TW201436304A - 發光裝置用封裝及具備其之發光裝置、與具備該發光裝置之照明裝置 - Google Patents
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 98
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 39
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 67
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 20
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 14
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 13
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 12
- -1 and among them Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- FNAQSUUGMSOBHW-UHFFFAOYSA-H calcium citrate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O FNAQSUUGMSOBHW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 239000001354 calcium citrate Substances 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000013337 tricalcium citrate Nutrition 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- LNOLJFCCYQZFBQ-BUHFOSPRSA-N (ne)-n-[(4-nitrophenyl)-phenylmethylidene]hydroxylamine Chemical compound C=1C=C([N+]([O-])=O)C=CC=1C(=N/O)/C1=CC=CC=C1 LNOLJFCCYQZFBQ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229910001653 ettringite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKEYULQFFYBZBG-UHFFFAOYSA-N lanthanum carbide Chemical compound [La].[C-]#[C] ZKEYULQFFYBZBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000004337 magnesium citrate Substances 0.000 description 1
- 229960005336 magnesium citrate Drugs 0.000 description 1
- 235000002538 magnesium citrate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006012 semi-aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- PLSARIKBYIPYPF-UHFFFAOYSA-H trimagnesium dicitrate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O PLSARIKBYIPYPF-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
本發明之發光裝置用封裝之特徵在於,於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向,且包括排列於上述長邊方向上之第1及第2引線框、以及與上述第1及第2引線框一體地成形之樹脂成形體,上述第1引線框包括本體部、及自上述本體部以寬度朝向上述第2引線框側變窄之方式延伸之延伸部,於上述第1引線框之下表面設有凹陷,上述延伸部之下表面之露出區域之至少一部分藉由填埋上述凹陷之樹脂成形體而與上述本體部之下表面之露出區域分離。
Description
本發明係關於一種發光裝置用封裝(以下,有時簡稱為「封裝」)及發光裝置、與照明裝置。
例如於日本專利特開2011-249807號公報之圖25中記載有發光元件。
具體而言,記載有如下之發光元件,其包括:主體,其具有凹槽(凹陷部);第1及第2引線電極,其等與凹槽之底面電隔離地配置;及第1及第2發光二極體,其等分別配置於凹槽之底面之第1及第2引線電極;且第1引線電極之一端部向第2引線電極之方向延長配置,第2引線電極之一端部向第1引線電極之方向延長配置。
然而,若第1及第2引線電極之下表面之露出區域為歪斜之形狀,則利用導電膏之安裝性(二次安裝)變差。
因此,本發明係鑒於上述情況而完成者,其目的在於提供一種適於搭載複數個發光元件,且利用導電膏之安裝性優異之發光裝置用封裝。
為了解決上述課題,本發明之發光裝置用封裝之特徵在於:於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向,且包括排列於上述長邊方向之第1及第2引線框、以及與上述第1及第2引線框一體地成形之樹脂成形體,且上述第1引線框包括本體部、及以自上述本體部朝向上述第2引線框側寬度變窄之方式延伸之延伸部,於上述第1引線框之下表面設有凹陷,藉由填埋上述凹陷之樹脂成形體而將上述延伸部之下表面之露出區域之至少一部分與上述本體部之下表面之露出區域分離。
根據本發明,可獲得能將與引線框連接之金屬線形成得相對較短,且利用導電膏之安裝性優異之發光裝置用封裝。
本發明之上述及進一步之目的、以及其特徵將藉由參照圖式所進行之以下描述而更加明確。
11、12、13、14、15‧‧‧引線框
20‧‧‧樹脂成形體
23‧‧‧凹部側壁
25‧‧‧中間壁部
30‧‧‧發光元件
30-1‧‧‧第3發光元件
30-2‧‧‧第1發光元件
30-3‧‧‧第2發光元件
30-4‧‧‧發光元件
30-5‧‧‧第5發光元件
30-6‧‧‧第6發光元件
40‧‧‧金屬線
50‧‧‧密封構件
60‧‧‧螢光體
70‧‧‧保護元件
80‧‧‧安裝構件
100、120、130‧‧‧發光裝置用封裝
101‧‧‧本體部
102‧‧‧延伸部
103‧‧‧凹陷
104‧‧‧懸吊引線部
105、106、107、109‧‧‧引線框之下表面之露出區域
200、220、230‧‧‧發光裝置
201~208‧‧‧發光裝置
300、320‧‧‧照明裝置
d1‧‧‧間隔
d2‧‧‧間隔
p1‧‧‧間隔
p2‧‧‧間隔
p3‧‧‧間隔
s1‧‧‧間隔
s2‧‧‧間隔
s3‧‧‧間隔
圖1A係本發明之一實施形態之發光裝置之概略俯視圖。圖1B係圖1A之A-A剖面之概略剖面圖。圖1C係圖1A之概略仰視圖。
圖2A係本發明之一實施形態之發光裝置之概略俯視圖。圖2B係圖2A之B-B剖面之概略剖面圖。圖2C係圖2A之概略仰視圖。
圖3A係本發明之一實施形態之發光裝置之概略俯視圖。圖3B係圖3A之C-C剖面之概略剖面圖。圖3C係圖3A之概略仰視圖。
圖4A係表示本發明之一實施形態之照明裝置中之發光裝置之配置形態之一例的概略俯視圖。
圖4B係表示本發明之一實施形態之照明裝置中之發光裝置之配置形態之一例的概略俯視圖。
以下,參照適當圖式,對發明之實施形態進行說明。但是,以下說明之發光裝置用封裝及發光裝置、與照明裝置係用於將本發明之
技術思想具體化者,只要無特定之記載,則不將本發明限定於以下者。又,一實施形態、實施例中說明之內容亦可適用於其他實施形態、實施例。再者,為了明確說明,有時誇張表示各圖式所示之構件之大小或位置關係等。
圖1A及圖1C分別係實施形態1之發光裝置之概略俯視圖及概略仰視圖,圖1B係表示圖1A中之A-A剖面之概略剖面圖。如圖1A~圖1C所示,實施形態1之發光裝置200主要係於發光裝置用封裝100上搭載發光元件30並利用密封構件50進行密封而構成。本例之密封構件50包含螢光體60,但亦可省略。
如圖1A~圖1C所示,封裝100於俯視下具有在一方向為長條之形狀。即,封裝100於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向。若更嚴格地定義,則長邊方向係於俯視下與引線框之沿著封裝長邊方向延伸之端面即面向短邊方向之端面平行之方向。於圖1A~圖1C中,封裝之長邊方向為x方向,短邊方向為y方向,上下方向為z方向。又,將x方向設為橫向,將y方向設為縱向,將z方向設為厚度(高度)方向。再者,此種方向之定義亦適用於以下所示之其他實施形態之發光裝置用封裝及發光裝置。
如圖1A~圖1C所示,封裝100包括2個引線框11、12、及與該2個引線框一體地成形之樹脂成形體20。再者,更詳細而言,封裝100係於2個引線框11、12之間包括另一個不同之引線框13,樹脂成形體20與該等3個引線框11、12、13一體地成形。2個引線框11、12排列於封裝100之長邊方向x。引線框11、12、13分別與封裝100同樣地具有在封裝之長邊方向x為長條之形狀。引線框11、12、13為板狀,實質上未被進行折彎加工。2個引線框11、12、更詳細而言3個引線框11、12、13係於相互隔開之間隔區域埋入樹脂成形體20,且將該間隔區域
作為電絕緣區域而一體地保持於樹脂成形體20。3個引線框11、12、13之下表面之至少一部分自樹脂成形體20露出,與樹脂成形體20一併構成封裝100之下表面。由此,可製成利用導電膏之安裝性優異且散熱性優異之封裝。再者,於封裝100之上表面側載置發光元件。以下,於封裝100中,將右側之引線框作為第1引線框11,將左側之引線框作為第2引線框12,將其間之引線框作為第3引線框13。
樹脂成形體20於俯視下具有在封裝之長邊方向x為長條之長方形形狀。又,樹脂成形體20被覆2個引線框11、12(更詳細而言為3個引線框11、12、13)之端面(除懸吊引線部104)。又,樹脂成形體20被覆2個引線框11、12(更詳細而言為3個引線框11、12、13)之上表面之一部分(尤其是周緣部)。進而,樹脂成形體20與2個引線框11、12(更詳細而言為3個引線框11、12、13)一併形成收容發光元件之凹部。具體而言,凹部之底面係由引線框11、12、13之上表面與樹脂成形體20之表面構成。凹部之側壁面(凹部側壁23之內表面)由樹脂成形體20之表面構成。凹部之側壁面可為垂直,但為了效率良好地提取自發光元件出射之光,較佳為以開口寬度隨著接近凹部底面而變窄之方式傾斜。再者,此處,例示了具有凹部之封裝,但亦可省略凹部即凹部側壁23,例如可製成平板狀之封裝(以下所示之其他實施形態中亦相同)。
並且,第1引線框11包括本體部101、及自該本體部101以寬度朝向第2引線框12側變窄之方式延伸之延伸部102。於第1引線框11之下表面、本例中為延伸部102之下表面設有凹陷103。又,該凹陷103被樹脂成形體20填埋。由此,延伸部102之下表面之露出區域107之至少一部分藉由填埋凹陷103之樹脂成形體20而與本體部101之下表面之露出區域105分離。
此處,本體部101包含載置發光元件之上表面區域且可視為引線框之主要部分。為了獲得下表面之露出區域較佳之形狀,延伸部102
較佳為以大致固定之寬度(短邊方向y之寬度)延伸,但亦可變化。本體部101與延伸部102之邊界可認為係例如通過寬度之變化點之與短邊方向y平行之直線。再者,自樹脂之填充或引線框之強度之觀點而言,凹陷103之深度較佳設為例如0.1mm以上且引線框之最大厚度之一半以下之程度。
如此構成之封裝100中,第1引線框11之本體部之下表面之露出區域105與延伸部之下表面之露出區域107之至少一部分形成為相互隔開之島狀,從而能夠提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性。由此,於將封裝100藉由導電膏安裝於安裝構件時,能夠抑制導電膏之偏斜,從而能夠抑制封裝100被傾斜安裝。又,能夠提高封裝100之自對準性。
又,第1引線框11之延伸部102向第2引線框12側延伸,因此能夠於該延伸部102之上表面連接發光元件30或保護元件70用之金屬線40,或者設置保護元件70,從而能夠將金屬線40形成得相對較短。由此,能夠減少金屬線40之光吸收,提高光提取效率。
再者,2個引線框11、12之最大寬度(短邊方向y之最大寬度,例如引線框之本體部之寬度)可不同,但較佳為其等之最大寬度大致相同。又,2個引線框11、12可配置成於俯視下相互傾斜之關係,但較佳為配置成大致平行。進而,2個引線框11、12亦可配置成於俯視下與長邊方向x平行之中心軸在短邊方向y上相互位移之關係,但較佳為以於俯視下與長邊方向x平行之中心軸大致一致之方式配置。
以下,對發光裝置用封裝100及發光裝置200之較佳之形態進行說明。
較佳為如圖1A~圖1C所示,延伸部102之下表面之露出區域107之大致全部藉由填埋凹陷103之樹脂成形體20而與本體部101之下表面之露出區域105分離。此種形態可藉由如下之任一者實現:將凹陷103如
圖示般於延伸部102之下表面與本體部101密接而設置,或將凹陷103於本體部101之下表面與延伸部102密接而設置,或將凹陷103設置於本體部101與延伸部102之邊界上。如此,藉由將凹陷103設置於本體部101與延伸部102之邊界附近,可將本體部101之下表面之露出區域105與延伸部102之下表面之露出區域107明確地分離。由此,可較佳地對本體部101及延伸部102之下表面之露出區域105、107進行整形,從而進一步提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性。又,能夠進一步提高封裝之自對準性。
如圖1A~圖1C所示,封裝100中僅第1引線框11具有延伸部102。封裝100具備以於短邊方向y上與第1引線框之延伸部102對向之方式配置之第3引線框13。第3引線框13之下表面之至少一部分自樹脂成形體20露出。根據此種構成,由於第3引線框之下表面之露出區域109以與第1引線框之延伸部之下表面之露出區域107對向之方式設置,因此能夠謀求引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性之提高。
如圖1A~圖1C所示,第1引線框之延伸部之下表面之露出區域107設置成大致矩形形狀。由此,容易提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性。又,容易提高封裝100之自對準性。又,第3引線框13之下表面之露出區域109亦設置成大致矩形形狀。由此,能夠謀求與第1引線框之延伸部之下表面之露出區域107之勻稱,且謀求引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性之提高。又,能夠謀求封裝之自對準性之提高。進而,若如圖示般將第3引線框13之下表面之露出區域109設置成與第1引線框之延伸部之下表面之露出區域107大致相同之形狀,則更佳。進而,將第1引線框之本體部之下表面之露出區域105、第2引線框12之(亦視為本體部之部位之)下表面之露出區域106亦設置成大致矩形形狀。由此,能夠謀求引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性、封裝之自對準性之進一步提
高。又,於封裝100之下表面側,引線框之下表面之露出區域若看作整體之圖案,則相對於封裝之中心軸於短邊方向y(縱向)上大致線對稱地設置。由此,能夠更進一步提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性。又,能夠更進一步提高封裝之自對準性。進而,於封裝100之下表面側,引線框之下表面之露出區域若看作整體之圖案,則相對於封裝之中心軸於長邊方向x(橫向)上大致線對稱地設置。由此,能夠更進一步提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性。又,能夠更進一步提高封裝100之自對準性。再者,亦可藉由引線框之倒角加工等而使引線框之下表面之各露出區域之角部帶弧度,或將角部切去。
