CN107681037A - 一种可实现超高密显示led光源器件的封装方法 - Google Patents
一种可实现超高密显示led光源器件的封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107681037A CN107681037A CN201710824829.7A CN201710824829A CN107681037A CN 107681037 A CN107681037 A CN 107681037A CN 201710824829 A CN201710824829 A CN 201710824829A CN 107681037 A CN107681037 A CN 107681037A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- substrate
- side circuit
- chip
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000012856 packing Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法，首先准备一PCB基板，并在其正、背面设置电路线路；在正面电路线路设置红光固定区域和蓝光、绿光固定区域；接着在红光固定区域设置金属焊盘；然后在PCB基板上设置导电孔，以用于连接正面电路线路和背面电路线路，将导电孔塞满密封填平；在位于背面电路线路的方形结构涂覆绿漆；接着在正面电路线路上放置LED芯片；然后在LED芯片和基板之间连接键合线；接着在LED芯片和基板电路之间涂覆导电底胶，以用于连接LED芯片和基板电路，并起到导通和固定LED芯片的作用；最后再在LED发光芯片上封装封装胶。通过对产品正面焊盘的全新设计，对基板表面处理，直接将芯片固晶在PCB基板上，缩小了正面焊盘面积，提高显示屏的对比度。
Description
技术领域
本发明涉及LED器件封装技术领域，具体涉及一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法。
背景技术
随着室内显示应用技术不断提高，传统显示产品技术逐渐登顶，室内小间距显示产品成为未来主要的技术拓展空间；为取代LCD、DLP等室内高清显示产品，提高小间距LED显示屏的对比度成为LED封装厂家提高产品竞争力的主要手段。目前以国星、亿光、晶台等企业主推的户内小间距产品主要有1010、0808产品，现有设计结构正面的焊盘较大，上屏后，由于金属焊盘反射的黄光影响下，显示屏的对比度较低，无法满足小空间的结构需求。
因此，如何对高对比度户内显示LED器件产品进行结构优化，缩小了正面焊盘面积，提高显示屏的对比度，是本行业有关人员亟待解决的技术问题。
发明内容
为解决上述技术问题，我们提出了一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法，通过LED器件产品结构优化，对产品正面焊盘的全新设计，对基板表面处理，直接将芯片固晶在PCB基板上，缩小了正面焊盘面积，提高显示屏的对比度。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法，包括以下步骤：首先准备一PCB基板；接着在所述PCB基板上设置电路线路，所述电路线路包括两部分：位于所述PCB基板正面的正面电路线路和基板反面的背面电路线路；然后在所述正面电路线路设置红光固定区域和蓝光、绿光固定区域；接着再在红光固定区域设置金属焊盘，蓝光、绿光固定区域不设置金属焊盘；然后在所述PCB基板上设置导电孔，以用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路；接着采用导电金属物质或非导电物质将导电孔塞满密封填平；再在位于所述背面电路线路的方形结构涂覆绿漆；接着在所述正面电路线路上放置LED芯片；然后在LED芯片和基板之间连接电路线路用于起导通作用的键合线；接着在LED芯片和基板电路之间涂覆导电底胶，以用于连接LED芯片和基板电路，并起到导通和固定LED芯片的作用；最后再在所述LED发光芯片上封装封装胶。
优选的，所述LED器件的长、宽尺寸控制在0.6-1.0mm之间。
优选的，所述PCB基板的厚度在0.1mm-2mm之间，其颜色为黑色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、陶瓷基板的其中一种或几种混合。
优选的，所述PCB基板正面电路线路铜层上镀设有镍层，所述镍层厚度在100-300u"之间；镍层上可镀设钯层、银层或金层，也可镀设银层后再镀设一层金层或钯层，然后再镀一层金层，所述银层厚度在10-150u"之间，钯层厚度在10-150u"之间，金层厚度在1-10u"之间。
优选的，所述PCB基板正面由设置的红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片组合而成，所述红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片尺寸可在50um-150um之间，其数量比例按需要组合，且红光芯片采用固晶胶固定在正面电路线路功能区表面，然后通过键合线连接在所述电路线路上进行导通，蓝光芯片和绿光芯片通过导电银胶或锡膏与PCB基板表面固定，并采用键合线直接连接电路线路形成电气导通，最后通过封装胶来保护LED芯片发光。
通过上述技术方案，本发明针对传统的LED小间距器件不能完全满足高清显示的应用需求，通过对LED器件产品结构优化，对产品正面焊盘的全新设计，对基板表面处理，直接将芯片固晶在PCB基板上，缩小了正面焊盘面积，提高显示屏的对比度。从而达到了设计新颖、结构合理、且应用效果好的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所公开的一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法的流程图。
图2为本发明实施例所公开的一种高对比度户内显示LED封装器件正面结构示意图。
图3为本发明实施例所公开的一种高对比度户内显示LED封装器件背面结构示意图。
图4为本发明实施例所公开的一种高对比度户内显示LED封装器件侧面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合实施例和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例.
如图1所示，一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法，包括以下步骤：
A1、首先，准备对高对比度户内显示LED器件封装时，先选取一块长、宽尺寸控制在0.6-1.0mm之间的PCB基板；所述PCB基板的厚度在0.1mm-2mm之间，其颜色为黑色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、陶瓷基板的其中一种或几种混合；
A2、接着在所述PCB基板上设置电路线路，所述电路线路包括两部分：位于所述PCB基板正面的正面电路线路和基板反面的背面电路线路；
A3、然后在所述正面电路线路设置红光固定区域和蓝光、绿光固定区域；
A4、接着再在红光固定区域设置金属焊盘，蓝光、绿光固定区域不设置金属焊盘；然后在所述PCB基板上设置导电孔，以用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路；
A5、接着采用导电金属物质或非导电物质将导电孔塞满密封填平；再在位于所述背面电路线路的方形结构涂覆绿漆；
A6、接着在所述正面电路线路上放置LED芯片；
A7、然后在LED芯片和基板之间连接电路线路用于起导通作用的键合线；
A8、接着在LED芯片和基板电路之间涂覆导电底胶，以用于连接LED芯片和基板电路，并起到导通和固定LED芯片的作用；
A9、最后再在所述LED发光芯片上封装封装胶。
其中，所述PCB基板正面电路线路铜层上镀设有镍层，所述镍层厚度在100-300u"之间；镍层上可镀设钯层、银层或金层，也可镀设银层后再镀设一层金层或钯层，然后再镀一层金层，所述银层厚度在10-150u"之间，钯层厚度在10-150u"之间，金层厚度在1-10u"之间。以上方案可以通过电镀或者化学镀工艺实现。
所述PCB基板正面由设置的红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片组合而成，所述红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片尺寸可在50um-150um之间，其数量比例为1:1:1或者其他更优比例的组合，且红光芯片采用固晶胶固定在正面电路线路功能区表面，然后通过键合线连接在所述电路线路上进行导通，蓝光芯片和绿光芯片通过导电银胶或锡膏与PCB基板表面固定，并采用键合线直接连接电路线路形成电气导通，最后通过封装胶来保护LED芯片发光。
经过上述封装后的便得到了如图1、图2和图3所示的高对比度户内显示LED封装器件，其包括一基板1；所述PCB基板1上设置有电路线路2，所述电路线路包括分别位于所述PCB基板正面和反面的正面电路线路和背面电路线路，所述正面线路上设有红光固定区域和蓝光、绿光固定区域，所述正面线路的红光固定区域设置金属焊盘，蓝光、绿光固定区域不设置金属焊盘；所述PCB基板上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔3，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平；所述背面线路设有方形结构，且所述方形结构被漆有绿漆4；所述正面电路线路上设置有LED芯片5；所述LED芯片和基板电路线路之间连接有起导通作用的键合线6；所述LED芯片和基板电路线路之间还设有起导通作用和固定LED芯片的导电底胶；所述LED发光芯片上设有用于封装的封装胶7。
在本例中，本发明针对传统的LED小间距器件不能完全满足高清显示的应用需求，通过对LED器件产品结构优化，对产品正面焊盘的全新设计，对基板表面处理，直接将芯片固晶在PCB基板上，缩小了正面焊盘面积，提高显示屏的对比度。从而达到了设计新颖、结构合理、且应用效果好的目的。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：首先准备一PCB基板；接着在所述PCB基板上设置电路线路，所述电路线路包括两部分：位于所述PCB基板正面的正面电路线路和基板反面的背面电路线路；然后在所述正面电路线路设置红光固定区域和蓝光、绿光固定区域；接着再在红光固定区域设置金属焊盘，蓝光、绿光固定区域不设置金属焊盘；然后在所述PCB基板上设置导电孔，以用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路；接着采用导电金属物质或非导电物质将导电孔塞满密封填平；再在位于所述背面电路线路的方形结构涂覆绿漆；接着在所述正面电路线路上放置LED芯片；然后在LED芯片和基板之间连接电路线路用于起导通作用的键合线；接着在LED芯片和基板电路之间涂覆导电底胶，以用于连接LED芯片和基板电路，并起到导通和固定LED芯片的作用；最后再在所述LED发光芯片上封装封装胶。
2.根据权利要求1所述的一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法，其特征在于，所述LED器件的长、宽尺寸控制在0.6-1.0mm之间。
3.根据权利要求2所述的一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法，其特征在于，所述PCB基板的厚度在0.1mm-2mm之间，其颜色为黑色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、陶瓷基板的其中一种或几种混合。
4.根据权利要求3所述的一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法，其特征在于，所述PCB基板正面电路线路铜层上镀设有镍层，所述镍层厚度在100-300u"之间；镍层上可镀设钯层、银层或金层，也可镀设银层后再镀设一层金层或钯层，然后再镀一层金层，所述银层厚度在10-150u"之间，钯层厚度在10-150u"之间，金层厚度在1-10u"之间。
5.根据权利要求4所述的一种可实现超高密显示LED光源器件的封装方法，其特征在于，所述PCB基板正面由设置的红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片组合而成，所述红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片尺寸可在50um-150um之间，其数量比例按需要组合，且红光芯片采用固晶胶固定在正面电路线路功能区表面，然后通过键合线连接在所述电路线路上进行导通，蓝光芯片和绿光芯片通过导电银胶或锡膏与PCB基板表面固定，并采用键合线直接连接电路线路形成电气导通，最后通过封装胶来保护LED芯片发光。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710824829.7A CN107681037A (zh) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 一种可实现超高密显示led光源器件的封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710824829.7A CN107681037A (zh) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 一种可实现超高密显示led光源器件的封装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107681037A true CN107681037A (zh) | 2018-02-09 |
Family
ID=61136500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710824829.7A Pending CN107681037A (zh) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 一种可实现超高密显示led光源器件的封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107681037A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108493117A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-09-04 | 电子科技大学 | 一种抑制封装基板焊盘表面导电银胶扩散的表面修饰方法 |
| CN111754886A (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-09 | 合肥精显电子科技有限公司 | 一种lcd显示屏的面罩结构及其制作工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1729730A (zh) * | 2002-06-14 | 2006-02-01 | 英特尔公司 | 用于产生无焊盘互连的pcb方法和装置 |
| CN102869205A (zh) * | 2011-07-06 | 2013-01-09 | 深南电路有限公司 | Pcb板金属化孔成型方法 |
| CN203218331U (zh) * | 2013-04-25 | 2013-09-25 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种室内显示屏用led器件 |
| CN104638093A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-20 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种led新型结构封装方法 |
-
2017
- 2017-09-14 CN CN201710824829.7A patent/CN107681037A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1729730A (zh) * | 2002-06-14 | 2006-02-01 | 英特尔公司 | 用于产生无焊盘互连的pcb方法和装置 |
| CN102869205A (zh) * | 2011-07-06 | 2013-01-09 | 深南电路有限公司 | Pcb板金属化孔成型方法 |
| CN203218331U (zh) * | 2013-04-25 | 2013-09-25 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种室内显示屏用led器件 |
| CN104638093A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-20 | 深圳市晶台股份有限公司 | 一种led新型结构封装方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108493117A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-09-04 | 电子科技大学 | 一种抑制封装基板焊盘表面导电银胶扩散的表面修饰方法 |
| CN111754886A (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-09 | 合肥精显电子科技有限公司 | 一种lcd显示屏的面罩结构及其制作工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104851961B (zh) | 发光器件的芯片级封装方法及结构 | |
| CN208045002U (zh) | 高对比度集成封装显示模组结构 | |
| CN207425855U (zh) | 一种四连体8引脚型rgb-led封装模组及其显示屏 | |
| CN106233478A (zh) | 发光装置用基板、发光装置及发光装置用基板的制造方法 | |
| CN106992169A (zh) | 一种倒装rgb‑led封装模组及其显示屏 | |
| CN106711136A (zh) | 一种实现超高密显示的垂直结构led芯片封装结构 | |
| CN106784253A (zh) | 一种实现超高密显示的倒装结构led芯片封装结构 | |
| CN104979447A (zh) | 倒装led封装结构及制作方法 | |
| CN107946292A (zh) | 一种通过喷墨打印技术实现led显示模组的封装方法 | |
| CN104037302B (zh) | 一种led封装组件 | |
| CN107681037A (zh) | 一种可实现超高密显示led光源器件的封装方法 | |
| CN108133929A (zh) | 一种高对比度led光源封装结构 | |
| CN103633237B (zh) | 一种led封装结构及其圆片级封装方法 | |
| CN207637840U (zh) | 一种高对比度集成封装显示模组结构 | |
| CN109244219A (zh) | 一种新型单色温倒装印刷的双色倒装cob | |
| CN203941950U (zh) | 一种led封装组件 | |
| CN107180903A (zh) | 一种chip‑led产品及制作方法 | |
| CN107123721A (zh) | 一种带透镜式led封装结构及封装方法 | |
| CN204885205U (zh) | 倒装led封装结构 | |
| CN207868197U (zh) | 一种线路板的led灯珠 | |
| CN110021586A (zh) | 一种线路板的led灯珠及其制作方法 | |
| CN104718620B (zh) | 发光装置 | |
| CN207217587U (zh) | 一种高对比度户内显示led器件封装结构 | |
| CN207637842U (zh) | 一种高对比度户内显示led封装器件 | |
| CN205960016U (zh) | 一种采用电镀基板的led封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180209 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |