CN106711136A - 一种实现超高密显示的垂直结构led芯片封装结构 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims abstract description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000013517 stratification Methods 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 11
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立焊盘、B独立焊盘、C独立焊盘、公共焊盘和三角形结构绿漆；蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片均为垂直结构的芯片，基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有导电孔，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共焊盘及A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘，三个LED芯片通过导电底胶分别连接在三个独立焊盘上，所述三个LED芯片表面电极分别通过一根键合线连接到公共焊盘上，基板背面中部设置有三角形结构绿漆。该封装结构大大缩小了LED封装结构的尺寸，实现超高密显示的LED全彩应用。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域，具体涉及一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构。
背景技术
随着室内显示应用技术不断提高，传统显示产品技术逐渐登顶，室内小间距产品成为未来主要的技术拓展空间；为取代LCD、DLP室内高清显示产品，用于小间距显示屏的LED封装结构的尺寸要做的更小来缩小显示屏的像素点距离，实现高清显示功能。传统小间距LED封装结构采用表面双电极的芯片设计，在LED封装过程需通过两条键合线分别将两个电极与BT板焊盘相连接达到导通的作用。焊线键合对芯片的电极和BT板焊盘的距离有要求，距离太小，会造成无法焊接或者焊接可靠性低的问题，因而制约了小间距LED的封装尺寸的缩小。
发明内容
为解决上述技术问题，我们提出了一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，该LED封装结构的长、宽尺寸可为0.45mm-1.0mm之间,最小尺寸可做到0.45*0.45mm，实现超高密显示的LED全彩应用。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立焊盘、B独立焊盘、C独立焊盘、公共焊盘和三角形结构绿漆；所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片均为垂直结构的芯片，所述基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共焊盘并于放置所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片的区域分别设置有所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘，所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘呈“品”字结构，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片通过导电底胶分别连接在所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘上，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片表面电极分别通过一根所述键合线连接到所述公共焊盘上，所述基板背面中部设置有三角形结构绿漆。
优选的，所述基板的厚度为0.1mm-0.5mm，颜色为黑色或者白色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、铜基板、陶瓷基板的其中一种或几种混合。
优选的，所述基板正面电路线路铜层上是镍，镍厚度在100-300u"之间；镍层上可镀银或金，也可镀银后再镀一层金，银厚在20-80u"之间，金厚在2-10u"之间。
优选的，所述导电孔的直径为0.05-0.5mm，所述导电孔内金属填充物是通过电镀或者塞金属柱的方式完成，或用塞非金属物质的方式来完成。
通过上述技术方案，本发明通过采用导电底胶把所述垂直结构的蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片分别连接在所述基板上的所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘上，然后每个LED芯片只需要一根所述键合线与所述基板上所述公共焊盘相连接即可达到导通作用。该封装结构大大缩小了LED封装结构的尺寸，其长、宽尺寸可为0.45mm-1.0mm之间,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大缩小显示屏的像素点距离，实现超高密显示的LED全彩应用，应用效果极佳。该封装结构使室内显示应用技术的水平又提高了一个台阶。为室内小间距显示应用技术做出了巨大的贡献。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所公开的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构正面结构示意图；
图2为本发明实施例所公开的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构背面结构示意图。
图中数字和字母所表示的相应部件名称：
1、基板 2、蓝光LED芯片 3、绿光LED芯片 4、红光LED芯片 5、键合线 6、A独立焊盘7、B独立焊盘 8、C独立焊盘 9、公共焊盘 10、三角形结构绿漆 11、导电孔
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合实施例和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例.
如图1和图2所示，一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，包括基板1、蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3、红光LED芯片4、键合线5、A独立焊盘6、B独立焊盘7、C独立焊盘8、公共焊盘9和三角形结构绿漆10；所述蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3和红光LED芯片4均为垂直结构的芯片，所述基板1的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板1上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔11，所述导电孔11从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板1的正面电路线路上设置有一个公共焊盘9并于放置所述蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3和红光LED芯片4的区域分别设置有所述A独立焊盘6、B独立焊盘7和C独立焊盘8，所述A独立焊盘6、B独立焊盘7和C独立焊盘8呈“品”字结构，所述蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3和红光LED芯片4通过导电底胶分别连接在所述A独立焊盘6、B独立焊盘7和C独立焊盘8上，所述蓝光LED芯片6、绿光LED芯片7和红光LED芯片8表面电极分别通过一根所述键合线5连接到所述公共焊盘9上，所述基板1背面中部设置有三角形结构绿漆10。
所述基板1的厚度为0.1mm-0.5mm，颜色为黑色或者白色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、铜基板、陶瓷基板的其中一种或几种混合。
所述基板1正面电路线路铜层上是镍，镍厚度在100-300u"之间；镍层上可镀银或金，也可镀银后再镀一层金，银厚在20-80u"之间，金厚在2-10u"之间。
所述导电孔11的直径为0.05-0.5mm，所述导电孔11内金属填充物是通过电镀或者塞金属柱的方式完成，或用塞非金属物质的方式来完成。
通过上述技术方案，本发明通过采用导电底胶把所述垂直结构的蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3和红光LED芯片4分别连接在所述基板1上的所述A独立焊盘6、B独立焊盘7和C独立焊盘8上，然后每个LED芯片只需要一根所述键合线5与所述基板1上的所述公共焊盘9相连接即可达到导通作用。该封装结构大大缩小了LED封装结构的尺寸，其长、宽尺寸可为0.45mm-1.0mm之间,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大缩小显示屏的像素点距离，实现超高密显示的LED全彩应用，应用效果极佳。该封装结构使室内显示应用技术的水平又提高了一个台阶。为室内小间距显示应用技术做出了巨大的贡献。
以上所述的仅是本发明的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立焊盘、B独立焊盘、C独立焊盘、公共焊盘和三角形结构绿漆；所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片均为垂直结构的芯片，所述基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共焊盘并于放置所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片的区域分别设置有所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘，所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘呈“品”字结构，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片通过导电底胶分别连接在所述A独立焊盘、B独立焊盘和C独立焊盘上，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片表面电极分别通过一根所述键合线连接到所述公共焊盘上，所述基板背面中部设置有三角形结构绿漆。
2.根据权利要求1所述的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，所述基板的厚度为0.1mm-0.5mm，颜色为黑色或者白色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、铜基板、陶瓷基板的其中一种或几种混合。
3.根据权利要求1所述的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，所述基板正面电路线路铜层上是镍，镍厚度在100-300u"之间；镍层上可镀银或金，也可镀银后再镀一层金，银厚在20-80u"之间，金厚在2-10u"之间。
4.根据权利要求1所述的一种实现超高密显示的垂直结构LED芯片封装结构，其特征在于，所述导电孔的直径为0.05-0.5mm，所述导电孔内金属填充物是通过电镀或者塞金属柱的方式完成，或用塞非金属物质的方式来完成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710036590.7A CN106711136A (zh) | 2017-01-18 | 2017-01-18 | 一种实现超高密显示的垂直结构led芯片封装结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107818972A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-03-20 | 通元科技(惠州)有限公司 | 一种带cob封装基板的led线路板及制备方法 |
| CN108695305A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-23 | 山西高科华兴电子科技有限公司 | 四晶led显示灯珠结构 |
| CN109326704A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-02-12 | 苏州晶台光电有限公司 | 一种防止小间距led蓝绿光芯片粘连的结构 |
| CN113782525A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-12-10 | 浙江德合光电科技有限公司 | 一种内置控制ic的小尺寸led装置及其制备方法 |
| CN114370890A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-19 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种感测器件及其制作方法 |
| CN115346972A (zh) * | 2022-10-18 | 2022-11-15 | 武汉芯享光电科技有限公司 | 一种显示模组及显示模组的制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1667844A (zh) * | 2004-03-08 | 2005-09-14 | 诠兴开发科技股份有限公司 | 侧光型彩色发光二极管封装结构 |
| CN102142507A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装 |
| CN205508861U (zh) * | 2016-01-30 | 2016-08-24 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种led器件 |
| CN206422064U (zh) * | 2017-01-18 | 2017-08-18 | 苏州晶台光电有限公司 | 一种实现超高密显示的垂直结构led芯片封装结构 |
-
2017
- 2017-01-18 CN CN201710036590.7A patent/CN106711136A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1667844A (zh) * | 2004-03-08 | 2005-09-14 | 诠兴开发科技股份有限公司 | 侧光型彩色发光二极管封装结构 |
| CN102142507A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装 |
| CN205508861U (zh) * | 2016-01-30 | 2016-08-24 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种led器件 |
| CN206422064U (zh) * | 2017-01-18 | 2017-08-18 | 苏州晶台光电有限公司 | 一种实现超高密显示的垂直结构led芯片封装结构 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107818972A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-03-20 | 通元科技(惠州)有限公司 | 一种带cob封装基板的led线路板及制备方法 |
| CN108695305A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-23 | 山西高科华兴电子科技有限公司 | 四晶led显示灯珠结构 |
| CN109326704A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-02-12 | 苏州晶台光电有限公司 | 一种防止小间距led蓝绿光芯片粘连的结构 |
| CN113782525A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-12-10 | 浙江德合光电科技有限公司 | 一种内置控制ic的小尺寸led装置及其制备方法 |
| CN114370890A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-19 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种感测器件及其制作方法 |
| CN115346972A (zh) * | 2022-10-18 | 2022-11-15 | 武汉芯享光电科技有限公司 | 一种显示模组及显示模组的制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170524 |