如圖1A~圖1C所示,第1引線框之延伸部102位於該封裝100之大致中央。如此,藉由使延伸部102位於封裝100之大致中央,而容易在2個引線框11、12之各者載置發光元件,容易控制配光特性。又,於封裝100中,以於短邊方向y上與延伸部102對向之方式配置第3引線框13。由此,即便將發光元件30載置於第1及第2引線框11、12之各者上,亦能夠將與第3引線框連接之金屬線40形成得相對較短,因此能夠減少金屬線40之光吸收,容易提高光提取效率。又,於包括保護元件70之發光裝置之情形時,藉由將保護元件70設置於第1引線框之延伸部102之上表面,而容易增大發光元件30與保護元件70之間隔,減少因保護元件70之光吸收,容易提高光提取效率。又,能夠將連接保護元件70與第2引線框12之金屬線40形成得相對較短,因此減少因金屬線40之光吸收,更容易提高光提取效率。
如圖1A~圖1C所示,發光裝置200包括發光裝置用封裝100及分別載置於第1及第2引線框11、12之上表面之發光元件30、30。如此,藉由將發光元件30載置於第1及第2引線框11、12之各者,能夠相對較大地隔開2個發光元件30之間隔,能夠獲得較佳之配光特性。
如圖1A~圖1C所示,於發光裝置200中,第3引線框13之上表面藉由金屬線40與載置於第1引線框11之發光元件30連接,進而藉由金屬線40與載置於第2引線框12之發光元件30連接。如此,第3引線框13能夠較佳地利用於藉由金屬線40將載置於第1及第2引線框11、12之各者之發光元件30串聯連接,能夠將金屬線40形成得相對較短。
如圖1A~圖1C所示,發光裝置200包括載置於第1引線框之延伸部102之上表面之保護元件70。該保護元件70藉由金屬線40與第2引線框12之上表面連接。如此,第1引線框之延伸部102能夠較佳地利用於載置保護元件70。藉由將保護元件70設置於第1引線框之延伸部102之上表面,而容易增大發光元件30與保護元件70之間隔,減少因保護元件70之光吸收,從而容易提高光提取效率。又,能夠將連接保護元件70與第2引線框12之金屬線40形成得相對較短,因此減少金屬線40之光吸收,從而更容易提高光提取效率。
圖2A及圖2C分別係實施形態2之發光裝置之概略俯視圖及概略仰視圖,圖2B係表示圖2A中之B-B剖面之概略剖面圖。如圖2A~圖2C所示,實施形態2之發光裝置220主要係於發光裝置用封裝120上搭載發光元件30並利用密封構件50進行密封而構成。本例之密封構件50包含螢光體60,但亦可省略。
如圖2所示,封裝120包括5個引線框11、12、13、14、15及與該5個引線框一體地成形之樹脂成形體20。5個引線框11、12、13、14、15排列於封裝120之長邊方向x。5個引線框11、12、13、14、15分別與封裝120同樣地具有在封裝之長邊方向x為長條之形狀。引線框11、12、13、14、15為板狀,實質上未被進行折彎加工。5個引線框11、12、13、14、15係於相互隔開之間隔區域埋入樹脂成形體20,且將該間隔區域作為電絕緣區域而一體地保持於樹脂成形體20。5個引線框
11、12、13、14、15之下表面之至少一部分自樹脂成形體20露出,與樹脂成形體20一起構成封裝120之下表面。由此,能夠製成利用導電膏之安裝性優異且散熱性優異之封裝。再者,於封裝120之上表面側載置發光元件。以下,於封裝120中,將中央之引線框作為第1引線框11,將最左側之引線框作為第2引線框12,將處於第1引線框11與第2引線框12之間之引線框作為第3引線框13,將最右側之引線框作為第4引線框14,將處於第1引線框11與第4引線框14之間之引線框作為第5引線框15。
樹脂成形體20於俯視下具有在封裝之長邊方向x上較長之長方形形狀。又,樹脂成形體20被覆5個引線框11、12、13、14、15之端面(除懸吊引線部104)。又,樹脂成形體20被覆5個引線框11、12、13、14、15之上表面之一部分(尤其是周緣部)。進而,樹脂成形體20與5個引線框11、12、13、14、15一併形成收容發光元件之凹部。具體而言,凹部之底面由引線框11、12、13、14、15之上表面與樹脂成形體20之表面構成。凹部之側壁面(凹部側壁23之內表面)由樹脂成形體20之表面構成。凹部之側壁面可垂直,但為了效率良好地提取自發光元件出射之光,較佳為以開口寬度隨著接近凹部底面而變窄之方式傾斜。
並且,第1引線框11包含本體部101、及自該本體部101以寬度朝向第2引線框12側變窄之方式延伸之延伸部102。又,第1引線框11包含自本體部101以寬度朝向第4引線框14側變窄之方式延伸之第2延伸部102。於第1引線框11之下表面、本例中為第1及第2延伸部102之下表面分別設有凹陷103。又,該凹陷103被樹脂成形體20填埋。由此,第1及第2延伸部102之下表面之露出區域107之至少一部分分別藉由填埋凹陷103之樹脂成形體20而與本體部101之下表面之露出區域105分離。
如此構成之封裝120中,第1引線框11之本體部之下表面之露出區域105與第1及第2延伸部之下表面之露出區域107之至少一部分形成為分別相互隔開之島狀,從而能夠提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性。由此,於將封裝120藉由導電膏安裝於安裝構件時,能夠抑制導電膏之偏斜,能夠抑制封裝120被傾斜安裝。又,能夠提高封裝120之自對準性。
又,由於第1引線框11之第1及第2延伸部102向第2及第4引線框12、14側分別延伸,因此能夠於該各延伸部102之上表面連接發光元件30或保護元件70用之金屬線40,或者設置保護元件70,從而能夠將金屬線40形成得相對較短。由此,能夠減少金屬線40之光吸收,能夠提高光提取效率。
再者,第1、第2及第4引線框11、12、14之最大寬度(短邊方向y之最大寬度,例如引線框之本體部之寬度)可不同,但較佳為其等之最大寬度大致相同。又,第1、第2及第4引線框11、12、14可配置成於俯視下相互傾斜之關係,但較佳為配置成大致平行。進而,第1、第2及第4引線框11、12、14亦可配置成於俯視下與長邊方向x平行之中心軸在短邊方向上相互位移之關係,但較佳為以於俯視下與長邊方向x平行之中心軸大致一致之方式配置。
以下,對發光裝置用封裝120及發光裝置220之較佳之形態進行說明。
如圖2所示,封裝120中僅第1引線框11具有延伸部102。又,於封裝120中,第3及第5引線框分別以於短邊方向y上與第1引線框之第1及第2延伸部102對向之方式配置。根據此種構成,由於第3及第5引線框之下表面之露出區域109分別以與第1引線框之第1及第2延伸部之下表面之露出區域107對向之方式設置,因此能夠謀求引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性之提高。
如圖2所示,於封裝120中,第1引線框之第1及第2延伸部之下表面之露出區域107設置成大致矩形形狀。又,第3及第5引線框13、15之下表面之露出區域109亦設置成大致矩形形狀。進而,第1引線框之本體部之下表面之露出區域105、第2及第4引線框12、14之(視為本體部之部位之)下表面之露出區域106亦設置成大致矩形形狀。又,進而,於封裝120之下表面側,引線框之下表面之露出區域若看作整體之圖案,則相對於封裝之中心軸於短邊方向y(縱向)及長邊方向x(橫向)上均大致線對稱地設置。藉由此種構成,與實施形態1同樣地,容易提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性,且容易提高封裝120之自對準性。再者,亦可藉由引線框之倒角加工等而使引線框之下表面之各露出區域之角部帶弧度,或將角部切去。
如圖2所示,於發光裝置220中,第3引線框13之上表面藉由金屬線40與載置於第1引線框11之發光元件30連接,進而藉由金屬線40與載置於第2引線框12之發光元件30連接。第5引線框15之上表面藉由金屬線40與載置於第1引線框11之發光元件30連接,且藉由金屬線40與載置於第4引線框14之發光元件30連接。由此,3個發光元件30串聯連接。如此,第3及第5引線框13、15能夠較佳地利用於藉由金屬線40將載置於第1、第2及第4引線框11、12、14之各者之發光元件30串聯連接,而能夠將金屬線40形成得相對較短。
如圖2所示,於發光裝置220中,在第1引線框之第1延伸部102之上表面載置有保護元件70,且藉由金屬線40與第2引線框12連接。由此,能夠將連接保護元件70與引線框之金屬線40形成得相對較短,減少金屬線40之光吸收,從而更容易提高光提取效率。又,第1引線框之第2延伸部102之上表面與第4引線框之上表面係藉由金屬線40連接。由此,能夠相對於發光元件30並聯連接保護元件70。再者,於封裝120中,亦可將第1引線框之第2延伸部102與第4引線框14連結而將
第1引線框11與第4引線框14一體地設置。
圖3A及圖3C分別係實施形態3之發光裝置之概略俯視圖及概略仰視圖,圖3B係表示圖3A中之C-C剖面之概略剖面圖。如圖3A~圖3C所示,實施形態3之發光裝置230主要係於發光裝置用封裝130上搭載發光元件30且利用密封構件50進行密封而構成。本例之密封構件50包含螢光體60,但亦可省略。
如圖3A~圖3C所示,封裝130包括2個引線框11、12及與該2個引線框一體地成形之樹脂成形體20。2個引線框11、12排列於封裝130之長邊方向x。引線框11、12分別與封裝130同樣地具有在封裝之長邊方向x為長條之形狀。引線框11、12為板狀,實質上未被進行折彎加工。2個引線框11、12係於相互隔開之間隔區域埋入樹脂成形體20,且將該間隔區域作為電絕緣區域而一體地保持於樹脂成形體20。2個引線框11、12之下表面之至少一部分自樹脂成形體20露出,與樹脂成形體20一併構成封裝130之下表面。由此,能夠製成利用導電膏之安裝性優異且散熱性優異之封裝。再者,於封裝130之上表面側載置發光元件。以下,於封裝130中,將右側之引線框作為第1引線框11,將左側之引線框作為第2引線框12。
樹脂成形體20於俯視下具有在封裝之長邊方向x上較長之長方形形狀。又,樹脂成形體20被覆2個引線框11、12之端面(除懸吊引線部104)。又,樹脂成形體20被覆2個引線框11、12之上表面之一部分(尤其是周緣部)。進而,樹脂成形體20與2個引線框11、12一併形成收容發光元件之凹部。具體而言,凹部之底面由引線框11、12之上表面與樹脂成形體20之表面構成。凹部之側壁面(凹部側壁23之內表面)由樹脂成形體20之表面構成。凹部之側壁面可為垂直,但為了效率良好地提取自發光元件出射之光,較佳為以開口寬度隨著接近凹部底面而變
窄之方式傾斜。
並且,第1引線框11包含本體部101、及自該本體部101以寬度朝向第1引線框12側變窄之方式延伸之延伸部102。於延伸部102之下表面設有凹陷103。又,該凹陷103被樹脂成形體20填埋。由此,延伸部102之下表面之露出區域107之至少一部分藉由填埋凹陷103之樹脂成形體20而與本體部101之下表面之露出區域105分離。
如此構成之封裝130中,第1引線框11之本體部101之下表面之露出區域105與延伸部102之下表面之露出區域107之至少一部分形成為相互隔開之島狀,從而能夠提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性。由此,於將封裝130藉由導電膏安裝於安裝構件時,能夠抑制導電膏之偏斜,從而能夠抑制封裝130被傾斜安裝。又,能夠提高封裝130之自對準性。
又,由於第1引線框11之延伸部102向第2引線框12側延伸,因此能夠於該延伸部102之上表面連接發光元件30或保護元件70用之金屬線40,或者設置保護元件70,從而能夠將金屬線40形成得相對較短。由此,能夠減少金屬線40之光吸收,能夠提高光提取效率。
再者,2個引線框11、12之最大寬度(短邊方向y之最大寬度,例如引線框之本體部之寬度)可不同,但較佳為其等之最大寬度大致相同。又,2個引線框11、12可配置成於俯視下相互傾斜之關係,但較佳為配置成大致平行。進而,2個引線框11、12亦可配置成於俯視下與長邊方向x平行之中心軸在短邊方向上相互位移之關係,但較佳為以於俯視下與長邊方向x平行之中心軸大致一致之方式配置。
以下,對發光裝置用封裝130及發光裝置230之較佳之形態進行說明。
如圖3所示,於封裝130中,第2引線框12包含本體部101、及自該本體部101以寬度朝向第1引線框11側變窄之方式延伸之延伸部
102。於第2引線框12之下表面設有凹陷103。又,該凹陷103被樹脂成形體20填埋。由此,第2引線框12之延伸部102之下表面之露出區域107之至少一部分藉由填埋第2引線框12之凹陷103之樹脂成形體20而與第2引線框12之本體部101之下表面之露出區域105分離。並且,第1及第2引線框11、12之延伸部102以於短邊方向y上相互對向之方式配置。
根據此種構成,除第1引線框11外,第1引線框12之本體部之下表面之露出區域105與延伸部之下表面之露出區域107之至少一部分亦形成為相互隔開之島狀,從而容易提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性。由此,於將封裝130藉由導電膏安裝於安裝構件時,能夠抑制導電膏之偏斜,從而容易抑制封裝130被傾斜安裝。又,容易提高封裝130之自對準性。進而,由於第1引線框11之延伸部102之下表面之露出區域107與第2引線框12之延伸部102之下表面之露出區域107以相互對向之方式設置,因此能夠謀求引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性之提高。又,若如圖示般將第1引線框11之延伸部之下表面之露出區域107設置成與第2引線框12之延伸部之下表面之露出區域107大致相同之形狀,則更佳。
如圖3所示,於封裝130中,第1及第2引線框11、12之延伸部之下表面之露出區域107設置成大致矩形形狀。又,第1及第2引線框11、12之本體部之下表面之露出區域105亦設置成大致矩形形狀。又,進而,於封裝130之下表面側,引線框之下表面之露出區域若看作整體之圖案,則相對於封裝之中心軸於短邊方向y(縱向)及長邊方向x(橫向)上均大致線對稱地設置。藉由此種構成,與實施形態1同樣地,容易提高引線框之下表面之露出區域之對稱性或面積之均等性,且容易提高封裝130之自對準性。再者,亦可藉由引線框之倒角加工等而使引線框之下表面之各露出區域之角部帶弧度,或將角部切去。
又,於發光裝置230中,第1引線框11之延伸部102藉由金屬線40與載置於第2引線框12之發光元件30連接,第2引線框12之延伸部102藉由金屬線40與載置於第1引線框11之發光元件30連接。如此,第1及第2引線框11、12之延伸部102能夠較佳地利用於藉由金屬線40將載置於第1及第2引線框11、12之各者發光元件30並聯連接,能夠將金屬線40形成得相對較短。
進而,於發光裝置230中,在第1引線框之延伸部102之上表面載置有保護元件70。該保護元件70藉由金屬線40與第2引線框12之延伸部102之上表面連接。如此,第1及第2引線框之延伸部102能夠較佳地利用於載置保護元件70。由此,容易增大發光元件30與保護元件70之間隔,減少保護元件70之光吸收,從而容易提高光提取效率。又,能夠將連接保護元件70與引線框(此處為第2引線框12)之金屬線40形成得相對較短,因此減少金屬線40之光吸收,更容易提高光提取效率。
如圖3所示,於封裝130之上表面側,樹脂成形體20包含中間壁部25,該中間壁部25使第1引線框11之本體部101之至少一部分與第1引線框11之延伸部102之上表面之第2引線框12側之至少一部分露出,且沿著短邊方向y延伸設置。因此,能夠一面維持延伸部102之上表面之功能,一面由中間壁部25劃分第1引線框11之本體部101與第2引線框11之本體部101。由此,藉由中間壁部25使自發光元件30出射之光向上方反射,減少隔著中間壁部25而載置之發光元件30或保護元件70以及與其等連接之金屬線40等之光吸收,從而能夠提高光提取效率。又,中間壁部25與樹脂成形體20之凹部側壁23連續而形成。由此,中間壁部25以抵壓第1引線框11等引線框之上表面之方式發揮作用,能夠抑制引線框11自樹脂成形體20之剝離。再者,中間壁部25可設置於第1引線框11側及第2引線框12側之至少一方。
如圖3所示,中間壁部25較佳為設置於第1引線框11之延伸部102
上。由於延伸部102設置於封裝之中央側或2個引線框之間隔區域之附近,因此藉由中間壁部25而容易均等地劃分例如凹部內等封裝之元件載置區域,由此,能夠獲得較佳之配光特性。又,藉由使中間壁部25以抵壓延伸部102之方式發揮作用,能夠有效地抑制引線框自樹脂成形體20之剝離。
於圖3所示之例中,中間壁部25包含跨及第1及第2引線框11、12之延伸部102上而設置之第1壁部及第2壁部。並且,第1及第2引線框11、12之延伸部102之上表面分別被第1壁部及第2壁部劃分為3個露出區域。又,凹部內於長邊方向x上被劃分為由左側區域、中央區域及右側區域構成之3個區域。因此,第1及第2引線框11、12之延伸部102之延伸前端部分別露出於左側區域及右側區域。並且,於該各延伸部102之延伸前端部連接有與發光元件30連接之金屬線40。由此,能夠一面避免金屬線40跨及中間壁部25上,一面由相對較短之金屬線40將發光元件30並聯連接。又,於凹部內之中央區域設有保護元件70。如此,藉由將中間壁部25即第1壁部及第2壁部以隔著保護元件70之方式設置,可減少因保護元件70或與其連接之金屬線40之光吸收,從而能夠提高光提取效率。於金屬線40跨及中間壁部25之上之情形時,中間壁部25之高度較佳為小於凹部之深度,但於能夠避免金屬線40跨及中間壁部25之上之情形時,中間壁部25之高度較佳為與樹脂成形體20之上表面(凹部側壁23之上表面)大致相同之高度。
再者,於其他實施形態之發光裝置用封裝中,亦可應用中間壁部25。例如,於實施形態1之封裝100中,亦可於封裝之大致中央設置中間壁部25。又,例如於實施形態2之封裝120中,亦可於第3引線框13之大致中央(亦為第1引線框之第1延伸部102之大致中央)及/或第5引線框15之大致中央(亦為第1引線框之第2延伸部102之大致中央)設置中間壁部25。又,中間壁部25亦可填埋保護元件70或與其連接之金屬
線40。
圖4A及圖4B係表示實施形態4之照明裝置中之發光裝置之配置形態之一例的概略俯視圖。圖4A~圖4B所示之照明裝置包括複數個發光裝置及安裝該等發光裝置之安裝構件。再者,發光裝置使用導電膏而安裝於安裝構件。
圖4A所示之例之照明裝置300係將複數個發光裝置201~203一維地並列設置於安裝構件80上而成者。更詳細而言,於照明裝置300中,發光裝置201、202、203該3者於封裝之長邊方向上大致等間隔地排列。又,圖4B所示之例之照明裝置320於安裝構件80上二維地並列設置複數個發光裝置201~208。更詳細而言,於照明裝置320中,發光裝置201~208以於封裝之長邊方向上排列2個且於短邊方向上排列4個之方式大致等間隔地排列。該等照明裝置300、320中使用之發光裝置201~208能夠應用任意(例如,公知之)發光裝置,但較佳為應用本發明之發光裝置(例如,實施形態1~3之發光裝置200、220、230)。再者,此處所示之1個照明裝置中之發光裝置之搭載個數及1個發光裝置中之發光元件之搭載個數僅為一例。
如圖4A及圖4B所示,於封裝之長邊方向上,第1發光裝置201中之最接近第2發光裝置202所配置之第1發光元件30-2與第1發光裝置202中之最接近第1發光裝置201所配置之第2發光元件30-3之間隔d1、與第1發光裝置201中之第1發光元件30-2與鄰接配置於第1發光元件30-2之第3發光元件30-1之間隔p1大致相等。由此,能夠謀求相鄰之發光裝置之間之亮度分佈之均勻化。又,於圖4B所示之例中,進而於封裝之短邊方向上,第1發光裝置201中之第1發光元件30-2(亦為第3發光元件30-1)與第3發光裝置203中之第5發光元件30-5(亦為第6發光元件30-6)之間隔s1與間隔d1亦變得大致相等。又,有關與其相鄰及進
而相鄰之發光裝置之間隔s2、間隔s3亦相同。
進而,如圖4A及圖4B所示,於封裝之長邊方向上,第1發光裝置201具備之發光元件30-1、30-2彼此之間隔p1與第2發光裝置202具備之發光元件30-3、30-4彼此之間隔p2大致相等。由此,能夠將複數個發光元件分別載置於不同之發光裝置(封裝)上,並且使該等發光裝置中所含之發光元件看起來大致等間隔地配置。因此,能夠謀求照明裝置之亮度分佈之進一步之均勻化。
如此,為了將載置於不同之發光裝置之發光元件以於安裝構件上看起來大致等間隔之方式配置,較佳為將載置於1個發光裝置上之發光元件彼此之間隔隔開得相對較大。但是,若發光元件彼此之間隔變大,則與發光元件或保護元件連接之金屬線容易形成得較長。然而,本發明之發光裝置(封裝)能夠將與發光元件或保護元件連接之金屬線形成得相對較短,因此能夠較佳地使用於此種照明裝置。又,進而,藉由抑制導電膏之偏斜、較高之自對準性來抑制封裝之旋轉或傾斜,能夠以較佳之姿勢安裝於安裝構件,由此,發光裝置以及發光元件之配置精度優異,且容易得到高精度之配光特性。
以下,對本發明之發光裝置用封裝、發光裝置及照明裝置之各構成要素進行說明。
引線框可以使用與發光元件或保護元件連接且能夠導電之金屬構件。具體而言,可列舉對銅、鋁、金、銀、鎢、鐵、鎳、鑽、鉬或其等之合金、磷青銅、含鐵銅等之金屬板實施壓製或蝕刻、軋製等各種加工而成者。又,亦可於其表層設置銀、鋁、鍺、金、銅或其等之合金等之鍍金或光反射膜,其中較佳為光反射性最優異之銀。引線框之厚度可任意選擇,例如為0.1mm以上且1mm以下,較佳為0.2mm以上且0.4mm以下。再者,例如圖1A~圖3C所示,藉由在引線框之
上表面或下表面之周緣之與樹脂成形體接觸之部位設置槽或凹陷,能夠抑制導電膏中所含之焊劑或外氣中之水分自引線框之下表面側浸入,或者能夠提高與樹脂成形體之密接性。
樹脂成形體之母材可列舉聚雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂、矽酮改性樹脂、矽酮改性樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等熱硬化性樹脂、脂肪族聚醯胺樹脂、半芳香族聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸環己酯、液晶聚合物、聚碳酸酯樹脂、間規聚苯乙烯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚醚碸樹脂、聚醚酮樹脂、聚芳酯樹脂等熱塑性樹脂。又,可使玻璃、二氧化矽、氧化鈦、氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、氫氧化鈣、矽酸鈣、矽酸鎂、鈣矽石、雲母、氧化鋅、鈦酸鋇、鈦酸鉀、硼酸鋁、氧化鋁、氧化鋅、碳化矽、氧化銻、錫酸鋅、硼酸鋅、氧化鐵、氧化鉻、氧化錳、碳黑等之粒子或纖維作為填充劑或著色顏料混入至該等母材中。
發光元件可以使用發光二極體(Lignt Emitting Diode:LED)元件或半導體雷射(Laser Diode:LD)元件等半導體發光元件。發光元件只要為於由各種半導體構成之元件構造上設置正負一對電極者即可。尤其較佳為能夠效率良好地激發螢光體之氮化物半導體(InxAlyGa1-x-yN,0≦x,0≦y,x+y≦1)之發光元件。此外,亦可為綠色~紅色發光之鎵砒系、鎵磷系半導體之發光元件。於正負一對電極設置於同一面側之發光元件之情形時,藉由金屬線將各電極與引線框連接而迸行表面朝上安裝。於正負一對電極分別設置在彼此相反之面上之對向電極構造之發光元件之情形時,藉由導電性接著劑將下表面電極接著於引線框,並藉由金屬線將上表面電極與引線框連接。下述之保護元件之安裝形態亦相同。又,藉由在發光元件之安裝面側設置銀或鋁等金屬層
或電介質反射膜,而能夠提高光提取效率。搭載於1個發光裝置用封裝之發光元件之個數可以為1個或複數個,其大小或形狀、發光波長亦任意選擇即可。複數個發光元件可藉由引線框或金屬線而串聯或並聯連接。又,亦可於1個發光裝置用封裝上搭載例如藍色發光與紅色發光之2個、藍色發光與綠色發光之2個、藍色.綠色.紅色發光之3個等之組合之發光元件。
金屬線為將發光元件之電極或保護元件之電極與引線框連接之導線。具體而言,可以使用金、銅、銀、鉑、鋁或其等之合金之金屬線。尤其較佳為不易因來自密封構件之應力而產生斷裂、熱阻等優異之金線。又,為了提高光反射性,亦可為至少表面由銀構成者。
密封構件係將發光元件或保護元件、金屬線等密封而保護其等免受灰塵、水分或外力等影響之構件。密封構件之母材只要具有電絕緣性且能夠使自發光元件出射之光透過(較佳為透過率為70%以上)即可。具體而言,可列舉矽酮樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、TPX樹脂、聚降烯樹脂、其等之改性樹脂或者含有1種以上之該等樹脂之混合樹脂。亦可為玻璃。其中,由於矽酮樹脂之耐熱性、耐光性優異,固化後之體積收縮较少,故而较佳。又,亦可於密封構件之母材中添加填充劑或螢光體等具有各種功能之粒子。填充劑可以使用擴散劑或著色劑等。具體而言,可列舉二氧化矽、氧化鈦、氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、氫氧化鈣、矽酸鈣、氧化鋅、鈦酸鋇、氧化鋁、氧化鐵、氧化鉻、氧化錳、玻璃、碳黑等。填充劑之粒子之形狀既可為破碎狀,亦可為球狀。又,還可為中空或多孔質者。
螢光體吸收自發光元件出射之一次光之至少一部分,並出射波長與一次光不同之二次光。螢光體例如可列舉主要由銪、鈰等鑭系元素活化之氮化物系螢光體.氮氧化物系螢光體,更具體而言,可列舉由銪活化之α或ß賽隆型螢光體、各種鹼土金屬氮化矽酸鹽螢光體、主要由銪等鑭系元素、錳等過渡金屬系元素活化之鹼土金屬鹵素磷灰石(Halogen patite)螢光體、鹼土類之鹵代矽酸鹽(Halo-Silicate)螢光體、鹼土金屬矽酸鹽螢光體、鹼土金屬硼酸鹵素螢光體、鹼土金屬鋁酸鹽螢光體、鹼土金屬矽酸鹽、鹼土金屬硫化物、鹼土金屬硫代鎵酸鹽(thiogallate)、鹼土金屬氮化矽、錳酸鹽、主要由鈰等鑭系元素活化之稀土類鋁酸鹽、稀土類矽酸鹽或主要由銪等鑭系元素活化之有機物及有機錯合物等。又,除上述以外,亦可使用具有相同之性能、效果之螢光體。由此,能夠製成出射可見波長之一次光與二次光之混色光(例如白色系)之發光裝置、由紫外光之一次光激發而出射可見波長之二次光之發光裝置。再者,螢光體既可沈降至封裝之凹部底面側,亦可於凹部內分散。
保護元件係用於保護發光元件免受靜電或高壓電湧之影響之元件。具體而言,可列舉曾納二極體。為了抑制光吸收,保護元件亦可被白色樹脂等光反射構件被覆。
安裝構件係供發光裝置(發光裝置用封裝)安裝之構件。具體而言,安裝構件可列舉各種配線基板。配線基板之母材可列舉氧化鋁、氮化鋁等陶瓷、銅、鋁等金屬、環氧玻璃、BT樹脂、聚醯亞胺等樹脂(包括纖維強化樹脂)。作為配線之材料,可列舉銅、鐵、鎳、鎢、鉻、鋁、銀、金、鈦或其等之合金。安裝構件之配線具有能夠將發光裝置藉由導電膏進行安裝之裝置安裝部(稱為「焊墊」等)。為了抑制
導電膏之偏斜,或提高發光裝置之自對準性,較佳為具有與發光裝置之引線框之下表面之露出區域大致相同之形狀(圖案)。
導電膏係將發光裝置安裝於安裝構件之膏狀之構件。具體而言,可以使用錫-鉍系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系等之焊料、銀、金、鈀等之金屬膏等。
以下,對本發明之實施例進行詳細敘述。再者,當然,本發明並不僅限定於以下所示之實施例。
實施例1之發光裝置為具有圖1A-圖1C所示之例之發光裝置200之構造之直下(top view)式之SMD型LED。
封裝100係大小為橫7.0mm、縱2.0mm、厚度0.6mm之長方體狀,藉由在構成正極.負極之第1及第2引線框11、12與位於其間之第3引線框13上一體地成形樹脂成形體20而構成。再者,該封裝100係藉由如下操作而製作:將由複數組引線框11、12、13經由懸掛引線(單片化後成為懸吊引線部104)縱橫相連而成之加工金屬板設置於模具內,注入具有流動性之狀態之樹脂成形體20之構成材料並使其固化、脫模,其後分離(單片化)成各封裝。
3個引線框11、12、13分別係於表面實施有鍍銀之最大厚度為0.3mm之銅合金之板狀小片。第1引線框11主要包含橫(長度)2.0mm、縱(寬度)1.5mm(懸吊引線部104除外)之俯視下矩形形狀之本體部101、及自該本體部101向第2引線框12側延伸之橫(長度)2.0mm、縱(寬度)0.6mm(懸吊引線部104除外)之俯視下矩形形狀之延伸部102。該延伸部102靠近本體部101之短邊方向之一端設置,第1引線框11於俯視下成為L字狀。第2引線框12形成為橫(長度)2.0mm、縱(寬度)1.5
mm(懸吊引線部104除外)之俯視下矩形形狀。第3引線框13以於短邊方向上與第1引線框之延伸部102對向之方式配置,形成為橫(長度)1.8mm、縱(寬度)0.6mm(懸吊引線部104除外)之俯視下矩形形狀。第1引線框之延伸部102與第2引線框12之間之間隔區域之寬度(長邊方向)為0.5mm。又,第1引線框之本體部101與第3引線框13之間之間隔區域之寬度(長邊方向)為0.5mm。進而,第1引線框之延伸部102與第3引線框13之間之間隔區域之寬度(短邊方向)為0.4mm。再者,該等間隔區域係藉由利用壓製進行之沖裁而形成。於第1引線框之延伸部102之下表面設有與本體部101密接之橫(長度)0.5mm、縱(寬度)0.6mm、深度0.15mm之凹陷13。該凹陷13被樹脂成形體20填埋。由此,延伸部之下表面之露出區域107之大致全部藉由填埋凹陷13之樹脂成形體20而與第1引線框之本體部之下表面之露出區域105分離。又,第1及第2引線框11、12之下表面之周緣之一部分、及第3引線框13之下表面之周緣之全部形成有寬度0.12mm、深度0.09mm之凹陷,該凹陷亦被樹脂成形體20填理。該等凹陷係藉由蝕刻而形成。3個引線框之下表面之露出區域與樹脂成形體20之下表面實質上為同一面,且構成封裝100之下表面。又,3個引線框之下表面之各露出區域為大致矩形形狀(四角帶有弧度)。再者,第1及第2引線框11、12分別於面向封裝100之長邊方向之端面上露出其等之一部分(也有懸吊引線部104中之一個)。於該露出部,與下表面連續而形成有作為凹陷部(castellation)發揮功能之凹坑。
樹脂成形體20係俯視下之外形為橫7.0mm、縱2.0mm之長方形形狀、最大厚度為0.45mm且含有氧化鈦之環氧樹脂製之成形體。於樹脂成形體20之上表面側之大致中央形成有橫1.4mm、縱6.4mm、深度0.35mm之俯視下長方形形狀(四角帶有弧度)之凹部。凹部之側壁面之傾斜角度自凹部底面起為5~30°。再者,於3個引線框11、12、
13之上表面之相當於凹部底面與側壁面之邊界之部位之一部分,形成有寬度0.12mm、深度0.09mm之凹陷,該凹陷亦被樹脂成形體20填埋。
於構成封裝100之凹部底面之第1及第2引線框11、12之上表面,藉由矽酮樹脂之絕緣性接著劑而分別各接著有1個發光元件30。該發光元件30係於藍寶石基板上依序積層有氮化物半導體之n型層、活性層、p型層之可進行藍色(中心波長約460nm)發光之縱650μm、橫650μm、厚度150μm之LED元件。2個發光元件30之中心間距離為4.0mm。又,各發光元件30之p、n電極中之一者藉由金屬線40與載置該元件之引線框連接,p、n電極中之另一者藉由金屬線40與第3引線框13之上表面連接。由此,2個發光元件30串聯連接。金屬線40係線徑為25μm之金線。
又,於第1引線框之延伸部102之上表面,藉由銀漿之導電性接著劑而接著有縱150μm、橫150μm、厚度85μm之對向電極構造之曾納二極體即保護元件70。又,保護元件70之上表面電極藉由金屬線40與第2引線框12之上表面連接。
於收容有上述2個發光元件30與保護元件70之封裝100之凹部填充密封構件50,以被覆各元件。密封構件50以矽酮樹脂為母材,其中含有由鈰活化之釔.鋁.石榴石(YAG:Ce)之螢光體60及二氧化矽之填充劑。密封構件50之上表面與樹脂成形體之凹部側壁23之上表面為大致同一面,且成為大致平坦面。該密封構件50係藉由在具有流動性之狀態下使用分配器被填充於封裝100之凹部內,並利用加熱等使之固化而形成。再者,螢光體60沈降至凹部底面側。
如上所述構成之實施例1之封裝及發光裝置能夠發揮與實施形態1之封裝100及發光裝置200相同之效果。
本發明之發光裝置用封裝能夠較佳地用作SMD型LED之封裝。
又,使用有本發明之封裝之發光裝置能夠利用於液晶顯示器之背光光源、各種照明器具、大型顯示器、廣告或導航裝置等之各種顯示裝置、進而數碼攝像機、傳真機、複製機、掃描器等中之圖像讀取裝置、投影裝置等。
對本領域技術人員而言,應當知曉以上所公開之本發明之較佳之實施形態僅用於解釋本發明之主旨,但並不將本發明之範圍侷限於此。本發明可以在不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。本發明基於日本專利申請2012-289198號(2012年12月29日申請)而主張優先權,並將該申請之全部內容引用於此。
11、12、13‧‧‧引線框
20‧‧‧樹脂成形體
23‧‧‧凹部側壁
30‧‧‧發光元件
40‧‧‧金屬線
50‧‧‧密封構件
60‧‧‧螢光體
70‧‧‧保護元件
100‧‧‧發光裝置用封裝
101‧‧‧本體部
102‧‧‧延伸部
103‧‧‧凹陷
104‧‧‧懸吊引線部
105、106、107、109‧‧‧引線框之下表面之露出區域
200‧‧‧發光裝置
Claims (13)
- 一種發光裝置用封裝,其於俯視下具有長邊方向及與該長邊方向正交之短邊方向,且包括:第1及第2引線框,其等排列於上述長邊方向;及樹脂成形體,其與上述第1及第2引線框一體地成形;其中,上述第1引線框包括:本體部;及延伸部,其以自上述本體部朝向上述第2引線框側寬度變窄之方式延伸;其中,於上述第1引線框之下表面設有凹陷,其中,上述延伸部之下表面之露出區域之至少一部分藉由填埋上述凹陷之樹脂成形體而與上述本體部之下表面之露出區域分離。
- 如請求項1之發光裝置用封裝,其中上述延伸部之下表面之露出區域之大致全部藉由填埋上述凹陷之樹脂成形體而與上述本體部之下表面之露出區域分離。
- 如請求項1之發光裝置用封裝,其中上述延伸部之下表面之露出區域為大致矩形形狀。
- 如請求項1之發光裝置用封裝,其中上述延伸部位於該發光裝置用封裝之大致中央。
- 如請求項1之發光裝置用封裝,其中上述發光裝置用封裝包含以於上述短邊方向上與上述延伸部對向之方式配置之第3引線框,上述第3引線框之下表面之至少一部分自上述樹脂成形體露出。
- 如請求項1之發光裝置用封裝,其中上述第2引線框包括本體部 及自上述本體部以寬度朝向上述第1引線框側變窄之方式延伸之延伸部,於上述第2引線框之下表面設有凹陷,上述第2引線框之上述延伸部之下表面之露出區域之至少一部分藉由填埋上述第2引線框之上述凹陷之樹脂成形體而與上述第2引線框之上述本體部之下表面之露出區域分離,上述第1及第2引線框之上述延伸部以於上述短邊方向上相互對向之方式配置。
- 如請求項1之發光裝置用封裝,其中於該發光裝置用封裝之上表面側,上述樹脂成形體包含沿著上述短邊方向延伸設置之中間壁部,該中間壁部使上述第1引線框之上述本體部之上表面之至少一部分、與上述第1引線框之上述延伸部之上表面之上述第2引線框側之至少一部分露出。
- 如請求項7之發光裝置用封裝,其中上述中間壁部設置於上述第1引線框之上述延伸部上。
- 如請求項8之發光裝置用封裝,其中上述第2引線框包括本體部及自上述本體部以寬度朝向上述第1引線框側變窄之方式延伸之延伸部,上述第1及第2引線框之上述延伸部以於上述短邊方向上相互對向之方式配置,上述中間壁部包括跨及上述第1及第2引線框之上述延伸部上而設置之第1壁部及第2壁部,藉由上述第1壁部及上述第2壁部,將上述第1及第2引線框之上述延伸部之上表面分別劃分成3個露出區域。
- 一種發光裝置,其包括:如請求項1之發光裝置用封裝;及 發光元件,其分別載置於上述第1及第2引線框之上表面。
- 如請求項10之發光裝置,其中上述發光裝置包括載置於上述第1引線框之上述延伸部之上表面之保護元件。
- 一種照明裝置,其中作為如請求項10之發光裝置之第1及第2發光裝置排列於上述長邊方向,上述第1發光裝置中最接近上述第2發光裝置所配置之第1發光元件與上述第2發光裝置中最接近上述第1發光裝置所配置之第2發光元件之間隔與上述第1發光裝置中上述第1發光元件與鄰接配置於上述第1發光元件之第3發光元件之間隔大致相等。
- 如請求項12之照明裝置,其中上述第1發光裝置所具備之發光元件彼此之間隔與上述第2發光裝置所具備之發光元件彼此之間隔大致相等。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012289198A JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2012-12-29 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201436304A true TW201436304A (zh) | 2014-09-16 |
TWI540770B TWI540770B (zh) | 2016-07-01 |
Family
ID=49917512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102148498A TWI540770B (zh) | 2012-12-29 | 2013-12-26 | 發光裝置用封裝及具備其之發光裝置、與具備該發光裝置之照明裝置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9257417B2 (zh) |
EP (1) | EP2750212B1 (zh) |
JP (1) | JP6107136B2 (zh) |
KR (1) | KR102109651B1 (zh) |
CN (1) | CN103915542B (zh) |
TW (1) | TWI540770B (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6102187B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP2015041685A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
WO2016080768A1 (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프 |
JP6573356B2 (ja) | 2015-01-22 | 2019-09-11 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム |
KR102034715B1 (ko) | 2015-07-16 | 2019-10-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP6646969B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2020-02-14 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
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US10312184B2 (en) * | 2015-11-04 | 2019-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor systems having premolded dual leadframes |
JP6508131B2 (ja) | 2016-05-31 | 2019-05-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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JP6680258B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP6916453B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-08-11 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP6680274B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び樹脂付リードフレーム |
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KR20190074200A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
JP7147173B2 (ja) * | 2018-02-14 | 2022-10-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7116303B2 (ja) | 2018-06-25 | 2022-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及び発光装置 |
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CN113078254B (zh) * | 2021-03-18 | 2022-11-01 | 江门市迪司利光电股份有限公司 | 一种双源发光led封装方法和封装结构 |
Family Cites Families (67)
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JPH0770363B2 (ja) | 1987-02-28 | 1995-07-31 | イビデン株式会社 | 印刷抵抗体付プリント配線板 |
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JP5010716B2 (ja) | 2010-01-29 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
JP5587625B2 (ja) | 2010-02-01 | 2014-09-10 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレーム及びledパッケージ用基板 |
CN102804428B (zh) | 2010-03-30 | 2016-09-21 | 大日本印刷株式会社 | Led用引线框或基板、半导体装置和led用引线框或基板的制造方法 |
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JP5533203B2 (ja) | 2010-04-30 | 2014-06-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
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KR101103674B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
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JP5886584B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-03-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
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JP2012190970A (ja) | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Panasonic Corp | 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP2012195430A (ja) | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
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JP5781801B2 (ja) | 2011-03-29 | 2015-09-24 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
KR101832306B1 (ko) * | 2011-05-30 | 2018-02-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
KR101806550B1 (ko) | 2011-06-14 | 2017-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
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KR101957884B1 (ko) | 2012-05-14 | 2019-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치 |
KR101886157B1 (ko) | 2012-08-23 | 2018-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 조명시스템 |
JP6102187B2 (ja) | 2012-10-31 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
TW201434134A (zh) | 2013-02-27 | 2014-09-01 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光裝置、背光模組及照明模組 |
US9728685B2 (en) | 2013-02-28 | 2017-08-08 | Nichia Corporation | Light emitting device and lighting device including same |
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JP6291713B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム |
JP6221403B2 (ja) | 2013-06-26 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6237174B2 (ja) | 2013-12-05 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2012
- 2012-12-29 JP JP2012289198A patent/JP6107136B2/ja active Active
-
2013
- 2013-12-26 TW TW102148498A patent/TWI540770B/zh active
- 2013-12-27 CN CN201310741062.3A patent/CN103915542B/zh active Active
- 2013-12-27 EP EP13199676.1A patent/EP2750212B1/en active Active
- 2013-12-27 KR KR1020130165056A patent/KR102109651B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-27 US US14/141,429 patent/US9257417B2/en not_active Ceased
-
2017
- 2017-03-13 US US15/458,000 patent/USRE47504E1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
USRE47504E1 (en) | 2019-07-09 |
EP2750212A1 (en) | 2014-07-02 |
JP2014130973A (ja) | 2014-07-10 |
KR20140088021A (ko) | 2014-07-09 |
KR102109651B1 (ko) | 2020-05-12 |
JP6107136B2 (ja) | 2017-04-05 |
EP2750212B1 (en) | 2018-08-22 |
CN103915542B (zh) | 2017-03-01 |
CN103915542A (zh) | 2014-07-09 |
US9257417B2 (en) | 2016-02-09 |
US20140183574A1 (en) | 2014-07-03 |
TWI540770B (zh) | 2016-07-01 |
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