２から青色光が発せられ、各ガラス封止ＬＥＤ２からは青色光が発せられる。各ガラス封止ＬＥＤ２はフレキシブル基板３１に前後方向に並べられているので線状光源部３は線状に発光する。本実施形態においては、各ガラス封止ＬＥＤ２の内部においても複数のＬＥＤ素子２２が前後方向に並べられているので、線状光源部３をはじめ装置全体を左右方向に薄型とすることができる。

ガラス封止ＬＥＤ２から発せられた青色光のうち、反射板４２の内面へ入射するものは当該内面にて反射して上方へ向かうよう制御される。これにより、左右方向に所定の幅をもった青色光が発光装置１から外部へ照射される。

ここで、ＬＥＤが従来のように樹脂封止であれば、光のみならず熱によっても黄変等の劣化が生じるため、経時的に光量低下や色度変化が生じる。また、封止材の熱膨張率が大きいことにより、温度変化による膨張収縮が生じるため、ＬＥＤ素子等の電気接続箇所にて断線が生じてしまう。
これに対し、本実施形態のようなガラス封止であれば、光や熱に対して劣化がなく、また熱膨張率がＬＥＤ素子２２と比較的近い値であるため、電気的断線が生じない。尚、ガラスは、アルコキシドを出発原料として形成されるゾルゲルガラスに限定されず、例えば、低融点のガラスであってもよい。

また、各ガラス封止ＬＥＤ２の各ＬＥＤ素子２２にて生じた熱は、放熱パターン２６を介して放熱板４１に直接的に伝達される。このとき、フレキシブル基板３１には挿通孔３４が形成され、放熱パターン２６と非接触であることから、フレキシブル基板３１に過度の熱が伝わることによりフレキシブル基板３１の劣化を抑制することができる。また、ガラス封止ＬＥＤ２の各ＬＥＤ素子２２は、放熱パターン２６の形成部位の真上に位置していることから、各ＬＥＤ素子２２にて生じた熱は的確に放熱パターン２６から放熱板４１へ伝達される。放熱板４１へ伝達された熱は、さらに反射板４２へと伝達されて反射板４２の表面から空気中に放散される。このとき、放熱板４１及び反射板４２の温度が高ければ高いほど、空気中へ放散される熱量は大きくなる。本実施形態のように、放熱板４１とＬＥＤ素子２２間の熱抵抗が小さい構造とするとともに、熱や光に対して光量低下、色度変化等が生じず、さらに温度変化による電気断線が生じないガラス封止ＬＥＤ２を光源とすることで実用性の高い発光装置１とすることができる。

反射板４２は、放熱板４１と当接する固定部４２ａに加えて、光学的な制御のための反射鏡部４２ｂが形成されていることから、放熱部４と空気との接触面積を大きくすることができ、高い放熱効果を得ることができる。また、ケース５の側壁５ａに通気口５ｃが形成されていることから、ケース５の内側と外側とで空気が流出入しやすく、放熱部４における空気との熱交換を促進することができる。

ここで、放熱板４１は、板面を線状光源部３の幅方向（左右方向）に向けているため、発光装置１の幅方向寸法を拡げることなく、ケース５内に放熱用の空間が確保される。従って、装置全体を幅方向に狭いコンパクトな構成としつつ、所定の放熱性能が担保されている。

このように、本実施形態の発光装置１によれば、線状光源部３の放熱性能を格段に向上させて、線状に配置された複数のガラス封止ＬＥＤから生じる熱を的確に放散することができる。従って、各ＬＥＤ素子２２の光量を増大させたり各ＬＥＤ素子２２を密集させるなど発熱量が増大する構成をとることができ、各ＬＥＤ素子２２の性能を十分に引き出すことができる。

また、フレキシブル基板３１が放熱板４１から前後に突出して延びるようにしたので、周囲の金属材から離すことができるので短絡を防止することができ、また、フレキシブル基板３１の突出部分を利用して外部との電気的接続を簡単容易に行うことができる。ここで、放熱板４１の上面の前後端に面取り部４１ｂを形成したので、可撓性を有するフレキシブル基板３１が放熱板４１の直角の角部と接触することにより損傷するようなことはない。尚、面取り部４１ｂは、面取り部分を直線状とするＣ面取りでもよいが、面取り部分を曲線状とするＲ面とすることが望ましい。また、フレキシブル基板３１を放熱板４１に対して非拘束としたので、放熱板４１が熱膨張及び熱収縮したとしても、フレキシブル基板３１に負荷が加わることはない。従って、フレキシブル基板３１において断線等が生じるおそれはなく、電気的信頼性を向上させることができる。

ここで、仮に金属ベース基板を用いた場合は、金属ベース基板から外部端子を引き出す必要が生じ、製造時に手間がかかる。特に、幅１ｍｍ程度の線状光源の場合、外部端子の接合部が金属反射鏡などの周囲部材と接触して短絡するおそれもある。しかし、フレキシブル基板３１は、放熱板４１より長尺に形成され、外部に引き出される外部端子を兼ねているため、製造時の手間はかからず、短絡のおそれもない。また、複数のガラス封止ＬＥＤ２が、放熱板４１及びフレキシブル基板３１上に線状に配列された状態であっても、フレキシブル基板３１が応力を吸収するので、フレキシブル基板３１からの応力によって、ガラス封止ＬＥＤ２にクラックが入ることを防止することができる。

また、ケース５の各側壁５ａは線状光源部３と間隔をおいて配置されているので、線状光源部３から直接的に熱が伝わることはない。反射板４２の固定部４２ａと側壁５ａは支持部５ｂにより接続されているものの、支持部５ｂは反射板４２よりも熱伝導率の小さいステンレス鋼により形成されているため、反射板４２から側壁５ａへの熱の伝達が抑制される。従って、ケース５の温度上昇を抑制することができ、例えば、ケース５を手で直接把持しても安全である。

さらに、支持部５ｂによりケース５の側壁５ａと放熱部４とが接続されるので、放熱部４を側壁５ａに対して左右方向について位置決めすることができる。また、支持部５ｂを側壁５ａの一部を曲げることにより形成したので、部品点数を低減するとともに、ケース５を簡単容易に作製することができ、製造コストの低減を図ることができる。

また、フレキシブル基板３１の絶縁層３２にポリイミドを用いたので、比較的安価にフレキシブル基板３１を作製することができるし、ＢＴレジン等に比べて、青色領域における絶縁層３２の経時的な変化を比較的小さくすることができる。そして、電極パターン２４ｂと回路パターン層３３を接続する第１のはんだ材３５を、放熱パターン２６と放熱板４１を接続する第２のはんだ材３６よりも高い融点としたので、第１のはんだ材３５を用いて各ガラス封止ＬＥＤ２をフレキシブル基板３１に実装した後、第１のはんだ材３５の融点より低く第２のはんだ材３６が溶融する温度で、放熱パターン２６と放熱板４１との接続作業を行うことができ、実用に際して極めて有利である。

尚、前記実施形態においては、放熱部４の下端とケース５の底壁５ｄとが接触した発光装置１を示したが、例えば図１１に示すように、放熱部４の下端とケース５の底壁５ｄとを離隔させるようにしてもよい。図１１の発光装置１０１は、ケース５を挿通して放熱部４と螺合するねじ１０９により、線状光源部３、放熱部４等がケース５に対して上下方向に位置決めされている。ここで、図１１の発光装置１０１は、各側壁５ａと放熱部４とを接続する支持部５ｂが設けられていない。

また、図１１の発光装置１０１では、図１２に示す放熱板１４１が用いられている。この放熱板１４１は、端面に放熱パターン２６と接続するための凸部１４１ａが形成されている。すなわち、フレキシブル基板３１の挿通孔３４は、放熱板４１の凸部１４１ａを挿通するようになっている。これにより、放熱パターン２６と放熱板４１とを接続する第２のはんだ材３６を薄くすることができ、放熱パターン２６から放熱板４１への熱伝達効率を向上させることができる。さらに、例えば超音波接続等を利用して第２のはんだ材３６を介さずに、放熱パターン２６を放熱板４１とを直接的に接合して、熱伝達効率をさらに向上させることもできる。また、フレキシブル基板３１の挿通孔３４を凸部１４１ａに嵌合させることで、放熱板４１に対するフレキシブル基板３１の位置決めが簡単容易となる。

また、図１２のガラス封止部２３は、ＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５−Ｎａ_２Ｏ−Ｌｉ_２Ｏ系の熱融着ガラスからなる。尚、ガラスの組成はこれに限定されるものではなく、例えば、熱融着ガラスは、Ｌｉ_２Ｏを含有していなくてもよいし、任意成分としてＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２等を含んでいてもよい。図１２に示すように、ガラス封止部２３は、セラミック基板２１上に直方体状に形成され、セラミック基板２１の上面からの高さが例えば０．５ｍｍとなっている。ガラス封止部２３の側面は、ホットプレス加工によってセラミック基板２１と接着された板ガラスが、セラミック基板２１とともにダイサー(dicer)でカットされることにより形成される。また、ガラス封止部２３の上面は、ホットプレス加工によってセラミック基板２１と接着された板ガラスの一面である。例えば、この熱融着ガラスは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が４９０℃、屈伏点（Ａｔ）が５２０℃、１００℃〜３００℃における熱膨張率（α）が６×１０^−６／℃、屈折率が１．７となっている。

さらに、図１２のガラス封止部２３には、蛍光体２３ａが分散されている。蛍光体２３ａは、ＭＱＷ層から発せられる青色光により励起されると、黄色領域にピーク波長を有する黄色光を発する黄色蛍光体である。本実施形態においては、蛍光体２３ａとしてＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体が用いられる。尚、蛍光体２３ａは、珪酸塩蛍光体や、ＹＡＧと珪酸塩蛍光体を所定の割合で混合したもの等であってもよい。これにより、各ＬＥＤ素子２２から青色光が発せられると、青色光の一部が黄色光に変換され、各ガラス封止ＬＥＤ２から白色光が放射される。

さらに、図１２の線状光源部１０３は、フレキシブル基板３１の絶縁層３２として液晶ポリマーが用いられる。これにより、ＢＴレジン等に比べて、青色領域及び黄色領域における絶縁層３２の経時的な変化を比較的小さくすることができる。

また、例えば図１３に示すように、ばね材２０８を用いて放熱部４の下端とケース５の底壁５ｄとを離隔させるようにしてもよい。図１３の発光装置２０１は、一対の板状のばね材２０８を備え、各ばね材２０８は、リベット６により、放熱板４１及び各反射板４２と重なった状態で固定される。ばね材２０８は、前後に延びる板状に形成され、例えば銅からなる。ばね材２０８は、ケース５の側壁５ａと当接する上下一対の当接端２８３を有し、反射板４２の側面に固定される固定端２８２から上側の当接端２８３へ向かって延びる第１傾斜部２８４と、固定端２８２から下側の当接端２８３へ向かって延びる第２傾斜部２８５と、を有する。各当接端２８３は、側壁５ａの内面に対して摺接しており、ばね材２０８が弾性変形した際に側壁５ａの内面上を摺動する。ばね材２０８は、一枚の板材を屈曲することにより形成され、反射板４２と側壁５ａを互いに離隔する方向へ付勢する。また、ばね材２０８は、上下対称に形成され、下側の当接端２８３の下端が底壁５ｂと当接している。これよれば、ばね材２０８が上下対称に形成されているので、放熱部４及びケース５に上下方向に偏った付勢力が作用することはなく、ばね材２０８に生じる内部応力を低減することができる。

また、図１３の発光装置２０１では、図１４に示すガラス封止ＬＥＤ２が用いられている。このガラス封止ＬＥＤ２は、セラミック基板１２１の下面の中央部に下方へ突出する凸部１２１ａを有している。すなわち、セラミック基板１２１の下面の外縁が他部分より窪むよう形成されており、この窪み部分に各電極パターン２４ｂが形成され、他部分に放熱パターン２６が形成されている。図１４の線状光源部３は、多層構造のセラミック基板１２１の外縁側と中央側とを段状に形成し、放熱パターン２６と各電極パターン２４ｂとに段差がついている。これにより、ガラス封止ＬＥＤ２のフレキシブル基板３１への実装時、ガラス封止ＬＥＤ２の放熱板４１への接続時等に放熱パターン２６と各電極パターン２４ｂが短絡することを的確に防止することができる。また、放熱パターン２６が各電極パターン２４ｂより下方へ突出するため、放熱パターン２６の第２のはんだ材３６を薄くすることができ、放熱パターン２６から放熱板４１への熱伝達効率を向上させることができる。

また、線状光源部２０３のガラス封止部２３は、ＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系の熱融着ガラスからなり、屈折率が１．８２である。そして、線状光源部２０３の各ＬＥＤ素子２２は、ＧａＮ基板にIII族窒化物系半導体がエピタキシャル成長されており、ピーク波長が３９０ｎｍの光を発する。ガラス封止部２３に分散される蛍光体２３ａは、各ＬＥＤ素子２２から発せられる紫色光により励起されると赤色光を発する赤色蛍光体と、緑色光を発する緑色蛍光体と、青色光を発する青色蛍光体と、黄色光を発する黄色蛍光体である。このガラス封止ＬＥＤ２からは、演色性が比較的高い白色光が放射される。このガラス封止ＬＥＤ２は、ＧａＮ基板がサファイア基板よりも高い屈折率を有し、ガラス封止部２３が比較的高い屈折率であることから、ＭＱＷ層から発せられた光の取り出し効率が優れている。

さらに、図１４の線状光源部２０３は、フレキシブル基板３１の絶縁層３２として液晶ポリマーが用いられる。これにより、ＢＴレジン等に比べて、紫色領域から赤色領域にわたる領域における絶縁層３２の経時的な変化を比較的小さくすることができる。尚、高温高湿環境での経時的な劣化を考慮しなければ、絶縁層３２としてＢＴレジン等を用いてもよい。

さらにまた、図１５に示すように、ガラス封止ＬＥＤ２の上部の角部に傾斜面２３ｂを形成し、ガラス封止部２３内における光の閉じ込めを抑制するようにしてもよい。本実施形態においては、ガラス封止ＬＥＤ２のガラスが高屈折率ガラスであり、空気との臨界角が４５度未満となっている。すなわち、ガラス封止部２３が直方体形状では、光閉じ込め作用が生じているが、傾斜面２３ｂにより光閉じ込め作用を緩和することができる。光の閉じ込め作用の緩和は、屈折率が１．６以上のガラスで顕著である。

図１６は、絶縁層にポリイミド、液晶ポリマー及びＢＴレジンを用いた場合の、フレキシブル基板の初期反射率を示すグラフである。
図１６に示すように、ＢＴレジンは、４００ｎｍ以下で反射率が急激に低下するが、４００ｎｍ以上では比較的高い反射率を有している。ポリイミドは、５００ｎｍ以下で比較的反射率が低く、５００ｎｍ以上でもＢＴレジン及び液晶ポリマーより反射率が低くなっている。液晶パリマーは、概ね、ＢＴレジンとポリイミドの中間の反射率であり、４００ｎｍ以下の領域ではＢＴレジンよりも高い反射率を有している。

図１７は、フレキシブル基板の試験前及び耐候性試験後の反射率を示すグラフであり、（ａ）は絶縁層にポリイミドを用いたもの、（ｂ）は絶縁層に液晶ポリマーを用いたもの、（ｃ）は絶縁層にＢＴレジンを用いたものである。ここで、耐候性試験は、６０℃Ｒｈ９０％２０００時間の条件と、８５℃Ｒｈ８５％２０００時間の条件で行った。尚、「６０℃Ｒｈ９０％２０００時間」とは、具体的には、温度６０℃及び湿度９０％の環境で２０００時間放置するということであり、「８５℃Ｒｈ８５％２０００時間」とは、具体的には、温度８５℃及び湿度８５％の環境で２０００時間放置するということである。

図１７（ａ）に示すように、絶縁層にポリイミドを用いた場合、５００ｎｍ以下では試験前後で殆ど反射率が変化しなかった。すなわち、青色領域の光に対しては、反射率が経時的に変化していないことがわかる。

図１７（ｂ）に示すように、絶縁層に液晶ポリマーを用いた場合、６００ｎｍ以下では試験前後で殆ど反射率が変化しなかった。すなわち、青色領域及び黄色領域の光に対しては、反射率が経時的に変化していないことがわかる。

図１７（ｃ）に示すように、絶縁層にＢＴレジンを用いた場合、４００ｎｍ以上の反射率が比較的大きく変化した。すなわち、青色領域から赤色領域にわたって、反射率が経時的に変化していることがわかる。尚、全ての構成部品が無機材料で構成されるガラス封止ＬＥＤでは、パッケージに起因する光量低下をなくすことができ、また、ＧａＮ系の発光素子は安定しており、光量維持特性に優れる。この場合、光源の劣化要因として、基板の経時劣化を抑えることが重要となる。ポリイミド、液晶ポリマー及びＢＴレジンとも、常温、高湿度でない高温環境等であれば、経時変化はみられない。しかし、高温及び高湿度の環境であれば、経時劣化の点で液晶ポリマーが優れる。また、ポリテトラエチレンを延伸加工したフッ素系材料（例えば、ジャパンゴアテックス社製の商品名「ｅＰＴＦＥ」）など、光、熱、水分等に対し安定で、経時変化が生じ難いシートで基板の表面を覆ってもよい。

また、前記各実施形態においては、ＬＥＤ素子２２をフリップチップ型としたものを示したが、フェイスアップ型としてもよい。さらに、１つのガラス封止ＬＥＤ２に３つのＬＥＤ素子２２が一列に搭載されるものを示したが、１つのガラス封止ＬＥＤ２に搭載されるＬＥＤ素子２２の個数、ＬＥＤ素子２２の配置状態は任意である。このように、ガラス封止ＬＥＤ２の細部構成、発光色等については適宜に変更が可能であるし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。

また、前記実施形態においては、放熱部４の放熱板４１と反射板４２とが別個に成型されたものを示したが、例えば図１８に示すように、放熱部３０４の放熱板３４１に反射部３４２が一体に形成されたものであってもよい。反射部３４２は、放熱板３４１の端面の幅方向外縁から左右方向外側へ傾斜して斜め上方へ延び、正面視にて、内面がガラス封止ＬＥＤ３０２を焦点とする放物線形状に形成されている。図１８の発光装置３０１は、放熱板３４１の主面に長手方向へ延びるフィン３４３が形成されている。

また、図１９に示すように、フレキシブル基板３３１は、長手方向両端に幅広に形成された幅広部３３９を有している。フレキシブル基板３３１の長手方向中央側は、放熱板３４１の端面に載置される。幅広部３３９は、平面視にて放熱部３０４から突出しており、放熱部３０４の反射部３４２により長手方向の移動が規制される。これにより、フレキシブル基板３３１が長手方向に位置決めされるようになっている。

また、フレキシブル基板３３１の幅方向寸法は、放熱板３４１の厚さ寸法と等しく設定される。フレキシブル基板３３１は、放熱板３４１の端面の幅方向外縁から上方へ延びる反射部３４２により幅方向の移動が規制される。これにより、フレキシブル基板３３１は、長手方向に加えて幅方向にも位置決めされる。

この発光装置３０１の製造にあたっては、ガラス封止ＬＥＤ３０２を予めフレキシブル基板３３１に実装しておき、放熱板３４１の端面にディスペンサを用いてはんだ材３３６を塗布しておく。そして、フレキシブル基板３３１を放熱部３０４の各反射部３４２の間に差し入れて放熱板３４１の端面に載置することにより、フレキシブル基板３３１が自動的に位置決めされる。この後、フレキシブル基板３３１が位置決めされた放熱部３０４をリフロー炉へ搬送し、はんだ材３３６を溶融固化してガラス封止ＬＥＤ２と放熱板３４１を接合する。このとき、はんだ材３３５ははんだ材３３６より融点が高く、リフロー炉の温度がはんだ材３３５の融点より低く、はんだ材３３６の融点より高く設定しておくことで、リフロー炉におけるはんだ材３３５の溶融を防止することができる。

尚、この発光装置の製造方法は、図２０に示すような発光装置４０１に適用することも可能である。
発光装置４０１は、直方体状の銅からなる放熱部４０４に、フレキシブル基板４３１が載置され、ガラス封止ＬＥＤ４０２がフレキシブル基板４３１及び放熱部４０４に実装されている。この発光装置４０１においては、２４のＬＥＤ素子２２が一方向に並んで搭載されている長尺なガラス封止ＬＥＤ４０２が用いられる。そして、３つのガラス封止ＬＥＤ４０２が長手方向に並べられ、線状光源部４０３をなしている。

フレキシブル基板４３１は、ガラス封止ＬＥＤ４０２が実装され直線状に形成される線状部４３７と、線状部４３７と直交し平面視にて放熱部４０４から突出する突出部４３８と、を有している。突出部４３８は、線状部４３７における両端及び各ガラス封止ＬＥＤ４０２の隣接部分から延びている。

図２１に示すように、この発光装置４０１では、放熱部４０４の表面にフレキシブル基板４３１の線状部４３７を受容する第１溝４４１及び突出部４３８を受容する第２溝４４２が連続的に形成されている。これにより、フレキシブル基板４３１と放熱部４０４とは面一となっている。第１溝４４１には、ガラス封止ＬＥＤ４０２の放熱パターンと第２のはんだ材３３６を介して接合される凸部としての島部４４３が形成される。

この発光装置４０１は、前記実施形態の発光装置１と同様の手順で製造される。
図２１に示すように、フレキシブル基板４３１に、スクリーン印刷等により第１のはんだ材３３５を塗布しておき、放熱部４０４の第１溝４４１及び第２溝４４２に嵌め込む。これにより、フレキシブル基板４３１が放熱部４０４に対して位置決めされる。そして、図２２に示すように、フレキシブル基板４３１の挿通孔４３４を挿通している放熱部４０４の島部４４３に、ディスペンサにより第２のはんだ材３３６を塗布する。この後、ガラス封止ＬＥＤ４０２を放熱部４０４及びフレキシブル基板４３１上に載置し、リフロー炉にて第１のはんだ材３３５及び第２のはんだ材３３６を溶融固化させて、ガラス封止ＬＥＤ４０２を実装する。

この発光装置４０１の製造方法においても、前記実施形態の発光装置１の製造方法と同様の作用効果を得ることができる。尚、発光装置４０１の製造は、第１のはんだ材３３５及び第２のはんだ材３３６による接合を一括して行わずに、別個に接合を行ってもよい。例えば、フレキシブル基板４３１にのみガラス封止ＬＥＤ４０２を実装しておいて、フレキシブル基板４３１に実装された状態でガラス封止ＬＥＤ４０２を放熱部４０４に実装するようにしてもよい。

また、前記実施形態の発光装置１を製造するにあたり、第１のはんだ材３５及び第２のはんだ材３６の塗布方法等は任意であり、例えば、第１のはんだ材３５をはんだめっきにより予めフレキシブル基板３１に形成してもよいし、その他、具体的な細部工程等についても適宜に変更可能であることは勿論である。

１ 発光装置
２ ガラス封止ＬＥＤ
３ 線上光源部
４ 放熱部
５ ケース
５ａ 側壁
５ｂ 支持部
５ｂ１ 延在部
５ｂ２ 当接部
５ｃ 通気口
５ｄ 底壁
５ｅ 支持部
６ リベット
２１ セラミック基板
２２ ＬＥＤ素子
２３ ガラス封止部
２３ａ 蛍光体
２３ｂ 傾斜面
２４ 回路パターン
２４ａ 上面パターン
２４ｂ 電極パターン
２４ｃ ビアパターン
２５ バンプ
２６ 放熱パターン
３１ フレキシブル基板
３２ 絶縁層
３２ａ 実装用露出部
３２ｂ 接続用露出部
３３ 回路パターン層
３４ 挿通孔
３５ 第１のはんだ材
３６ 第２のはんだ材
４１ 放熱板
４１ａ 挿通孔
４１ｂ 面取り部
４２ 反射板
４２ａ 固定部
４２ｂ 反射鏡部
４２ｃ 挿通孔
５０ 基板シート
５１ 孔
５２ 切り込み
１０１ 発光装置
１０５ ケース
１０５ｄ 底壁
１０９ ねじ
１２１ セラミック基板
１２１ａ 凸部
１４１ 放熱板
１４１ａ 凸部
２０１ 発光装置
２０５ ケース
２０５ｄ 底壁
２０８ ばね材
２８２ 固定端
２８３ 当接端
２８４ 第１傾斜部
２８５ 第２傾斜部
３０１ 発光装置
３０２ ガラス封止ＬＥＤ
３０３ 線状光源部
３０４ 放熱部
３４１ 放熱板
３４２ 反射部
３４３ フィン
３３１ フレキシブル基板
３３９ 幅広部
４０１ 発光装置
４０２ ガラス封止ＬＥＤ
４０３ 線状光源部
４０４ 放熱部
４３１ フレキシブル基板
４３４ 挿通孔
４３５ 第１のはんだ材
４３６ 第２のはんだ材
４３７ 線状部
４３８ 突出部
４４１ 第１溝
４４２ 第２溝
４４３ 島部

Claims (8)

1. 所定方向に並べられた複数の発光素子と、前記各発光素子を上面に搭載し下面に放熱パターンが形成されるセラミック基板と、前記セラミック基板の前記上面にて前記各発光素子を一括して封止する封止部と、前記各発光素子へ電力を供給するための線状のフレキシブル基板と、を有する線状光源部と、
   前記セラミック基板の前記放熱パターンが接続材を介して又は接続材を介さずに端面に接続され、前記フレキシブル基板が当該端面に沿って配置される放熱板と、を備え、
   前記フレキシブル基板は、前記放熱板に対して非拘束であり、前記放熱パターン及び前記放熱板の接続を許容する孔部を有する発光装置。
2. 前記封止部は、ガラスからなる請求項１に記載の発光装置。
3. 前記セラミック基板の下面には電極パターンが形成され、
   前記セラミック基板の前記電極パターンと前記フレキシブル基板の回路パターンとは、第１の接続材を介して接続され、
   前記セラミック基板の前記放熱パターンと前記放熱板とは、第２の接続材を介して接続される請求項２に記載の発光装置。
4. 前記第１の接続材は、前記第２の接続材よりも融点が高い請求項３に記載の発光装置。
5. 前記放熱板は、前記放熱パターンと接続される凸部を有し、
   前記フレキシブル基板の前記孔部は、前記放熱板の前記凸部と嵌合する請求項４に記載の発光装置。
6. 請求項３から５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法であって、
   前記フレキシブル基板の前記回路パターンに前記第１の接続材をスクリーン印刷により塗布し、
   前記放熱板に前記第２接続材をディスペンサにより塗布する発光装置の製造方法。
7. 請求項３に記載の発光装置の製造方法であって、
   前記フレキシブル基板の前記回路パターンに前記第１の接続材をスクリーン印刷により塗布し、
   前記放熱板に前記第２の接続材をディスペンサにより塗布し、
   前記セラミック基板を、前記第１の接続材及び前記第２の接続材を溶融固化して、前記フレキシブル基板及び前記放熱板に同時に実装する発光装置の製造方法。
8. 請求項３または４に記載の発光装置の製造方法であって、
   前記フレキシブル基板の前記回路パターンに前記第１の接続材をスクリーン印刷により塗布した後、前記セラミック基板を前記フレキシブル基板に前記第１の接続材を溶融固化して実装し、
   前記放熱板に前記第２の接続材をディスペンサにより塗布し、
   前記フレキシブル基板に実装された前記セラミック基板を、前記第２の接続材が塗布された前記放熱板に、前記第２の接続材を溶融固化して実装する発光装置の製造方法。

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