CN210692534U - 一种发光二极管封装器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种发光二极管封装器件，包括：彼此分隔开的若干个LED芯片，所述LED芯片包含相对的第一表面、第二表面和在第一表面和第二表面之间的侧面，所述第一表面为出光面；电路层，形成在所述LED芯片的第二表面之下，具有相对的上表面、下表面及在上表面和下表面之间的侧面，所述上表面与所述LED芯片的电极连接；第一封装层，包覆于所述LED芯片的侧面、第二表面；第二封装层，披覆于所述电路层的侧面，并填充所述电路层内部的间隙；定义所述LED芯片的厚度为TA，所述第一封装层的厚度为TB，所述电路层的厚度为TC，则TA、TB满足关系式：TB/TA≥1。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是一种发光二极管封装器件。
背景技术
发光二极管（LED）是当今最热门的光源技术之一，可用于照明装置的光源，而且也用于各种电子产品的光源，如被广泛地用作于诸如TV、蜂窝电话、PC、笔记本PC、个人数字助理(PDA)等的各种显示装置的光源。缩小LED装置的尺寸可以提升显示的分辨率，从而扩大LED显示屏的应用领域，如手机，车载面板，电视，电脑，视频会议等。
在显示屏市场上，小尺寸RGB LED迅速壮大，占据越来越大的市场份额。小尺寸RGBLED给显示屏带来极高的像素体验，但同时小尺寸RGB LED在生产工艺方面也带来了极大挑战，存在厚度较厚，限制了应用产品的厚度及应用区域。现有技术主要在基板上进行固RGB芯片，正装芯片需要打线或者倒用焊锡膏、倒装芯片需要焊锡膏、垂直芯片也需要打线，如此封装厚度由基板、锡膏或打线、芯片厚度、决定了封装厚度基本会高于500μm，不利于封装器件的薄型化及集成化。
发明内容
为解决上述现有技术中存在的问题，本实用新型提出一种发光二极管封装器件。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案包括：一种发光二极管封装器件，包括：彼此分隔开的若干个LED芯片，所述LED芯片包含相对的第一表面、第二表面和在第一表面和第二表面之间的侧面，所述第一表面为出光面；电路层，形成在所述LED芯片的第二表面之下，具有相对的上表面、下表面及在上表面和下表面之间的侧面，所述上表面与所述LED芯片的电极连接；第一封装层，包覆于所述LED芯片的侧面、第二表面；第二封装层，披覆于所述电路层的侧面，并填充所述电路层内部的间隙；定义所述LED芯片的厚度为TA，所述第一封装层的厚度为TB，所述电路层的厚度为TC，则TA、TB满足关系式：TB/TA≥1。
优选地，所述LED芯片的厚度TA介于40~100μm，所述第一封装层的厚度TB介于120~200μm，所述电路层的厚度TC介于20~200μm。
优选地，所述TA、TB和TC满足关系式：（TB + TC）/TA≤10。
优选地，所述TA、TB和TC满足关系式：（TB + TC）/TA≥1.4。
优选地，所述LED芯片的厚度TA介于5~10μm，所述第一封装层的厚度TB介于80~100μm，所述电路层的厚度TC介于20~200μm。
优选地，所述TA、TB和TC满足关系式：（TB + TC）/TA≥10。
优选地，所述TA、TB和TC满足关系式：（TB + TC）/TA≤60。
优选地，所述第一封装层，还包括第三封装层。
优选地，所述第二封装层，还包括第四封装层。
优选地，所述第一封装层与第二封装层的材质相同。
优选地，所述LED芯片为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
优选地，所述若干个LED芯片包括若干个不同波长的LED芯片。
优选地，所述LED芯片的第二表面上设有一对电极。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括且不局限于：
本实用新型采用第一封装层固定该LED芯片，然后形成电路连接，再填充第二封装层形成封装体。该方式无需焊线，提升了可靠性以及对比度；LED芯片无需锡膏焊接，避免了用锡膏焊接带来的芯片焊接不良以及二次回流焊回熔的问题，同时实现更小更薄的封装尺寸，可以达到更高的集成度。
本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1为本实用新型实施例1的发光二极管封装器件的剖视示意图。
图2为本实用新型实施例2的发光二极管封装器件的剖视示意图。
图3为本实用新型实施例3的发光二极管封装器件的剖视示意图。
图中各部位标号表示：101：LED芯片；102：电极；103：加厚电极；201：第一封装层；202：第二封装层；203：第三封装层；204：第四封装层；301：第一子电路层；302：第二子电路层；303：焊盘。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本实用新型中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本实用新型的保护范围之内。
以下将结合附图及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
具体实施例
实施例1
如图1所示，一种发光二极管封装器件，包括：彼此分隔开的若干个LED芯片101，所述LED芯片包含相对的第一表面、第二表面和在第一表面和第二表面之间的侧面，所述第一表面为出光面；电路层，形成在所述LED芯片的第二表面之下，具有相对的上表面、下表面及在上表面和下表面之间的侧面，所述上表面与所述LED芯片的电极连接；第一封装层201，包覆于所述LED芯片的侧面、第二表面；第二封装层202，披覆于所述电路层的侧面，并填充所述电路层内部的间隙，至少裸露出所述电路层的部分下表面；定义所述LED芯片101的厚度为TA，所述第一封装层201的厚度为TB，所述电路层的厚度为TC，则TA、TB满足关系式：TB/TA=1。
所述LED芯片101可以是常规尺寸的LED芯片（一般指芯片单边尺寸超过200μm），也可以是Mini LED芯片（一般指芯片尺寸介于100~200μm），或是Micro LED芯片（一般指芯片尺寸不超过100μm），本实施例优选Mini LED芯片。
在本实施例，所述若干个LED芯片包括若干个不同波长的LED芯片，优选地，比如至少三颗LED芯片分别发射红光（R）、绿光（G）、蓝光（B），还可以是包括发出白光的LED芯片（含波长转换层），即形成RGBW组合，如此可以提升显屏的亮度，对于户外显示非常有利。
在本实施例，所述LED芯片101的第二表面上设有一对电极102，优选地，LED芯片101还可以包括加厚电极103，该加厚电极可以通过电镀、化镀或印刷等方式形成，其材料可以是Cu、CuW或者其他导电金属材料。通过设置加厚电极，一方面可以增加LED芯片的侧面与第一封装层201接触的面积，从而增加LED芯片与封装层之间的粘附力，另一方面加厚电极103与第一封装层201可以形成钉桩结构，使得LED芯片可以更好地被封装层120固定。
在本实施例，电路层包括第一子电路层301、第二子电路层302,以及焊盘303，其中第一子电路层301用于电连接所述若干个LED芯片101，可以是串联、并联或者二者混合；第二子电路层302可以用于简化布线结构，即减少电连接端子的个数；焊盘303，与所述第二子电路层302连接。
该第一封装层121和第二封装层122可以是相同的材质，也可以是不相同的材质。当采用相同的材质时，该两层合为一层，较难于进行区分。例如在一些将该LED封装器件用作于显示装置的实施例中，该第一、第二封装层均采用加入着色剂的环氧树脂或硅胶，此时封装层一方面固定、密封该LED芯片101，另一方面可以抑制各个LED芯片101的光学干扰。
在本实施例，优选地，所述LED芯片的厚度TA介于40~100μm，所述第一封装层的厚度TB介于120~200μm，所述电路层的厚度TC介于20~200μm，更优选地所述电路层的厚度TC介于40~180μm，所述TA、TB和TC满足关系式：1.4≤（TB + TC）/TA≤10。需要说明的是，该电路层的层数可以是至少2层，也可以是4层，比如每层厚度30μm。
本实施例采用第一封装层固定该LED芯片，然后形成电路连接，再填充第二封装层形成封装体。该方式无需焊线，提升了可靠性以及对比度；LED芯片无需锡膏焊接，避免了用锡膏焊接带来的芯片焊接不良以及二次回流焊回熔的问题，同时实现更小更薄的封装尺寸，可以达到更高的集成度。
实施例2
如图2所示，与实施例1的区别在于，本实施例的第一封装层还包括：第三封装层203，该第三封装层203披覆于所述LED芯片101以及第二封装层的上方，如此可以避免了LED芯片裸露，该第三封装层，比如选用硅胶，树脂等透明层，可以减少镜面反射，提高漫反射，有利于改善封装结构表面颜色不均的情况。此外，本实施例优选LED芯片101采用Micro LED芯片，优选地，所述LED芯片的厚度TA介于5~10μm，所述第一封装层的厚度TB介于80~100μm，所述电路层的厚度TC介于20~200μm，更优选地所述电路层的厚度TC介于40~180μm，所述TA、TB和TC满足关系式：10≤（TB + TC）/TA≤60，如此可以避免电路层太厚应力过大，热阻过大，在保证封装结构体强度的同时，使得封装结构体的总厚度减薄，最终使得应用产品更轻薄。
实施例3
如图3所示，与实施例2的区别在于，本实施例的第二封装层还包括：第四封装层204，该第四封装层204用于填平所述焊盘303之间的间隙，材质可以选用绝缘层或者环氧树脂或者阻焊油墨或者前述任意组合等。需要说明的是，当所述焊盘303之间填充有第四封装层，则焊盘也可以视为电路层的组成部分，即所述电路层的厚度TC包括第一子电路层301、第二子电路层302以及焊盘303的总厚度。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，很明显地，本实用新型的说明不应理解为仅仅限制在上述实施例，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (13)
1.一种发光二极管封装器件，包括：彼此分隔开的若干个LED芯片，所述LED芯片包含相对的第一表面、第二表面和在第一表面和第二表面之间的侧面，所述第一表面为出光面；电路层，形成在所述LED芯片的第二表面之下，具有相对的上表面、下表面及在上表面和下表面之间的侧面，所述上表面与所述LED芯片的电极连接；第一封装层，包覆于所述LED芯片的侧面、第二表面；第二封装层，披覆于所述电路层的侧面，并填充所述电路层内部的间隙；定义所述LED芯片的厚度为TA，所述第一封装层的厚度为TB，所述电路层的厚度为TC，则TA、TB满足关系式：TB/TA≥1。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述LED芯片的厚度TA介于40~100μm，所述第一封装层的厚度TB介于120~200μm，所述电路层的厚度TC介于20~200μm。
3.根据权利要求2所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述TA、TB和TC满足关系式：（TB + TC）/TA≤10。
4.根据权利要求2所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述TA、TB和TC满足关系式：（TB + TC）/TA≥1.4。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述LED芯片的厚度TA介于5~10μm，所述第一封装层的厚度TB介于80~100μm，所述电路层的厚度TC介于20~200μm。
6.根据权利要求5所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述TA、TB和TC满足关系式：（TB + TC）/TA≥10。
7.根据权利要求5所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述TA、TB和TC满足关系式：（TB + TC）/TA≤60。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述第一封装层，还包括第三封装层。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述第二封装层，还包括第四封装层。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述第一封装层与第二封装层的材质相同。
11.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述LED芯片为MiniLED芯片或Micro LED芯片。
12.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述若干个LED芯片包括若干个不同波长的LED芯片。
13.根据权利要求1所述的一种发光二极管封装器件，其特征在于：所述LED芯片的第二表面上设有一对电极。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2021017711A1 (zh) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光装置封装件和显示装置 |
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2019
- 2019-10-14 CN CN201921710466.5U patent/CN210692534U/zh active Active
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|---|---|---|---|---|
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