CN109429532B - 发光器件封装和光源设备 - Google Patents

发光器件封装和光源设备 Download PDF

Info

Publication number
CN109429532B
CN109429532B CN201780039734.2A CN201780039734A CN109429532B CN 109429532 B CN109429532 B CN 109429532B CN 201780039734 A CN201780039734 A CN 201780039734A CN 109429532 B CN109429532 B CN 109429532B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
emitting device
electrode
frame
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780039734.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109429532A (zh
Inventor
李太星
宋俊午
任仓满
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd filed Critical Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd
Publication of CN109429532A publication Critical patent/CN109429532A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109429532B publication Critical patent/CN109429532B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
    • F21V23/007—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array enclosed in a casing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/16257—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175—Flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

根据实施例，发光器件封装包括：彼此间隔开的第一框架和第二框架；布置在第一框架和第二框架之间的本体；包括第一电极和第二电极的发光器件；以及布置在所述本体和发光器件之间的粘合剂，其中，第一开口部和第二开口部分别贯穿第一框架和第二框架的上表面和下表面设置，所述本体包括从本体的上表面朝着本体的下表面凹进地设置的凹部，所述粘合剂布置在该凹部中，第一电极布置在第一开口部上，并且第二电极布置在第二开口部上。

Description

发光器件封装和光源设备
技术领域
实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
背景技术
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如宽且易于调节的带隙能，所以该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。
特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。
此外，随着器件材料的发展，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保、易于控制器件材料等的优点，使得光接收器件能够容易地用于功率控制、超高频电路或通信模块。
因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明设备、车辆前照灯、交通灯和用于检测天然气或火灾的传感器。另外，半导体器件的应用能够扩展到高频应用电路、功率控制设备或通信模块。
例如，发光器件可以被提供为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比来实现各种波长。
例如，因为氮化物半导体具有高的热稳定性和宽的带隙能，所以在光学器件和高功率电子器件的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。
例如，紫外发光器件是指产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围中，短波长可以用于灭菌、净化等，而长波长可以用于光刻机、固化设备等。
按照长波长的顺序，紫外线可以被分类为UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)域被应用于各种领域，例如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、假币的鉴别、光催化灭菌、特殊照明(例如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。
同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高功率源来增加输出功率的半导体器件的研究。
另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高半导体器件的光提取效率和提高封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。
另外，关于半导体器件封装，已经进行了通过提高工艺效率和改变结构来降低制造成本和提高制造产量的方法的研究。
发明内容
技术问题
实施例可以提供能够改善光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
实施例可以提供能够降低制造成本并提高制造产量的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
实施例提供了一种半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，其可以防止在将半导体器件封装重新结合到基板等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生重熔现象(re-melting phenomenon)。
技术方案
根据实施例，发光器件封装可以包括：彼此间隔开的第一框架和第二框架；设置在第一框架和第二框架之间的本体；包括第一电极和第二电极的发光器件；以及布置在所述本体和发光器件之间的粘合剂，其中，第一开口部和第二开口部可以分别贯穿第一和第二框架的上表面和下表面设置，所述本体可以包括从本体的上表面朝着本体的下表面凹进地设置的凹部，所述粘合剂可以布置在该凹部中，第一电极可以布置在第一开口部上，并且第二电极可以布置在第二开口部上。
根据实施例，所述粘合剂可以与本体的上表面和发光器件的下表面直接接触。
根据实施例，发光器件封装可以包括：第一导电层，该第一导电层设置在第一开口部中，同时与第一电极的下表面直接接触；和第二导电层，该第二导电层设置在第二开口部中，同时与第二电极的下表面直接接触。
根据实施例，第一导电层可以包括设置在第一开口部的上部区域中的第一上导电层和设置在第一开口部的下部区域中的第一下导电层，并且第一上导电层和第一下导电层可以包括相互不同的材料。
根据实施例，第一框架和第二框架可以是导电框架。
根据实施例，第一框架和第二框架可以是绝缘框架。
根据实施例，该发光器件封装可以包括：第一上凹部，该第一上凹部设置在第一框架的上表面中，同时与第一开口部间隔开；和第二上凹部，该第二上凹部设置在第二框架的上表面中，同时与第二开口部间隔开。
根据实施例，发光器件封装可以包括设置在第一上凹部中的第一树脂部和设置在第二上凹部中的第二树脂部，其中，第一树脂部和第二树脂部可以包括白色硅树脂。
根据实施例，发光器件封装可以包括：第一下凹部，该第一下凹部设置在第一框架的下表面中，同时与第一开口部间隔开；和第二下凹部，该第二下凹部设置在第二框架的下表面中，同时与第二开口部间隔开。
根据实施例，发光器件封装可以包括设置在第一下凹部中的第一树脂部和设置在第二下凹部中的第二树脂部，其中，第一树脂部和第二树脂部可以包括与所述本体的材料相同的材料。
根据实施例，第一下凹部和第二下凹部可以设置有与第一和第二导电层和/或所述本体的材料相同的材料。
有利效果
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够提高光提取效率、电特性和可靠性。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够提高工艺效率并提出了新的封装结构，从而降低了制造成本并提高制造产量。
根据实施例，半导体器件封装设置有具有高反射率的本体，从而能够防止反射器变色，由此提高半导体器件封装的可靠性。
根据实施例，该半导体器件封装和制造半导体器件的方法能够防止在将半导体器件封装重新结合到基板等的过程期间在半导体器件封装的结合区域中发生重熔现象。
附图说明
图1是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的俯视图。
图2是示出了图1中所示的发光器件封装的仰视图。
图3是示出了发光器件封装的沿着图1的线D-D截取的剖视图。
图4至图8是用于描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法的视图。
图9至图11是用于描述适用于图3中所示的发光器件封装的本体的一个变型例的视图。
图12至图14是用于描述适用于图3中所示的发光器件封装的本体的另一变型例的视图。
图15至17是用于描述适用于图3中所示的发光器件封装的本体的又一个变型例的视图。
图18是示出了根据本发明的另一实施例的发光器件封装的视图。
图19是用于描述适用于图18中所示的发光器件封装的第一框架、第二框架和本体的布置的视图。
图20是示出了根据本发明的又一实施例的发光器件封装的视图。
图21是示出了根据本发明的又一实施例的发光器件封装的视图。
图22是示出了根据本发明的又一实施例的发光器件封装的视图。
图23是示出了根据本发明的又一实施例的发光器件封装的视图。
图24是示出了根据本发明的又一实施例的发光器件封装的视图。
图25至图27是用于描述适用于根据本发明的实施例的发光器件封装的开口部的变型例的视图。
图28是示出了适用于根据本发明的实施例的发光器件封装的发光器件的俯视图。
图29是示出了发光器件的沿着图28的线A-A截取的剖视图。
图30a和30b是用于描述通过根据本发明的实施例的制造发光器件的方法形成半导体层的步骤的视图。
图31a和31b是用于描述其中通过根据本发明的实施例的制造发光器件的方法形成欧姆接触层的步骤的视图。
图32a和32b是用于描述其中通过根据本发明地实施例的制造发光器件的方法形成反射层的步骤的视图。
图33a和33b是用于描述其中通过根据本发明的实施例的制造发光器件的方法形成第一子电极和第二子电极的步骤的视图。
图34a和34b是用于描述其中通过根据本发明的实施例的制造发光器件的方法形成保护层的步骤的视图。
图35a和35b是用于描述其中通过根据本发明的实施例的制造发光器件的方法形成第一电极和第二电极的步骤的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述实施例。在对实施例的描述中，在每个层(膜)、区域、图案或结构可以称为被设置在一个基板、每个层(膜)、区域、焊盘或图案“上/上方”或“下方”的情况下，术语“上/上方”或“下方”包括“直接”在上/上方或下方以及“间接地插入有另一层”。另外，将基于附图来描述每层的“上/上方”或“下方”，但实施例不限于此。
在下文中，将参考附图来详细描述根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法。在下文中，描述将基于应用发光器件作为半导体器件的一个示例的情形。
首先，将参考图1至图3描述根据本发明的实施例的发光器件封装。
图1是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的俯视图。图2是示出了图1中所示的发光器件封装的仰视图，并且图3是示出了发光器件封装的沿着图1的线D-D截取的剖视图。
根据实施例，如图1至图3中所示，发光器件封装100可以包括封装本体110和发光器件120。
封装本体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以彼此间隔开。
封装本体110可以包括本体113。本体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。本体113可以用作一种电极分离线。本体113也可以称为绝缘构件。
本体113可以布置在第一框架111上。另外，本体113可以布置在第二框架112上。
本体113可以设置有布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。由于本体113的倾斜表面，可以在第一框架111和第二框架112上方提供腔体C。
根据实施例，封装本体110可以具有设置有腔体C的结构，或者可以具有设置有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，本体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模制化合物(EMC)、硅树脂模塑化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选择的材料形成。另外，本体113可以包括高折射填料，例如TiO2和SiO2。
第一框架111和第二框架112可以是绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以是导电框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述第一框架111和第二框架112是绝缘框架的情况与第一框架111和第二框架112是导电框架的情况之间的区别。
根据实施例，发光器件120可以包括第一电极121、第二电极122和半导体层123。
半导体层123可以包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层。第一电极121可以电连接到第一导电半导体层。另外，第二电极122可以电连接到第二导电半导体层。
发光器件120可以布置在封装本体110上方。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上方。发光器件120可以布置在由封装本体110提供的腔体C中。
第一电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一电极121和第二电极122可以在发光器件120的下表面上彼此间隔开。
第一电极121可以布置在第一框架111上。第二电极122可以布置在第二框架112上。
第一电极121可以布置在半导体层123和第一框架111之间。第二电极122可以布置在半导体层123和第二框架112之间。
可以使用从包括Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO的组中选出的至少一种材料或合金以单层或多层设置第一电极121和第二电极122。
同时，如图1至图3中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一开口部TH1和第二开口部TH2。第一框架111可以包括第一开口部TH1。第二框架112可以包括第二开口部TH2。
第一开口部TH1可以设置在第一框架111中。第一开口部TH1可以贯穿第一框架111设置。第一开口部TH1可以在第一方向上贯穿第一框架111的上表面和下表面设置。
第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一电极121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一电极121重叠。第一开口部TH1可以在从第一框架111的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一电极121重叠。
第二开口部TH2可以设置在第二框架112中。第二开口部TH2可以贯穿第二框架112设置。第二开口部TH2可以在第一方向上贯穿第二框架112的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二电极122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二电极122重叠。第二开口部TH2可以在从第二框架112的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二电极122重叠。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，第一开口部TH1的上部区域的宽度W1可以小于或等于第一电极121的宽度。另外，第二开口部TH2的上部区域的宽度可以小于或等于第二电极122的宽度。
因此，发光器件120的第一电极121能够更牢固地附接到第一框架111。另外，发光器件120的第二电极122能够更牢固地附接到第二框架112。
从第二开口部TH2的上部区域到第二电极122的侧端的距离W6可以是几十微米。例如，从第二开口部TH2的上部区域到第二电极122的侧端的距离W6可以在40微米到60微米的范围内。
当距离W6为40微米或更大时，能够确保用于防止第二电极122在第二开口部TH2的底表面处暴露的工艺余量。另外，当距离W6为60微米或更小时，能够确保在第二开口部TH2处暴露的第二电极122的面积，并且能够减小通过第二开口部TH2暴露的第二电极122的电阻，使得电流能够平滑地注入到通过第二开口部TH2暴露的第二电极122。
另外，第一开口部TH1的上部区域的宽度W1可以小于或等于第一开口部TH1的下部区域的宽度W2。另外，第二开口部TH2的上部区域的宽度可以小于或等于第二开口部TH2的下部区域的宽度。
第一开口部TH1可以设置成倾斜形状，其具有从第一开口部TH1的下部区域到上部区域逐渐减小的宽度。第二开口部TH2可以设置成倾斜形状，其具有从第二开口部TH2的下部区域到上部区域逐渐减小的宽度。
然而，实施例不限于此，并且第一开口部TH1和第二开口部TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以包括具有不同斜率的倾斜表面，并且这些倾斜表面可以布置成具有曲率。
第一框架111和第二框架112的下表面区域中的、第一开口部TH1和第二开口部TH2之间的宽度W3可以是几百微米在第一框架111和第二框架112的下表面区域中的、第一开口部TH1和第二开口部TH2之间的宽度W3可以是例如100微米至150微米。
当发光器件封装100后来安装在电路板、子底座(sub-mount)等上时，第一框架111和第二框架112的下表面区域中的、第一开口部TH1和第二开口部TH2之间的宽度W3可以被选择为预定距离或更长，以便防止焊盘之间的电短路。
根据实施例，发光器件封装100可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在本体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在本体113的上表面与发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例，如图1至图3中所示，发光器件封装100可以包括凹部R。
凹部R可以设置在本体113中。凹部R可以设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2之间。凹部R可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。凹部R可以布置在发光器件120下方。凹部R可以在第一方向上与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和本体113之间。粘合剂130可以布置在第一电极121和第二电极122之间。例如，粘合剂130可以与第一电极121的侧表面和第二电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装本体110之间提供稳定的固定强度。粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供稳定的固定强度。例如，粘合剂130可以与本体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，粘合剂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。另外，例如，如果粘合剂130具有反射功能，则该粘合剂可以包括白色硅树脂。
粘合剂130可以在本体113和发光器件120之间提供稳定的固定强度，并且，如果光通过发光器件120的下表面发射，则粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120通过发光器件120的下表面发射时，粘合剂130可以通过光扩散功能提高发光器件封装100的光提取效率。另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。在粘合剂130具有反射功能的情况下，粘合剂130可以由包括TiO2、硅树脂等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度T1可以小于第一开口部TH1的深度T2或第二开口部TH2的深度T2。
凹部R的深度T1可以考虑到粘合剂130的粘合强度来确定。凹部R的深度T1可以考虑到本体113的稳定强度来确定，和/或被确定为防止由于从发光器件120发出的热量而在发光器件封装100上产生裂缝。
凹部R可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。该底部填充工艺可以是在将发光器件120安装在封装本体110上之后将粘合剂130布置在发光器件120的下部处的工艺，或者在将发光器件120安装在封装本体110上的过程期间在将粘合剂130布置在凹部R中之后布置发光器件120以通过粘合剂130将发光器件120安装在封装本体110上的工艺。凹部R可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面与本体113的上表面之间足够多地提供粘合剂130。另外，凹部R可以具有第二深度或更小深度，以为本体113提供稳定的强度。
凹部R的深度T1和宽度W4可以影响粘合剂130的位置和固定强度。凹部R的深度T1和宽度W4可以被确定为使得布置在本体113和发光器件120之间的粘合剂130提供足够的固定强度。
例如，凹部R的深度T1可以是几十微米。凹部R的深度T1可以是40微米至60微米。
另外，凹部R的宽度W4可以是几十微米到几百微米。在这种情况下，凹部R的宽度W4可以限定在发光器件120的长轴方向上。
凹部R的宽度W4可以比第一电极121和第二电极122之间的距离窄。凹部R的宽度W4可以是140微米至160微米。例如，凹部R的宽度W4可以是150微米。
第一开口部TH1的深度T2可以确定为对应于第一框架111的厚度。可以确定第一开口部TH1的深度T2，使得第一框架111可以维持稳定的强度。
第二开口部TH2的深度T2可以确定为对应于第二框架112的厚度。可以确定第二开口部TH2的深度T2，使得第二框架112可以维持稳定的强度。
第一开口部TH1的深度T2和第二开口部TH2的深度T2可以确定为对应于本体113的厚度。可以确定第一开口部TH1的深度T2和第二开口部TH2的深度T2，使得本体113可以维持稳定的强度。
例如，第一开口部TH1的深度T2可以是几百微米。第一开口部TH1的深度T2可以设置在180微米至220微米的范围内。例如，第一开口部TH1的深度T2可以是200微米。
例如，厚度T2-T1可以被选择为至少100微米。这基于可以在本体113中提供无裂缝的注塑工艺的厚度。
根据实施例，T2/T1的比率可以设置在2到10的范围内。例如，当T2的厚度被设置为200微米时，T1的厚度可以设置在20微米至100微米的范围内。
另外，如图1至图3中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装本体110提供的腔体C中。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换单元，用于接收从发光器件120发射的光以提供经过波长转换的光。例如，模制部140可以包括从由荧光物质、量子点等组成的组中选出的至少一种。
此外，根据实施例，如图1至图3中所示，发光器件封装100可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以与第二导电层322间隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一电极121下方。第一导电层321的宽度可以小于第一电极121的宽度。
第一电极121可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第一开口部TH1被沿着该第一方向设置。第一电极121的宽度可以大于第一开口部TH1在第二方向上的宽度。
第一导电层321可以与第一电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一电极121。第一导电层321可以被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二电极122下方。第二导电层322的宽度可以小于第二电极122的宽度。
第二电极122可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第二开口部TH2被沿着该第一方向设置。第二电极122的宽度可以大于第二开口部TH2在第二方向上的宽度。
第二导电层322可以与第二电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二电极122。第二导电层322可以被第二框架112包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt等组成的组中选择的一种材料或其合金。然而，实施例不限于此，并且第一导电层321和第二导电层322可以由能够确保导电功能的材料形成。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以由导电膏形成。该导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由通过相互不同的材料形成的多层，或由通过合金形成的多层或单层组成。
此外，根据实施例，如图1至图3中所示，发光器件封装100可以包括第一下凹部R10和第二下凹部R20。第一下凹部R10和第二下凹部R20可以彼此间隔开。
第一下凹部R10可以设置在第一框架111的下表面中。第一下凹部R10可以从第一框架111的下表面朝着上表面凹进地设置。第一下凹部R10可以与第一开口部TH1间隔开。
第一下凹部R10可以具有几微米到几十微米的宽度。树脂部可以设置在第一下凹部R10中。填充在第一下凹部R10中的树脂部例如可以由与本体113的材料相同的材料提供。
然而，实施例不限于此，并且该树脂部可以由选自如下材料的材料形成：该材料呈现与第一导电层321和第二导电层322的低粘合强度和低润湿性。替代地，该树脂部可以选自呈现与第一导电层321和第二导电层322的低表面张力的材料。
例如，填充在第一下凹部R10中的该树脂部可以在通过注塑成型工艺等形成第一框架111、第二框架112和本体113的工艺中被提供。
填充在第一下凹部R10中的该树脂部可以布置在第一框架111的设有第一开口部TH1的下表面区域的周边处。第一框架111的设有第一开口部TH1的下表面区域可以具有岛形式的形状，并且可以在该下表面区域周围被与第一框架111的下表面分离。
例如，如图2中所示，第一框架111的设有第一开口部TH1的下表面区域可以通过填充在第一下凹部R10的树脂部和本体113而在该下表面区域周围被与第一框架111隔离。
因此，如果该树脂部由呈现与第一导电层321和第二导电层322的低粘合强度和低润湿性的材料或者由呈现该树脂部与第一导电层321和第二导电层322之间的低表面张力的材料形成，则能够防止设置在第一开口部TH1中的第一导电层321通过从第一开口部TH1溢出而扩散到越过填充在第一下凹部R10中的树脂部或本体113。
这是基于第一导电层321和该树脂部之间以及第一导电层321和本体113之间的粘附关系，或者该树脂部与第一和第二导电层321和322之间的低润湿性和低表面张力。换句话说，可以选择构成第一导电层321的材料以呈现与第一框架111的良好粘附性。此外，可以选择构成第一导电层321的材料以呈现与该树脂部和本体113的低粘附性。
因此，防止了第一导电层321通过从第一开口部TH1朝着设置有该树脂部或本体113的区域流出而流出到或扩散到设置有该树脂部或本体113的区域之外，并且第一导电层321能够稳定地布置在设置有第一开口部TH1的区域中。因此，如果布置在第一开口部TH1中的第一导电层321流出，则能够防止第一导电层321扩展到该树脂部或随本体113设置的第一下凹部R10的外部区域。此外，第一导电层321能够在第一开口部TH1中稳定地连接到第一电极121的下表面。因此，当该发光器件封装安装在电路板上时，能够防止第一导电层321和第二导电层322因为彼此接触而短路，并且能够在布置第一导电层321和第二导电层322的过程中非常容易地控制第一导电层321和第二导电层322的量。
另外，第一导电层321可以从第一开口部TH1延伸到第一下凹部R10。因此，第一导电层321和/或该树脂部可以设置在第一下凹部R10中。
另外，第二下凹部R20可以设置在第二框架112的下表面中。第二下凹部R20可以从第二框架112的下表面朝着上表面凹进地设置。第二下凹部R20可以与第二开口部TH2间隔开。
第二下凹部R20可以具有几微米到几十微米的宽度。树脂部可以设置在第二下凹部R20中。填充在第二下凹部R20中的该树脂部可以例如由与本体113的材料相同的材料提供。
然而，实施例不限于此，并且该树脂部可以由选自以下材料的材料形成：该材料呈现与第一和第二导电层321和322的低粘合强度和低润湿性。替代地，该树脂部可以选自呈现与第一和第二导电层321和322的低表面张力的材料。
例如，填充在第二下凹部R20中的树脂部可以在通过注塑成型工艺等形成第一框架111、第二框架112和本体113的工艺中被提供。
填充在第二下凹部R20中的该树脂部可以布置在第二框架112的设有第二开口部TH2的下表面区域的周边处。第二框架112的设有第二开口部TH2的下表面区域可以具有岛形式的形状，并且可以在该下表面区域周围被与第二框架112的下表面分离。
例如，如图2中所示，第二框架112的设有第二开口部TH2的下表面区域可以通过填充在第二下凹部R20中的树脂部和本体113而在该下表面区域周围被与第二框架112隔离。
因此，如果该树脂部由呈现与第一和第二导电层321和322的低粘合强度和低润湿性的材料形成，或者由在该树脂部与第一和第二导电层321和322之间呈现低表面张力的材料形成，则能够防止设置在第二开口部TH2中的第二导电层322通过从第二开口部TH2溢出而扩散到越过填充在第二下凹部R20中的树脂部或本体113。
这是基于第二导电层322与该树脂部之间以及第二导电层322与本体113之间的粘附关系，或者该树脂部与第一和第二导电层321和322之间的低润湿性和低表面张力。换句话说，可以选择构成第二导电层322的材料以呈现与第二框架112的良好粘附性。此外，可以选择构成第二导电层322的材料以呈现与该树脂部和本体113的低粘附性。
因此，防止了第二导电层322通过从第二开口部TH2朝着设置有该树脂部或本体113的区域流出而流出到或扩散到设置有该树脂部或本体113的区域之外，并且第二导电层322能够稳定地布置在设置有第二开口部TH2的区域中。因此，如果布置在第二开口部TH2中的第二导电层322流出，则能够防止第二导电层322扩展到该树脂部或随本体113设置的第二下凹部R20的外部区域。此外。第二导电层322能够在第二开口部TH2中稳定地连接到第二电极122的下表面。
因此，当该发光器件封装安装在电路板上时，能够防止第一导电层321和第二导电层322因为彼此接触而短路，并且能够在布置第一导电层321和第二导电层322的过程中非常容易地控制第一导电层321和第二导电层322的量。
另外，第二导电层322可以从第二开口部TH2延伸到第二下凹部R20。因此，第二导电层321和/或该树脂部可以布置在第二下凹部R20中。
此外，根据实施例，如图3中所示，发光器件封装100可以包括树脂部135。
作为参考，从图1中省略了树脂部135和模制部140，以清楚地示出第一框架111、第二框架112和本体113的布置。
树脂部135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部135可以设置在封装本体110所设有的腔体C的底表面上。
树脂部135可以布置在第一电极121的侧表面上。树脂部135可以布置在第二电极122的侧表面上。树脂部135可以布置在半导体层123下方。
例如，树脂部135可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。另外，树脂部135可以是用于反射从发光器件120发射的光的反射部，例如可以是包括诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅树脂。
树脂部135可以布置在发光器件120下方以发挥密封功能。另外，树脂部135能够提高发光器件120和第一框架111之间的粘合强度。树脂部135能够提高发光器件120和第二框架112之间的粘合强度。
树脂部135可以密封第一电极121和第二电极122的外周。树脂部135可以防止第一导电层321和第二导电层322通过分别从第一开口部TH1和第二开口部TH2溢出而从发光器件120向外扩散。如果第一导电层321和第二导电层322从发光器件120向外扩散，则第一导电层321和第二导电层322可能与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路而引起的故障。因此，当布置有树脂部135时，能够防止第一导电层321和第二导电层322通过有源层而短路，从而提高了根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，如果树脂部135包括具有反射性质的材料，例如白色硅树脂，则树脂部135可以将从发光器件120提供的光朝着封装本体110的上部反射，从而提高发光器件封装100的光提取效率。
同时，在根据本发明的另一实施例的发光器件封装中，可以不单独设置树脂部135，并且模制部140可以与第一框架111和第二框架112直接接触。
另外，根据实施例，半导体层123可以设置为化合物半导体。半导体层123可以设置为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。例如，半导体层123可以包括选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)中的至少两种元素。
半导体层123可以包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。
可以使用III-V族或II-VI族化合物半导体中的至少一种来实现第一和第二导电半导体层。第一导电半导体层和第二导电半导体层可以由具有诸如InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。例如，第一导电半导体层和第二导电半导体层可以包括从包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的组中选择的至少一种。第一导电半导体层可以是掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se和Te的n型掺杂剂的n型半导体层。第二导电半导体层可以是掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba的p型掺杂剂的p型半导体层。
有源层可以由化合物半导体实现。可以使用III-V族或II-VI族化合物半导体中的至少一种来实现有源层。当有源层被实现为多阱结构时，有源层可以包括交替布置的阱层和势垒层，并且可以使用具有诸如InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料来布置。例如，有源层可以包括从包括InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP和InP/GaAs的组中选出的至少一种。
在根据实施例的发光器件封装100中，电源可以通过第一开口部TH1的区域连接到第一电极121，并且电源可以通过第二开口部TH2的区域连接到第二电极122。
因此，发光器件120能够由通过第一电极121和第二电极122供应的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以指向封装本体110的向上方向。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以安装并设置在子底座、电路板等上。
然而，当传统上将发光器件封装安装在子底座、电路板等上时，能够应用诸如回流工艺的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架与设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中可能发生重熔现象，从而削弱电连接和物理联接的稳定性。
然而，在根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法中，发光器件的第一电极和第二电极可以通过布置在开口部中的导电层来接收驱动电力。另外，布置在开口部中的导电层的熔点可以被选择为比典型的结合材料的熔点高的值。
因此，根据一个实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，使得电连接和物理结合强度可以不恶化。
此外，在根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法中，在制造该发光器件封装的过程中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
因此，能够不同地选择构成本体113的材料。根据实施例，本体113可以由诸如陶瓷的昂贵材料和相对便宜的树脂材料形成。
例如，本体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯(PCT)树脂、环氧树脂模塑化合物(EMC)树脂和硅树脂模塑化合物(SMC)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
在下文中，将参考图4至图8描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法。。
当参考图4至图8描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法时，可以省略与参考图1至图3描述的那些重复的描述。
首先，在根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法中，如图4中所示，可以提供封装本体110。
封装本体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以彼此间隔开。
封装本体110可以包括本体113。本体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。
本体113可以布置在第一框架111上。另外，本体113可以布置在第二框架112上。
本体113可以设置有布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。由于本体113的倾斜表面，可以在第一框架111和第二框架112上方提供腔体C。
此外，第一框架111可以包括第一开口部TH1。第二框架112可以包括第二开口部TH2。
第一开口部TH1可以设置在第一框架111中。第一开口部TH1可以贯穿第一框架111设置。第一开口部TH1可以在第一方向上贯穿第一框架111的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以设置在第二框架112中。第二开口部TH2可以贯穿第二框架112设置。第二开口部TH2可以在第一方向上贯穿第二框架112的上表面和下表面设置。
封装本体110可以包括设置在本体113中的凹部R。
凹部R可以设置在本体113中。凹部R可以设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2之间。凹部R可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。
根据实施例，凹部R的长度L2可以大于第一开口部TH1的长度L1或第二开口部TH2的长度L1。
接下来，在根据实施例的制造发光器件封装的方法中，如图4中所示，可以在凹部R中提供粘合剂130。
可以通过点图方案(dotting scheme)等将粘合剂130设置在凹部R的区域中。例如，粘合剂130可以设置在设有凹部R的区域中，并且可以设置到粘合剂130从凹部R溢出的程度。
此外，根据一个实施例，如图4中所示，凹部R的长度L2可以大于第二开口部TH2的长度L1。第二开口部TH2的长度L1可以小于发光器件120在短轴方向上的长度。另外，凹部R的长度L2可以大于发光器件120在短轴方向上的长度。
在根据实施例的制造发光器件封装的过程中，如果在发光器件120的下部处设置大量的粘合剂130，则当设置在凹部R中的粘合剂130粘附到发光器件120的下部时流出的粘合剂130的一部分可以沿着凹部R的长度L2移动。因此，即使所施加的粘合剂130的量大于设计的量，发光器件120也能够稳定地固定而不会从本体113剥离(delaminated)。
此外，在根据实施例的制造发光器件封装的方法中，如图5中所示，发光器件120可以设置在封装本体110上。
根据实施例，凹部R可以在将发光器件120布置在封装本体110上的过程中用作一种对准键(align key)。
发光器件120可以通过粘合剂130固定到本体113。设置在凹部R中的粘合剂130的一部分可以朝着发光器件120的第一电极121和第二电极122移动并固化。
因此，粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面与本体113的上表面之间的宽区域中，并且发光器件120和本体113之间的固定强度能够被提高。
根据实施例，如参考图3所述的，第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一电极121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一电极121重叠。第一开口部TH1可以在从第一框架111的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一电极121重叠。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二电极122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二电极122重叠。第二开口部TH2可以在从第二框架112的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二电极122重叠。
接下来，在根据实施例的制造发光器件封装的方法中，如图6中所示，可以提供第一导电层321和第二导电层322。
在根据一个实施例的发光器件封装100中，如图3和图6中所示，第一电极121的下表面可以通过第一开口部TH1暴露。另外，第二电极122的下表面可以通过第二开口部TH2暴露。
根据实施例，第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。另外，第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一电极121下方。第一导电层321的宽度可以小于第一电极121的宽度。第一导电层321可以与第一电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一电极121。第一导电层321可以被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二电极122下方。第二导电层322的宽度可以小于第二电极122的宽度。第二导电层322可以与第二电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二电极122。第二导电层322可以被第二框架112包围。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以由导电膏形成。第一导电层321和第二导电层322可以由焊膏或银膏形成。
另外，在根据实施例的制造发光器件封装的方法中，如图7中所示，可以提供树脂部135。
如上面参考图3所描述的，树脂部135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。
树脂部135可以布置在第一电极121的侧表面上。树脂部135可以布置在第二电极122的侧表面上。树脂部135可以布置在半导体层123下方。
例如，树脂部135可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。另外，树脂部135可以是用于反射从发光器件120发射的光的反射部，例如可以是包括诸如TiO2的反射材料的树脂。树脂部135可以包括白色硅树脂。
树脂部135可以布置在发光器件120下方以发挥密封功能。另外，树脂部135能够提高发光器件120和第一框架111之间的粘合强度。树脂部135能够提高发光器件120和第二框架112之间的粘合强度。
另外，如果树脂部135包括诸如白色硅树脂的具有反射性质的材料，则树脂部135可以将从发光器件120提供的光朝着封装本体110的上部反射，从而提高发光器件封装100的光提取效率。
接下来，在根据实施例的制造发光器件封装的方法中，如图8中所示，可以在发光器件120上提供模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装本体110提供的腔体C中。模制部140可以布置在树脂部135上。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换单元，用于接收从发光器件120发射的光以提供经过波长转换的光。例如，模制部140可以包括从由荧光物质、量子点等组成的组中选出的至少一种。
同时，已经基于首先如图6中所示地设置第一导电层321和第二导电层322并且如图7和图8中所示地设置树脂部135和模制部140的情形进行了上面的描述。
然而，在根据另一实施例的制造发光器件封装的方法中，可以首先设置树脂部135和模制部140，然后可以设置第一导电层321和第二导电层322。
另外，在根据又一实施例的制造发光器件封装的方法中，可以不提供树脂部135，并且可以仅在封装本体110的腔体中提供模制部140。
在根据实施例的发光器件封装100中，电源可以通过第一开口部TH1的区域连接到第一电极121，并且电源可以通过第二开口部TH2的区域连接到第二电极122。
因此，发光器件120能够由通过第一电极121和第二电极122供应的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以指向封装本体110的向上方向。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以安装并设置在子底座、电路板等上。
然而，当传统上将发光器件封装安装在子底座、电路板等上时，能够应用诸如回流工艺的高温工艺。此时，在回流工艺中，在框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中可能发生重熔现象，从而削弱电连接和物理联接的稳定性。因此，可以改变发光器件的位置，使得该发光器件封装的光学和电学性质以及可靠性可能劣化。
然而，在根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法中，发光器件的第一电极和第二电极可以通过布置在开口部中的导电层接收驱动电力。另外，布置在开口部中的导电层的熔点可以被选择为比典型的结合材料的熔点高的值。
因此，根据一个实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，使得电连接和物理结合强度可以不恶化。
此外，在根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法中，在制造发光器件的过程中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
因此，能够不同地选择构成本体113的材料。根据实施例，本体113可以由诸如陶瓷的昂贵材料和相对便宜的树脂材料形成。
例如，本体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模塑化合物(EMC)树脂和硅树脂模塑化合物(SMC)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以包括各种变型例。
首先，将参考图9至图17描述适用于根据实施例的发光器件封装的本体的变型例。当参考图9至图17描述根据实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至图8描述的那些重复的描述。
图9至图11是用于描述适用于图3中所示的发光器件封装的本体的变型例的视图。
在根据实施例的发光器件封装100中，如图9中所示，本体113可以包括设置在本体113的上表面中的至少两个凹部。
例如，本体113可以包括围绕本体113的上表面的中心区域朝着第一框架111布置的第一凹部R11。第一凹部R11可以与第一框架111的一端接触。
另外，本体113可以包括围绕本体113的上表面的中心区域朝着第二框架112布置的第二凹部R12。第二凹部R12可以与第二框架112的一端接触。
第一凹部R11可以从本体113的上表面和第一框架111的上表面向下凹进地设置。第二凹部R12可以从本体113的上表面和第二框架112的上表面向下凹进地设置。
在根据实施例的发光器件封装100中，粘合剂130可以设置在第一凹部R11和第二凹部R12中。粘合剂130可以布置在发光器件120和本体113之间。粘合剂130可以布置在第一电极121和第二电极122之间。例如，粘合剂130可以与第一电极121的侧表面和第二电极122的侧表面接触。
第一凹部R11和第二凹部R12可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。
第一凹部R11和第二凹部R12可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面与本体113的上表面之间足够多地提供粘合剂130。此外，第一凹部R11和第二凹部R12可以具有第二深度或更小深度，以为本体113提供稳定的强度。
粘合剂130可以在发光器件120和封装本体110之间提供稳定的固定强度。粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供稳定的固定强度。例如，粘合剂130可以与本体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
另外，第一凹部R11和粘合剂130可以防止设置在第一开口部TH1中的第一导电层321移动到发光器件120的下部区域。此外，第二凹部R12和粘合剂130可以防止设置在第二开口部TH2中的第二导电层322移动到发光器件120的下部区域。因此，能够防止发光器件120因为第一导电层321的移动或第二导电层322的移动而电气短路或劣化。
同时，图9是示出了适用于根据实施例的发光器件封装的本体113的截面图，并且图10和图11是示出了图9中所示的本体113的俯视图。
例如，如图10中所示，第一凹部R11和第二凹部R12可以在本体113的中心区域介于二者之间的情况下彼此间隔开。第一凹部R11和第二凹部R12可以在本体113的中心区域介于二者之间的情况下彼此平行地布置。
另外，如图11中所示，第一凹部R11和第二凹部R12可以在本体113的中心区域介于二者之间的情况下彼此间隔开。同时，第一凹部R11和第二凹部R12可以围绕本体113的中心区域以闭环的形式彼此连接。
同时，图12至图14是用于描述适用于图3中所示的发光器件封装的本体的另一变型例的视图。
在根据一个实施例的发光器件封装100中，如图12中所示，本体113可以包括设置在本体的上表面中的至少三个凹部。
例如，本体113可以包括围绕本体113的上表面的中心区域朝着第一框架111布置的第一凹部R21。第一凹部R21可从本体113的上表面朝着本体下表面凹进地设置。
另外，本体113可以包括围绕本体113的上表面的中心区域朝着第二框架112布置的第三凹部R23。第三凹部R23可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。
另外，本体113可以包括布置在本体113的上表面的中心区域中的第二凹部R22。第二凹部R22可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。第二凹部R22可以布置在第一凹部R21和第三凹部R23之间。
在根据实施例的发光器件封装100中，粘合剂130可以设置在第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23中。粘合剂130可以布置在发光器件120和本体113之间。粘合剂130可以布置在第一电极121和第二电极122之间。例如，粘合剂130可以与第一电极121的侧表面和第二电极122的侧表面接触。
第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺以将发光器件120附接到封装本体的空间。
第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面与本体113的上表面之间足够多地提供粘合剂130。另外，第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以具有第二深度或更小深度，以为本体113提供稳定的强度。
粘合剂130可以在发光器件120和封装本体110之间提供稳定的固定强度。粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供稳定的固定强度。例如，粘合剂130可以与本体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
另外，第一凹部R21和粘合剂130可以防止设置在第一开口部TH1中的第一导电层321移动到发光器件120的下部区域。此外，第三凹部R23和粘合剂130可以防止设置在第二开口部TH2中的第二导电层322移动到发光器件120的下部区域。因此，能够防止发光器件120因为第一导电层321的移动或第二导电层322的移动而电气短路或劣化。
同时，图12是示出了适用于根据实施例的发光器件封装的本体113的截面图，并且图13和图14是示出了图12中所示的本体113的俯视图。
例如，如图13中所示，第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以在本体113的上表面上沿一个方向彼此平行地布置，同时彼此间隔开。第一凹部R21、第二凹部R22和第三凹部R23可以在本体113的上表面上沿一个方向延伸。
另外，如图14中所示，第一凹部R21和第三凹部R23可以在本体113的中心区域介于二者之间的情况下彼此间隔开。同时，第一凹部R21和第三凹部R23可以围绕本体113的中心区域以闭环的形式彼此连接。另外，第二凹部R22可以布置在本体113的中心区域中。第二凹部R22可以布置在由第一凹部R21和第三凹部R23包围的空间中。
同时，图15至图17是用于描述适用于图3中所示的发光器件封装的本体的又一个变型例的视图。
在根据实施例的发光器件封装100中，如图15中所示，本体113可以包括设置在本体113的上表面中的至少两个凹部。
例如，本体113可以包括围绕本体113的上表面的中心区域朝着第一框架111布置的第一凹部R31。第一凹部R31可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。第一凹部R31可以与第一框架111的一端间隔开。
另外，本体113可以包括围绕本体113的上表面的中心区域朝着第二框架112布置的第二凹部R32。第二凹部R32可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。第二凹部R32可以与第二框架112的一端间隔开。
在根据实施例的发光器件封装100中，粘合剂130可以设置在第一凹部R31和第二凹部R32中。粘合剂130可以布置在发光器件120和本体113之间。粘合剂130可以布置在第一电极121和第二电极122之间。例如，粘合剂130可以与第一电极121的侧表面和第二电极122的侧表面接触。
第一凹部R31和第二凹部R32可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。
第一凹部R31和第二凹部R32可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面和本体113的上表面之间足够多地提供粘合剂130。此外，第一凹部R31和第二凹部R32可以具有第二深度或更小深度，以为本体113提供稳定的强度。
粘合剂130可以在发光器件120和封装本体110之间提供稳定的固定强度。粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供稳定的固定强度。例如，粘合剂130可以与本体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
另外，第一凹部R31和粘合剂130可以防止设置在第一开口部TH1中的第一导电层321移动到发光器件120的下部区域。此外，第二凹部R32和粘合剂130可以防止设置在第二开口部TH2中的第二导电层322移动到发光器件120的下部区域。因此，能够防止发光器件120因为第一导电层321的移动或第二导电层322的移动而电气短路或劣化。
同时，图15是示出了应用于根据实施例的发光器件封装的本体113的截面图，并且图16和图17是示出了图15中所示的本体113的俯视图。
例如，如图16中所示，第一凹部R31和第二凹部R32可以在本体113的上表面上沿一个方向彼此平行地布置，同时彼此间隔开。第一凹部R31和第二凹部R32可以在本体113的上表面上沿一个方向延伸。
另外，如图17中所示，第一凹部R31和第二凹部R32可以在本体113的中心区域介于二者之间的情况下彼此间隔开。同时，第一凹部R31和第二凹部R32可以围绕本体113的中心区域以闭环的形式彼此连接。
接下来，将参考图18和图19描述根据本发明的另一实施例的发光器件封装。
图18是示出了根据本发明的另一个实施例的发光器件封装的视图，并且图19是用于描述适用于图18中所示的发光器件封装的第一框架、第二框架和本体的布置的视图。
当参考图18和图19描述根据实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至图17描述的那些重复的描述。
根据实施例，如图18和图19中所示，发光器件封装可以包括封装本体110和发光器件120。
封装本体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以彼此间隔开。
封装本体110可以包括本体113。本体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。本体113可以用作一种电极分离线。
第一框架111和第二框架112可以是绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以是导电框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述第一框架111和第二框架112是绝缘框架的情况与第一框架111和第二框架112是导电框架的情况之间的区别。
例如，本体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧模塑化合物(EMC)、硅树脂模塑化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选出的材料提供。另外，本体113可以包括高折射填料，例如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一电极121、第二电极122和半导体层123。
发光器件120可以布置在封装本体110上方。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上方。发光器件120可以布置在由封装本体110提供的腔体C中。
第一电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一电极121和第二电极122可以在发光器件120的下表面上彼此间隔开。
第一电极121可以布置在第一框架111上。第二电极122可以布置在第二框架112上。
第一电极121可以布置在半导体层123和第一框架111之间。第二电极122可以布置在半导体层123和第二框架112之间。
同时，如图18和图19中所示，根据实施例的发光器件封装可以包括第一开口部TH1和第二开口部TH2。第一框架111可以包括第一开口部TH1。第二框架112可以包括第二开口部TH2。
第一开口部TH1可以设置在第一框架111中。第一开口部TH1可以贯穿第一框架111设置。第一开口部TH1可以在第一方向上贯穿第一框架111的上表面和下表面设置。
第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一电极121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一电极121重叠。第一开口部TH1可以在从第一框架111的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一电极121重叠。
第二开口部TH2可以设置在第二框架112中。第二开口部TH2可以贯穿第二框架112设置。第二开口部TH2可以在第一方向上贯穿第二框架112的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二电极122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二电极122重叠。第二开口部TH2可以在从第二框架112的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二电极122重叠。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在本体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在本体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
根据一个实施例，如图18和图19中所示，发光器件封装可以包括凹部R。
凹部R可以设置在本体113中。凹部R可以设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2之间。凹部R可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。凹部R可以布置在发光器件120下方。凹部R可以在第一方向上与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和本体113之间。粘合剂130可以布置在第一电极121和第二电极122之间。例如，粘合剂130可以与第一电极121的侧表面和第二电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装本体110之间提供稳定的固定强度。粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供稳定的固定强度。例如，粘合剂130可以与本体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，粘合剂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。例如，该粘合剂可以包括白色硅树脂。
粘合剂130可以在本体113和发光器件120之间提供稳定的固定强度，并且，如果光通过发光器件120的下表面发射，则粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120通过发光器件120的下表面发射时，粘合剂130可以通过光扩散功能来提高发光器件封装100的光提取效率。
凹部R可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。凹部R可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面和本体113的上表面之间充分多地提供粘合剂130。另外，凹部R可以具有第二深度或更小深度，以为本体113提供稳定的强度。
另外，根据实施例，发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以与第二导电层322间隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一电极121下方。第一导电层321的宽度可以小于第一电极121的宽度。
第一电极121可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第一开口部TH1被沿着该第一方向设置。第一电极121的宽度可以大于第一开口部TH1在第二方向上的宽度。
第一导电层321可以与第一电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一电极121。第一导电层321可以被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二电极122下方。第二导电层322的宽度可以小于第二电极122的宽度。
第二电极122可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第二开口部TH2被沿着该第一方向设置。第二电极122的宽度可以大于第二开口部TH2在第二方向上的宽度。
第二导电层322可以与第二电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二电极122。第二导电层322可以被第二框架112包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt等组成的组中选择的一种材料或其合金。然而，实施例不限于此，并且第一导电层321和第二导电层322可以由能够确保导电功能的材料形成。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以由导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等。
另外，根据实施例，如图18和图19中所示，发光器件封装可以包括第一下凹部R10和第二下凹部R20。第一下凹部R10和第二下凹部R20可以彼此间隔开。
第一下凹部R10可以设置在第一框架111的下表面中。第一下凹部R10可以从第一框架111的下表面朝着上表面凹进地设置。第一下凹部R10可以与第一开口部TH1间隔开。
第一下凹部R10可以具有几微米到几十微米的宽度。树脂部可以设置在第一下凹部R10中。填充在第一下凹部R10中的树脂部可以例如由与本体113的材料相同的材料形成。
例如，填充在第一下凹部R10中的该树脂部可以在通过注塑成型工艺等形成第一框架111、第二框架112和本体113的工艺中被提供。
如上面参考图2所描述的，填充在第一下凹部R10中的树脂部可以布置在第一框架111的设有第一开口部TH1的下表面区域的周边处。第一框架111的设有第一开口部TH1的下表面区域可以具有岛形式的形状，并且可以在该下表面区域周围被与第一框架111的下表面分离。
例如，如上面参考图2所描述的，第一框架111的设有第一开口部TH1的下表面区域可以通过填充在第一下凹部R10中的树脂部和本体113而在该下表面区域周围被与第一框架111隔离。
因此，能够防止设置在第一开口部TH1中的第一导电层321通过从第一开口部TH1溢出而扩散到越过填充在第一下凹部R10中的树脂部或本体113。
因此，防止了第一导电层321流出到设置有该树脂部或本体113的区域之外，并且第一导电层321可以稳定地布置在设置有第一开口部TH1的区域中。另外，第一导电层321能够在第一开口部TH1中稳定地连接到第一电极121的下表面。
另外，第二下凹部R20可以设置在第二框架112的下表面中。第二下凹部R20可以从第二框架112的下表面朝着上表面凹进地设置。第二下凹部R20可以与第二开口部TH2间隔开。
第二下凹部R20可以具有几微米到几十微米的宽度。树脂部可以设置在第二下凹部R20中。填充在第二下凹部R20中的该树脂部可以例如由与本体113的材料相同的材料形成。
例如，填充在第二下凹部R20中的树脂部可以在通过注塑成型工艺等形成第一框架111、第二框架112和本体113的工艺中被提供。
如上面参考图2所描述的，填充在第二下凹部R20中的该树脂部可以布置在第二框架112的设有第二开口部TH2的下表面区域的周边处。第二框架112的设有第二开口部TH2的下表面区域可以具有岛形式的形状，并且可以在该下表面区域周围被与第二框架112的下表面分离。
例如，如上面参考图2所述的，第二框架112的设有第二开口部TH2的下表面区域可以通过填充在第二下凹部R20中的树脂部和本体113而在该下表面区域周围被与第二框架112隔离。
因此，能够防止设置在第二开口部TH2中的第二导电层322通过从第二开口部TH2溢出而扩散到越过填充在第二下凹部R20中的树脂部或本体113。
因此，防止了第二导电层322流出到设置有该树脂部或本体113的区域之外，并且第二导电层322能够稳定地布置在设置有第二开口部TH2的区域中。另外，第二导电层322能够在第二开口部TH2中稳定地连接到第二电极122的下表面。
此外，根据实施例，如图18和图19中所示，发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4。
第一上凹部R3可以设置在第一框架111的上表面中。第一上凹部R3可以从第一框架111的上表面朝着下表面凹进地设置。第一上凹部R3可以与第一开口部TH1间隔开。
如图19中所示，当从顶部观察时，第一上凹部R3可以布置成与第一电极121的三个侧面相邻。例如，第一上凹部R3可以在第一电极121的周边处具有“[”形状。
根据实施例，第一上凹部R3可以设置成使得第一上凹部R3在竖直方向上不与第一下凹部R10重叠。如果第一上凹部R3和第一下凹部R10在竖直方向上彼此重叠，则当布置在第一上凹部R3和第一下凹部R10之间的第一框架111太薄时，第一框架111的强度可能会减弱。
根据另一实施例，如果第一框架111具有足够的厚度，则第一上凹部R3和第一下凹部R10可以在竖直方向上彼此重叠。
第二上凹部R4可以设置在第二框架112的上表面中。第二上凹部R4可以从第二框架112的上表面朝着下表面凹进地设置。第二上凹部R4可以与第二开口部TH2间隔开。
根据实施例，第二上凹部R4可以设置成使得第二上凹部R4在竖直方向上不与第二下凹部R20重叠。如果第二上凹部R4和第二下凹部R20在竖直方向上彼此重叠，则当布置在第二上凹部R4和第二下凹部R20之间的第二框架112太薄时，第二框架112的强度可能会减弱。
根据另一实施例，如果第二框架112具有足够的厚度，则第二上凹部R4和第二下凹部R20可以在竖直方向上彼此重叠。
如图19中所示，当从顶部观察时，第二上凹部R4可以布置成与第二电极122的三个侧面相邻。例如，第二上凹部R4可以在第二电极122的周边处具有“]”的形状。
例如，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以具有几十微米到几百微米的宽度。
另外，根据实施例，如图18中所示，发光器件封装100可以包括树脂部135。
树脂部135可以设置在第一上凹部R3和第二上凹部R4中。
树脂部135可以布置在第一电极121的侧表面上。树脂部135可以设置在第一上凹部R3中，并且可以延伸到布置第一电极121的区域。树脂部135可以布置在半导体层123下方。
从第一上凹部R3的一端到发光器件120的相邻端的距离L11可以是几百微米或更小。例如，从第一上凹部R3的一端到发光器件120的相邻端的距离L11可以等于或小于200微米。
可以基于填充在第一上凹部R3中的树脂部135的粘度等来确定从第一上凹部R3的一端到发光器件120的相邻端的距离L11。
可以选择从第一上凹部R3的一端到发光器件120的相邻端的距离L11，使得施加到第一上凹部R3的树脂部135能够延伸到布置有第一电极121的区域。
树脂部135可以布置在第二电极122的侧表面上。树脂部135可以设置在第二上凹部R4中，并且可以延伸到布置有第二电极122的区域。树脂部135可以布置在半导体层123下方。
另外，树脂部135可以设置在半导体层123的侧表面上。通过将树脂部135布置在半导体层123的侧表面上，能够有效地防止第一导电层321和第二导电层322移动到半导体层123的侧表面。另外，当树脂部135布置在半导体层123的侧表面上时，树脂部135可以布置在半导体层123的有源层下方，从而提高发光器件120的光提取效率。
第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足以用于树脂部135的空间。
例如，树脂部135可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。另外，树脂部135可以包括反射材料，并且可以包括例如具有TiO2和/或硅树脂的白色硅树脂。
树脂部135可以布置在发光器件120下方以发挥密封功能。另外，树脂部135能够提高发光器件120和第一框架111之间的粘合强度。树脂部135能够提高发光器件120和第二框架112之间的粘合强度。
树脂部135可以密封第一电极121和第二电极122的外周。树脂部135可以防止第一导电层321和第二导电层322通过分别从第一开口部TH1和第二开口部TH2溢出而朝着发光器件120扩散。
另外，如果树脂部135包括诸如白色硅树脂的具有反射特性的材料，则树脂部135可以将从发光器件120提供的光朝着封装本体110的上部反射，从而提高发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装本体110提供的腔体C中。模制部140可以布置在树脂部135上。
在根据实施例的发光器件封装100中，电源可以通过第一开口部TH1的区域连接到第一电极121，并且电源可以通过第二开口部TH2的区域连接到第二电极122。
因此，发光器件120能够由通过第一电极121和第二电极122供应的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以指向封装本体110的向上方向。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以安装并设置在子底座、电路板等上。
然而，当传统上将发光器件封装安装在子底座、电路板等上时，能够应用诸如回流工艺的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中可能发生重熔现象，从而削弱电连接和物理联接的稳定性。
然而，在根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法中，发光器件的第一电极和第二电极可以通过布置在开口部中的导电层接收驱动电力。另外，布置在开口部中的导电层的熔点可以被选择为比典型结合材料的熔点高的值。
因此，根据实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，使得电连接和物理结合强度可以不恶化。
此外，在根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法中，在制造发光器件的工艺中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据一个实施例，能够防止封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
因此，能够不同地选择构成本体113的材料。根据实施例，本体113可以由诸如陶瓷的昂贵材料和相对便宜的树脂材料形成。
例如，本体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模塑化合物(EMC)树脂和硅树脂模塑化合物(SMC)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
接下来，将参考图20描述根据本发明的另一实施例的发光器件封装。
当参考图20描述根据实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至图19描述的那些重复的描述。
根据实施例，如图20中所示，根据实施例的发光器件封装可以包括封装本体110和发光器件120。
封装本体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以彼此间隔开。
封装本体110可以包括本体113。本体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。本体113可以用作一种电极分离线。
第一框架111和第二框架112可以是绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以是导电框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述第一框架111和第二框架112是绝缘框架的情况与第一框架111和第二框架112是导电框架的情况之间的区别。
例如，本体113可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧模塑化合物(EMC)、硅树脂模塑化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选出的材料形成。另外，本体113可以包括高折射填料，例如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一电极121、第二电极122和半导体层123。
发光器件120可以布置在封装本体110上方。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上方。发光器件120可以布置在由封装本体110提供的腔体C中。
第一电极121可以布置在发光器件120的下表面上。第二电极122可以布置在发光器件120的下表面上。第一电极121和第二电极122可以在发光器件120的下表面上彼此间隔开。
第一电极121可以布置在第一框架111上。第二电极122可以布置在第二框架112上。
第一电极121可以布置在半导体层123和第一框架111之间。第二电极122可以布置在半导体层123和第二框架112之间。
同时，如图20中所示，根据实施例的发光器件封装可以包括第一开口部TH1和第二开口部TH2。第一框架111可以包括第一开口部TH1。第二框架112可以包括第二开口部TH2。
第一开口部TH1可以设置在第一框架111中。第一开口部TH1可以贯穿第一框架111设置。第一开口部TH1可以在第一方向上贯穿第一框架111的上表面和下表面设置。
第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一电极121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一电极121重叠。第一开口部TH1可以在从第一框架111的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一电极121重叠。
第二开口部TH2可以设置在第二框架112中。第二开口部TH2可以贯穿第二框架112设置。第二开口部TH2可以在第一方向上贯穿第二框架112的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二电极122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二电极122重叠。第二开口部TH2可以在从第二框架112的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二电极122重叠。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在本体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在本体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
根据一个实施例，如图20中所示，发光器件封装可以包括凹部R。
凹部R可以设置在本体113中。凹部R可以设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2之间。凹部R可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。凹部R可以布置在发光器件120下方。凹部R可以在第一方向上与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和本体113之间。粘合剂130可以布置在第一电极121和第二电极122之间。例如，粘合剂130可以与第一电极121的侧表面和第二电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装本体110之间提供稳定的固定强度。粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供稳定的固定强度。例如，粘合剂130可以与本体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，粘合剂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。例如，该粘合剂可以包括白色硅树脂。
粘合剂130可以在本体113和发光器件120之间提供稳定的固定强度，并且，如果光通过发光器件120的下表面发射，则粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120通过发光器件120的下表面发射时，粘合剂130可以通过光扩散功能来提高发光器件封装100的光提取效率。
凹部R可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。凹部R可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面和本体113的上表面之间足够多地提供粘合剂130。另外，凹部R可以具有第二深度或更小深度，以为本体113提供稳定的强度。
另外，根据实施例，该发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以与第二导电层322间隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一电极121下方。第一导电层321的宽度可以小于第一电极121的宽度。
第一电极121可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第一开口部TH1被沿着该第一方向设置。第一电极121的宽度可以大于第一开口部TH1在第二方向上的宽度。
第一导电层321可以与第一电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一电极121。第一导电层321可以被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二电极122下方。第二导电层322的宽度可以小于第二电极122的宽度。
第二电极122可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第二开口部TH2被沿着该第一方向设置。第二电极122的宽度可以大于第二开口部TH2在第二方向的宽度。
第二导电层322可以与第二电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二电极122。第二导电层322可以被第二框架112包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt等组成的组中选择的一种材料或其合金。然而，实施例不限于此，第一导电层321和第二导电层322可以由能够确保导电功能的材料提供。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以由导电膏形成。该导电膏可以包括选自包括焊膏、银膏等的组中的至少一种。
另外，根据实施例，如图20中所示，该发光器件封装可以包括第一上凹部R3和第二上凹部R4。
第一上凹部R3可以设置在第一框架111的上表面中。第一上凹部R3可以从第一框架111的上表面朝着下表面凹进地设置。第一上凹部R3可以与第一开口部TH1间隔开。
如图19中所示，当从顶部观察时，第一上凹部R3可以布置成与第一电极121的三个侧面相邻。例如，第一上凹部R3可以在第一电极121的周边处具有“[”形状。
第二上凹部R4可以设置在第二框架112的上表面中。第二上凹部R4可以从第二框架112的上表面朝着下表面凹进地设置。第二上凹部R4可以与第二开口部TH2间隔开。
如图19中所示，当从顶部观察时，第二上凹部R4可以布置成与第二电极122的三个侧面相邻。例如，第二上凹部R4可以在第二电极122的周边处具有“]”的形状。
例如，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以具有几十微米到几百微米的宽度。
另外，根据实施例，如图18中所示，发光器件封装100可以包括树脂部135。
树脂部135可以设置在第一上凹部R3和第二上凹部R4中。
树脂部135可以布置在第一电极121的侧表面上。树脂部135可以设置在第一上凹部R3中，并且可以延伸到布置有第一电极121的区域。树脂部135可以布置在半导体层123下方。
从第一上凹部R3的一端到发光器件120的相邻端的距离L11可以是几百微米或更小。例如，从第一上凹部R3的一端到发光器件120的相邻端的距离L11可以等于或小于200微米。
从第一上凹部R3的一端到发光器件120的相邻端的距离L11可以基于填充在第一上凹部R3中的树脂部135的粘度等来确定。
可以选择从第一上凹部R3的一端到发光器件120的相邻端的距离L11，使得施加到第一上凹部R3的树脂部135能够延伸到布置有第一电极121的区域。
树脂部135可以布置在第二电极122的侧表面上。树脂部135可以设置在第二上凹部R4中，并且可以延伸到布置有第二电极122的区域。树脂部135可以布置在半导体层123下方。
另外，树脂部135可以设置在半导体层123的侧表面上。通过将树脂部135布置在半导体层123的侧表面上，能够有效地防止第一导电层321和第二导电层322移动到半导体层123的侧表面。另外，当树脂部135布置在半导体层123的侧表面上时，树脂部135可以布置在半导体层的有源层下方，从而提高发光器件120的光提取效率。
第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供足以用于树脂部135的空间。
例如，树脂部135可以包括如下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。另外，树脂部135可以包括反射材料，并且可以包括例如具有TiO2和/或硅树脂的白色硅树脂。
树脂部135可以布置在发光器件120下方以发挥密封功能。另外，树脂部135能够提高发光器件120和第一框架111之间的粘合强度。树脂部135能够提高发光器件120和第二框架112之间的粘合强度。
树脂部135可以密封第一电极121和第二电极122的外周。树脂部135可以防止第一导电层321和第二导电层322通过分别从第一开口部TH1和第二开口部TH2溢出而朝着发光器件120扩散。
另外，如果树脂部135包括具有反射性质的材料，例如白色硅树脂，则树脂部135可以将从发光器件120提供的光朝着封装本体110的上部反射，从而提高发光器件封装100的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装本体110提供的腔体C中。模制部140可以布置在树脂部135上。
在根据实施例的发光器件封装100中，电源可以通过第一开口部TH1的区域连接到第一电极121，并且电源可以通过第二开口部TH2的区域被连接到第二电极122。
因此，发光器件120能够由通过第一电极121和第二电极122供应的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以指向封装本体110的向上方向。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以安装并设置在子底座、电路板等上。
然而，当传统上将发光器件封装安装在子底座、电路板等上时，能够应用诸如回流工艺的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中可能发生重熔现象，从而削弱电连接和物理联接的稳定性。
然而，在根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法中，发光器件的第一电极和第二电极可以通过布置在开口部中的导电层接收驱动电力。另外，布置在开口部中的导电层的熔点可以被选择为比典型结合材料的熔点高的值。
因此，根据实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，使得电连接和物理结合强度可以不恶化。
此外，在根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法中，在制造发光器件的工艺中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
因此，能够不同地选择组成本体113的材料。根据实施例，本体113可以由诸如陶瓷的昂贵材料和相对便宜的树脂材料形成。
例如，本体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模塑化合物(EMC)树脂和硅树脂模塑化合物(SMC)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
接下来，将参考图21描述根据本发明的另一实施例的发光器件封装。
当参考图21描述根据实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至图22描述的那些重复的描述。
图21中所示的发光器件封装与参考图18至图20描述的发光器件封装的区别在于第一上凹部R3和第二上凹部R4的位置。
在根据实施例的发光器件封装中，如图21中所示，当从顶部观察时，第一上凹部R3的部分区域可以在竖直方向上与半导体层123重叠。例如，第一上凹部R3的与第一电极121相邻的横向区域可以在半导体层123下方延伸。
此外，在根据实施例的发光器件封装中，如图21中所示，当从顶部观察时，第二上凹部R4的部分区域可以在竖直方向上与半导体层123重叠。例如，第二上凹部R4的与第二电极122相邻的横向区域可以在半导体层123下方延伸。
因此，填充在第一上凹部R3和第二上凹部R4中的树脂部135能够有效地密封第一电极121和第二电极122的外周。
另外，第一上凹部R3和第二上凹部R4可以为发光器件120下方的树脂部件135提供足够的空间。第一上凹部R3和第二上凹部R4可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。
例如，树脂部135可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。例如，树脂部135可以是用于反射从发光器件120发射的光的反射部，并且可以例如是包括诸如TiO2的反射材料的树脂。树脂部135可以包括白色硅树脂。
树脂部135可以布置在发光器件120下方以发挥密封功能。另外，树脂部135能够提高发光器件120和第一框架111之间的粘合强度。树脂部135能够提高发光器件120和第二框架112之间的粘合强度。
树脂部135可以密封第一电极121和第二电极122的外周。树脂部135可以防止第一导电层321和第二导电层322通过分别从第一开口部TH1和第二开口部TH2溢出而朝着发光器件120扩散。
另外，如果树脂部135包括具有反射性质的材料，例如白色硅树脂，则树脂部135可以将从发光器件120提供的光朝着封装本体110的上部反射，从而提高发光器件封装100的光提取效率。
在根据实施例的发光器件封装100中，电源可以通过第一开口部TH1的区域连接到第一电极121，并且电源可以通过第二开口部TH2的区域连接到第二电极122。
因此，发光器件120能够由通过第一电极121和第二电极122供应的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以指向封装本体110的向上方向。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以安装并设置在子底座、电路板等上。
然而，当传统上将发光器件封装安装在子底座、电路板等上时，能够应用诸如回流工艺的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中可能发生重熔现象，从而削弱电连接和物理联接的稳定性。
然而，在根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法中，发光器件的第一电极和第二电极可以通过布置在开口部中的导电层接收驱动电力。另外，布置在开口部中的导电层的熔点可以被选择为比典型结合材料的熔点高的值。
因此，根据实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，使得电连接和物理结合强度可以不恶化。
此外，在根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法中，在制造发光器件的工艺中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
因此，能够不同地选择构成本体113的材料。根据实施例，本体113可以由诸如陶瓷的昂贵材料和相对便宜的树脂材料形成。
例如，本体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模塑化合物(EMC)树脂和硅树脂模塑化合物(SMC)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
接下来，将参考图22描述根据本发明的另一实施例的发光器件封装。
当参考图21描述根据实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至图21描述的那些重复的描述。
根据一个实施例，如图22中所示，根据实施例的发光器件封装可以包括封装本体110和发光器件120。
封装本体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以彼此间隔开。
封装本体110可以包括本体113。本体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。本体113可以用作一种电极分离线。
第一框架111和第二框架112可以是绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以是导电框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
稍后将描述第一框架111和第二框架112是绝缘框架的情况与第一框架111和第二框架112是导电框架的情况之间的区别。
根据实施例，发光器件120可以包括第一电极121、第二电极122和半导体层123。
发光器件120可以布置在封装本体110上方。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上方。发光器件120可以布置在由封装本体110提供的腔体C中。
第一电极121可以布置在第一框架111上。第二电极122可以布置在第二框架112上。
同时，如图22中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一开口部TH1和第二开口部TH2。第一框架111可以包括第一开口部TH1。第二框架112可以包括第二开口部TH2。
第一开口部TH1可以设置在第一框架111中。第一开口部TH1可以贯穿第一框架111设置。第一开口部TH1可以在第一方向上贯穿第一框架111的上表面和下表面设置。
第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一电极121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一电极121重叠。第一开口部TH1可以在从第一框架111的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一电极121重叠。
第二开口部TH2可以设置在第二框架112中。第二开口部TH2可以贯穿第二框架112设置。第二开口部TH2可以在第一方向上贯穿第二框架112的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二电极122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二电极122重叠。第二开口部TH2可以在从第二框架112的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二电极122重叠。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，第一开口部TH1的上部区域的宽度W1可以小于或等于第一电极121的宽度。另外，第二开口部TH2的上部区域的宽度可以小于或者等于第二电极122的宽度。
因此，发光器件120的第一电极121能够更牢固地附接到第一框架111。另外，发光器件120的第二电极122能够更牢固地附接到第二框架112。
根据实施例，如图22中所示，发光器件封装100可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在本体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在本体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
另外，根据实施例，如图22中所示，发光器件封装100可以包括凹部R。
凹部R可以设置在本体113中。凹部R可以设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2之间。凹部R可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。凹部R可以布置在发光器件120下方。凹部R可以在第一方向上与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和本体113之间。粘合剂130可以布置在第一电极121和第二电极122之间。例如，粘合剂130可以与第一电极121的侧表面和第二电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装本体110之间提供稳定的固定强度。粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供稳定的固定强度。例如，粘合剂130可以与本体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，粘合剂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。例如，该粘合剂可以包括白色硅树脂。
粘合剂130可以在本体113和发光器件120之间提供稳定的固定强度，并且，如果光通过发光器件120的下表面发射，则粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120通过发光器件120的下表面发射时，粘合剂130可以通过光扩散功能来提高发光器件封装100的光提取效率。
凹部R可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。凹部R可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面和本体113的上表面之间足够多地提供粘合剂130。另外，凹部R可以具有第二深度或更小深度，以为本体113提供稳定的强度。
此外，根据实施例，如图22中所示，发光器件封装100可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以与第二导电层322间隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一电极121下方。第一导电层321的宽度可以小于第一电极121的宽度。
第一电极121可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第一开口部TH1被沿着该第一方向设置。第一电极121的宽度可以大于第一开口部TH1在第二方向的宽度。
第一导电层321可以与第一电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一电极121。第一导电层321可以被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二电极122下方。第二导电层322的宽度可以小于第二电极122的宽度。
第二电极122可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第二开口部TH2被沿着该第一方向设置。第二电极122的宽度可以大于第二开口部TH2在第二方向的宽度。
第二导电层322可以与第二电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二电极122。第二导电层322可以被第二框架112包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt等组成的组中选择的一种材料或其合金。然而，实施例不限于此，并且第一导电层321和第二导电层322可以由能够确保导电功能的材料形成。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以由导电膏形成。该导电膏可以包括焊膏、银膏等。
同时，根据实施例，如图22中所示，第一导电层321和第二导电层322可以制备为多个层。
例如，第一导电层321可以包括第一上导电层321a和第一下导电层321b。第一上导电层321a可以设置在第一开口部TH1的上部区域中。第一下导电层321b可以设置在第一开口部TH1的下部区域中。
另外，第二导电层322可以包括第二上导电层322a和第二下导电层322b。第二上导电层322a可以设置在第二开口部TH2的上部区域中。第二下导电层322b可以设置在第二开口部TH2的下部区域中。
根据实施例，第一上导电层321a和第一下导电层321b可以包括彼此不同的材料。第一上导电层321a和第一下导电层321b可以具有彼此不同的熔点。例如，第一上导电层321a的熔点可以被选择为高于第一下导电层321b的熔点。
例如，构成第一上导电层321a的导电膏和构成第一下导电层321b的导电膏可以彼此不同。根据实施例，第一上导电层321a可以例如由银膏形成，并且第一下导电层321b可以例如由焊膏形成。
根据实施例，当第一上导电层321a由银膏形成时，检测到设置在第一开口部TH1中的银膏可能很少或不会扩散并渗透在第一电极121和第一框架111之间。
因此，如果第一上导电层321a由银膏形成，则能够防止发光器件120电短路或劣化。
此外，如果第一上导电层321a由银膏形成并且第一下导电层321b由焊膏形成，则与整个第一导电层321由银膏形成的情况相比，能够降低制造成本。
类似地，构成第二上导电层322a的导电膏和构成第二下导电层322b的导电膏可以彼此不同。根据实施例，第二上导电层322a可以例如由银膏形成，并且第二下导电层322b可以例如由焊膏形成。
根据实施例，当第二上导电层322a由银膏形成时，检测到设置在第二开口部TH2中的银膏可能很少或不会扩散并渗透在第二电极122和第二框架112之间。
因此，如果第二上导电层322a由银膏形成，则能够防止发光器件120电短路或劣化。
另外，如果第二上导电层322a由银膏形成并且第二下导电层321b由焊膏形成，则与整个第二导电层322是由银膏形成的情况相比，能够降低制造成本。
同时，根据实施例，如图22中所示，发光器件封装100可以包括第一下凹部R10和第二下凹部R20。第一下凹部R10和第二下凹部R20可以彼此间隔开。
第一下凹部R10可以设置在第一框架111的下表面中。第一下凹部R10可以从第一框架111的下表面朝着上表面凹进地设置。第一下凹部R10可以与第一开口部TH1间隔开。
第一下凹部R10可以具有几微米到几十微米的宽度。树脂部可以设置在第一下凹部R10中。填充在第一下凹部R10中的树脂部可以例如由与本体113的材料相同的材料形成。
例如，填充在第一下凹部R10中的树脂部可以在通过注塑成型工艺等形成第一框架111、第二框架112和本体113的工艺中被提供。
填充在第一下凹部R10中的树脂部可以布置在第一框架111的设有第一开口部TH1的下表面区域的周边处。第一框架111的设有第一开口部TH1的下表面区域可以具有岛形式的形状，并且可以在该下表面区域周围被与第一框架111的下表面分离。
例如，如图2中所示，第一框架111的设有第一开口部TH1的下表面区域可以通过填充在第一下凹部R10中的树脂部和本体113而在该下表面区域周围被与第一框架111隔离。
因此，能够防止设置在第一开口部TH1中的第一导电层321通过从第一开口部TH1溢出而扩散到越过填充在第一下凹部R10中的树脂部或本体113。
因此，防止了第一导电层321流出到设置有该树脂部或本体113的区域之外，并且第一导电层321能够稳定地布置在设置有第一开口部TH1的区域中。另外，第一导电层321能够在第一开口部TH1中稳定地连接到第一电极121的下表面。
另外，第二下凹部R20可以设置在第二框架112的下表面中。第二下凹部R20可以从第二框架112的下表面朝着上表面凹进地设置。凹部R20可以与第二开口部TH2间隔开。
第二下凹部R20可以具有几微米到几十微米的宽度。树脂部可以设置在第二下凹部R20中。填充在第二下凹部R20中的树脂部可以例如由与本体113的材料相同的材料形成。
例如，填充在第二下凹部R20中的该树脂部可以在通过注塑成型工艺等形成第一框架111、第二框架112和本体113的工艺中被提供。
填充在第二下凹部R20中的该树脂部可以布置在第二框架112的设有第二开口部TH2的下表面区域的周边处。第二框架112的设有第二开口部TH2的下表面区域可以具有岛形式的形状，并且可以在该下表面区域周围被与第二框架112的下表面分离。
例如，如图2中所示，第二框架112的设有第二开口部TH2的下表面区域可以通过填充在第二下凹部R20中的树脂部和本体113而在该下表面区域周围被与第二框架112隔离。
因此，能够防止设置在第二开口部TH2中的第二导电层322通过从第二开口部TH2溢出而扩散到越过填充在第二下凹部R20中的树脂部或本体113。
因此，防止了第二导电层322流出到设置有该树脂部或本体113的区域之外，并且第二导电层322能够稳定地布置在设置有第二开口部TH2的区域中。另外，第二导电层322能够在第二开口部TH2中稳定地连接到第二电极122的下表面。
另外，根据实施例，如图22中所示，发光器件封装100可以包括树脂部135。
树脂部135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部135可以设置在封装本体110所设有的腔体C的底表面上。
树脂部135可以布置在第一电极121的侧表面上。树脂部135可以布置在第二电极122的侧表面上。树脂部135可以布置在半导体层123下方。
例如，树脂部135可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。例如，树脂部135可以是用于反射从发光器件120发射的光的反射部分，例如可以是包括诸如TiO2的反射材料的树脂。树脂部135可以包括白色硅树脂。
树脂部135可以布置在发光器件120下方以发挥密封功能。另外，树脂部135能够提高发光器件120和第一框架111之间的粘合强度。树脂部135能够提高发光器件120和第二框架112之间的粘合强度。
树脂部135可以密封第一电极121和第二电极122的外周。树脂部135可以防止第一导电层321和第二导电层322通过分别从第一开口部TH1和第二开口部TH2溢出而朝着发光器件120扩散。
另外，如果树脂部135包括诸如白色硅树脂的具有反射性质的材料，则树脂部135可以将从发光器件120提供的光朝着封装本体110的上部反射，从而提高发光器件封装100的光提取效率。
另外，如图22中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装本体110设置的腔体C中。模制部140可以布置在树脂部135上。
同时，在根据上述实施例的发光器件封装100中，第一框架111可以包括设置在第一框架111的下表面中的下凹部、以及设置在第一框架111的上表面中的上凹部。例如，第一框架111可以包括设置在第一框架111的下表面中的至少一个下凹部。另外，第一框架111可以包括设置在第一框架111的上表面中的至少一个上凹部。另外，第一框架111可以包括设置在第一框架111的上表面中的至少一个上凹部、以及设置在第一框架111的下表面中的至少一个下凹部。第一框架111可以具有在第一框架111的上表面和下表面中均未设置有凹部的结构。
类似地，第二框架112可以包括设置在第二框架112的下表面中的至少一个下凹部。另外，第二框架112可以包括设置在第二框架的上表面中的至少一个上凹部。另外，第二框架112可以包括设置在第二框架112的上表面中的至少一个上凹部、以及设置在第二框架112的下表面中的至少一个下凹部。另外，第二框架112可以具有在第二框架112的上表面和下表面中均未设置有凹部的结构。
在根据实施例的发光器件封装100中，电源可以通过第一开口部TH1的区域连接到第一电极121，并且电源可以通过第二开口部TH2的区域连接到第二电极122。
因此，发光器件120能够由通过第一电极121和第二电极122供应的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以指向封装本体110的向上方向。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以安装并设置在子底座、电路板等上。
然而，当传统上将发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，能够应用诸如回流工艺的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中可能发生重熔现象，从而削弱电连接和物理联接的稳定性。
然而，在根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法中，发光器件的第一电极和第二电极可以通过布置在开口部中的导电层接收驱动电力。另外，布置在开口部中的导电层的熔点可以被选择为比典型结合材料的熔点高的值。
因此，根据实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，使得电连接和物理结合强度可以不恶化。
此外，在根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法中，在制造发光器件封装的工艺中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
因此，能够不同地选择构成本体113的材料。根据实施例，本体113可以由诸如陶瓷的昂贵材料和相对便宜的树脂材料形成。
例如，本体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯(PCT)树脂、环氧模塑化合物(EMC)树脂和硅树脂模塑化合物(SMC)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
同时，根据参考图1至图22描述的实施例，发光器件封装100可以安装并设置在子底座、电路板等上。
接下来，将参考图23描述根据本发明的又一实施例的发光器件封装。
图23中所示的根据本发明的实施例的发光器件封装300是其中参考图1至图22描述的发光器件封装100被安装并设置在电路板310上的示例。
当参考图23描述根据本发明的实施例的发光器件封装300时，可以省略与参考图1至图22描述的那些重复的描述。
根据实施例，如图23中所示，发光器件封装300可以包括电路板310、封装本体110和发光器件120。
电路板310可以包括第一焊盘311、第二焊盘312和基板313。基板313可以设置有用于控制发光器件120的驱动的电源电路。
封装本体110可以布置在电路板310上。第一焊盘311和第一电极121可以彼此电连接。第二焊盘312和第二电极122可以彼此电连接。
第一焊盘311和第二焊盘312可以包括导电材料。例如，第一焊盘311和第二焊盘312可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al组成的组中选择的至少一种材料或其合金。第一焊盘311和第二焊盘312可以由单层或多层组成。
封装本体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以彼此间隔开。
封装本体110可以包括本体113。本体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。本体113可以用作一种电极分离线。
第一框架111和第二框架112可以是绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以是导电框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
封装本体110可以包括在第一方向上从封装本体110的上表面朝着下表面设置的第一开口部TH1和第二开口部TH2。第一框架111可以包括第一开口部TH1。第二框架112可以包括第二开口部TH2。
第一开口部TH1可以设置在第一框架111中。第一开口部TH1可以贯穿第一框架111设置。第一开口部TH1可以在第一方向上贯穿第一框架111的上表面和下表面设置。
第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一电极121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一电极121重叠。第一开口部TH1可以在从第一框架111的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一电极121重叠。
第二开口部TH2可以设置在第二框架112中。第二开口部TH2可以贯穿第二框架112设置。第二开口部TH2可以在第一方向上贯穿第二框架112的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二电极122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二电极122重叠。第二开口部TH2可以在从第二框架112的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二电极122重叠。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，如图23中所示，发光器件封装300可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在本体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在本体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
另外，根据实施例，如图23中所示，发光器件封装300可以包括凹部R。
凹部R可以设置在本体113中。凹部R可以设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2之间。凹部R可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。凹部R可以布置在发光器件120下方。凹部R可以在第一方向上与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和本体113之间。粘合剂130可以布置在第一电极121和第二电极122之间。例如，粘合剂130可以与第一电极121的侧表面和第二电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装本体110之间提供稳定的固定强度。粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供稳定的固定强度。例如，粘合剂130可以与本体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，粘合剂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。例如，该粘合剂可以包括白色硅树脂。
粘合剂130可以在本体113和发光器件120之间提供稳定的固定强度，并且，如果光通过发光器件120的下表面发射，则粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120通过发光器件120的下表面发射时，粘合剂130可以通过光扩散功能来提高发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例，如图23中所示，发光器件封装300可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以与第二导电层322间隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一电极121下方。第一导电层321的宽度可以小于第一电极121的宽度。
第一电极121可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第一开口部TH1被沿着该第一方向设置。第一电极121的宽度可以大于第一开口部TH1在第二方向的宽度。
第一导电层321可以与第一电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一电极121。第一导电层321可以被第一框架111包围。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二电极122下方。第二导电层322的宽度可以小于第二电极122的宽度。
第二电极122可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第二开口部TH2被沿着该第一方向设置。第二电极122的宽度可以大于第二开口部TH2在第二方向的宽度。
第二导电层322可以与第二电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二电极122。第二导电层322可以被第二框架112围绕。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt等组成的组中选择的一种材料或其合金。然而，实施例不限于此，并且第一导电层321和第二导电层322可以由能够确保导电功能的材料形成。
根据实施例，电路板310的第一焊盘311和第一导电层321可以彼此电连接。另外，电路板310的第二焊盘312和第二导电层322可以彼此电连接。
同时，根据实施例，可以在第一焊盘311和第一导电层321之间另外设置单独的结合层。此外，可以在第二焊盘312和第二导电层322之间另外设置单独的结合层。
另外，根据另一实施例，第一导电层321和第二导电层322可以通过共晶结合(eutectic bonding)安装在电路板310上。
在根据参考图23描述的实施例的发光器件封装300中，从电路板310供应的电力分别通过第一导电层321和第二导电层322发送到第一电极121和第二电极122。此时，电路板310的第一焊盘311与第一导电层321彼此直接接触，并且电路板310的第二焊盘312与第二导电层322彼此直接接触。
因此，在图23所示的根据实施例的发光器件封装300中，第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。另外，根据图23中所示的根据实施例的发光器件封装300，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。
如上所述，在根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法中，发光器件的第一电极和第二电极可以通过布置在开口部中的导电层接收驱动电力。另外，布置在开口部中的导电层的熔点可以被选择为比典型结合材料的熔点高的值。
因此，根据实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，使得电连接和物理结合强度可以不恶化。
另外，在根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法中，在制造发光器件的工艺中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
因此，能够不同地选择构成本体113的材料。根据实施例，本体113可以由诸如陶瓷的昂贵材料和相对便宜的树脂材料形成。
例如，本体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模塑化合物(EMC)树脂和硅树脂模塑化合物(SMC)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
同时，根据图24中所示的本发明的实施例的发光器件封装400可以是其中参考图1至图22描述的发光器件封装100被安装并设置在电路板410上的示例。
在参考图24描述根据本发明的实施例的发光器件封装400中，可以省略与参考图1至图23描述的那些重复的描述。
根据实施例，如图24中所示，发光器件封装400可以包括电路板410、封装本体110和发光器件120。
电路板410可以包括第一焊盘411、第二焊盘412和基板413。基板413可以设置有用于控制发光器件120的驱动的电源电路。
封装本体110可以设置在电路板410上。第一焊盘411和第一电极121可以彼此电连接。第二焊盘412和第二电极122可以彼此电连接。
第一焊盘411和第二焊盘412可以包括导电材料。例如，第一焊盘411和第二焊盘412可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al组成的组中选择的至少一种材料或其合金。第一焊盘411和第二焊盘412可以由单层或多层组成。
封装本体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以彼此间隔开。
封装本体110可以包括本体113。本体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。本体113可以用作一种电极分离线。
第一框架111和第二框架112可以是导电框架。第一框架111和第二框架112可以为封装本体110提供稳定的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
封装本体110可以包括在第一方向上从封装本体110的上表面朝着下表面设置的第一开口部TH1和第二开口部TH2。第一框架111可以包括第一开口部TH1。第二框架112可以包括第二开口部TH2。
第一开口部TH1可以设置在第一框架111中。第一开口部TH1可以贯穿第一框架111设置。第一开口部TH1可以在第一方向上贯穿第一框架111的上表面和下表面设置。
第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一电极121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一电极121重叠。第一开口部TH1可以在从第一框架111的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一电极121重叠。
第二开口部TH2可以设置在第二框架112中。第二开口部TH2可以贯穿第二框架112设置。第二开口部TH2可以在第一方向上贯穿第二框架112的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二电极122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二电极122重叠。第二开口部TH2可以在从第二框架112的上表面朝着下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二电极122重叠。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，如图24中所示，发光器件封装400可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在本体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在本体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
另外，根据实施例，如图24中所示，发光器件封装400可以包括凹部R。
凹部R可以设置在本体113中。凹部R可以设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2之间。凹部R可以从本体113的上表面朝着下表面凹进地设置。凹部R可以布置在发光器件120下方。凹部R可以在第一方向上与发光器件120重叠。
例如，粘合剂130可以布置在凹部R中。粘合剂130可以布置在发光器件120和本体113之间。粘合剂130可以布置在第一电极121和第二电极122之间。例如，粘合剂130可以与第一电极121的侧表面和第二电极122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和封装本体110之间提供稳定的固定强度。粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供稳定的固定强度。例如，粘合剂130可以与本体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，粘合剂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。例如，该粘合剂可以包括白色硅树脂。
粘合剂130可以在本体113和发光器件120之间提供稳定的固定强度，并且，如果光通过发光器件120的下表面发射，则粘合剂130可以在发光器件120和本体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120通过发光器件120的下表面发射时，粘合剂130可以通过光扩散功能来提高发光器件封装100的光提取效率。
此外，根据实施例，如图24中所示，发光器件封装400可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以与第二导电层322间隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一电极121下方。第一导电层321的宽度可以小于第一电极121的宽度。
第一电极121可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第一开口部TH1被沿着该第一方向设置。第一电极121的宽度可以大于第一开口部TH1在第二方向的宽度。
第一导电层321可以与第一电极121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一电极121。第一导电层321可以被第一框架111围绕。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二电极122下方。第二导电层322的宽度可以小于第二电极122的宽度。
第二电极122可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第二开口部TH2被沿着该第一方向设置。第二电极122的宽度可以大于第二开口部TH2在第二方向的宽度。
第二导电层322可以与第二电极122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二电极122。第二导电层322可以被第二框架112围绕。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt等组成的组中选择的一种材料或其合金。然而，实施例不限于此，并且第一导电层321和第二导电层322可以由能够确保导电功能的材料形成。
根据实施例，电路板410的第一焊盘411和第一导电层321可以彼此电连接。另外，电路板410的第二焊盘412和第二导电层322可以彼此电连接。
第一焊盘411可以电连接到第一框架111。另外，第二焊盘412可以电连接到第二框架112。
同时，根据实施例，可以在第一焊盘411和第一框架111之间另外提供单独的结合层。此外，可以在第二焊盘412和第二框架112之间另外提供单独的结合层。
在根据参考图24描述的实施例的发光器件封装400中，从电路板410供应的电力分别通过第一导电层321和第二导电层322发送到第一电极121和第二电极122。此时，电路板410的第一焊盘411和第一框架111彼此直接接触，并且电路板410的第二焊盘412和第二框架112彼此直接接触。
如上所述，在根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法中，发光器件的第一电极和第二电极可以通过布置在开口部中的导电层接收驱动电力。另外，布置在开口部中的导电层的熔点可以被选择为比典型结合材料的熔点高的值。
因此，根据实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，使得电连接和物理结合强度可以不恶化。
此外，在根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法中，在制造发光器件封装的工艺中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
因此，能够不同地选择构成本体113的材料。根据实施例，本体113可以由诸如陶瓷的昂贵材料和相对便宜的树脂材料形成。
例如，本体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模塑化合物(EMC)树脂和硅树脂模塑化合物(SMC)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
同时，已经基于在每个电极焊盘下方设置一个开口部的情况来描述根据实施例的上述发光器件封装。
然而，根据另一实施例的发光器件封装，可以在每个电极焊盘下方提供开口部。另外，所述开口部可以具有彼此不同的宽度。
另外，如图25至图27中所示，根据实施例的开口部可以设置为各种形状。
例如，如图25中所示，根据实施例的开口部TH3可以设置有从其上部区域到下部区域相同的宽度。
另外，如图26中所示，根据实施例的开口部TH4可以设置为多级结构的形状。例如，开口部TH4可以设置为具有不同倾斜角度的两级结构的形状。另外，开口部TH4可以设置为具有不同倾斜角度的三级或更多级的形状。
另外，如图27中所示，开口部TH5可以设置为其中宽度从其上部区域到下部区域变化的形状。例如，开口部TH5可以设置为从其上部区域到下部区域具有曲率的形状。
另外，在根据上述实施例的发光器件封装中，封装本体110可以仅包括具有平坦上表面而没有倾斜反射部分的支撑构件113。
换句话说，在根据实施例的发光器件封装中，封装本体110可以具有形成腔体C的结构。此外，封装本体110可以具有如下结构：该结构具有平坦上表面而没有腔体C。
另外，基于在封装本体110的第一框架111和第二框架112中分别设置第一开口部TH1和第二开口部TH2的情况来描述根据上述实施例的发光器件封装。然而，第一开口部TH1和第二开口部TH2可以设置在封装本体110的本体113中。
当在如上所述的封装本体110的本体113中设置第一开口部TH1和第二开口部TH2时，本体113的上表面在发光器件120的长轴方向上的长度可以大于发光器件120的第一电极121和第二电极122之间的长度。
另外，当第一开口部TH1和第二开口部TH2设置在封装本体110的本体113中时，根据实施例，发光器件封装可以不包括第一框架111和第二框架112。
同时，上述发光器件封装可以设置有作为一个示例的倒装芯片发光器件。
例如，该倒装芯片发光器件可以设置为在六个表面方向上发射光的反射式倒装芯片发光器件，或者可以设置为在五个表面方向上发射光的反射式倒装芯片发光器件。
在五个表面方向上发射光的反射式倒装芯片发光器件可以具有以下结构：其中，反射层布置在靠近封装封装本体110的方向上。例如，该反射式倒装芯片发光器件可以包括在第一和第二电极焊盘与发光结构之间的绝缘反射层(例如分布式布拉格反射器和全向反射器)和/或导电反射层(例如Ag、Al、Ni和Au)。
另外，在六个表面方向上发射光的倒装芯片发光器件可以包括电连接到第一导电半导体层的第一电极和电连接到第二导电半导体层的第二电极，并且可以设置为其中在第一电极和第二电极之间发射光的、通常的水平型发光器件。
另外，在六个表面方向上发射光的倒装芯片发光器件可以设置为透射式倒装芯片发光器件，其包括：反射区域，在该反射区域中在第一电极焊盘和第二电极焊盘之间布置有反射层；和透射区域，该透射区域发射光。
这里，透射式倒装芯片发光器件是指将光发射到其六个表面(上表面、四个侧表面和下表面)的器件。另外，反射式倒装芯片发光器件是指将光发射到其五个表面(上表面和四个侧表面)的器件。
在下文中，将参考附图描述适用于根据本发明的实施例的发光器件封装的倒装芯片发光器件的示例。
首先，将参考图28和图29描述根据本发明的实施例的发光器件。图28是示出了根据本发明的实施例的发光器件的俯视图，并且图29是沿着图28中所示的发光器件的线A-A截取的剖视图。
为了更好地理解，图31示出了电连接到第一电极1171的第一子电极1141和电连接到第二电极1172的第二子电极1142，尽管它们布置在第一电极1171和第二电极1172下方。
如图28和图29中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括布置在基板1105上的发光结构1110。
基板1105可以选自包括蓝宝石基板(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge的组。例如，基板1105可以设置为在其上表面上形成有凹凸图案的图案化蓝宝石基板(PSS)。
发光结构1110可以包括第一导电半导体层1111、有源层1112和第二导电半导体层1113。有源层1112可以布置在第一导电半导体层1111和第二导电半导体层1113之间。例如，有源层1112可以设置在第一导电半导体层1111上，并且第二导电半导体层1113可以布置在有源层1112上。
根据实施例，第一导电半导体层1111可以设置为n型半导体层，并且第二导电半导体层1113可以设置为p型半导体层。根据另一实施例，第一导电半导体层1111可以设置为p型半导体层，并且第二导电半导体层1113可以设置为n型半导体层。
在下文中，为了描述方便，将参考第一导电半导体层1111被设置为n型半导体层并且第二导电半导体层1113被设置为p型半导体层的情况来描述。
如图29中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括欧姆接触层1130。欧姆接触层1130可以通过改善电流扩散来增加光输出。将参考根据实施例的制造发光器件的方法进一步描述欧姆接触层1130的布置位置和形状。
例如，欧姆接触层1130可以包括从包括金属、金属氧化物和金属氮化物的组中选出的至少一种。欧姆接触层1130可以包括透光材料。
欧姆接触层1130可以包括从包括以下项的组中选出的材料：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、IZO氮化物(IZON)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh和Pd。
如图28和图29中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括反射层1160。反射层1160可以包括第一反射层1161、第二反射层1162和第三反射层1163。反射层1160可以布置在欧姆接触层1130上。
第二反射层1162可以包括用于暴露欧姆接触层1130的第一开口h1。第二反射层1162可以包括布置在欧姆接触层1130上的多个第一开口h1。
第一反射层1161可以包括用于暴露第一导电半导体层1111的上表面的第二开口h2。
第三反射层1163可以布置在第一反射层1161和第二反射层1162之间。例如，第三反射层1163可以连接到第一反射层1161。另外，第三反射层1163可以连接到第二反射层1162。第三反射层1163可以布置成与第一反射层1161和第二反射层1162物理地直接接触。
例如，第三反射层1163的宽度W5可以小于参考图1至图24描述的凹部R的宽度W4。
因此，在第一反射层1161和第三反射层1163之间发射的光可以入射到布置在凹部R的区域中的粘合剂130。在发光器件的向下方向上发射的光可以通过粘合剂130被光学地扩散并且可以提高光提取效率。
另外，在第二反射层1162和第三反射层1163之间发射的光可以入射到布置在凹部R的区域中的粘合剂130。在发光器件的向下方向上发射的光可以通过粘合剂130被光学地扩散并且可以提高光提取效率。
根据实施例的反射层1160可以通过设置在欧姆接触层1130中的接触孔而与第二导电半导体层1113接触。反射层1160可以通过设置在欧姆接触层1130中的接触孔而与第二导电半导体层1113的上表面物理接触。
将参考根据实施例的制造发光器件的方法进一步描述根据实施例的欧姆接触层1130的形状和反射层1160的形状。
反射层1160可以设置为绝缘反射层。例如，反射层1160可以设置为分布式布拉格反射器(DBR)层。另外，反射层1160可以设置为全向反射器(ODR)层。另外，可以通过堆叠该DBR层和ODR层来提供反射层1160。
如图28和图29中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括第一子电极1141和第二子电极1142。
第一子电极1141可以在第二开口h2中电连接到第一导电半导体层1111。第一子电极1141可以布置在第一导电半导体层1111上。例如，根据实施例的发光器件1100，第一子电极1141可以在第一导电半导体层1111的上表面上布置在贯穿第二导电半导体层1113和有源层1112设置到第一导电半导体层1111的部分区域中的凹部内。
第一子电极1141可以通过设置在第一反射层1161中的第二开口h2电连接到第一导电半导体层1111的上表面。第二开口h2和所述凹部可以彼此竖直地重叠。例如，如图31和图32中所示，第一子电极1141可以在凹部区域中与第一导电半导体层1111的上表面直接接触。
第二子电极1142可以电连接到第二导电半导体层1113。第二子电极1142可以布置在第二导电半导体层1113上。根据实施例，欧姆接触层1130可以设置在第二子电极1142和第二导电半导体层1113之间。
第二子电极1142可以通过设置在第二反射层1162中的第一开口h1电连接到第二导电半导体层1113。例如，如图31和32中所示，第二子电极1142可以在P区域中通过欧姆接触层1130电连接到第二导电半导体层1113。
如图28和图29中所示，第二子电极1142可以在P区域中通过设置在第二反射层1162中的多个第一开口h1与欧姆接触层1130的上表面直接接触。
根据实施例，如图28和图29中所示，第一子电极1141和第二子电极1142可以具有相对于彼此的极性并且可以彼此间隔开。
例如，第一子电极1141可以设置为线形形状。另外，例如，第二子电极1142可以设置为线形形状。第一子电极1141可以布置在邻近的第二子电极1142之间。第二子电极1142可以布置在邻近的第一子电极1141之间。
当第一子电极1141和第二子电极1142具有彼此不同的极性时，电极的数量可以彼此不同。例如，当第一子电极1141被构造为n电极并且第二子电极1142被构造为p电极时，第二子电极1142的数量可以更多。当第二导电半导体层1113和第一导电半导体层1111的电导率和/或电阻彼此不同时，注入到发光结构1110中的电子可以通过第一子电极1141和第二子电极1142与正空穴平衡，因此，可以改善该发光器件的光学特性。
第一子电极1141和第二子电极1142可以设置有具有单层或多层的结构。例如，第一子电极1141和第二子电极1142可以是欧姆电极。例如，第一子电极1141和第二子电极1142可以包括以下项中的至少一种或由其至少两种形成的合金：ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf。
如图28和图29中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括保护层1150。
保护层1150可以包括用于暴露第二子电极1142的第三开口h3。第三开口h3可以与设置在第二子电极1142中的PB区域对应地布置。
另外，保护层1150可以包括用于暴露第一子电极1141的第四开口h4。第四开口h4可以与设置在第一子电极1141中的NB区域对应地布置。
保护层1150可以布置在反射层1160上。保护层1150可以布置在第一反射层1161、第二反射层1162和第三反射层1163上。
例如，保护层1150可以设置为绝缘材料。例如，保护层1150可以由从包括SixOy、SiOxNy、SixNy和AlxOy的组中选出的至少一种材料形成。
如图28和图29中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括布置在保护层1150上的第一电极1171和第二电极1172。
第一电极1171可以布置在第一反射层1161上。另外，第二电极1172可以布置在第二反射层1162上。第二电极1172可以与第一电极1171间隔开。
第一电极1171可以在NB区域中通过设置在保护层1150中的第四开口h4而与第一子电极1141的上表面接触。NB区域可以与第二开口h2竖直地偏移。当多个NB区域和第二开口h2彼此竖直地偏移时，注入第一电极1171的电流可以在第一子电极1141的水平方向上均匀分布，因此可以在NB区域中均匀地注入电流。
另外，第二电极1172可以在PB区域中通过设置在保护层1150中的第三开口h3而与第二子电极1142的上表面接触。当PB区域和第一开口h1彼此不竖直地重叠时，注入第二电极1172的电流可以在第二子电极1142的水平方向上均匀地分布，因此可以在PB区域中均匀地注入电流。
因此，根据实施例的发光器件1100，第一电极1171可以在第四开口h4中与第一子电极1141接触。另外，第二电极1172可以在多个区域中与第二子电极1142接触。因此，根据实施例，由于可以通过这些区域提供电力，所以能够根据接触面积的增加和接触区域的分散而产生电流分散效果并能够降低工作电压。
另外，根据实施例的发光器件1100，如图29中所示，第一反射层1161布置在第一子电极1141下方，并且第二反射层1162布置在第二子电极1142下方。因此，第一反射层1161和第二反射层1162反射从发光结构1110的有源层1112发射的光，以最小化第一子电极1141和第二子电极1142中的光吸收，从而能够提高光强度Po。
例如，第一反射层1161和第二反射层1162可以由绝缘材料形成，并且具有诸如DBR结构的结构：该结构使用具有高反射率的材料，以便反射从有源层1112发射的光。
第一反射层1161和第二反射层1162可以具有DBR结构，在该结构中，具有不同折射率的材料被交替地布置。例如，第一反射层1161和第二反射层1162可以布置为单层或包括TiO2、SiO2、Ta2O5和HfO2中的至少一种的堆叠结构。
不限于此，根据另一实施例，可以自由地选择第一反射层1161和第二反射层1162，以根据从有源层1112发射的光的波长来调节对从有源层1112发射的光的反射率。
另外，根据另一实施例，第一反射层1161和第二反射层1162可以设置为ODR层。根据又一实施例，第一反射层1161和第二反射层1162可以设置为其中DBR层和ODR层被堆叠的一种混合型。
当根据实施例的发光器件在通过倒装芯片结合方案安装之后被实现为发光器件封装时，从发光结构1110提供的光可以通过基板1105发射。从发光结构1110发射的光可以被第一反射层1161和第二反射层1162反射并朝着基板1105发射。
另外，从发光结构1110发射的光可以在发光结构1110的横向方向上发射。此外，从发光结构1110发射的光可以通过其上布置有第一电极1171和第二电极1172的表面中的、未设置有第一电极1171和第二电极1172的区域被发射到外部。
具体地，从发光结构1110发射的光可以通过其上布置有第一电极1171和第二电极1172的表面中的、未设置有第三反射层1163的区域被发射到外部。
因此，根据实施例的发光器件1100可以在围绕发光结构1110的六个表面方向上发射光，并且显著地提高光强度。
同时，根据实施例的发光器件，当从发光器件1100的顶部观察时，第一电极1171和第二电极1172的面积之和小于或等于发光器件1100的其上布置有第一电极1171和第二电极1172的上表面的总面积的60％。
例如，发光器件1100的上表面的总面积可以对应于由发光结构1110的第一导电半导体层1111的下表面的横向长度和纵向长度限定的面积。另外，发光器件1100的上表面的总面积可以对应于基板1105的上表面或下表面的面积。
因此，第一电极1171和第二电极1172的面积之和等于或小于发光器件1100的总面积的60％，使得发射到布置有第一电极1171和第二电极1172的表面上的光量可以增加。因此，根据实施例，由于增加了在发光器件1100的六个表面方向上发射的光量，所以可以提高光提取效率并且可以提高光强度Po。
另外，当从发光器件的顶部观察时，第一电极1171和第二电极1172的面积之和等于或大于发光器件1100的总面积的30％。
因此，第一电极1171和第二电极1172的面积之和等于或大于发光器件1100的总面积的30％，从而可以通过第一电极1171和第二电极1172执行稳定的安装，并且可以确保发光器件1100的电特性。
考虑到确保光提取效率和结合稳定性，第一电极1171和第二电极1172的面积之和可以被选择为发光器件1100的总面积的30％至60％。
换句话说，当第一电极1171和第二电极1172的面积之和是发光器件1100的总面积的30％至100％时，可以确保发光器件1100的电特性并且可以确保要安装在该发光器件封装上的结合强度，从而可以执行稳定的安装。
此外，当第一电极1171和第二电极1172的面积之和大于发光器件1100的总面积的0％但等于或小于60％时，发射到布置有第一电极1171和第二电极1172的表面上的光的量增加，从而可以提高发光器件1100的光提取效率并且可以提高光强度Po。
在实施例中，第一电极1171和第二电极1172的面积之和被选择为发光器件1100的总面积的30％至60％，以确保发光器件1100的电特性和要安装在发光器件封装上的结合强度并提高光强度。
另外，根据实施例的发光器件1100，第三反射层1163可以布置在第一电极1171和第二电极1172之间。例如，第三反射层1163的在发光器件1100的长轴方向上的长度W5可以对应于第一电极1171和第二电极1172之间的距离。另外，例如，第三反射层1163的面积可以是发光器件1100的整个上表面的10％至25％。
当第三反射层1163的面积是发光器件1100的整个上表面的10％或更大时，可以防止布置在发光器件下方的封装本体变色或破裂。当为25％或更小时，有利地确保了用于将光发射到发光器件的六个表面的光提取效率。
另外，不限于此，在另一实施例中，第三反射层1163的面积可以布置为大于发光器件1100的整个上表面的0％但小于其10％，以确保光提取效率更高，并且第三反射层1163的面积可以布置为大于发光器件1100的整个上表面的25％但小于其100％，以防止封装本体变色或破裂。
另外，从发光结构1110产生的光可以通过第二区域被传输和发射，该第二区域设置在沿长轴方向布置的侧表面和与该侧表面相邻的第一电极1171或第二电极1172之间。
另外，从发光结构1110产生的光可以通过第三区域被传输和发射，该第三区域设置在沿短轴方向布置的侧表面和与该侧表面相邻的第一电极1171或第二电极1172之间。
根据实施例，第一反射层1161的尺寸可以比第一电极1171的尺寸大几微米。例如，第一反射层1161的面积可以设置为在尺寸上完全覆盖第一电极1171的面积。考虑到工艺误差，例如，第一反射层1161的一边的长度可以比第一电极1171的一边的长度大了约4微米至约10微米。
另外，第二反射层1162的尺寸可以比第二电极1172的尺寸大几微米。例如，第二反射层1162的面积可以设置为在尺寸上完全覆盖第二电极1172的尺寸。考虑到工艺误差，例如，第二反射层1162的一边的长度可以比第二电极1172的一边的长度大了约4微米至约10微米。
根据实施例，从发光结构1110发射的光可以被第一反射层1161和第二反射层1162反射而不入射在第一电极1171和第二电极1172上。因此，根据实施例，可以使从发光结构1110产生和发射并且入射到第一电极1171和第二电极1172的光的损失最小化。
另外，根据本实施例的发光器件1100，因为第三反射层1163布置在第一电极1171和第二电极1172之间，所以可以调节在第一电极1171和第二电极1172之间发射的光的量。
如上所述，根据实施例的发光器件1100可以在例如以倒装芯片结合方案安装之后被设置为发光器件封装。这里，当其上安装有发光器件1100的封装本体设置有树脂等时，由于从发光器件1100发射的强的短波长光，该封装本体在发光器件1100的下部区域中变色或破裂。
然而，根据实施例的发光器件1100，因为调节了在其上布置有第一电极1171和第二电极1172的区域之间发射的光的量，所以可以防止布置在发光器件1100的下部区域中的封装本体变色或破裂。
根据实施例，从发光结构1100产生的光可以通过发光器件1100的其上布置有第一电极1171、第二电极1172和第三反射层1163的上表面的20％或更大的面积被传输和发射。
因此，根据实施例，由于增加了在发光器件1100的六个表面方向上发射的光的量，所以可以提高光提取效率并且可以提高光强度Po。另外，可以防止与发光器件1100的下表面相邻地布置的封装本体变色或破裂。
另外，根据实施例的发光器件1100，可以在欧姆接触层1130中设置有多个接触孔C1、C2和C3。第二导电半导体层1113可以通过设置在欧姆接触层1130中的多个接触孔C1、C2和C3被结合到反射层1160。反射层1160与第二导电半导体层1113直接接触，使得与反射层1160和欧姆接触层1130接触的情况相比，可以提高粘合强度。
当反射层1160仅与欧姆接触层1130直接接触时，反射层1160与欧姆接触层1130之间的结合强度或粘合强度可能会减弱。例如，当绝缘层被结合到金属层时，其材料之间的结合强度或粘合强度可能会减弱。
例如，当反射层1160和欧姆接触层1130之间的结合强度或粘合强度弱时，可能在这两层之间发生剥离。因此，当在反射层1160和欧姆接触层1130之间发生剥离时，发光器件1100的特性可能劣化并且可能无法确保发光器件1100的可靠性。
然而，根据实施例，由于反射层1160能够与第二导电半导体层1113直接接触，所以可以在反射层1160、欧姆接触层1130和第二导电半导体层1113之间稳定地提供结合强度和粘合强度。
因此，根据实施例，由于可以稳定地提供反射层1160和第二导电半导体层1113之间的结合强度，所以可以防止反射层1160从欧姆接触层1130剥离。另外，由于可以稳定地提供反射层1160和第二导电半导体层1113之间的结合强度，所以可以提高发光器件1100的可靠性。
同时，如上所述，欧姆接触层1130可以设置有接触孔C1、C2和C3。从有源层1112发射的光可以通过设置在欧姆接触层1130中的接触孔C1、C2和C3入射到反射层1160并被反射层1160反射。因此，从有源层1112产生并且入射到欧姆接触层1130的光的损失减少，从而可以提高光提取效率。因此，根据实施例的发光器件1100，可以提高光强度。
在下文中，将参考附图描述根据实施例的制造发光器件的方法。在描述根据实施例的制造发光器件的方法时，可以省略与参考图28至图29描述的那些重复的描述。
首先，根据实施例的制造发光器件的方法，如图30a和图30b中所示，发光结构1110可以设置在基板1105上。图30a是示出了按照根据实施例的制造发光器件的方法形成的发光结构1110的形状的俯视图，并且图30b是沿着图30a中所示的发光器件的线A-A截取的工艺截面图。
根据实施例，发光结构1110可以设置在基板1105上。例如，第一导电半导体层1111、有源层1112和第二导电半导体层1113可以设置在基板1105上。
根据实施例，可以通过台面蚀刻工艺暴露第一导电半导体层1111的一部分。发光结构1110可以包括台面开口M，用于通过台面蚀刻来暴露第一导电半导体层1111。例如，台面开口M可以设置为圆形形状。另外，台面开口M也可以称为凹部。台面开口M可以设置为各种形状，例如椭圆形形状或多边形形状，以及圆形形状。
接下来，如图31a和31b中所示，可以提供欧姆接触层1130。图31a是示出了按照根据实施例的制造发光器件的方法形成的欧姆接触层1130的形状的俯视图，并且图31b是沿着图31a中所示的发光器件的线A-A截取的工艺截面图。
根据实施例，欧姆接触层1130可以设置在第二导电半导体层1113上。欧姆接触层1130可以包括开口M1，这些开口M1设置在与台面开口M对应的区域中。
例如，开口M1可以设置为圆形形状。开口M1可以设置为各种形状，例如椭圆形形状或多边形形状，以及圆形形状。
欧姆接触层1130可以包括第一区域R1、第二区域R2和第三区域R3。第一区域R1和第二区域R2可以彼此间隔开。另外，第三区域R3可以布置在第一区域R1和第二区域R2之间。
第一区域R1可以包括设置在与发光结构1110的台面开口M对应的区域中的开口M1。另外，第一区域R1可以包括多个第一接触孔C1。例如，第一接触孔C1可以围绕开口M1设置为多个。
第二区域R2可以包括设置在与发光结构1110的台面开口M对应的区域中的开口M1。另外，第二区域R2可以包括多个第二接触孔C2。例如，第二接触孔C2可以围绕开口M2设置为多个。
第三区域R3可以包括设置在与发光结构1110的台面开口M对应的区域中的开口M1。另外，第一区域R1可以包括多个第一接触孔C1。例如，第一接触孔C1可以围绕开口M1设置为多个。
根据实施例，第一接触孔C1、第二接触孔C2和第三接触孔C3可以具有几微米到几十微米的直径。例如，第一接触孔C1、第二接触孔C2和第三接触孔C3可以具有7微米至20微米的直径。
第一接触孔C1、第二接触孔C2和第三接触孔C3可以设置为各种形状，例如椭圆形形状或多边形形状，以及圆形形状。
根据实施例，设置在欧姆接触层1130下方的第二导电半导体层1113可以通过第一接触孔C1、第二接触孔C2和第三接触孔C3暴露。
将参考下述的后续工艺进一步描述开口M1、第一接触孔C1、第二接触孔C2和第三接触孔C3的功能。
接下来，如图32a和32b中所示，可以提供反射层1160。图32a是示出了按照根据实施例的制造发光器件的方法形成的反射层1160的形状的俯视图，并且图32b是沿着图32a中所示的发光器件的线A-A截取的工艺截面图。
反射层1160可以包括第一反射层1161、第二反射层1162和第三反射层1163。反射层1160可以布置在欧姆接触层1130上。反射层1160可以布置在第一导电半导体层1111和第二导电半导体层1113上方。
第一反射层1161和第二反射层1162可以彼此间隔开。第三反射层1163可以布置在第一反射层1161和第二反射层1162之间。
第一反射层1161可以布置在欧姆接触层1130的第一区域R1上。第一反射层1161可以布置在设于欧姆接触层1130中的第一接触孔C1上。
第二反射层1162可以布置在欧姆接触层1130的第二区域R2上。第二反射层1162可以布置在设于欧姆接触层1130中的第二接触孔C2上。
第三反射层1163可以布置在欧姆接触层1130的第三区域R3上。第三反射层1163可以布置在设于欧姆接触层1130中的第三接触孔C3上。
第二反射层1162可以包括多个开口。例如，第二反射层1162可以包括第一开口h1。欧姆接触层1130可以通过第一开口h1暴露。
另外，第一反射层1161可以包括第二开口h2。第一导电半导体层1111的上表面可以通过多个第二开口h2暴露。所述多个第二开口h2可以与形成在发光结构1110中的台面开口M的区域对应地设置。另外，所述多个第二开口h2可以与设置在欧姆接触层1130中的开口M1的区域对应地设置。
同时，根据实施例，第一反射层1161可以设置在欧姆接触层1130的第一区域R1上。另外，第一反射层1161可以通过设置在欧姆接触层1130中的第一接触孔C1接触第二导电半导体层1113。因此，可以提高第一反射层1161和第二导电半导体层1113之间的粘合强度，并且可以防止第一反射层1161从欧姆接触层1130剥离。
此外，根据实施例，第二反射层1162可以设置在欧姆接触层1130的第二区域R2上。第二反射层1162可以通过设置在欧姆接触层1130中的第二接触孔C2接触第二导电半导体层1113。因此，可以提高第二反射层1162和第二导电半导体层1113之间的粘合强度，并且可以防止第二反射层1162从欧姆接触层1130剥离。
此外，根据实施例，第三反射层1163可以设置在欧姆接触层1130的第三区域R3上。第三反射层1163可以通过设置在欧姆接触层1130中的第三接触孔C3与第二导电半导体层1113接触。因此，可以提高第三反射层1163和第二导电半导体层1113之间的粘合强度，并且可以防止第三反射层1163从欧姆接触层1130剥离。
随后，如图33a和图33b中所示，可以提供第一子电极1141和第二子电极1142。图33a是示出了按照根据实施例的制造发光器件的方法形成的第一子电极1141和第二子电极1142的形状的俯视图，并且图33b是沿着图33a中所示的发光器件的线A-A截取的工艺截面图。
根据实施例，第一子电极1141和第二子电极1142可以彼此间隔开。
第一子电极1141可以电连接到第一导电半导体层1111。第一子电极1141可以布置在第一导电半导体层1111上。例如，在根据实施例的发光器件1100中，第一子电极1141可以布置在通过去除第二导电半导体层1113的一部分和有源层1112的一部分而暴露的第一导电半导体层1111的上表面上。
例如，第一子电极1141可以设置为线性形状。另外，第一子电极1141可以包括N区域，该N区域比具有线性形状的其他区域具有相对更大的面积。第一子电极1141的N区域可以电连接到稍后提供的第一电极1171。
第一子电极1141可以通过设置在第一反射层1161中的第二开口h2电连接到第一导电半导体层1111的上表面。例如，第一子电极1141可以在N区域中与第一导电半导体层1111的上表面直接接触。
第二子电极1142可以电连接到第二导电半导体层1113。第二子电极1142可以布置在第二导电半导体层1113上。根据实施例，欧姆接触层1130可以布置在第二子电极1142和第二导电半导体层1113之间。
例如，第二子电极1142可以设置为线性形状。另外，第二子电极1142可以包括P区域，该P区域比具有线性形状的其他区域具有相对更大的面积。第二子电极1142的P区域可以电连接到稍后提供的第二电极1172。
第二子电极1142可以通过设置在第二反射层1162中的第一开口h1电连接到第二导电半导体层1113的上表面。例如，第二子电极1142可以在多个P区域中通过欧姆接触层1130电连接到第二导电半导体层1113。第二子电极1142可以在多个P区域中与欧姆接触层1130的上表面直接接触。
接下来，如图34a和34b中所示，可以提供反射层1150。图34a是示出了按照根据实施例的制造发光器件的方法形成的保护层1150的形状的俯视图，并且图34b是沿着图34a中所示的发光器件的线A-A截取的工艺截面图。
保护层1150可以布置在第一子电极1141和第二子电极1142上。保护层1150可以布置在反射层1160上。
保护层1150可以包括用于暴露第一子电极1141的上表面的第四开口h4。保护层1150可以包括用于暴露第一子电极1141的多个NB区域的第四开口h4。
第四开口h4可以设置在布置有第一反射层1161的区域上。另外，第四开口h4可以设置在欧姆接触层1130的第一区域R1上。
保护层1150可以包括用于暴露第二子电极1142的上表面的第三开口h3。保护层1150可以包括用于暴露第二子电极1142的PB区域的第三开口h3。
第三开口h3可以设置在布置有第二反射层1162的区域上。另外，第三开口h3可以设置在欧姆接触层1130的第二区域R2上。
随后，如图35a和35b中所示，可以提供第一电极1171和第二电极1172。图35a是示出了按照根据实施例的制造发光器件的方法形成的第一电极1171和第二电极1172的形状的俯视图，并且图35b是沿着图35a中所示的发光器件的线A-A截取的工艺截面图。
根据实施例，第一电极1171和第二电极1172可以设置为图35a中所示的形状。第一电极1171和第二电极1172可以布置在保护层1150上。
第一电极1171可以布置在第一反射层1161上。第二电极1172可以布置在第二反射层1162上。第二电极1172可以与第一电极1171间隔开。
第一电极1171可以在NB区域中通过设置在保护层1150中的第四开口h4与第一子电极1141的上表面接触。第二电极1172可以在PB区域中通过设置在保护层1150中的第三开口h3与第二子电极1142的上表面接触。
根据实施例，将电力施加到第一电极1171和第二电极焊盘172，使得发光结构1110可以发射光。
因此，根据实施例的发光器件1100，第一电极1171可以在多个区域中与第一子电极1141接触。另外，第二电极1172可以在多个区域中与第二子电极1142接触。因此，根据实施例，由于可以通过这些区域供应电力，所以能够根据接触面积的增加和接触区域的分散而产生电流分散效果并能够降低工作电压。
工业适用性性
根据实施例的发光器件封装可以应用于光源设备。
此外，该光源设备可以包括基于工业领域的显示设备、照明设备、前照灯等。
作为光源设备的一个示例，该显示设备包括底盖、布置在底盖上的反射板、发射光并包括发光器件的发光模块、布置在反射板的前面并引导从发光模块发射的光的导光板、布置在导光板前面的包括棱镜片的光学片、布置在光学片前面的显示面板、连接到显示面板并将图像信号供应到显示面板的图像信号输出电路、以及布置在显示面板前面的滤色器。这里，所述底盖、反射板、发光模块、导光板和光学片可以形成背光单元。另外，该显示设备可以具有如下结构：起哄布置有分别发射红光、绿光和蓝光的发光器件而不包括滤色器。
作为光源设备的另一示例，该前照灯可以包括：包括布置在基板上的发光器件封装的发光模块、用于在预定方向上(例如在向前方向上)反射从发光模块发射的光的反射器、用于向前折射所述光的透镜、以及遮光物，该遮光物用于阻挡或反射由反射器反射并被直射到所述透镜的光的一部分，以形成设计者所期望的光分布图案。
作为另一种光源设备的照明设备可以包括盖、光源模块、散热器、电源、内壳和插座。另外，根据实施例的光源设备还可以包括构件和保持器中的至少一个。该光源模块可以包括根据实施例的发光器件封装。
在上面的实施例中描述的特征、结构、效果等被包括在至少一个实施例中，并且不仅限于一个实施例。此外，关于实施例中描述的特征、结构、效果等，本领域普通技术人员可以通过组合或修改来实现其他实施例。因此，与这些组合和修改相关的内容应被解释为包括在实施例的范围内。
尽管已经在前述的描述中提出并阐述了优选的实施例，但本发明不应解释为局限于此。对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的实施例的固有特征的情况下，在所述范围内的未示出的各种变形和修改都是可用的。例如，可以通过修改来实现实施例中具体示出的每个部件。另外，显而易见的是，与这些修改和变形相关的差异被包括在本发明的所附权利要求中设定的实施例的范围内。
[附图标记的描述]
110：封装本体
111：第一框架
112：第二框架
113：本体
120：发光器件
121：第一电极
122：第二电极
123：半导体层
130：粘合剂
135：树脂部
140：模制部
310：电路板
311：第一焊盘
312：第二焊盘
313：基板
321：第一导电层
321a：第一上导电层
321b：第一下导电层
322：第二导电层
322a：第二上导电层
322b：第二下导电层
R：凹部
TH1：第一开口部
TH2：第二开口部

Claims (11)

1.一种发光器件封装，包括：
第一框架和第二框架，所述第一框架和所述第二框架彼此间隔开；
封装本体，所述封装本体包括布置在所述第一框架和所述第二框架之间的本体部；
发光器件，所述发光器件包括第一电极和第二电极；
在所述第一框架中的第一开口部；
在所述第二框架中的第二开口部；
第一树脂，所述第一树脂布置在所述封装本体的所述本体部与所述发光器件之间；
导电层，所述导电层布置在所述第一开口部和所述第二开口部中；以及
第一凹部，所述第一凹部布置在所述第一框架和所述第二框架之间，
其中，所述第一凹部在所述本体部的上表面中，
其中，所述第一树脂在所述第一凹部中，
其中，所述发光器件的所述第一电极与所述第一框架中的所述第一开口部重叠，
其中，所述发光器件的所述第二电极与所述第二框架中的所述第二开口部重叠，
其中，所述第一电极和所述第二电极彼此间隔开，并且
其中，所述第一开口部和第二开口部中的所述导电层分别接触所述第一电极和所述第二电极，并且所述第一电极的第一侧表面和所述第二电极的与所述第一侧表面面向的第二侧表面都接触被布置在所述封装本体的所述本体部与所述发光器件之间的所述第一树脂，
其中，所述第一凹部的深度在40μm至60μm范围内。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括第一下凹部，
其中，所述第一下凹部从所述第一框架的下表面朝着所述第一框架的上表面凹进地设置，
其中，所述第一下凹部与所述第一开口部间隔开。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括：
第一上凹部，所述第一上凹部设置在所述第一框架中，从所述第一框架的上表面朝着所述第一框架的下表面凹进地设置；
第二上凹部，所述第二上凹部设置在所述第二框架中，从所述第二框架的上表面朝着所述第二框架的下表面凹进地设置；
第二树脂，所述第二树脂布置在所述第一上凹部和所述第二上凹部中。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括：
第二凹部，所述第二凹部设置在所述第一框架和所述第二框架之间，从所述本体部的上表面朝着所述本体部的下表面凹进地设置。
5.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中，所述第一凹部连接到所述第二凹部。
6.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中，所述第一上凹部和所述第二上凹部包围所述第一框架中的所述第一开口部和所述第二框架中的所述第二开口部。
7.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中，所述第一凹部与所述第二凹部间隔开。
8.根据权利要求4所述的发光器件封装，还包括：
第三凹部，所述第三凹部从所述本体部的所述上表面朝着所述本体部的所述下表面凹进地设置，
其中，所述第二凹部设置于所述第一凹部和所述第三凹部之间。
9.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，
所述第一凹部连接到所述第三凹部，
所述第二凹部被所述第一凹部和所述第三凹部包围。
10.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，第三树脂设置于所述第一下凹部，
所述第三树脂与所述本体部的材料相同。
11.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一框架中的所述第一开口部的顶部具有矩形形状，并且
其中，所述第二框架中的所述第二开口部的顶部具有矩形形状。
CN201780039734.2A 2017-06-26 2017-09-29 发光器件封装和光源设备 Active CN109429532B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170080781A KR102473399B1 (ko) 2017-06-26 2017-06-26 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR10-2017-0080781 2017-06-26
PCT/KR2017/011082 WO2019004518A1 (ko) 2017-06-26 2017-09-29 발광소자 패키지 및 광원 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109429532A CN109429532A (zh) 2019-03-05
CN109429532B true CN109429532B (zh) 2023-09-29

Family

ID=63528473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780039734.2A Active CN109429532B (zh) 2017-06-26 2017-09-29 发光器件封装和光源设备

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10672959B2 (zh)
EP (1) EP3444856B1 (zh)
JP (1) JP7182782B2 (zh)
KR (1) KR102473399B1 (zh)
CN (1) CN109429532B (zh)
WO (1) WO2019004518A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102432216B1 (ko) 2017-07-11 2022-08-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
US10672954B2 (en) * 2017-09-01 2020-06-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
WO2019045506A1 (ko) * 2017-09-01 2019-03-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR102455086B1 (ko) * 2017-09-12 2022-10-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원장치
KR102392013B1 (ko) 2017-09-15 2022-04-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
WO2020003789A1 (ja) * 2018-06-29 2020-01-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
DE102018125138A1 (de) * 2018-10-11 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils
CN111384228A (zh) 2018-12-28 2020-07-07 日亚化学工业株式会社 发光装置以及发光装置的制造方法
JP7368965B2 (ja) * 2019-07-10 2023-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄモジュールを含む表示装置
CN110707198A (zh) 2019-09-20 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
JP7389363B2 (ja) * 2021-05-26 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120084553A (ko) * 2011-01-20 2012-07-30 삼성엘이디 주식회사 발광소자의 패키지 및 그 제조방법과 리드 프레임
KR20130017464A (ko) * 2011-08-10 2013-02-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
CN105280798A (zh) * 2014-05-28 2016-01-27 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101265642B1 (ko) * 2007-07-23 2013-05-22 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
TW201011936A (en) * 2008-09-05 2010-03-16 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting device and fabrication thereof
JP2011044593A (ja) * 2009-08-21 2011-03-03 Hitachi Chem Co Ltd Ｌｅｄ基板及びｌｅｄパッケージ
KR101056903B1 (ko) * 2009-12-17 2011-08-12 주식회사 두산 발광소자 패키지용 기판 및 이를 이용한 발광소자 패키지
KR20110111173A (ko) * 2010-04-02 2011-10-10 김경동 Ｌｅｄ 조명용 리드 프레임 및 그 제조방법
KR101020963B1 (ko) 2010-04-23 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US8987022B2 (en) * 2011-01-17 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and method of manufacturing the same
DE102012215705B4 (de) 2012-09-05 2021-09-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe
US9548261B2 (en) * 2013-03-05 2017-01-17 Nichia Corporation Lead frame and semiconductor device
JP6255747B2 (ja) * 2013-07-01 2018-01-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101443870B1 (ko) 2014-03-05 2014-09-23 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR20160003429A (ko) * 2014-07-01 2016-01-11 현대자동차주식회사 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 모듈, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
CN105428508B (zh) * 2015-12-02 2018-08-24 开发晶照明（厦门）有限公司 封装基板以及led倒装封装结构
CN106856218B (zh) * 2016-12-20 2019-06-11 创维液晶器件(深圳)有限公司 一种免封装led结构及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120084553A (ko) * 2011-01-20 2012-07-30 삼성엘이디 주식회사 발광소자의 패키지 및 그 제조방법과 리드 프레임
KR20130017464A (ko) * 2011-08-10 2013-02-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
CN105280798A (zh) * 2014-05-28 2016-01-27 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
EP3444856A4 (en) 2019-02-20
WO2019004518A1 (ko) 2019-01-03
CN109429532A (zh) 2019-03-05
US10672959B2 (en) 2020-06-02
EP3444856B1 (en) 2023-05-10
KR20190001188A (ko) 2019-01-04
EP3444856A1 (en) 2019-02-20
JP2020526004A (ja) 2020-08-27
US20190088837A1 (en) 2019-03-21
KR102473399B1 (ko) 2022-12-02
JP7182782B2 (ja) 2022-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109964323B (zh) 发光器件封装和包括该发光器件封装的光源设备
CN109429532B (zh) 发光器件封装和光源设备
CN109328400B (zh) 发光器件封装和光源设备
CN109757120B (zh) 发光器件封装
CN109244224B (zh) 发光器件封装
CN109791966B (zh) 发光器件封装
US10672954B2 (en) Light emitting device package
KR102542297B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102610607B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20190065011A (ko) 발광소자 패키지
KR20190086099A (ko) 발광소자 패키지
KR102379834B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102471690B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102471692B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102369245B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102433841B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20190087710A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210713

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Applicant before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
CB02 Change of applicant information

Address after: 215499 No. 168, Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Suzhou Liyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: 215499 No. 168, Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant before: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant