CN106784253A - 一种实现超高密显示的倒装结构led芯片封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片；基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在基板上设置有导电孔，基板的正面电路线路上设置有一个公共正极焊盘及A独立负极焊盘和B独立负极焊盘，蓝光LED芯片通过导电底胶分别与A独立负极焊盘和公共正极焊盘连接，绿光LED芯片通过导电底胶分别与B独立负极焊盘和公共正极焊盘连接，红光LED芯片通过导电底胶连接固定在公共正极焊盘上，红光LED芯片表面电极通过一根键合线连接到正面电路线路上，基板背面中部设置有三角形结构绿漆。该封装结构大大缩小了LED封装结构的尺寸，实现超高密显示的LED全彩应用。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域，具体涉及一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构。
背景技术
随着室内显示应用技术不断提高，传统显示产品技术逐渐登顶，室内小间距产品成为未来主要的技术拓展空间；为取代LCD、DLP室内高清显示产品，用于小间距显示屏的LED封装结构的尺寸要做的更小来缩小显示屏的像素点距离，实现高清显示功能。传统小间距LED封装结构采用表面双电极的芯片设计，在LED封装过程需通过两条键合线分别将两个电极与BT板焊盘相连接达到导通的作用。焊键合线对芯片的电极和BT板焊盘的距离有要求，距离太小，会造成无法焊接或者焊接可靠性低的问题，因而制约了小间距LED的封装尺寸的缩小。
发明内容
为解决上述技术问题，我们提出了一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构，该LED封装结构的长、宽尺寸可为0.45mm-1.0mm之间,最小尺寸可做到0.45*0.45mm，实现超高密显示的LED全彩应用。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立负极焊盘、B独立负极焊盘、公共正极焊盘和三角形结构绿漆；所述蓝光LED芯片和绿光LED芯片为倒装结构芯片，所述红光LED芯片为垂直结构芯片，所述基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共正极焊盘并于放置所述蓝光LED芯片和绿光LED芯片的区域分别设置有所述A独立负极焊盘和B独立负极焊盘，所述蓝光LED芯片通过导电底胶分别与所述A独立负极焊盘和公共正极焊盘连接，所述绿光LED芯片通过导电底胶分别与所述B独立负极焊盘和公共正极焊盘连接，所述红光LED芯片通过导电底胶连接固定在所述公共正极焊盘上，所述红光LED芯片表面电极通过一根所述键合线连接到所述正面电路线路上，所述基板背面中部设置有三角形结构绿漆。
优选的，所述基板的厚度为0.1mm-0.5mm，颜色为黑色或者白色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、铜基板和陶瓷基板的其中一种或几种混合。
优选的，所述基板正面电路线路铜层上是镍，镍厚度在100-300u"之间；镍层上可镀银或金，也可镀银后再镀一层金，银厚在20-80u"之间，金厚在2-10u"之间。
优选的，所述导电孔的直径为0.05-0.5mm，所述导电孔内金属填充物是通过电镀或者塞金属柱的方式完成，或用塞非金属物质的方式来完成。
通过上述技术方案，本发明通过采用导电底胶把所述倒装结构蓝光LED芯片分别与A独立负极焊盘和公共正极焊盘连接，把所述倒装结构绿光LED芯片分别与所述B独立负极焊盘和公共正极焊盘连接，以及把所述垂直结构红光LED芯片连接固定在所述公共正极焊盘上，所述蓝光LED芯片和绿光LED芯片可直接与所述基板上的电路进行导通，所述红光LED芯片只需要通过一根所述键合线即可与所述基板上的电路进行导通。该封装结构大大缩小了LED封装结构的尺寸，其长、宽尺寸可为0.45mm-1.0mm之间,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大缩小显示屏的像素点距离，实现超高密显示的LED全彩应用，应用效果极佳。该封装结构使室内显示应用技术的水平又提高了一个台阶。为室内小间距显示应用技术做出了巨大的贡献。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所公开的一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构正面结构示意图；
图2为本发明实施例所公开的一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构背面结构示意图。
图中数字和字母所表示的相应部件名称：
1、基板 2、蓝光LED芯片 3、绿光LED芯片 4、红光LED芯片 5、键合线 6、A独立负极焊盘 7、B独立负极焊盘 8、公共正极焊盘 9、三角形结构绿漆 10、导电孔 11、正面电路线路
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合实施例和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例.
如图1和图2所示，一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构，包括基板1、蓝光LED芯片2、绿光LED芯片3、红光LED芯片4、键合线5、A独立负极焊盘6、B独立负极焊盘7、公共正极焊盘8和三角形结构绿漆9；所述蓝光LED芯片2和绿光LED芯片3为倒装结构芯片，所述红光LED芯片4为垂直结构芯片，所述基板1的正面和背面分别设置有正面电路线路11和背面电路线路，并在所述基板1上设置有用于连接所述正面电路线路11和所述背面电路线路的导电孔10，所述导电孔10从所述正面电路线路11延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板1的正面电路线路11上设置有一个公共正极焊盘8并于放置所述蓝光LED芯片2和绿光LED芯片3的区域分别设置有所述A独立负极焊盘6和B独立负极焊盘7，所述蓝光LED芯片2通过导电底胶分别与所述A独立负极焊盘6和公共正极焊盘8连接，所述绿光LED芯片3通过导电底胶分别与所述B独立负极焊盘7和公共正极焊盘8连接，所述红光LED芯片4通过导电底胶连接固定在所述公共正极焊盘8上，所述红光LED芯片4表面电极通过一根所述键合线5连接到所述正面电路线路11上，所述基板1背面中部设置有三角形结构绿漆9。
所述基板1的厚度为0.1mm-0.5mm，颜色为黑色或者白色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、铜基板和陶瓷基板的其中一种或几种混合。
所述基板1正面电路线路铜层上是镍，镍厚度在100-300u"之间；镍层上可镀银或金，也可镀银后再镀一层金，银厚在20-80u"之间，金厚在2-10u"之间。
所述导电孔10的直径为0.05-0.5mm，所述导电孔10内金属填充物是通过电镀或者塞金属柱的方式完成，或用塞非金属物质的方式来完成。
通过上述技术方案，本发明通过采用导电底胶把所述倒装结构蓝光LED芯片2分别与A独立负极焊盘6和公共正极焊盘8连接，把所述倒装结构绿光LED芯片3分别与所述B独立负极焊盘7和公共正极焊盘8连接，以及把所述垂直结构红光LED芯片4连接固定在所述公共正极焊盘8上，所述蓝光LED芯片2和绿光LED芯片3可直接与所述基板1上的电路进行导通，所述红光LED芯片4只需要通过一根所述键合线5即可与所述基板1上的电路进行导通。该封装结构大大缩小了LED封装结构的尺寸，其长、宽尺寸可为0.45mm-1.0mm之间,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大缩小显示屏的像素点距离，实现超高密显示的LED全彩应用，应用效果极佳。该封装结构使室内显示应用技术的水平又提高了一个台阶。为室内小间距显示应用技术做出了巨大的贡献。
以上所述的仅是本发明的一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构，其特征在于，包括基板、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片、键合线、A独立负极焊盘、B独立负极焊盘、公共正极焊盘和三角形结构绿漆；所述蓝光LED芯片和绿光LED芯片为倒装结构芯片，所述红光LED芯片为垂直结构芯片，所述基板的正面和背面分别设置有正面电路线路和背面电路线路，并在所述基板上设置有用于连接所述正面电路线路和所述背面电路线路的导电孔，所述导电孔从所述正面电路线路延伸到所述背面电路线路，并通过导电金属物质或非导电物质将其塞满密封填平，所述基板的正面电路线路上设置有一个公共正极焊盘并于放置所述蓝光LED芯片和绿光LED芯片的区域分别设置有所述A独立负极焊盘和B独立负极焊盘，所述蓝光LED芯片通过导电底胶分别与所述A独立负极焊盘和公共正极焊盘连接，所述绿光LED芯片通过导电底胶分别与所述B独立负极焊盘和公共正极焊盘连接，所述红光LED芯片通过导电底胶连接固定在所述公共正极焊盘上，所述红光LED芯片表面电极通过一根所述键合线连接到所述正面电路线路上，所述基板背面中部设置有三角形结构绿漆。
2.根据权利要求1所述的一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构，其特征在于，所述基板的厚度为0.1mm-0.5mm，颜色为黑色或者白色，材质为BT基板、FR4基板、铝基板、铜基板和陶瓷基板的其中一种或几种混合。
3.根据权利要求1所述的一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构，其特征在于，所述基板正面电路线路铜层上是镍，镍厚度在100-300u"之间；镍层上可镀银或金，也可镀银后再镀一层金，银厚在20-80u"之间，金厚在2-10u"之间。
4.根据权利要求1所述的一种实现超高密显示的倒装结构LED芯片封装结构，其特征在于，所述导电孔的直径为0.05-0.5mm，所述导电孔内金属填充物是通过电镀或者塞金属柱的方式完成，或用塞非金属物质的方式来完成。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170531 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |