KR102401827B1 - 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치 - Google Patents
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Abstract
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 프레임과, 상기 복수 개의 프레임을 지지하는 몸체와, 상기 복수 개의 프레임 상에 배치되는 복수 개의 발광 소자 및 상기 몸체와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 제1 수지;를 포함할 수 있다.
상기 프레임 각각은 적어도 하나의 관통홀을 포함하고, 상기 몸체는 상기 프레임의 상면과 동일한 평면의 상면을 포함하고, 상기 몸체의 상면은 상기 프레임 사이에서 상기 몸체의 하면으로 오목한 리세스를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지는 상기 리세스에 배치되고, 상기 관통홀 및 상기 리세스 모두는 상기 발광 소자와 중첩될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 프레임과, 상기 복수 개의 프레임을 지지하는 몸체와, 상기 복수 개의 프레임 상에 배치되는 복수 개의 발광 소자 및 상기 몸체와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 제1 수지;를 포함할 수 있다.
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상기 제1 수지는 상기 리세스에 배치되고, 상기 관통홀 및 상기 리세스 모두는 상기 발광 소자와 중첩될 수 있다.
Description
실시예는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 종래기술에 의하면, 패키지 몸체와 발광소자 간의 본딩 결합력의 이슈가 있고, 이에 따라 결합력 저하에 따른 신뢰성 이슈가 있다.
또한, 종래기술의 발광소자 패키지에 있어, 패키지 몸체의 전극과 발광소자 간의 본딩 결합력 및 본딩의 신뢰성 이슈가 있다.
예를 들어, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장 됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용되는데, 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결이나 물리적 본딩 결합의 안정성이 약화되어 전기적, 물리적 신뢰성의 문제가 있다.
또한 현재 및 미래 기술에서 고 출력을 제공할 수 있는 발광소자가 요청됨에 따라, 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 발광소자에 대한 연구가 진행되고 있으나 이에 대한 대응방안이 미약한 상태이다.
특히 발광소자에 고 전원을 인가하는 경우 발광소자에 신뢰성이 저하될 수 있고, 여러 개의 발광소자를 채용하는 경우 반도체 패키지 사이즈가 커지는 문제가 있다.
또한, 종래기술에서 발광소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 종래기술에서 발광소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 고출력을 제공하면서도 신뢰성이 우수하며, 반도체 패키지 사이즈가 컴팩트한 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공하고자 한다.
또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 패키지 몸체와 발광소자 간의 본딩 결합력을 향상킬 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공하고자 한다.
또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 패키지 몸체의 전극과 발광소자 전극 간의 본딩영역에서 전기적, 물리적 신뢰성의 문제를 해결할 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공하고자 한다.
또한, 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 광도를 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공하고자 한다.
또한, 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공하고자 한다.
실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 사항에 한정되는 것은 아니며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체와, 상기 몸체 상에 배치되며 서로 이격되어 있는 복수 개의 프레임과, 상기 복수 개의 프레임 상에 배치되는 복수 개의 발광 소자 및 상기 몸체와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 제1 수지;를 포함할 수 있다.
상기 프레임 각각은 적어도 하나의 관통홀을 포함하고, 상기 몸체는 상기 프레임의 상면과 동일한 평면의 상면을 포함하고, 상기 몸체의 상면은 상기 프레임 사이에서 상기 몸체의 하면으로 오목한 리세스를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지는 상기 리세스에 배치되고, 상기 관통홀 및 상기 리세스 모두는 상기 발광 소자와 중첩될 수 있다.
실시예에 의하면, 고출력을 제공하면서도 신뢰성이 우수하며, 반도체 패키지 사이즈가 컴팩트한 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
또한 실시예에 의하면, 패키지 몸체와 발광소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
또한 실시예에 의하면, 패키지 몸체의 전극과 발광소자의 전극 간의 본딩영역에서 전기적, 물리적 신뢰성이 우수한 효과가 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 발광소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한, 실시예에 의하면, 광도를 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
실시예의 기술적 효과는 본 항목에 기재된 사항에 한정되는 것은 아니며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.
도 1a와 도 1b는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도와 단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 따른 단면도.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 4는 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 5a와 도 5b는 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도와 단면도.
도 6은 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 따른 단면도.
도 7은 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 따른 단면도.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 4는 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 5a와 도 5b는 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도와 단면도.
도 6은 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 따른 단면도.
도 7은 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
이하 상기의 과제를 해결하기 위한 구체적으로 실현할 수 있는 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
반도체 소자는 발광소자, 수광 소자 등 각종 전자 소자 포함할 수 있으며, 발광소자와 수광소자는 모두 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 반도체 소자는 발광소자일 수 있다.
발광소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해서 결정된다. 따라서, 방출되는 빛은 상기 물질의 조성에 따라 다를 수 있다.
<제1 실시예>
도 1a은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이며, 도 1b는 도 1a에서 A1-A1’선을 따른 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 프레임과, 상기 복수 개의 프레임을 지지하는 몸체와, 상기 복수 개의 프레임 상에 배치되는 복수 개의 발광 소자 및 상기 몸체와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 제1 수지;를 포함할 수 있다.
상기 프레임 각각은 적어도 하나의 관통홀을 포함하고, 상기 몸체는 상기 프레임의 상면과 동일한 평면의 상면을 포함하고, 상기 몸체의 상면은 상기 프레임 사이에서 상기 몸체의 하면으로 오목한 리세스를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지는 상기 리세스에 배치되고, 상기 관통홀 및 상기 리세스 모두는 상기 발광 소자와 중첩될 수 있다.
우선 도 1a와 도 1b를 참조하면, 실시예는 몸체(113) 상에 배치된 복수의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 상호 이격된 제1 프레임(151), 제2 프레임(152), 제3 프레임(153) 및 제4 프레임(154)을 포함할 수 있다.
상기 제1 프레임(151)은 제3 프레임(153)과 제2 브릿지 전극(150B2)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 프레임(152)은 제4 프레임(154)과 제1 브릿지 전극(150B1)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 프레임(152)과 상기 제3 프레임(153)에는 각각 제1 도전형 전원과 제2 도전형 전원이 인가될 수 있다. 상기 제1 프레임(151)과 상기 제4 프레임(154)는 직접적인 전원이 인가되지 않을 수 있고, 제1 브릿지 전극(150B1)과 제2 브릿지 전극(150B2)에 의해 전원이 인가될 수 있다.
상기 제1 브릿지 전극(150B1)과 제2 브릿지 전극(150B2)은 상하간에 중첩될 수 있다. 상기 제1 브릿지 전극(150B1)과 제2 브릿지 전극(150B2)은 같은 전도성 물질로 형성될 수 있으며, 또한 서로 다른 전도성 물질로 형성될 수 있다.
제1 실시예는 복수의 발광소자를 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 제1 발광소자(120A), 제2 발광소자(120B) 및 제3 발광소자(120C)를 포함할 수 있다.
각 발광소자는 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하여 상기 프레임에 실장될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광소자(120A)는 제1 프레임(151)과 제2 프레임(152) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제2 발광소자(120B)는 제2 프레임(152)과 제3 프레임(153) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제3 발광소자(120C)는 제3 프레임(153)과 제4 프레임(154) 상에 배치될 수 있다.
제1 실시예서는 제1 발광소자(120A) 내지 제3 발광소자(120C)가 전기적으로 병렬연결된 상태를 나타낸 것이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 프레임 상에 제너 다이오드(190)를 실장함으로써 컴팩트한 발광소자 패키지를 구현할 수 있다.
예를 들어, 제1 실시예는 제1 브릿지 전극(150B1) 상에 제너 다이오드(190)를 실장하고, 와이어(190W)에 의해 제3 프레임(153)과 연결될 수 있다.
제너 다이오드(190)는 수직형 발광소자일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 실시예에서 상기 제너 다이오드(190)는 절연성 반사층(미도시)에 의해 매립될 수 있다. 예를 들어, 상기 제너 다이오드(190)는 화이트 실리콘 등에 의해 매립되어 광 흡수 손실을 방지할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 실시예는 발광소자가 배치되는 몸체(113)에 소정의 개구부(TH)를 구비하고, 도전층(320)을 형성함으로써 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 발광소자(120A) 및 제3 발광소자(120C)와 중첩되는 영역에 개구부(TH)를 형성하고, 개구부(TH)에 도전층(320)을 형성할 수 있다. 이에 대해서는 도 2를 참조하여 상술하기로 한다.
아울러 실시예는 발광소자와 중첩되는 영역에 리세스(미도시)를 형성하고, 수지를 형성하여 접촉력을 향상시킬 수 있다.
실시예에서 제1 브릿지 전극(150B1)은 몸체(113)의 상측에 형성될 수 있으며, 제2 브릿지 전극(150B2)은 몸체(113)의 하측에 형성되며, 그 하측으로 노출될 수 있다.
도 2는 도 1a에서 B1-B1’선을 따른 단면도이다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 2에 도시된 바와 같이, 몸체(113), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(113)는 상부 면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PI(Poly Imide), PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러의 반사 물질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 양자점, 형광체 등의 파장 변환 물질을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)는, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 2에 도시된 바와 같이, 개구부(TH)와 개구부(TH)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(113)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(113)의 하면을 관통하는 상기 개구부(TH)를 포함할 수 있다.
상기 개구부(TH)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 개구부(TH)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 개구부(TH)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 3에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(113)의 하면으로 오목하게 제공될 수 있다.
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다.
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있으며 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)에 아래에 상기 발광소자(120)의 단축 방향으로 연장되어 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 둘레에 배치되어 상기 개구부(TH)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 본딩부(122)의 둘레에 배치되어 상기 개구부(TH)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 수지(130)는 예로서 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.
실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이는 상기 개구부(TH)의 깊이 또는 상기 개구부(TH)의 깊이에 비해 작게 제공될 수 있다.
상기 리세스(R)의 깊이는 상기 제1 수지(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지에 크랙이 발생하지 않도록 결정될 수 있다.
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 제1 수지(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.
상기 리세스(R)의 깊이와 폭은 상기 제1 수지(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이와 폭은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 제1 수지(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(117)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 2에 도시된 바와 같이, 도전층(320)을 포함할 수 있다.
상기 도전층(320))은 상기 개구부(TH)에 제공될 수 있다. 상기 도전층(320))은 상기 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 개구부(TH)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 개구부(TH)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.
상기 도전층(320))은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 도전층(320))은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 도전층(320))은 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.
상기 도전층(320)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 도전층(320))은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 도전층(320)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
<제2 실시예>
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
제2 실시예는 제1 실시예의 기술적 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제2 실시예의 주된 특징을 중심으로 기술하기로 한다.
우선 도 3을 참조하면, 실시예는 몸체(113) 상에 배치된 복수의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 상호 이격된 제1 프레임(151), 제2 프레임(152), 제3 프레임(153) 및 제4 프레임(154)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(151)은 제3 프레임(153)과 제2 브릿지 전극(150B2)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 프레임(152)은 제4 프레임(154)과 제1 브릿지 전극(150B1)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 프레임(152)과 상기 제3 프레임(153)에는 각각 제1 도전형 전원과 제2 도전형 전원이 인가될 수 있다. 상기 제1 프레임(151)과 상기 제4 프레임(154)는 직접적인 전원이 인가되지 않을 수 있고, 제2 브릿지 전극(150B2)과 제1 브릿지 전극(150B1)에 의해 전원이 인가될 수 있다.
실시예는 복수의 발광소자를 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 제1 발광소자(120A), 제2 발광소자(120B), 제3 발광소자(120C) 및 제4 발광소자(120D)를 포함할 수 있다. 각 발광소자는 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하여 상기 프레임에 실장될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광소자(120A)는 제1 프레임(151)과 제2 프레임(152) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제2 발광소자(120B)는 제2 프레임(152)과 제3 프레임(153) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제3 발광소자(120C)는 제3 프레임(153)과 제4 프레임(154) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제4 발광소자(120D)는 제4 프레임(154)과 제1 프레임(151) 상에 배치될 수 있다.
제1 실시예서는 제1 발광소자(120A) 내지 제4 발광소자(120D)가 전기적으로 병렬 연결된 상태를 나타낸 것이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 프레임 상에 제너 다이오드(190)를 실장함으로써 컴팩트한 발광소자 패키지를 구현할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 제1 브릿지 전극(150B1) 상에 제너 다이오드(190)를 실장하고, 와이어(190W)에 의해 제3 프레임(153)과 연결될 수 있다. 제너 다이오드(190)는 수직형 발광소자일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 실시예에서 상기 제너 다이오드(190)는 절연성 반사층(미도시)에 의해 매립될 수 있다. 예를 들어, 상기 제너 다이오드(190)는 화이트 실리콘 등에 의해 매립되어 광 흡수 손실을 방지할 수 있다.
실시예에서 제1 브릿지 전극(150B1)은 몸체(113)의 상측에 형성될 수 있으며, 제2 브릿지 전극(150B2)은 몸체(113)의 하측에 형성되며, 그 하측으로 노출될 수 있다.
<제3 실시예>
도 4는 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
제3 실시예는 제1 실시예 내지 제2 실시예의 기술적 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제3 실시예의 주된 특징을 중심으로 기술하기로 한다.
도 4를 참조하면, 실시예는 몸체(113) 상에 배치된 복수의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 상호 이격된 제1 프레임(151), 제2 프레임(152), 제3 프레임(153) 및 제4 프레임(154)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(151)은 제3 프레임(153)과 제2 브릿지 전극(150B2)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 프레임(152)은 제4 프레임(154)과 제1 브릿지 전극(150B1)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 프레임(152)과 상기 제3 프레임(153)에는 각각 제1 도전형 전원과 제2 도전형 전원이 인가될 수 있다. 상기 제1 프레임(151)과 상기 제4 프레임(154)는 직접적인 전원이 인가되지 않을 수 있고, 제2 브릿지 전극(150B2)과 제1 브릿지 전극(150B1)에 의해 전원이 인가될 수 있다.
실시예는 복수의 발광소자를 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 제1 발광소자(120A), 제2 발광소자(120B), 제3 발광소자(120C)를 포함할 수 있다. 각 발광소자는 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하여 상기 프레임에 실장될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광소자(120A)는 제1 프레임(151)과 제2 프레임(152) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제2 발광소자(120B)는 제2 프레임(152)과 제3 프레임(153) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제3 발광소자(120C)는 제3 프레임(153)과 제4 프레임(154) 상에 배치될 수 있다.
실시예서는 제1 발광소자(120A) 내지 제3 발광소자(120C)가 전기적으로 병렬 연결된 상태를 나타낸 것이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 실시예는 제3 실시예에 비해 장축의 발광소자를 배치하여 광도를 향상시킬 수 있다.
제3 실시예는 제1 실시예에 비해 단축 발광소자를 배치하여 컴팩트한 발광소자 패키지를 구현할 수 있다.
실시예는 프레임 상에 제너 다이오드(190)를 실장함으로써 컴팩트한 발광소자 패키지를 구현할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 제1 브릿지 전극(150B1) 상에 제너 다이오드(190)를 실장하고, 와이어(190W)에 의해 제3 프레임(153)과 연결될 수 있다. 제너 다이오드(190)는 수직형 발광소자일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 실시예에서 상기 제너 다이오드(190)는 절연성 반사층(미도시)에 의해 매립될 수 있다. 예를 들어, 상기 제너 다이오드(190)는 화이트 실리콘 등에 의해 매립되어 광 흡수 손실을 방지할 수 있다.
실시예에서 제1 브릿지 전극(150B1)은 몸체(113)의 상측에 형성될 수 있으며, 제2 브릿지 전극(150B2)은 몸체(113)의 하측에 형성되며, 그 하측으로 노출될 수 있다.
<제4 실시예>
도 5a와 도 5b는 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도와 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 프레임과, 상기 복수 개의 프레임을 지지하는 몸체와, 상기 복수 개의 프레임 상에 배치되는 복수 개의 발광 소자 및 상기 몸체와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 제1 수지;를 포함할 수 있다.
상기 프레임 각각은 적어도 하나의 관통홀을 포함하고, 상기 몸체는 상기 프레임의 상면과 동일한 평면의 상면을 포함하고, 상기 몸체의 상면은 상기 프레임 사이에서 상기 몸체의 하면으로 오목한 리세스를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지는 상기 리세스에 배치되고, 상기 관통홀 및 상기 리세스 모두는 상기 발광 소자와 중첩될 수 있다.
우선 도 5a와 도 5b를 참조하면, 실시예는 몸체(113) 상에 배치된 복수의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 상호 이격된 제1 프레임(151), 제2 프레임(152), 제3 프레임(153) 및 제4 프레임(154)을 포함할 수 있다.
본 실시예서는 제1 발광소자(120A) 내지 제3 발광소자(120C)가 전기적으로 직렬 연결된 상태를 나타낸 것이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 프레임(151)과 상기 제4 프레임(154)에는 각각 제1 도전형 전원과 제2도전형 전원이 인가될 수 있다. 상기 제2 프레임(152)과 상기 제3 프레임(153)는 직접적인 전원이 인가되지 않을 수 있다.
실시예는 복수의 발광소자를 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 제1 발광소자(120A), 제2 발광소자(120B) 및 제3 발광소자(120C)를 포함할 수 있다.
각 발광소자는 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하여 상기 프레임에 실장될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광소자(120A)는 제1 프레임(151)과 제2 프레임(152) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 발광소자(120B)는 제2 프레임(152)과 제3 프레임(153) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 발광소자(120C)는 제3 프레임(153)과 제4 프레임(154) 상에 배치될 수 있다.
본 실시예서는 제1 발광소자(120A) 내지 제3 발광소자(120C)가 전기적으로 직렬 연결된 상태를 나타낸 것이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 제1 프레임(151)과 제4 프레임(154)에 각각 전원이 인가되고, 제2 프레임(152)과 제3 프레임(153)에는 직접적인 전원이 인가되지 않을 수 있으며, 제1 발광소자(120A)와 제2 발광소자(120B), 제3 발광소자(120C)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예는 프레임 상에 제너 다이오드(190)를 실장함으로써 컴팩트한 발광소자 패키지를 구현할 수 있다.
예를 들어, 본 실시예는 제1 프레임(151)으로부터 연장되는 돌출 전극(151P) 상에 제너 다이오드(190)를 실장하고, 와이어(190W)에 의해 제4 프레임(153)과 연결될 수 있다.
또한 실시예에서 상기 제너 다이오드(190)는 절연성 반사층(미도시)에 의해 매립될 수 있다. 예를 들어, 상기 제너 다이오드(190)는 화이트 실리콘 등에 의해 매립되어 광 흡수 손실을 방지할 수 있다.
제너 다이오드(190)는 수직형 발광소자일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 돌출 전극(151P)은 몸체(113) 상측으로 일부 노출될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 실시예는 발광소자가 배치되는 몸체(113)에 소정의 개구부(TH)를 구비하고, 도전층(320)을 형성함으로써 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 발광소자(120A) 및 제3 발광소자(120C)와 중첩되는 영역에 개구부(TH)를 형성하고, 개구부(TH)에 도전층(320)을 형성할 수 있다.
아울러 실시예는 발광소자와 중첩되는 영역에 리세스(미도시)를 형성하고, 수지를 형성하여 접촉력을 향상시킬 수 있다.
<제5 실시예>
도 6은 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 따른 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예는 몸체(113) 상에 배치된 복수의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 상호 이격된 제1 프레임(151), 제2 프레임(152), 제3 프레임(153) 및 제4 프레임(154)을 포함할 수 있다.
본 실시예서는 제1 발광소자(120A)와 제2 발광소자(120B)는 직렬 연결되고, 제3 발광소자(120C)와 제4 발광소자(120D)는 전기적으로 직렬 연결된 상태를 나타낸 것이다. 이에 따라 전체적으로 직 병렬 연결구조일 수 있다.
상기 제1 프레임(151)과 상기 제3 프레임(153)에는 각각 제1 도전형 전원과 제2도전형 전원이 인가될 수 있다. 상기 제2 프레임(152)과 상기 제4 프레임(154)은 직접적인 전원이 인가되지 않을 수 있다.
실시예는 복수의 발광소자를 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 제1 발광소자(120A), 제2 발광소자(120B), 제3 발광소자(120C) 및 제4 발광소자(120D)를 포함할 수 있다.
각 발광소자는 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하여 상기 프레임에 실장될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광소자(120A)는 제1 프레임(151)과 제2 프레임(152) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 발광소자(120B)는 제2 프레임(152)과 제3 프레임(153) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 발광소자(120C)는 제3 프레임(153)과 제4 프레임(154) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제4 발광소자(120D)는 제4 프레임(154)과 제1 프레임(151) 상에 배치될 수 있다.
실시예는 프레임 상에 제너 다이오드(190)를 실장함으로써 컴팩트한 발광소자 패키지를 구현할 수 있다.
예를 들어, 본 실시예는 제1 프레임(151)으로부터 연장되는 돌출 전극(151P) 상에 제너 다이오드(190)를 실장하고, 와이어(190W)에 의해 제4 프레임(153)과 연결될 수 있다.
또한 실시예에서 상기 제너 다이오드(190)는 절연성 반사층(미도시)에 의해 매립될 수 있다. 예를 들어, 상기 제너 다이오드(190)는 화이트 실리콘 등에 의해 매립되어 광 흡수 손실을 방지할 수 있다.
제너 다이오드(190)는 수직형 발광소자일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 돌출 전극(151P)은 몸체(113) 상측으로 일부 노출될 수 있다.
<제6 실시예>
도 7은 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 7을 참조하면, 실시예는 몸체(113) 상에 배치된 복수의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 상호 이격된 제1 프레임(151), 제2 프레임(152), 제3 프레임(153) 및 제4 프레임(154)을 포함할 수 있다.
본 실시예서는 제1 발광소자(120A) 내지 제3 발광소자(120C)가 전기적으로 직렬 연결된 상태를 나타낸 것이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 프레임(151)과 상기 제4 프레임(154)에는 각각 제1 도전형 전원과 제2도전형 전원이 인가될 수 있다. 상기 제2 프레임(152)과 상기 제3 프레임(153)는 직접적인 전원이 인가되지 않을 수 있다.
실시예는 복수의 발광소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 제1 발광소자(120A), 제2 발광소자(120B) 및 제3 발광소자(120C)를 포함할 수 있다.
각 발광소자는 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하여 상기 프레임에 실장될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광소자(120A)는 제1 프레임(151)과 제2 프레임(152) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 발광소자(120B)는 제2 프레임(152)과 제3 프레임(153) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 발광소자(120C)는 제3 프레임(153)과 제4 프레임(154) 상에 배치될 수 있다.
본 실시예서는 제1 발광소자(120A) 내지 제3 발광소자(120C)가 전기적으로 직렬 연결된 상태를 나타낸 것이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 제1 프레임(151)과 제4 프레임(154)에 각각 전원이 인가되고, 제2 프레임(152)과 제3 프레임(153)에는 직접적인 전원이 인가되지 않을 수 있으며, 제1 발광소자(120A)와 제2 발광소자(120B), 제3 발광소자(120C)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예는 프레임 상에 제너 다이오드(190)를 실장함으로써 컴팩트한 발광소자 패키지를 구현할 수 있다.
예를 들어, 본 실시예는 제1 프레임(151)으로부터 연장되는 돌출 전극(151P) 상에 제너 다이오드(190)를 실장하고, 와이어(190W)에 의해 제4 프레임(153)과 연결될 수 있다.
또한 실시예에서 상기 제너 다이오드(190)는 절연성 반사층(미도시)에 의해 매립될 수 있다. 예를 들어, 상기 제너 다이오드(190)는 화이트 실리콘 등에 의해 매립되어 광 흡수 손실을 방지할 수 있다.
제너 다이오드(190)는 수직형 발광소자일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 돌출 전극(151P)은 몸체(113) 상측으로 일부 노출될 수 있다.
실시예에 의하면, 고출력을 제공하면서도 신뢰성이 우수하며, 반도체 패키지 사이즈가 컴팩트한 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
또한 실시예에 의하면, 패키지 몸체와 발광소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
또한 실시예에 의하면, 패키지 몸체의 전극과 발광소자의 전극 간의 본딩영역에서 전기적, 물리적 신뢰성이 우수한 효과가 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 발광소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한, 실시예에 의하면, 광도를 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지, 이의 제조방법 및 이를 포함한 광원장치를 제공할 수 있다.
실시예의 기술적 효과는 본 항목에 기재된 사항에 한정되는 것은 아니며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (5)
- 몸체;
상기 몸체 상에 배치되며 서로 이격되어 있는 복수 개의 프레임;
상기 복수 개의 프레임 상에 배치되는 복수 개의 발광 소자; 및
상기 몸체와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 제1 수지; 를 포함하고,
상기 프레임 각각은 적어도 하나의 관통홀을 포함하고,
상기 몸체는 상기 프레임의 상면과 동일한 평면의 상면을 포함하고,
상기 몸체의 상면은 상기 프레임 사이에서 상기 몸체의 하면으로 오목한 리세스를 포함하고,
상기 제1 수지는 상기 리세스에 배치되고,
상기 관통홀 및 상기 리세스 모두는 상기 발광 소자와 중첩되는 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 서로 이격되는 복수 개의 프레임은,
상호 이격된 제1 프레임, 제2 프레임, 제3 프레임및 제4 프레임을 포함하고,
상기 제1 프레임은 상기 제3 프레임과 제2 브릿지 전극에 의해 전기적으로 연결되며,
상기 제2 프레임은 상기 제4 프레임과 제1 브릿지 전극에 의해 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지. - 제2항에 있어서,
상기 제1 브릿지 전극과 상기 제2 브릿지 전극은 상하 간에 중첩되며,
상기 제1 브릿지 전극 상에 제너 다이오드를 실장하고, 상기 제너 다이오드는 소정의 와이어에 의해 상기 제3 프레임과 연결되는 발광 소자 패키지. - 제2항에 있어서,
상기 몸체는 상기 프레임의 관통홀과 중첩되는 영역에 개구부를 구비하고, 상기 개구부와 상기 관통홀에 도전층이 배치되는 발광소자 패키지. - 제1 항 내지 제4항 중 어느 하나에 기재된 발광소자 패키지를 구비하는 발광유닛을 포함하는 조명장치.
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|---|---|---|---|---|
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2017
- 2017-09-15 KR KR1020170119054A patent/KR102401827B1/ko active IP Right Grant
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| US20140183574A1 (en) | 2012-12-29 | 2014-07-03 | Nichia Corporation | Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices |
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