CN103915542B - 发光装置用封装体、具备其的发光装置及具备该发光装置的照明装置 - Google Patents
发光装置用封装体、具备其的发光装置及具备该发光装置的照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103915542B CN103915542B CN201310741062.3A CN201310741062A CN103915542B CN 103915542 B CN103915542 B CN 103915542B CN 201310741062 A CN201310741062 A CN 201310741062A CN 103915542 B CN103915542 B CN 103915542B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead frame
- light
- emitting device
- extension
- packaging body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 94
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 94
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 26
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 2
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 2
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 2
- VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ba+2] VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012241 calcium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004953 Aliphatic polyamide Substances 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002600 TPX™ Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229920003231 aliphatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N manganate Chemical compound [O-][Mn]([O-])(=O)=O LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- ODGAOXROABLFNM-UHFFFAOYSA-N polynoxylin Chemical compound O=C.NC(N)=O ODGAOXROABLFNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006012 semi-aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 210000002186 septum of brain Anatomy 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
- H01L23/5283—Cross-sectional geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/10—Inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2101/00—Point-like light sources
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
- F21Y2103/10—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2105/00—Planar light sources
- F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2105/00—Planar light sources
- F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
- F21Y2105/12—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements characterised by the geometrical disposition of the light-generating elements, e.g. arranging light-generating elements in differing patterns or densities
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种适合搭载多个发光元件,且基于导电性糊剂进行安装的安装性优良的发光装置用封装体。本发明的发光装置用封装体的特征在于,在俯视下具有长边方向和与该长边方向正交的短边方向,且具备在所述长边方向上排列的第一引线框及第二引线框、与所述第一引线框及第二引线框一体成形的树脂成形体,所述第一引线框具备主体部、从所述主体部朝向所述第二引线框侧宽度变窄而延伸的延伸部,在所述第一引线框的下表面设有凹陷部,所述延伸部的下表面的露出区域的至少一部分通过填埋所述凹陷部的树脂成形体而与所述主体部的下表面的露出区域分离。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置用封装体(以下,有时简称为“封装体”)、发光装置以及照明装置。
背景技术
例如在日本特开2011-249807号公报的图25中记载有发光元件。
具体而言,记载有一种发光元件,其包括具有凹槽(凹陷部)的主体、与凹槽的底面电隔离地配置的第一及第二引线电极、在凹槽的底面的第一及第二引线电极上分别配置的第一及第二发光二极管,第一引线电极的一端部向第二引线电极的方向延长配置,第二引线电极的一端部向第一引线电极的方向延长配置。
然而,当第一及第二引线电极的下表面的露出区域为歪斜的形状时,基于导电性糊剂进行安装的安装性(二次安装)变差。
发明内容
因此,本发明鉴于上述的情况而提出,其目的在于提供一种适合搭载多个发光元件,且基于导电性糊剂进行安装的安装性优良的发光装置用封装体。
为了解决上述课题,本发明的发光装置用封装体在俯视下具有长边方向和与该长边方向正交的短边方向,且具备在所述长边方向上排列的第一引线框及第二引线框、与所述第一引线框及第二引线框一体成形的树脂成形体,所述发光装置用封装体的特征在于,所述第一引线框具备主体部、从所述主体部朝向所述第二引线框侧宽度变窄而延伸的延伸部,在所述第一引线框的下表面设有凹陷部,所述延伸部的下表面的露出区域的至少一部分通过填埋所述凹陷部的树脂成形体而与所述主体部的下表面的露出区域分离。
根据本发明,能够得到可将与引线框连接的线材形成得比较短,且基于导电性糊剂进行安装的安装性优良的发光装置用封装体。
本发明的上述及其它对象、以及它们的特征将通过接下来的结合附图的细节描述得以更加明确。
附图说明
图1A是本发明的一实施方式的发光装置的简要俯视图,图1B是图1A的A-A截面处的简要剖视图,图1C是图1A的简要仰视图。
图2A是本发明的一实施方式的发光装置的简要俯视图,图2B是图2A的B-B截面处的简要剖视图,图2C是图2A的简要仰视图。
图3A是本发明的一实施方式的发光装置的简要俯视图,图3B是图3A的C-C截面处的简要剖视图,图3C是图3A的简要仰视图。
图4A是表示本发明的一实施方式的照明装置中的发光装置的配置方式的一例的简要俯视图。
图4B是表示本发明的一实施方式的照明装置中的发光装置的配置方式的一例的简要俯视图。
符号说明:
100、120、130…发光装置用封装体
11、12、13、14、15…引线框
101…主体部
102…延伸部
103…凹陷部
104…悬吊引线部
105、106、107、109…引线框的下表面的露出区域
20…树脂成形体
23…凹部侧壁
25…中间壁部
30…发光元件
40…线材
50…密封构件
60…荧光体
70…保护元件
80…安装构件
200、220、230…发光装置
300、320…照明装置
具体实施方式
以下,适当参照附图,对发明的实施方式进行说明。其中,以下说明的发光装置用封装体、发光装置以及照明装置用于将本发明的技术思想具体化,只要没有特定的记载,就没有将本发明限定为以下的结构。另外,一个实施方式、实施例中说明的内容也能够适用于其他的实施方式、实施例。需要说明的是,各附图所示的构件的大小、位置关系等存在为了使说明变得明确而夸张的情况。
<实施方式1>
图1A及图1C分别是实施方式1的发光装置的简要俯视图及简要仰视图,图1B是表示图1A中的A-A截面的简要剖视图。如图1A~图1C所示,实施方式1的发光装置200主要通过在发光装置用封装体100上搭载发光元件30并利用密封构件50进行密封而构成。本例的密封构件50含有荧光体60,但也可以将荧光体60省略。
如图1A~图1C所示,封装体100在俯视下具有在一个方向上长的形状。即,封装体100在俯视下具有长边方向和与该长边方向正交的短边方向。若更严格地定义,则长边方向是指在俯视下与引线框的沿着封装体长边方向延伸的端面即面向短边方向的端面平行的方向。在图1A~图1C中,封装体的长边方向为x方向,短边方向为y方向,上下方向为z方向。另外,将x方向作为横向,将y方向作为纵向,并将z方向作为厚度(高度)方向。需要说明的是,这样的方向的定义对于以下所示的其他实施方式的发光装置用封装体及发光装置也适用。
如图1A~图1C所示,封装体100具备两个引线框11、12和与这两个引线框一体地成形的树脂成形体20。需要说明的是,更详细而言,封装体100在两个引线框11、12之间具备另一个引线框13,树脂成形体20与上述这三个引线框11、12、13一体地成形。两个引线框11、12在封装体100的长边方向x上排列。引线框11、12、13与封装体100同样,分别具有在封装体的长边方向x上长的形状。引线框11、12、13为板状,实质上未被进行折弯加工。两个引线框11、12、更详细而言三个引线框11、12、13在相互隔开的间隔区域埋入树脂成形体20,且将该间隔区域作为电绝缘区域而一体地保持于树脂成形体20。三个引线框11、12、13的下表面的至少一部分从树脂成形体20露出,与树脂成形体20一起构成封装体100的下表面。由此,能够形成为基于导电性糊剂进行安装的安装性优良且散热性优良的封装体。需要说明的是,载置发光元件的部位为封装体100的上表面侧。以下,在封装体100中,将右侧的引线框作为第一引线框11,将左侧的引线框作为第二引线框12,且将它们之间的引线框作为第三引线框13。
树脂成形体20在俯视下具有在封装体的长边方向x上长的长方形形状。另外,树脂成形体20覆盖两个引线框11、12(更详细而言,三个引线框11、12、13)的端面(除了悬吊引线部104之外)。另外,树脂成形体20覆盖两个引线框11、12(更详细而言,三个引线框11、12、13)的上表面的一部分(尤其是周缘部)。并且,树脂成形体20与两个引线框11、12(更详细而言,三个引线框11、12、13)一起形成收容发光元件的凹部。具体而言,凹部的底面由引线框11、12、13的上表面和树脂成形体20的表面构成。凹部的侧壁面(凹部侧壁23的内表面)由树脂成形体20的表面构成。凹部的侧壁面可以垂直,但为了将从发光元件射出的光效率良好地取出,优选以随着接近凹部底面而使开口宽度变窄的方式倾斜。需要说明的是,在此,对具有凹部的封装体进行例示,但也可以省略凹部即凹部侧壁23,例如形成为平板状的封装体(在以下所示的其他实施方式中也同样)。
并且,第一引线框11具有主体部101、从该主体部101向第二引线框12侧宽度变窄而延伸的延伸部102。在第一引线框11的下表面,在本例中在延伸部102的下表面设有凹陷部103。该凹陷部103由树脂成形体20填埋。由此,延伸部102的下表面的露出区域107的至少一部分通过填埋凹陷部103的树脂成形体20而与主体部101的下表面的露出区域105分离。
在此,主体部101包含载置发光元件的上表面区域,可以看作引线框的主要部分。为了得到下表面的露出区域的适合的形状,优选延伸部102以大致固定的宽度(短边方向y的宽度)延伸,但也可以变化。主体部101与延伸部102的边界可以认为是例如通过宽度的变化点的与短边方向y平行的直线。需要说明的是,从树脂的填充或引线框的强度的观点出发,凹陷部103的深度可以为例如0.1mm以上且引线框的最大厚度的一半以下的程度。
在以上那样构成的封装体100中,第一引线框11的主体部的下表面的露出区域105和延伸部的下表面的露出区域107的至少一部分形成为相互隔开的岛状,从而能够提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性。由此,在通过导电性糊剂将封装体100安装于安装构件时,能够抑制导电性糊剂的偏斜,从而能够抑制将封装体100倾斜安装的情况。并且,能够提高封装体100的自对准性。
另外,第一引线框11的延伸部102向第二引线框12侧延伸,因此能够在该延伸部102的上表面连接发光元件30或保护元件70用的线材40,或设置保护元件70,从而能够将线材40形成得比较短。由此,能够减轻线材40的光吸收,从而能够提高光的取出效率。
需要说明的是,两个引线框11、12的最大宽度(短边方向y的最大宽度:例如引线框的主体部的宽度)可以不同,但优选它们的最大宽度大致相同。另外,两个引线框11、12可以配置成在俯视下相互倾斜的关系,但优选配置成大致平行。而且,两个引线框11、12还可以配置成在俯视下与长边方向x平行的中心轴在短边方向y上相互进行位移的关系,但优选配置成在俯视下与长边方向x平行的中心轴大致一致。
以下,对发光装置用封装体100及发光装置200的优选的方式进行说明。
如图1A~图1C所示,优选延伸部102的下表面的露出区域107的大致全部通过填埋凹陷部103的树脂成形体20而与主体部101的下表面的露出区域105分离。这样的方式通过使凹陷部103如图示那样在延伸部102的下表面与主体部101密接设置、或在主体部101的下表面与延伸部102密接设置、或设置在主体部101与延伸部102的边界上中的任一者而能够实现。这样,通过将凹陷部103设置在主体部101与延伸部102的边界的附近,从而能够使主体部101的下表面的露出区域105和延伸部102的下表面的露出区域107明确地分离。由此,能够对主体部101及延伸部102的下表面的露出区域105、107适当地进行形状修整,从而进一步提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性。另外,还能够进一步提高封装体的自对准性。
如图1A~图1C所示,封装体100中仅第一引线框11具有延伸部102。封装体100具备以在短边方向y上与第一引线框的延伸部102对置的方式配置的第三引线框13。第三引线框13的下表面的至少一部分从树脂成形体20露出。根据这样的结构,由于第三引线框的下表面的露出区域109以与第一引线框的延伸部的下表面的露出区域107对置的方式设置,因此能够实现引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性的提高。
如图1A~图1C所示,第一引线框的延伸部的下表面的露出区域107设置成大致矩形形状。由此,容易提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性。并且,容易提高封装体100的自对准性。另外,第三引线框13的下表面的露出区域109也设置成大致矩形形状。由此,能够实现与第一引线框的延伸部的下表面的露出区域107的匀称,且能够实现引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性的提高。并且,能够实现封装体的自对准性的提高。而且,如图示那样,若将第三引线框13的下表面的露出区域109设置成与第一引线框的延伸部的下表面的露出区域107大致相同的形状,则更加优选。而且,将第一引线框的主体部的下表面的露出区域105、第二引线框12的(也看作主体部的部位的)下表面的露出区域106也设置成大致矩形形状。由此,能够实现引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性、封装体的自对准性的进一步提高。另外,在封装体100的下表面侧,引线框的下表面的露出区域当作为整体的图案来观察时,相对于封装体的中心轴而在短边方向y(纵向)上设置成大致线对称。由此,能够进一步提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性。并且,能够进一步提高封装体的自对准性。而且,在封装体100的下表面侧,引线框的下表面的露出区域当作为整体的图案来观察时,相对于封装体的中心轴而在长边方向x(横向)上设置成大致线对称。由此,能够进一步提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性。并且,能够进一步提高封装体100的自对准性。需要说明的是,引线框的下表面的各露出区域可以通过引线框的倒角加工等而使角部带有圆角,或将角部切去。
如图1A~图1C所示,第一引线框的延伸部102位于该封装体100的大致中央。这样,通过使延伸部102位于封装体100的大致中央,从而在两个引线框11、12上分别容易载置发光元件,且容易控制配光特性。另外,在封装体100中,以在短边方向y上与延伸部102对置的方式配置第三引线框13。由此,即便将发光元件30分别载置到第一及第二引线框11、12上,也能够将与第三引线框连接的线材40形成得比较短,因此能够减轻线材40的光吸收,从而容易提高光的取出效率。另外,在具备保护元件70的发光装置的情况下,通过将保护元件70设置在第一引线框的延伸部102的上表面,容易增大发光元件30与保护元件70的间隔,使保护元件70的光吸收减轻,从而容易提高光的取出效率。另外,能够将连接保护元件70和第二引线框12的线材40形成得比较短,因此使线材40的光吸收减轻,从而更容易提高光的取出效率。
如图1A~图1C所示,发光装置200具备发光装置用封装体100和在第一及第二引线框11、12的上表面分别载置的发光元件30、30。这样,通过将发光元件30分别载置在第一及第二引线框11、12上,由此能够将两个发光元件30的间隔取得比较大,能够得到令人满意的配光特性。
如图1A~图1C所示,在发光装置200中,第三引线框13的上表面通过线材40与在第一引线框11上载置的发光元件30连接,并且,通过线材40与在第二引线框12上载置的发光元件30连接。这样,第三引线框13能够适合利用于通过线材40将在第一及第二引线框11、12上分别载置的发光元件30串联连接的情况,能够将线材40形成得比较短。
如图1A~图1C所示,发光装置200具备在第一引线框的延伸部102的上表面载置的保护元件70。该保护元件70通过线材40与第二引线框12的上表面连接。这样,第一引线框的延伸部102能够适合利用于载置保护元件70的情况。通过将保护元件70设置在第一引线框的延伸部102的上表面,容易增大发光元件30与保护元件70的间隔,使保护元件70的光吸收减轻,从而容易提高光的取出效率。另外,能够将连接保护元件70和第二引线框12的线材40形成得比较短,因此使线材40的光吸收减轻,从而更容易提高光的取出效率。
<实施方式2>
图2A及图2C分别是实施方式2的发光装置的简要俯视图及简要仰视图,图2B是表示图2A中的B-B截面的简要剖视图。如图2A~图2C所示,实施方式2的发光装置220主要通过在发光装置用封装体120上搭载发光元件30并利用密封构件50进行密封而构成。本例的密封构件50含有荧光体60,但也可以将荧光体60省略。
如图2所示,封装体120具备五个引线框11、12、13、14、15和与这五个引线框一体地成形的树脂成形体20。五个引线框11、12、13、14、15在封装体120的长边方向x上排列。五个引线框11、12、13、14、15与封装体120同样,分别具有在封装体的长边方向x上长的形状。引线框11、12、13、14、15为板状,实质上未被进行折弯加工。五个引线框11、12、13、14、15在相互隔开的间隔区域埋入树脂成形体20,且将该间隔区域作为电绝缘区域而一体地保持于树脂成形体20。五个引线框11、12、13、14、15的下表面的至少一部分从树脂成形体20露出,与树脂成形体20一起构成封装体120的下表面。由此,能够形成为基于导电性糊剂进行安装的安装性优良且散热性优良的封装体。需要说明的是,载置发光元件的部位为封装体120的上表面侧。以下,在封装体120中,将中央的引线框作为第一引线框11,将最左侧的引线框作为第二引线框12,将处于第一引线框11与第二引线框12之间的引线框作为第三引线框13,将最右侧的引线框作为第四引线框14,将处于第一引线框11与第四引线框14之间的引线框作为第五引线框15。
树脂成形体20在俯视下具有在封装体的长边方向x上长的长方形形状。另外,树脂成形体20覆盖五个引线框11、12、13、14、15的端面(除了悬吊引线部104之外)。另外,树脂成形体20覆盖五个引线框11、12、13、14、15的上表面的一部分(尤其是周缘部)。而且,树脂成形体20与五个引线框11、12、13、14、15一起形成收容发光元件的凹部。具体而言,凹部的底面由引线框11、12、13、14、15的上表面和树脂成形体20的表面构成。凹部的侧壁面(凹部侧壁23的内表面)由树脂成形体20的表面构成。凹部的侧壁面可以垂直,但为了将从发光元件射出的光效率良好地取出,优选以随着接近凹部底面而使开口宽度变窄的方式倾斜。
第一引线框11具有主体部101、从该主体部101向第二引线框12侧宽度变窄而延伸的延伸部102。另外,第一引线框11具有从主体部101向第四引线框14侧宽度变窄而延伸的第二延伸部102。在第一引线框11的下表面,在本例中在第一及第二延伸部102的下表面分别设有凹陷部103。该凹陷部103由树脂成形体20填埋。由此,第一及第二延伸部102的下表面的露出区域107的至少一部分分别通过填埋凹陷部103的树脂成形体20而与主体部101的下表面的露出区域105分离。
在以上那样构成的封装体120中,第一引线框11的主体部的下表面的露出区域105和第一及第二延伸部的下表面的露出区域107的至少一部分形成为分别相互隔开的岛状,从而能够提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性。由此,在通过导电性糊剂将封装体120安装于安装构件时,能够抑制导电性糊剂的偏斜,能够抑制将封装体120倾斜安装的情况。并且,能够提高封装体120的自对准性。
另外,由于第一引线框11的第一及第二延伸部102向第二及第四引线框12、14侧分别延伸,因此能够在该各延伸部102的上表面连接发光元件30或保护元件70用的线材40,或设置保护元件70,从而能够将线材40形成得比较短。由此,能够减轻线材40的光吸收,能够提高光的取出效率。
需要说明的是,第一、第二及第四引线框11、12、14的最大宽度(短边方向y的最大宽度:例如引线框的主体部的宽度)可以不同,但优选它们的最大宽度大致相同。另外,第一、第二及第四引线框11、12、14可以配置成在俯视下相互倾斜的关系,但优选配置成大致平行。而且,第一、第二及第四引线框11、12、14还可以配置成在俯视下与长边方向x平行的中心轴在短边方向上相互进行位移的关系,但优选配置成在俯视下与长边方向x平行的中心轴大致一致。
以下,对发光装置用封装体120及发光装置220的优选的方式进行说明。
如图2所示,封装体120中仅第一引线框11具有延伸部102。另外,在封装体120中,第三及第五引线框分别以在短边方向y上与第一引线框的第一及第二延伸部102对置的方式配置。根据这样的结构,由于第三及第五引线框的下表面的露出区域109分别以与第一引线框的第一及第二延伸部的下表面的露出区域107对置的方式设置,因此能够实现引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性的提高。
如图2所示,在封装体120中,第一引线框的第一及第二延伸部的下表面的露出区域107设置成大致矩形形状。另外,第三及第五引线框13、15的下表面的露出区域109也设置成大致矩形形状。而且,第一引线框的主体部的下表面的露出区域105、第二及第四引线框12、14的(也看作主体部的部位的)下表面的露出区域106也设置成大致矩形形状。另外,在封装体120的下表面侧,引线框的下表面的露出区域当作为整体的图案来观察时,相对于封装体的中心轴而在短边方向y(纵向)上和长边方向x(横向)上都设置成大致线对称。通过这样的结构,与实施方式1同样,容易提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性,且容易提高封装体120的自对准性。需要说明的是,引线框的下表面的各露出区域可以通过引线框的倒角加工等而使角部带有圆角,或将角部切去。
如图2所示,在发光装置220中,第三引线框13的上表面通过线材40与在第一引线框11上载置的发光元件30连接,并且,通过线材40与在第二引线框12上载置的发光元件30连接。第五引线框15的上表面通过线材40与在第一引线框11上载置的发光元件30连接,且通过线材40与在第四引线框14上载置的发光元件30连接。由此,使三个发光元件30串联连接。这样,第三及第五引线框13、15能够适合利用于通过线材40将在第一、第二及第四引线框11、12、14上分别载置的发光元件30串联连接的情况,能够将线材40形成得比较短。
如图2所示,在发光装置220中,在第一引线框的第一延伸部102的上表面载置有保护元件70,且通过线材40与第二引线框12连接。由此,能够将连接保护元件70和引线框的线材40形成得比较短,使线材40的光吸收减轻,从而容易进一步提高光的取出效率。另外,第一引线框的第二延伸部102的上表面和第四引线框的上表面通过线材40连接。由此,能够相对于发光元件30并联连接保护元件70。需要说明的是,在封装体120中,也可以将第一引线框的第二延伸部102和第四引线框14连结而将第一引线框11和第四引线框14一体地设置。
<实施方式3>
图3A及图3C分别是实施方式3的发光装置的简要俯视图及简要仰视图,图3B是表示图3A中的C-C截面的简要剖视图。如图3A~图3C所示,实施方式3的发光装置230主要通过在发光装置用封装体130上搭载发光元件30且利用密封构件50进行密封而构成。本例的密封构件50含有荧光体60,但也可以将荧光体60省略。
如图3A~图3C所示,封装体130具备两个引线框11、12和与这两个引线框一体地成形的树脂成形体20。两个引线框11、12在封装体130的长边方向x上排列。引线框11、12与封装体130同样,分别具有在封装体的长边方向x上长的形状。引线框11、12为板状,实质上未被进行折弯加工。两个引线框11、12在相互隔开的间隔区域埋入树脂成形体20,且将该间隔区域作为电绝缘区域而一体地保持于树脂成形体20。两个引线框11、12的下表面的至少一部分从树脂成形体20露出,与树脂成形体20一起构成封装体130的下表面。由此,能够形成为基于导电性糊剂进行安装的安装性优良且散热性优良的封装体。需要说明的是,载置发光元件的部位为封装体130的上表面侧。以下,在封装体130中,将右侧的引线框作为第一引线框11,将左侧的引线框作为第二引线框12。
树脂成形体20在俯视下具有在封装体的长边方向x上长的长方形形状。另外,树脂成形体20覆盖两个引线框11、12的端面(除了悬吊引线部104之外)。另外,树脂成形体20覆盖两个引线框11、12的上表面的一部分(尤其是周缘部)。而且,树脂成形体20与两个引线框11、12一起形成收容发光元件的凹部。具体而言,凹部的底面由引线框11、12的上表面和树脂成形体20的表面构成。凹部的侧壁面(凹部侧壁23的内表面)由树脂成形体20的表面构成。凹部的侧壁面可以垂直,但为了将从发光元件射出的光效率良好地取出,优选以随着接近凹部底面而使开口宽度变窄的方式倾斜。
并且,第一引线框11具有主体部101、从该主体部101向第二引线框12侧宽度变窄而延伸的延伸部102。在延伸部102的下表面设有凹陷部103。另外,该凹陷部103由树脂成形体20填埋。由此,延伸部102的下表面的露出区域107的至少一部分通过填埋凹陷部103的树脂成形体20而与主体部101的下表面的露出区域105分离。
在以上那样构成的封装体130中,第一引线框11的主体部101的下表面的露出区域105和延伸部102的下表面的露出区域107的至少一部分形成为相互隔开的岛状,从而能够提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性。由此,在通过导电性糊剂将封装体130安装于安装构件时,能够抑制导电性糊剂的偏斜,从而能够抑制将封装体130倾斜安装的情况。并且,能够提高封装体130的自对准性。
另外,第一引线框11的延伸部102向第二引线框12侧延伸,因此能够在该延伸部102的上表面连接发光元件30或保护元件70用的线材40,或设置保护元件70,从而能够将线材40形成得比较短。由此,能够减轻线材40产生的光吸收,从而能够提高光的取出效率。
需要说明的是,两个引线框11、12的最大宽度(短边方向y的最大宽度:例如引线框的主体部的宽度)可以不同,但优选它们的最大宽度大致相同。另外,两个引线框11、12可以配置成在俯视下相互倾斜的关系,但优选配置成大致平行。而且,两个引线框11、12还可以配置成在俯视下与长边方向x平行的中心轴在短边方向上相互进行位移的关系,但优选配置成在俯视下与长边方向x平行的中心轴大致一致。
以下,对发光装置用封装体130及发光装置230的优选的方式进行说明。
如图3所示,在封装体130中,第二引线框12具有主体部101、从该主体部101向第一引线框11侧宽度变窄而延伸的延伸部102。在第二引线框12的下表面设有凹陷部103。另外,该凹陷部103由树脂成形体20填埋。由此,第二引线框12的延伸部102的下表面的露出区域107的至少一部分通过填埋第二引线框12的凹陷部103的树脂成形体20而与第二引线框12的主体部101的下表面的露出区域105分离。并且,第一及第二引线框11、12的延伸部102以在短边方向y上相互对置的方式配置。
根据这样的结构,除了第一引线框11之外,第二引线框12的主体部的下表面的露出区域105和延伸部的下表面的露出区域107的至少一部分也形成为相互隔开的岛状,从而容易提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性。由此,在通过导电性糊剂将封装体130安装于安装构件时,能够抑制导电性糊剂的偏斜,从而容易抑制将封装体130倾斜安装的情况。并且,容易提高封装体130的自对准性。而且,由于第一引线框11的延伸部102的下表面的露出区域107和第二引线框12的延伸部102的下表面的露出区域107以相互对置的方式设置,因此能够实现引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性的提高。另外,如图示那样,若将第一引线框11的延伸部的下表面的露出区域107设置成与第二引线框12的延伸部的下表面的露出区域107大致相同的形状,则更加优选。
如图3所示,在封装体130中,第一及第二引线框11、12的延伸部的下表面的露出区域107设置成大致矩形形状。另外,第一及第二引线框11、12的主体部的下表面的露出区域105也设置成大致矩形形状。另外,在封装体130的下表面侧,引线框的下表面的露出区域当作为整体的图案来观察时,相对于封装体的中心轴而在短边方向y(纵向)上和长边方向x(横向)上都设置成大致线对称。通过这样的结构,与实施方式1同样,容易提高引线框的下表面的露出区域的对称性、面积的均等性,且容易提高封装体130的自对准性。需要说明的是,引线框的下表面的各露出区域可以通过引线框的倒角加工等而使角部带有圆角,或将角部切去。
另外,在发光装置230中,第一引线框11的延伸部102通过线材40与在第二引线框12上载置的发光元件30连接,且第二引线框12的延伸部102通过线材40与在第一引线框11上载置的发光元件30连接。这样,第一及第二引线框11、12的延伸部102能够适合利用于通过线材40将在第一及第二引线框11、12上分别载置的发光元件30并联连接的情况,能够将线材40形成得比较短。
而且,在发光装置230中,在第一引线框的延伸部102的上表面载置有保护元件70。该保护元件70通过线材40与第二引线框12的延伸部102的上表面连接。这样,第一及第二引线框的延伸部102能够适合利用于载置保护元件70的情况。由此,容易增大发光元件30与保护元件70的间隔,使保护元件70的光吸收减轻,从而容易提高光的取出效率。另外,能够将连接保护元件70和引线框(在此为第二引线框12)的线材40形成得比较短,因此使线材40的光吸收减轻,从而容易提高光的取出效率。
如图3所示,在封装体130的上表面侧,树脂成形体20具有使第一引线框11的主体部101的至少一部分和第一引线框11的延伸部102的上表面的第二引线框12侧的至少一部分露出且沿着短边方向y延伸设置的中间壁部25。因此,能够维持延伸部102的上表面的功能,且同时通过中间壁部25划分第一引线框11的主体部101和第二引线框11的主体部101。由此,通过中间壁部25使从发光元件30射出的光向上方反射,使夹着中间壁部25而载置的发光元件30、保护元件70以及与它们连接的线材40等的光吸收减轻,从而能够提高光的取出效率。另外,中间壁部25与树脂成形体20的凹部侧壁23连续而形成。由此,中间壁部25以压紧第一引线框11等引线框的上表面的方式发挥作用,能够抑制引线框11从树脂成形体20的剥离。需要说明的是,中间壁部25可以设置在第一引线框11侧及第二引线框12侧中的至少一方上。
如图3所示,优选中间壁部25设置在第一引线框11的延伸部102上。由于延伸部102设置在封装体的中央侧或两个引线框的间隔区域的附近,因此通过中间壁部25,容易均等地划分例如凹部内等封装体的元件载置区域,由此,能够得到令人满意的配光特性。另外,通过使中间壁部25以压紧延伸部102的方式发挥作用,从而能够有效地抑制引线框从树脂成形体20的剥离。
在图3所示的例子中,中间壁部25跨在第一及第二引线框11、12的延伸部102上而设置,包括第一壁部和第二壁部。并且,第一及第二引线框11、12的延伸部102的上表面分别由第一壁部和第二壁部划分为三个露出区域。另外,凹部内在长边方向x上被划分为由左侧区域、中央区域、右侧区域构成的三个区域。因此,第一及第二引线框11、12的延伸部102的延伸前端部分别在左侧区域和右侧区域露出。并且,在该各延伸部102的延伸前端部连接有与发光元件30连接的线材40。由此,能够避免线材40跨在中间壁部25上的情况,且通过比较短的线材40就能够将发光元件30并联连接。另外,在凹部内的中央区域设有保护元件70。这样,通过将中间壁部25即第一壁部及第二壁部以夹着保护元件70的方式设置,由此使保护元件70、与该保护元件70连接的线材40的光吸收减轻,从而能够提高光的取出效率。中间壁部25在线材40跨在其上的情况下,优选其高度比凹部的深度小,但在能够避免线材40跨在其上的情况下,优选为与树脂成形体20的上表面(凹部侧壁23的上表面)大致相同的高度。
需要说明的是,在其他实施方式的发光装置用封装体中也能够适用中间壁部25。例如,在实施方式1的封装体100中,可以在封装体的大致中央设置中间壁部25。另外,例如在实施方式2的封装体120中,可以在第三引线框13的大致中央(也为第一引线框的第一延伸部102的大致中央)及/或第五引线框15的大致中央(也为第一引线框的第二延伸部102的大致中央)设置中间壁部25。另外,中间壁部25也可以填埋保护元件70或与该保护元件70连接的线材40。
<实施方式4>
图4A及图4B是表示实施方式4的照明装置中的发光装置的配置方式的一例的简要俯视图。图4A~图4B所示的照明装置具备多个发光装置和安装上述的发光装置的安装构件。需要说明的是,发光装置使用导电性糊剂而安装于安装构件。
图4A所示的例子的照明装置300在安装构件80上一维地并列设置有多个发光装置201~203。更详细而言,在照明装置300中,发光装置201、202、203这三个发光装置在封装体的长边方向上大致等间隔排列。另外,图4B所示的例子的照明装置320在安装构件80上二维地并列设置多个发光装置201~208。更详细而言,在照明装置320中,发光装置201~208以在封装体的长边方向上排列两个且在短边方向上排列四个的方式大致等间隔排列。上述的照明装置300、320中使用的发光装置201~208能够适用任意的(例如,公知的)发光装置,但优选适用本发明的发光装置(例如,实施方式1~3的发光装置200、220、230)。需要说明的是,在此所示的一个照明装置中的发光装置的搭载个数及一个发光装置中的发光元件的搭载个数只是一例。
如图4A及图4B所示,在封装体的长边方向上,第一发光装置201中的最接近第二发光装置202配置的第一发光元件30-2与第二发光装置202中的最接近第一发光装置201配置的第二发光元件30-3的间隔d1和第一发光装置201中的第一发光元件30-2与配置在第一发光元件30-2旁边的第三发光元件30-1的间隔p1大致相等。由此,能够实现相邻的发光装置之间的亮度分布的均匀化。另外,在图4B所示的例子中,进而在封装体的短边方向上,也使第一发光装置201中的第一发光元件30-2(也可以为第三发光元件30-1)与第三发光装置203中的第五发光元件30-5(也可以为第六发光元件30-6)的间隔s1和间隔d1大致相等。另外,对于与上述发光装置的旁边以及再旁边的发光装置相关的间隔s2、间隔s3而言,也同样。
而且,如图4A及图4B所示,在封装体的长边方向上,第一发光装置201具备的发光元件30-1、30-2彼此的间隔p1和第二发光装置202具备的发光元件30-3、30-4彼此的间隔p2大致相等。由此,能够将多个发光元件分别载置在不同的发光装置(封装体)上,且使上述的发光装置中包含的发光元件看起来大致等间隔配置。因此,能够实现照明装置的亮度分布的进一步的均匀化。
这样,为了将不同的发光装置上载置的发光元件在安装构件上配置成看起来大致等间隔,优选将在一个发光装置上搭载的发光元件彼此的间隔预先选取得比较大。但是,当发光元件彼此的间隔变大时,与发光元件或保护元件连接的线材容易形成得长。然而,本发明的发光装置(封装体)能够将与发光元件或保护元件连接的线材形成得比较短,因此能够适合使用于这样的照明装置。另外,通过导电性糊剂的偏斜的抑制、高的自对准性来抑制封装体的旋转或倾斜,能够以优选的姿态将封装体安装于安装构件,由此,发光装置以及发光元件的配置精度优良,且容易得到高精度的配光特性。
以下,对本发明的发光装置用封装体、发光装置及照明装置的各构成要素进行说明。
(引线框11、12、13、14、15)
引线框可以使用与发光元件或保护元件连接且能够导电的金属构件。具体而言,列举出对铜、铝、金、银、钨、铁、镍、钴、钼或它们的合金、磷青铜、含铁铜(鉄入り銅)等的金属板实施冲压或蚀刻、轧制等各种加工后的金属构件。另外,也可以在引线框的表层设置银、铝、铑、金、铜或它们的合金等的镀敷或光反射膜,其中,优选光反射性最优良的银。引线框的厚度可以任意选择,例如为0.1mm以上且1mm以下,优选为0.2mm以上且0.4mm以下。需要说明的是,例如图1A~图3C所示,通过在引线框的上表面或下表面的周缘中的与树脂成形体接触的部位上设置槽或凹陷部,能够抑制导电性糊剂中含有的焊剂或外部气体中的水分从引线框的下表面侧浸入的情况,或者能够提高与树脂成形体的密接性。
(树脂成形体20)
树脂成形体的母材列举出聚双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、硅酮树脂、硅酮改性树脂、硅酮改性树脂(シリコ一ン変成樹脂)、聚酰亚胺树脂、聚氨脂树脂等热固化性树脂、脂肪族聚酰胺树脂、半芳香族聚酰胺树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸环己酯、液晶聚合物、聚碳酸酯树脂、间硅聚苯乙烯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚醚砜树脂、聚醚酮树脂、聚芳酯树脂等热可塑性树脂。另外,在上述的母材中,作为填充剂或着色颜料,还可以混入玻璃、二氧化硅、氧化钛、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、硅酸镁、钙硅石、云母、氧化锌、钛酸钡、钛酸钾、硼酸铝、氧化铝、氧化锌、碳化硅、氧化锑、锡酸锌、硼酸锌、氧化铁、氧化铬、氧化锰、碳黑等的粒子或纤维。
(发光元件30)
发光元件可以使用发光二极管(Light Emitting Diode:LED)元件或半导体激光(Laser Diode:LD)元件等半导体发光元件。发光元件只要是在由各种半导体构成的元件结构上设置正负一对电极的元件即可。尤其优选能够使荧光体效率良好地激发的氮化物半导体(InxAlyGal-x-yN,0≤x,0≤y,x+y≤1)的发光元件。此外,可以为绿色~红色发光的镓砒系、镓燐系半导体的发光元件。在正负一对电极设置于同一面侧的发光元件的情况下,通过线材将各电极与引线框连接而进行表面朝上安装。在正负一对电极分别设置在彼此相反的面上的对置电极结构的发光元件的情况下,通过导电性粘接剂将下表面电极粘接于引线框,并通过线材将上表面电极与引线框连接。后述的保护元件的安装方式也同样。另外,通过在发光元件的安装面侧设置银或铝等的金属层或电介质反射膜,从而能够提高光的取出效率。在一个发光装置用封装体上搭载的发光元件的个数可以是一个,也可以是多个,其大小或形状、发光波长也可以任意选择。多个发光元件可以通过引线框或线材而进行串联或并联连接。另外,可以在一个发光装置用封装体上搭载例如蓝色发光和红色发光这两种组合的发光元件、蓝色发光和绿色发光这两种组合的发光元件、蓝色·绿色·红色发光这三种组合等的发光元件。
(线材40)
线材为将发光元件的电极或保护元件的电极与引线框连接的导线。具体而言,可以使用金、铜、银、铂、铝或它们的合金的金属线。尤其优选使用难以产生来自密封构件的应力引起的断裂且热阻等优良的金线。另外,为了提高光反射性,也可以使用至少表面由银构成的导线。
(密封构件50)
密封构件是对发光元件或保护元件、线材等进行密封而对它们进行保护,以免受到灰尘、水分或外力等影响的构件。密封构件的母材只要具有电绝缘性且使从发光元件射出的光能够透过(优选透过率为70%以上)即可。具体而言,列举出硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、TPX树脂、聚降冰片烯树脂(ポリノルボルネン树脂)、上述树脂的改性树脂或者含有一种以上的上述树脂的混合树脂。还可以为玻璃。其中,由于硅酮树脂耐热性、耐光性优良,固化后的体积收缩少,因此优选。另外,密封构件在其母材中可以添加填充剂或荧光体等具有各种功能的粒子。填充剂可以使用扩散剂或着色剂。具体而言,列举出二氧化硅、氧化钛、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、氧化锌、钛酸钡、氧化铝、氧化铁、氧化铬、氧化锰、玻璃、碳黑等。填充剂的粒子的形状既可以为破碎状,也可以为球状。另外,还可以为中空或多孔质。
(荧光体60)
荧光体吸收从发光元件射出的一次光的至少一部分,并射出与一次光波长不同的二次光。荧光体例如为主要通过铕、铈等镧系元素激活的氮化物系荧光体·氮氧化物系荧光体,更具体而言,列举出通过铕激活的α或β赛隆型荧光体、各种碱土金属氮化硅酸盐荧光体、主要通过铕等镧系元素、锰等过渡金属系元素激活的碱土金属卤素磷灰石(Halogenapatite)荧光体、碱土类的卤代硅酸盐(Halo-Silicate)荧光体、碱土金属硅酸盐荧光体、碱土金属硼酸卤素荧光体、碱土金属铝酸盐荧光体、碱土金属硅酸盐、碱土金属硫化物、碱土金属硫代镓酸盐(thiogallate)、碱土金属氮化硅、锰酸盐、主要通过铈等镧系元素激活的稀土族铝酸盐、稀土族硅酸盐或主要通过铕等镧系元素激活的有机物及有机络合物等。另外,在上述以外,还可以使用具有同样的性能、效果的荧光体。由此,能够形成为射出可见波长的一次光与二次光的混色光(例如白色系)的发光装置、由紫外光的一次光激发而射出可见波长的二次光的发光装置。需要说明的是,荧光体既可以沉降到封装体的凹部底面侧,也可以在凹部内分散。
(保护元件70)
保护元件是用于保护发光元件,以免受到静电或高电涌电压的影响的元件。具体而言,列举出稳压二极管。保护元件为了抑制光吸收,可以通过白色树脂等光反射构件覆盖。
(安装构件80)
安装构件是安装发光装置(发光装置用封装体)的构件。具体而言,安装构件列举出各种配线基板。配线基板的母材列举出氧化铝、氮化铝等的陶瓷、铜、铝等金属、环氧玻璃、BT树脂、聚酰亚胺等树脂(包括纤维强化树脂)。作为配线的材料,列举出铜、铁、镍、钨、铬、铝、银、金、钛或它们的合金。安装构件的配线具有能够将发光装置通过导电性糊剂进行安装的装置安装部(称为“焊盘”等)。为了抑制导电性糊剂的偏斜,或提高发光装置的自对准性,优选该装置安装部具有与发光装置的引线框的下表面的露出区域大致相等的形状(图案)。
(导电性糊剂)
导电性糊剂是将发光装置向安装构件安装的糊剂状的构件。具体而言,可以使用锡-铋系、锡-铜系、锡-银系、金-锡系等的焊料、银、金、钯等的金属糊剂等。
【实施例】
以下,对本发明的实施例进行详细叙述。需要说明的是,本发明当然没有仅限定为以下所示的实施例。
<实施例1>
实施例1的发光装置为具有图1A~图1C所示的例子的发光装置200的结构的直下(top view)式的SMD型LED。
封装体100是大小为横向7.0mm、纵向2.0mm、厚度0.6mm的长方体状,通过在构成正极·负极的第一及第二引线框11、12以及位于它们之间的第三引线框13上一体地成形树脂成形体20而构成。需要说明的是,该封装体100通过如下这样制作:将多组引线框11、12、13经由悬挂引线(切割后成为悬吊引线部104)纵横相连而成的加工金属板设置在模具内,注入具有流动性的状态的树脂成形体20的构成材料并进行固化、分型,之后分离(切割)成各封装体。
三个引线框11、12、13分别是在表面上实施了银的镀敷的最大厚度为0.3mm的铜合金的板状小片。第一引线框11主要由横向(长度)2.0mm、纵向(宽度)1.5mm(除了悬吊引线部104之外)的俯视下矩形形状的主体部101和从该主体部101向第二引线框12侧延伸的横向(长度)2.0mm、纵向(宽度)0.6mm(除了悬吊引线部104之外)的俯视下矩形形状的延伸部102构成。该延伸部102靠近主体部101的短边方向的一端设置,第一引线框11在俯视下成为L字状。第二引线框12形成为横向(长度)2.0mm、纵向(宽度)1.5mm(除了悬吊引线部104之外)的俯视下矩形形状。第三引线框13以在短边方向上与第一引线框的延伸部102对置的方式配置,形成为横向(长度)1.8mm、纵向(宽度)0.6mm(除了悬吊引线部104之外)的俯视下矩形形状。第一引线框的延伸部102与第二引线框12之间的间隔区域的宽度(长边方向)为0.5mm。另外,第一引线框的主体部101与第三引线框13之间的间隔区域的宽度(长边方向)为0.5mm。而且,第一引线框的延伸部102与第三引线框13之间的间隔区域的宽度(短边方向)为0.4mm。需要说明的是,上述的间隔区域通过基于冲压的冲裁形成。在第一引线框的延伸部102的下表面设有与主体部101密接的横向(长度)0.5mm、纵向(宽度)0.6mm、深度0.15mm的凹陷部13。该凹陷部13由树脂成形体20填埋。由此,延伸部的下表面的露出区域107的大致全部通过填埋凹陷部13的树脂成形体20而与第一引线框的主体部的下表面的露出区域105分离。另外,第一及第二引线框11、12的下表面的周缘的一部分、及第三引线框13的下表面的周缘的全部形成有宽度0.12mm、深度0.09mm的凹陷部,该凹陷部也由树脂成形体20填埋。上述的凹陷部通过蚀刻形成。三个引线框的下表面的露出区域与树脂成形体20的下表面实质上为同一面,从而构成封装体100的下表面。另外,三个引线框的下表面的各露出区域为大致矩形形状(四角带有圆角)。需要说明的是,第一及第二引线框11、12分别在面向封装体100的长边方向的端面上露出它们的一部分(也有悬吊引线部104中的一个)。在该露出部上,与下表面连续而形成有作为缺口(キヤスタレ一ション)发挥功能的凹坑。
树脂成形体20是俯视下的外形为横向7.0mm、纵向2.0mm的长方形形状、最大厚度为0.45mm且含有氧化钛的环氧树脂制的成形体。在树脂成形体20的上表面侧的大致中央形成有横向1.4mm、纵向6.4mm、深度0.35mm的俯视下长方形形状(四角带有圆角)的凹部。凹部的侧壁面的倾斜角度从凹部底面起算为5~30°。需要说明的是,在三个引线框11、12、13的上表面中的相当于凹部底面与侧壁面的边界的部位的一部分上形成有宽度0.12mm、深度0.09mm的凹陷部,该凹陷部也由树脂成形体20填埋。
在构成封装体100的凹部底面的第一及第二引线框11、12的上表面上分别通过硅酮树脂的绝缘性粘接剂而各粘接有一个发光元件30。该发光元件30是在蓝宝石基板上顺次层叠有氮化物半导体的n型层、活性层、p型层的可进行蓝色(中心波长约460nm)发光的纵向650μm、横向650μm、厚度150μm的LED元件。两个发光元件30的中心间距离为4.0mm。另外,各发光元件30的p、n电极中的一方通过线材40与载置该元件的引线框连接,p、n电极中的另一方通过线材40与第三引线框13的上表面连接。由此,使两个发光元件30串联连接。线材40是线径为25μm的金线。
另外,在第一引线框的延伸部102的上表面,通过银糊剂的导电性粘接剂而粘接有纵向150μm、横向150μm、厚度85μm的对置电极结构的稳压二极管即保护元件70。另外,保护元件70的上表面电极通过线材40与第二引线框12的上表面连接。
在收容有上述两个发光元件30和保护元件70的封装体100的凹部填充密封构件50,来覆盖各元件。密封构件50以硅酮树脂为母材,且该密封构件50中含有由铈激活的钇·铝·石榴石(YAG:Ce)的荧光体60和二氧化硅的填充剂。密封构件50的上表面与树脂成形体的凹部侧壁23的上表面大致为同一面,从而大致形成为平坦面。该密封构件50通过在具有流动性的状态下使用分配器而向封装体100的凹部内填充,通过进行加热等使之固化而形成。需要说明的是,荧光体60沉降到凹部底面侧。
以上那样构成的实施例1的封装体及发光装置能够起到与实施方式1的封装体100及发光装置200同样的效果。
本发明的发光装置用封装体能够适合利用作为SMD型LED的封装体。另外,使用了本发明的封装体的发光装置能够利用于液晶显示器的背光光源、各种照明器具、大型显示器、广告或导航装置等的各种显示装置、以及数码摄像机、传真机、复印机、扫描器等中的图像读取装置、投影装置等。
对本领域技术人员来说,应当知晓以上所公开的本发明的优选实施方式仅用于解释本发明的主旨,但并不将本发明的范围局限于此。本发明可以在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。本发明基于日本国专利申请2012-289198号(2012年12月29日申请)而主张优先权,并将该申请的全部内容援引于此。
Claims (12)
1.一种发光装置,其具备发光装置用封装体和发光元件,
所述发光装置用封装体在俯视下具有长边方向和与该长边方向正交的短边方向,
所述发光装置用封装体具备:
在所述长边方向上排列的第一引线框及第二引线框;以及
与所述第一引线框及第二引线框一体成形的树脂成形体,
其中,所述第一引线框具备:
主体部;以及
从所述主体部朝向所述第二引线框侧宽度变窄而延伸的延伸部,
在所述第一引线框的下表面设有凹陷部,
所述延伸部的下表面的露出区域的至少一部分通过填埋所述凹陷部的树脂成形体而与所述主体部的下表面的露出区域分离,
所述第一引线框及第二引线框是板状,且均未被折弯加工,
所述发光元件分别载置在所述第一引线框及第二引线框的上表面。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述延伸部的下表面的露出区域的全部通过填埋所述凹陷部的树脂成形体而与所述主体部的下表面的露出区域分离。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述延伸部的下表面的露出区域为矩形形状。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述延伸部位于该发光装置用封装体的中央。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述发光装置用封装体具备以在所述短边方向上与所述延伸部对置的方式配置的第三引线框,
所述第三引线框的下表面的至少一部分从所述树脂成形体露出。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述第二引线框具有主体部和从所述主体部向所述第一引线框侧宽度变窄而延伸的延伸部,
在所述第二引线框的下表面设有凹陷部,
所述第二引线框的所述延伸部的下表面的露出区域的至少一部分通过填埋所述第二引线框的所述凹陷部的树脂成形体而与所述第二引线框的所述主体部的下表面的露出区域分离,
所述第一引线框及第二引线框的所述延伸部以在所述短边方向上相互对置的方式配置。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
在该发光装置用封装体的上表面侧,所述树脂成形体具有使所述第一引线框的所述主体部的上表面的至少一部分和所述第一引线框的所述延伸部的上表面的所述第二引线框侧的至少一部分露出且沿着所述短边方向延伸设置的中间壁部。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其中,
所述中间壁部设置在所述第一引线框的所述延伸部上。
9.一种发光装置用封装体,其在俯视下具有长边方向和与该长边方向正交的短边方向,所述发光装置用封装体具备:
在所述长边方向上排列的第一引线框及第二引线框;以及
与所述第一引线框及第二引线框一体成形的树脂成形体,
其中,所述第一引线框具备:
主体部;以及
从所述主体部朝向所述第二引线框侧宽度变窄而延伸的延伸部,
在所述第一引线框的下表面设有凹陷部,
所述延伸部的下表面的露出区域的至少一部分通过填埋所述凹陷部的树脂成形体而与所述主体部的下表面的露出区域分离,
在该发光装置用封装体的上表面侧,所述树脂成形体具有使所述第一引线框的所述主体部的上表面的至少一部分和所述第一引线框的所述延伸部的上表面的所述第二引线框侧的至少一部分露出且沿着所述短边方向延伸设置的中间壁部,
所述中间壁部设置在所述第一引线框的所述延伸部上,
所述第二引线框具有主体部和从所述主体部向所述第一引线框侧宽度变窄而延伸的延伸部,
所述第一引线框及第二引线框的所述延伸部以在所述短边方向上相互对置的方式配置,
所述中间壁部包括跨在所述第一引线框及第二引线框的所述延伸部上而设置的第一壁部和第二壁部,
通过所述第一壁部和所述第二壁部,将所述第一引线框及第二引线框的所述延伸部的上表面分别划分成三个露出区域。
10.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述发光装置具备在所述第一引线框的所述延伸部的上表面载置的保护元件。
11.一种照明装置,其中
作为权利要求1所述的发光装置的第一发光装置及第二发光装置在所述长边方向上排列,
所述第一发光装置中最接近所述第二发光装置配置的第一发光元件与所述第二发光装置中最接近所述第一发光装置配置的第二发光元件的间隔和所述第一发光装置中所述第一发光元件与配置在所述第一发光元件的旁边的第三发光元件的间隔相等。
12.根据权利要求11所述的照明装置,其中,
所述第一发光装置所具备的发光元件彼此的间隔与所述第二发光装置所具备的发光元件彼此的间隔相等。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012289198A JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2012-12-29 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
JP2012-289198 | 2012-12-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103915542A CN103915542A (zh) | 2014-07-09 |
CN103915542B true CN103915542B (zh) | 2017-03-01 |
Family
ID=49917512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310741062.3A Active CN103915542B (zh) | 2012-12-29 | 2013-12-27 | 发光装置用封装体、具备其的发光装置及具备该发光装置的照明装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9257417B2 (zh) |
EP (1) | EP2750212B1 (zh) |
JP (1) | JP6107136B2 (zh) |
KR (1) | KR102109651B1 (zh) |
CN (1) | CN103915542B (zh) |
TW (1) | TWI540770B (zh) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6102187B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP2015041685A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US10323803B2 (en) * | 2014-11-18 | 2019-06-18 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device and vehicular lamp comprising same |
JP6573356B2 (ja) | 2015-01-22 | 2019-09-11 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム |
WO2017010851A1 (ko) | 2015-07-16 | 2017-01-19 | 엘지이노텍(주) | 발광 소자 패키지 |
JP6646969B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2020-02-14 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
DE102015113438B4 (de) | 2015-08-14 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Trägersubstrat für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil |
US10312184B2 (en) * | 2015-11-04 | 2019-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor systems having premolded dual leadframes |
JP6508131B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2019-05-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102554231B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2023-07-12 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지 |
US9893250B1 (en) | 2016-12-16 | 2018-02-13 | Nichia Corporation | Light emitting device having silicone resin-based sealing member |
JP6680258B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP6916453B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-08-11 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP6680274B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び樹脂付リードフレーム |
US11205740B2 (en) * | 2017-09-01 | 2021-12-21 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting device including same |
KR102401827B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2022-05-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치 |
KR20190074200A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
JP7147173B2 (ja) * | 2018-02-14 | 2022-10-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7116303B2 (ja) | 2018-06-25 | 2022-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及び発光装置 |
CN113078254B (zh) * | 2021-03-18 | 2022-11-01 | 江门市迪司利光电股份有限公司 | 一种双源发光led封装方法和封装结构 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101150164A (zh) * | 2006-09-22 | 2008-03-26 | 株式会社东芝 | 光半导体器件和光半导体器件的制造方法 |
CN101673796A (zh) * | 2008-09-09 | 2010-03-17 | 日亚化学工业株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0770363B2 (ja) | 1987-02-28 | 1995-07-31 | イビデン株式会社 | 印刷抵抗体付プリント配線板 |
JP3488570B2 (ja) | 1996-03-29 | 2004-01-19 | ローム株式会社 | Led発光装置およびこれを用いた面発光照明装置 |
US20030075724A1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-04-24 | Bily Wang | Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes |
DE10041686A1 (de) * | 2000-08-24 | 2002-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips |
JP4724965B2 (ja) | 2001-07-10 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | フレキシブル配線基板 |
JP2003110145A (ja) | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Harvatek Corp | 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ |
KR100591688B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2006-06-22 | 럭스피아 주식회사 | 리드프레임 및 이를 이용한 측면형 발광 다이오드 패키지 |
JP2005197329A (ja) | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造 |
JP4489485B2 (ja) | 2004-03-31 | 2010-06-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4359195B2 (ja) | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
KR100638721B1 (ko) | 2005-01-28 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지 |
JP5032747B2 (ja) | 2005-02-14 | 2012-09-26 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
US7675145B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
KR100809210B1 (ko) * | 2006-07-10 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US7960819B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-06-14 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state emitting devices |
TWM312778U (en) | 2006-12-22 | 2007-05-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | Improved LED |
JP5168152B2 (ja) | 2006-12-28 | 2013-03-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP4996998B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2012-08-08 | シャープ株式会社 | 照明装置 |
WO2008156020A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | 基板及び照明装置 |
KR101349605B1 (ko) | 2007-09-27 | 2014-01-09 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 제조방법 |
TWM330569U (en) | 2007-10-09 | 2008-04-11 | Everlight Electronics Co Ltd | LED seal structure |
EP2216385B1 (en) | 2007-11-30 | 2013-03-27 | Nichia Corporation | Phosphor, light-emitting device using the same, and method for producing phosphor |
KR100998233B1 (ko) | 2007-12-03 | 2010-12-07 | 서울반도체 주식회사 | 슬림형 led 패키지 |
US8382322B2 (en) * | 2008-12-08 | 2013-02-26 | Avx Corporation | Two part surface mount LED strip connector and LED assembly |
JP5585013B2 (ja) | 2009-07-14 | 2014-09-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5446843B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-03-19 | 豊田合成株式会社 | Led発光装置 |
KR101041503B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2011-06-16 | 우리엘이디 주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
JP5710128B2 (ja) | 2010-01-19 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP5378568B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
JP5010716B2 (ja) | 2010-01-29 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
JP5587625B2 (ja) | 2010-02-01 | 2014-09-10 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレーム及びledパッケージ用基板 |
KR101867106B1 (ko) | 2010-03-30 | 2018-06-12 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Led용 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 led용 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법 |
JP5528900B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2014-06-25 | ローム株式会社 | 発光素子モジュール |
JP5533203B2 (ja) | 2010-04-30 | 2014-06-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
KR101039994B1 (ko) | 2010-05-24 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
KR101103674B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
US8648359B2 (en) * | 2010-06-28 | 2014-02-11 | Cree, Inc. | Light emitting devices and methods |
KR20120001189A (ko) | 2010-06-29 | 2012-01-04 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP2012028694A (ja) | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
WO2012014382A1 (ja) | 2010-07-27 | 2012-02-02 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
TWM400099U (en) * | 2010-09-27 | 2011-03-11 | Silitek Electronic Guangzhou | Lead frame, package structure and lighting device thereof |
JP2012084810A (ja) | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Toppan Printing Co Ltd | Led素子用リードフレーム基板及び発光素子 |
JP5886584B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-03-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
KR20120093679A (ko) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
JP5766976B2 (ja) | 2011-02-28 | 2015-08-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR101812761B1 (ko) * | 2011-03-02 | 2017-12-28 | 서울반도체 주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
JP2012190970A (ja) | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Panasonic Corp | 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP2012195430A (ja) | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
KR101116951B1 (ko) * | 2011-03-21 | 2012-03-14 | 희성전자 주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
JP5781801B2 (ja) | 2011-03-29 | 2015-09-24 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
KR101832306B1 (ko) * | 2011-05-30 | 2018-02-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
KR101806550B1 (ko) | 2011-06-14 | 2017-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
CN103367615B (zh) | 2012-04-06 | 2018-02-02 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置用封装成形体及使用了它的发光装置 |
CN103367344B (zh) * | 2012-04-11 | 2016-04-27 | 光宝电子(广州)有限公司 | 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条 |
KR101957884B1 (ko) | 2012-05-14 | 2019-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치 |
KR101886157B1 (ko) | 2012-08-23 | 2018-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 조명시스템 |
JP6102187B2 (ja) | 2012-10-31 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
TW201434134A (zh) | 2013-02-27 | 2014-09-01 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光裝置、背光模組及照明模組 |
US9728685B2 (en) | 2013-02-28 | 2017-08-08 | Nichia Corporation | Light emitting device and lighting device including same |
US9748164B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
JP6291713B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム |
JP6221403B2 (ja) | 2013-06-26 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6237174B2 (ja) | 2013-12-05 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2012
- 2012-12-29 JP JP2012289198A patent/JP6107136B2/ja active Active
-
2013
- 2013-12-26 TW TW102148498A patent/TWI540770B/zh active
- 2013-12-27 US US14/141,429 patent/US9257417B2/en not_active Ceased
- 2013-12-27 CN CN201310741062.3A patent/CN103915542B/zh active Active
- 2013-12-27 KR KR1020130165056A patent/KR102109651B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-27 EP EP13199676.1A patent/EP2750212B1/en active Active
-
2017
- 2017-03-13 US US15/458,000 patent/USRE47504E1/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101150164A (zh) * | 2006-09-22 | 2008-03-26 | 株式会社东芝 | 光半导体器件和光半导体器件的制造方法 |
CN101673796A (zh) * | 2008-09-09 | 2010-03-17 | 日亚化学工业株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014130973A (ja) | 2014-07-10 |
KR20140088021A (ko) | 2014-07-09 |
US9257417B2 (en) | 2016-02-09 |
JP6107136B2 (ja) | 2017-04-05 |
EP2750212A1 (en) | 2014-07-02 |
KR102109651B1 (ko) | 2020-05-12 |
US20140183574A1 (en) | 2014-07-03 |
CN103915542A (zh) | 2014-07-09 |
TWI540770B (zh) | 2016-07-01 |
USRE47504E1 (en) | 2019-07-09 |
TW201436304A (zh) | 2014-09-16 |
EP2750212B1 (en) | 2018-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103915542B (zh) | 发光装置用封装体、具备其的发光装置及具备该发光装置的照明装置 | |
US10374136B2 (en) | Light emitting apparatus | |
CN104253203B (zh) | 发光装置用封装件及使用了它的发光装置 | |
JP5753446B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
US9281460B2 (en) | Light emitting device package and light emitting device having lead-frames | |
US11508701B2 (en) | Light emitting device | |
KR101635650B1 (ko) | 발광 장치 | |
KR102236796B1 (ko) | 발광 장치 | |
KR20090009160A (ko) | 발광장치 및 그 제조방법 | |
JP6368924B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4059293B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5034686B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4924012B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2016063121A (ja) | 発光装置 | |
JP4026659B2 (ja) | 側面発光型発光装置 | |
JP6668742B2 (ja) | 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法 | |
JP2017175170A (ja) | 発光装置 | |
JP6414609B2 (ja) | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |