CN114068505A - 发光装置及其显示装置和背光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003202 NH4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001650 dmitryivanovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910001707 krotite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
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Abstract
一种发光装置及其显示装置和背光装置,发光装置具有可拼接至主电路基板上的多个发光驱动模块。发光驱动模块各自包括载板、多个发光单元以及驱动电路晶片。发光单元设置在载板的第一表面上。驱动电路晶片设置在载板的第二表面上,并电性连接发光单元。第二表面固设至主电路基板。驱动电路晶片位于载板与主电路基板之间。载板的第二表面上设置多个第一接触垫。主电路基板设置对应第一接触垫的多个第二接触垫。第一接触垫接触并固设于第二接触垫上。本发明形成由发光单元、载板和驱动电路晶片三者为一整体的模块化结构,以达到让主电路机板上不同区域的发光单元彼此间色差大幅下降的效果。
Description
技术领域
本揭示内容是关于发光装置及使用此发光装置的显示装置和背光装置。
背景技术
此处的陈述仅提供与本揭示有关的背景信息,而不必然地构成现有技术。
发光二极管(light-emitting diode,LED)除了应用在照明领域上,也普及应用在显示装置上,例如可做为液晶显示装置的背光源(backlight)或作为发光二极管显示装置(LED Display)的像素。在各种显示技术的子领域中,电路布局的设计是一项重要的发展方向。图7A和图7B分别绘示现有技术的显示装置结构中的一LED电路板两个相反表面的配置示意图。图7A所示的LED电路板S的上表面S1设置有多个发光二极管S3,这些发光二极管S3通过电路板S电性连接至图7B中所示的驱动电路晶片S4。多个驱动电路晶片S4设置在电路板S相对于上表面S1的下表面S2上。由此可知,现有技术关于显示装置的电路布局多为在面积较大的单一电路板S上设置多个驱动电路晶片S4,用以驱动整面发光二极管S3。
近年来又发展出一些变化的显示器架构,其将多个发光二极管S3分成小区块,再分别插入一个大的电路板S1。中国大陆发明专利申请案公开号CN108630717A即属此类。
发明内容
然而,不论是图7A和图7B所示的先前技术范畴,或是中国大陆发明专利申请案公开号CN108630717A一类的显示器架构,皆有电路板上不同区域的电路布局不统一,多个驱动电路晶片之间具有高相异性而造成电路布局制作上较复杂的缺点。此外,即使是已将发光二极管分成小区块如公开案CN108630717A的技术方案,其底层大电路板的电路布局仍须依照各个不同小区域的电路走线做适应性的个别修改,此乃需要改善之处。
有鉴于此,本揭示的一些实施方式揭露了一种发光装置,包括主电路基板以及多个发光驱动模块。发光驱动模块可拼接至主电路基板上。这些发光驱动模块各自包括载板、多个发光单元以及驱动电路晶片。载板具有背向主电路基板的第一表面以及面向主电路基板的第二表面。发光单元设置在载板的第一表面上。驱动电路晶片设置在载板的第二表面上,并电性连接发光单元。第二表面固设至主电路基板。驱动电路晶片位于载板与主电路基板之间。载板的第二表面上设置多个第一接触垫。第一接触垫分布于驱动电路晶片周边,且主电路基板设置多个对应第一接触垫的第二接触垫。至少一部分的第一接触垫接触并固设于至少一部分的第二接触垫上。
于本揭示的一或多个实施方式中,主电路基板具有多个容置部,驱动电路晶片容置于其中一个容置部内。
于本揭示的一或多个实施方式中,各个容置部的周边设置有第二接触垫。
于本揭示的一或多个实施方式中,第一接触垫当中的一个的厚度与第二接触垫当中的一个的厚度的厚度总和小于驱动电路晶片的厚度。
于本揭示的一或多个实施方式中,载板在第二表面上具有向第一表面方向凹陷的凹陷部,驱动电路晶片设置于凹陷部内。
于本揭示的一或多个实施方式中,每一个发光单元分别用以显示一像素。
于本揭示的一或多个实施方式中,每一个发光单元包括红色发光子单元、绿色发光子单元及蓝色发光子单元。
于本揭示的一或多个实施方式中,发光装置还包括封装胶,其设置在载板的第一表面上并覆盖发光单元。封装胶含有吸光物质。
于本揭示的一或多个实施方式中,载板为深色或黑色载板。
于本揭示的一或多个实施方式中,发光单元发出白光或蓝光。
于本揭示的一或多个实施方式中,发光单元包括一次毫米发光二极管(MiniLED)、微发光二极管(Micro LED)或有机发光二极管(OLED)。
本揭示的一些实施方式揭露了一种显示装置,包括前述任一或多个实施例的发光装置。
本揭示的一些实施方式揭露了一种背光装置,包括前述主电路基板和多个发光驱动模块的发光装置。一些实施方式的发光单元发出白光或蓝光。
本揭示的上述实施方式至少通过将驱动电路晶片安装在具有发光单元于其上的载板上,形成由发光单元、载板和驱动电路晶片三者为一整体的模块化结构。以此结构为单位再进一步拼接至主电路基板,以达到相较于现有技术更具走线一致性和修改弹性的电路布局,并能使各个模块间结构一致化而让主电路机板上不同区域的发光单元彼此间色差大幅下降的技术效果。
为了让本揭示的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A绘示本揭示一些实施例中发光装置的上视示意图;
图1B绘示本揭示一些实施例中发光装置的剖面示意图;
图1C绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块的剖面示意图;
图1D绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块的下视示意图;
图2A绘示本揭示一些实施例中发光装置的剖面示意图;
图2B绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块的剖面示意图;
图3绘示本揭示一些实施例中显示装置的示意图;
图4绘示本揭示一些实施例中背光装置的剖面示意图;
图5A绘示本揭示一些实施例中白光发光二极管封装的剖面示意图;
图5B绘示本揭示一些实施例中白光发光二极管封装设置于载板上的剖面示意图;
图5C绘示本揭示一些实施例中白光发光二极管封装设置于载板上的剖面示意图;
图6A绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块的剖面示意图;
图6B绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块的剖面示意图;
图6C绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块的剖面示意图;
图7A绘示现有技术的显示装置结构中单一电路板的上表面示意图;
图7B绘示现有技术的显示装置结构中单一电路板的下表面示意图。
【符号说明】
1000,1000’:发光装置
100,100’:主电路基板
102:第二接触垫
104:容置部
200,200’,200”,200-1”,200-2”,200-3”:发光驱动模块
210,210’:载板
2102,2102’:第一表面
2104,2104’:第二表面
2106’:凹陷部
212:第一接触垫
230:发光单元
230R:红色发光子单元
230G:绿色发光子单元
230B:蓝色发光子单元
230BC:蓝色发光二极管晶片
250:驱动电路晶片
270,270’:封装胶
2702’:波长转换层
2704’:填充材料层
2000:显示装置
3000:背光装置
3010:扩散板
3100:白光发光二极管封装
3110:发光二极管
3120:导线支架
3130:侧壁
3140:绝缘部
H1:厚度总和
H2:厚度
CM:波长转换物质
S:电路板
S1:上表面
S3:发光单元
S2:下表面
S4:驱动电路晶片
具体实施方式
为使本揭示的叙述更加详尽与完备,下文针对了本揭示的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述;但这并非实施或运用本揭示具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例,在有益的情形下可相互组合或取代,也可在一实施例中附加其他的实施例,而无须进一步的记载或说明。
在以下的描述中,将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而,可在无这些特定细节的情况下实践本揭示的实施例。在其他情况下,为简化附图,熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。
参考图1A至图1D。图1A绘示本揭示一些实施例中发光装置1000的上视示意图。图1B绘示本揭示一些实施例中发光装置1000的剖面示意图。图1C绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块200的剖面示意图。图1D绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块200的下视示意图。
本揭示的实施例揭露一种发光装置1000,包括主电路基板100以及多个发光驱动模块200。发光驱动模块200可拼接至主电路基板100上。这些发光驱动模块200各自包括载板210、多个发光单元230以及驱动电路晶片250。载板210具有背向主电路基板100的第一表面2102以及面向主电路基板100的第二表面2104。发光单元230设置在载板210的第一表面2102上。驱动电路晶片250设置在载板210的第二表面2104上,并电性连接前述多个发光单元230。第二表面2104可固设至主电路基板100。驱动电路晶片250位于载板210与主电路基板100之间。
在图1D所绘示的实施例中,载板210的第二表面2104上可设置多个第一接触垫212。第一接触垫212分布于驱动电路晶片250周边,可作为发光驱动模块200上的驱动电路晶片250电性连接其它结构的导电垫。主电路基板100亦可设有多个对应第一接触垫212的第二接触垫102。至少一部分的第一接触垫212接触并固设于至少一部分的第二接触垫102上。易言之,设置于载板210上的驱动电路晶片250可通过第一接触垫212和第二接触垫102电性连接至主电路基板100。
再次参考图1A和图1B。在一些实施例中,主电路基板100具有多个容置部104。容置部104可以是内凹入主电路基板100的凹陷空间(未贯穿主机板)或者贯穿主机板的贯穿空间。当载板210固设至主电路基板100时,载板210上的驱动电路晶片250可容置于其中一个容置部104内。详细而言,前述多个第二接触垫102可设置于容置部104的周边。一个第一接触垫212的厚度与一个第二接触垫102的厚度相加的厚度总和H1小于驱动电路晶片250的厚度H2。因此,当发光驱动模块200固设至主电路基板100上时,主电路基板100的容置部104可容置驱动电路晶片250。
上述实施例所描述的发光装置1000实质上是将发光单元230、载板210和驱动电路晶片250三者进行整体的模块化。在一些实施例中,一个模块(即一块载板210)上可包括32乘32个发光单元230,但不以此为限。当一个主电路基板100上设置有多个发光驱动模块200时,相较于现有技术(例如上开先前技术部分所叙述的内容),本揭示的实施例能够具有更统一的电路布局,进而使得主电路基板100不同区域的发光单元230彼此间色差大幅下降、布线减少干扰且具有从驱动电路晶片250至发光单元230的驱动电路路径长保持各个模块间一致的优点。前开技术效果在现有技术中是相当欠缺的,因为现有技术需要在每一个主要的(通常亦为较大的)电路板上依据不同需求将驱动电路晶片摆放至各种位置,导致电路板不同区域内驱动电路晶片至发光单元的走线长度会有较大的差异,从而造成电流的差异和亮度的不一致。本揭示的实施例可以基本解决现有技术前述的不足。此外,本揭示的实施例在制程时由于使用较小的载板210做为制作电路的模块,相较于将所有主要电路制作于大电路板的现有技术,可进一步避免大电路板(即本揭示实施例中的主电路基板100)于制程中翘曲的情形发生。
参考图1C。在一些实施例中,发光驱动模块200的每一个发光单元230分别用以显示一像素,如此发光装置1000可应用于显示装置上。每一个发光单元230可选择地包括红色发光子单元230R、绿色发光子单元230G及蓝色发光子单元230B,以具备足够广色域的发光功能。为提高对比度,多个像素之间或每个发光子单元230R、230G、230B之间可以由黑色矩阵(black matrix)相隔开。在一些实施例中,发光单元230除了包括红色发光子单元230R、绿色发光子单元230G及蓝色发光子单元230B,尚可包括黄色发光子单元或白色发光子单元。
在一些实施例中,红色发光子单元230R包括红色发光二极管。在另一些实施例中,红色发光子单元230R包括蓝色或紫外(UV)发光二极管与红色波长转换物质。红色波长转换物质例如是红色荧光粉或红色量子点或红色荧光粉与红色量子点的混合,其可用以吸收蓝光或UV光而转换出红光。
红色荧光粉的组成例如包括氟化荧光粉A2[MF6]:Mn4+,其中A是选自于Li、Na、K、Rb、Cs、NH4、及其组合所构成的群组,M是选自于Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其组合所构成的群族。或者,红色荧光粉可包括(Sr,Ca)S:Eu、(Ca,Sr)2Si5N8:Eu、CaAlSiN3:Eu、(Sr,Ba)3SiO5:Eu,但不以此为限。红色量子点的组成例如包括硒化镉(CdSe)、钙钛矿量子点CsPb(Br1-bIb)3其中0.5≦b≦1,但不以此为限。
在一些实施例中,绿色发光子单元230G包括绿色发光二极管。在另一些实施例中,绿色发光子单元230G包括蓝色或UV发光二极管与绿色波长转换物质。绿色波长转换物质例如是绿色荧光粉或绿色量子点或绿色荧光粉与绿色量子点的混和,其可用以吸收蓝光或UV光而转换出绿光。
绿色荧光粉的组成例如包括Beta-SiAlON(Si6-zAlzOzN8-z:Eu2+)或类似物,但不以此为限。绿色量子点例如包括CdSe,钙钛矿量子点CsPb(Br1-bIb)3其中0≦b<0.5,但不以此为限。
在一些实施例中,蓝色发光子单元230B包括蓝色发光二极管。在另一些实施例中,蓝色发光子单元230B包括蓝色或UV发光二极管与蓝色波长转换物质。蓝色波长转换物质例如是蓝色荧光粉或蓝色量子点或蓝色荧光粉与蓝色量子点的混和,其可用以吸收蓝光或UV光而转换出所需的蓝光波长分布。
蓝色荧光粉的组成例如包括选自由Sr4Al14O25:Eu,Dy及CaAl2O4:Eu,Nd所组成的群组,但不以此为限。蓝色量子点例如包括CdSe、钙钛矿量子点CsPb(ClaBr1-a)3其中当0<a≦1,但不以此为限。
在一些实施例中,发光装置1000的发光驱动模块200还包括封装胶270,设置在载板210的第一表面2102上并覆盖发光单元230。封装胶270可含有吸光物质,例如深色或黑色的吸光物质,使得发光装置1000于显示器领域的应用时可以吸收例如外界光而提高显示器的亮度对比。载板210亦可为深色或黑色载板,以提高显示器的亮度对比,但不以此为限。深色或黑色载板例如是由双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂(Bismaleimide-Trazine resin,BTresin)制成的载板。
红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管可为一般常见的发光二极管尺寸,亦可根据需求选用尺寸更小的发光二极管,例如次毫米发光二极管(Mini LED)、微发光二极管(Micro LED)。另外,发光单元230也可选择使用有机发光二极管(OLED)。举例而言,红色发光子单元230R可以是红色发光二极管、红色次毫米发光二极管、红色微发光二极管或红色有机发光二极管。前述次毫米发光二极管的尺寸约为侧向长度在100微米以上至300微米的范围,而微发光二极管的尺寸约为侧向长度在100微米以下,更常见是在50微米以下的范围。
参考图2A和图2B。图2A绘示本揭示一些实施例中发光装置1000’的剖面示意图。图2B绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块200’的剖面示意图。本揭示的一些实施例提供另一类结构的发光装置1000’。与上开图1B所绘示相比,此处所描述的发光装置1000’将原本设置于主电路基板100的容置部104(可参考图1B)转设至发光驱动模块200’上。详细而言,发光驱动模块200’的载板210’在第二表面2104’上具有向第一表面2102’方向凹陷的凹陷部2106’。在此架构下,驱动电路晶片250设置于载板210’的凹陷部2106’内。
由于图2A和图2B所描述的实施例中将容置驱动电路晶片250的空间设置于已模块一致化的各个发光驱动模块200’的载板210’内,因而省下了主电路基板100’的挖洞空间,即无需设置容置部104。如此一来,可进一步让主电路基板100能走线进行电路布局的空间变多。举例而言,原本主电路基板100需要多层走线,而在图2A和图2B所描述的实施例中主电路基板100’所需的走线层数将会减少,进而增加了主电路基板100’的空间利用性。
参考图3。图3绘示本揭示一些实施例中显示装置2000的示意图。上开实施例所描述的发光装置1000和发光装置1000’可应用于制作显示装置2000。图3示例包括发光装置1000或发光装置1000’于其内的显示装置2000。
参考图1A至图4。图4绘示本揭示一些实施例中背光装置3000的剖面示意图。上开实施例所描述的发光装置1000和发光装置1000’可应用于制作背光装置3000,尤其当发光单元230是发出白光时。前述白光可以是由上开各图已绘示的红色发光子单元230R、绿色发光子单元230G和蓝色发光子单元230B三者混光而形成,自不待言。其中,于此态样,封装胶270无添加吸光物质。图4示例包括发光装置1000或发光装置1000’于其内的背光装置3000。图中示意性地描绘了背光装置3000通常会包括的扩散板3010元件,但扩散板3010不作为限制背光装置3000结构的限制。
由于发白光的发光单元230可以有多种态样,以下列出其他两种有别于三色光源的示例态样作为说明,但不用以限制本揭示所保护的范畴。
第一种态样是每个发光单元230可为白光发光二极管封装3100,可参考图4的发光驱动模块200”。图5A绘示本揭示一些实施例中白光发光二极管封装3100的剖面示意图。在一些实施例中,白光发光二极管封装3100包括蓝色或UV发光二极管(图中统一标示为发光二极管3110)与黄色波长转换物质。黄色波长转换物质可为黄色荧光粉或黄色量子点或黄色荧光粉与量子点的混合,其中黄色荧光粉可例如是钇铝石榴石(Yttrium AluminumGarnet,YAG)或硅酸盐(Silicate),而黄色量子点可例如CdSe。在一些实施例中,白光发光二极管封装3100包括蓝色发光二极管3110与红色和绿色等两种波长转换物质。在一些实施例中,白光发光二极管封装3100包括UV发光二极管与红色、绿色和蓝色等三种波长转换物质。上述红色/黄色/绿色/蓝色等四种波长转换物质可分别包括荧光粉或量子点或荧光粉与量子点的混合,且不以此为限。至于红色/绿色/蓝色荧光粉与量子点的成分可参考前面所述,于此不再重复赘述。此四种波长转换物质于图中统一标示为波长转换物质CM。图5A中另示意性地绘示白光发光二极管封装3100包括正负导线支架3120用以电性连接蓝色发光二极管3110,电性绝缘正负两种导线支架3120的绝缘部3140,以及可用以反射光的侧壁3130,但不用以限制本揭示保护的范畴。此外,白光发光二极管封装3100也可为其他种封装态样,例如晶片级封装(Chip Scale Package,CSP)等。
图5B绘示本揭示一些实施例中白光发光二极管封装3100设置于载板210上的剖面示意图。参照图5B,在发光驱动模块200的载板210上设置多个白光发光二极管封装3100即可提供发白光的发光装置1000。图5C绘示本揭示一些实施例中白光发光二极管封装3100设置于载板210’上的剖面示意图。参照图5C,在发光驱动模块200’的载板210’上设置多个白光发光二极管封装3100即可提供发白光的发光装置1000。同理,类似图1A,可提供多个图5B的发光驱动模块200或图5C的发光驱动模块200’拼接至主电路基板100上作为背光装置。
第二种态样是将每个发光单元230设计成蓝色发光二极管晶片230BC,亦即主电路基板100上前述发光驱动模块200”的所有光源都改成来自蓝色发光二极管晶片230BC。可参考图6A至图6C,此三图所绘示的实施例可用以取代图1B至图1D中的发光驱动模块200。此外,在将图2A和图2B的实施例做相应修改后,亦可形成类似图6A至图6C的实施例,但载板210改为载板210’。图6A绘示本揭示一些实施例中发光驱动模块200-1”的剖面示意图。图6B绘示本揭示另一些实施例中发光驱动模块200-2”的剖面示意图。图6C绘示本揭示再一些实施例中发光驱动模块200-3”的剖面示意图。在前述三图所示意的实施例中,发光单元230皆使用蓝色发光二极管晶片230BC,用以发出蓝光。此外,封装胶270’亦包括波长转换层2702’(参考图6A)或是波长转换层2702’加上填充材料层2704’(参考图6B)。在一些实施例中,填充材料层2704’和波长转换层2702’依序堆叠设置在载板210及蓝色发光二极管晶片230BC上,其中填充材料层2704’接触载板210和蓝色发光二极管晶片230BC,并且覆盖蓝色发光二极管晶片230BC的出光路径。填充材料层2704’与载板210共同包围蓝色发光二极管晶片230BC。在图6B的实施例中,波长转换层2702’接触填充材料层2704’。在另一些实施例中,如图6C所示,波长转换层2702’与填充材料层2704’是分隔设置。分隔开的部分可以是空气或其他材料层。应注意,在图6A至图6C所示的实施例中,封装胶270’基本上为透明,并不加设上开描述过的其他实施例中的吸光(黑色)物质。
此外,上述的波长转换层2702’可包括荧光粉、量子点或二者的组合。荧光粉和量子点在图6A至图6C中以波长转换层2702’中的点状示意,并省略标号。在一实施例中,波长转换层2702’包括黄色波长转换物质。黄色波长转换物质可为黄色荧光粉或黄色量子点或黄色荧光粉与量子点的混合,其中黄色荧光粉可例如是YAG荧光粉或硅酸盐类荧光粉,而黄色量子点可例如CdSe。在一实施例中,波长转换层2702’包括红色和绿色两种波长转换物质,其中红色波长转换物质可为红色荧光粉或量子点或荧光粉与量子点的混合,绿色波长转换物质可为绿色荧光粉或量子点或荧光粉与量子点的混合。其中红色荧光粉、红色量子点、绿色荧光粉与绿色量子点的成分可参考前面所述,于此不再重复赘述。同理,类似图1A,可提供多个图6A的发光驱动模块200-1”或图6B的发光驱动模块200-2”或图6C的发光驱动模块200-3”拼接至主电路基板100上作为背光装置。
综上所述,本揭示的实施例提供一种发光装置,以及具有此发光装置于其内的显示装置和背光装置。通过将驱动电路晶片安装在具有发光单元于其上的载板上,形成发光驱动模块,使得发光装置的整体架构呈现发光单元-载板-驱动电路晶片-主电路基板的叠层顺序的态样。具有本揭示特征的发光装置,由于发光单元、载板和驱动电路晶片三者进行整体的规格模块化,从而能达到相较于先前技术更统一的电路布局,并使得主电路基板不同区域的发光单元彼此间色差大幅下降、布线减少干扰且各个模块间从驱动电路晶片至发光单元的驱动电路路径长保持一致的优点。同时,发光装置亦能在制作程序以及测试程序上相较于现有技术更为方便快速。
虽然本揭示已以实施例揭露如上,然并非用以限定本揭示,任何熟悉此技艺者,在不脱离本揭示的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本揭示的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
一主电路基板;以及
多个发光驱动模块,可拼接至该主电路基板上,所述多个发光驱动模块各自包括:
一载板,具有背向该主电路基板的一第一表面以及面向该主电路基板的一第二表面;
多个发光单元,设置在该载板的该第一表面上;以及
一驱动电路晶片,设置在该载板的该第二表面上,并电性连接所述多个发光单元,其中该第二表面固设至该主电路基板,且该驱动电路晶片位于该载板与该主电路基板之间;
其中该载板的该第二表面上设置多个第一接触垫分布于该驱动电路晶片周边,且该主电路基板设置对应所述多个第一接触垫的多个第二接触垫,至少一部分的所述多个第一接触垫接触并固设于至少一部分的所述多个第二接触垫上。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该主电路基板具有多个容置部,该驱动电路晶片容置于其中一个所述容置部内。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,各该容置部的周边设置有所述多个第二接触垫。
4.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,所述多个第一接触垫当中的一个的厚度与所述多个第二接触垫当中的一个的厚度的厚度总和小于该驱动电路晶片的厚度。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该载板在该第二表面上具有向该第一表面方向凹陷的一凹陷部,该驱动电路晶片设置于该凹陷部内。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,每一所述发光单元用以显示一像素。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,每一所述发光单元包括一红色发光子单元、一绿色发光子单元及一蓝色发光子单元。
8.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,还包括一封装胶设置在该载板的该第一表面上覆盖所述多个发光单元,其中该封装胶含有吸光物质。
9.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,该载板为一深色或黑色载板。
10.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述多个发光单元发白光或蓝光。
11.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,每一所述发光单元包括一次毫米发光二极管、一微发光二极管或一有机发光二极管。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的发光装置。
13.一种背光装置,其特征在于,包括如权利要求1-5、10任一项所述的发光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW109126577A TWI792031B (zh) | 2020-08-05 | 2020-08-05 | 發光裝置及其顯示裝置和背光裝置 |
TW109126577 | 2020-08-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114068505A true CN114068505A (zh) | 2022-02-18 |
Family
ID=80233223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110642323.0A Pending CN114068505A (zh) | 2020-08-05 | 2021-06-09 | 发光装置及其显示装置和背光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114068505A (zh) |
TW (1) | TWI792031B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11880096B1 (en) | 2022-07-20 | 2024-01-23 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Splicing display device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI835303B (zh) * | 2022-09-21 | 2024-03-11 | 中強光電股份有限公司 | 顯示裝置以及顯示裝置的製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI434006B (zh) * | 2011-11-30 | 2014-04-11 | Ind Tech Res Inst | 照明裝置 |
US10529696B2 (en) * | 2016-04-12 | 2020-01-07 | Cree, Inc. | High density pixelated LED and devices and methods thereof |
TWI648886B (zh) * | 2018-05-09 | 2019-01-21 | 相豐科技股份有限公司 | 發光二極體結構 |
TW202011372A (zh) * | 2018-08-31 | 2020-03-16 | 大陸商弘凱光電(深圳)有限公司 | 顯示裝置 |
CN210462589U (zh) * | 2019-09-26 | 2020-05-05 | 江门江雷光电科技有限公司 | 一种彩色led灯带 |
-
2020
- 2020-08-05 TW TW109126577A patent/TWI792031B/zh active
-
2021
- 2021-06-09 CN CN202110642323.0A patent/CN114068505A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11880096B1 (en) | 2022-07-20 | 2024-01-23 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Splicing display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI792031B (zh) | 2023-02-11 |
TW202206911A (zh) | 2022-02-16 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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