CN112071829A - 共阳极多区发射模组及深度相机 - Google Patents

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CN112071829A CN202010809183.7A CN202010809183A CN112071829A CN 112071829 A CN112071829 A CN 112071829A CN 202010809183 A CN202010809183 A CN 202010809183A CN 112071829 A CN112071829 A CN 112071829A
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李嘉璐
王多勇
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Abstract

一种共阳极多区发射模组及深度相机，其中，通过采用基板、导线、一正极焊盘以及多个负极焊盘，将多个光源封装成共阳极多区发射模组，从而实现通过一个外部I/O口控制多个光源的驱动以减少了对外部控制器的I/O的占用，并且一个光源的调制端(负极)对应一个负极焊盘，即控制器可实现对各光源的波形的独立调制，解决了传统的双区发射模组中存在占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。

Description

共阳极多区发射模组及深度相机
技术领域
本申请属于深度成像技术领域，尤其涉及一种共阳极多区发射模组及深度相机。
背景技术
目前，传统的单发光芯片双区发射模组一般是通过共阴极设计方式实现的，其是基于单发光芯片单区发射模组的设计方式的基础上，将所有发光芯片中的发光孔正电极按一定比例连接到两个或多个焊盘上，通过三极管输入输出(Input/Output，I/O)口电路控制每一路光源的开关，实现指定区域的点亮。但现有的共阴极单芯片双区发射模组的调制端(负极)有且仅有一个引脚可以连接，在正常工作状态下，调制端持续输出调制信号，控制器通过三极管I/O口电路，控制两个或两个以上的供电正极的通电情况。这会增加电路设计的复杂程度，占用了额外的I/O口资源；而且双区共用一个调制信号，不仅无法灵活控制单个区域的调制波形，而且基于具有多路控制引脚的驱动IC设计时，会造成资源浪费。
因此，传统的双区发射模组中存在占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种共阳极多区发射模组及深度相机，旨在解决传统的双区发射模组存在的占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。
本申请实施例的第一方面提了一种共阳极多区发射模组，包括基板，还包括：
导电层，设于所述基板的上表面；
多个光源，各所述光源与所述导电层错位相对，并相互间隔地设于所述基板的上表面，且各所述光源的正极分别通过导线与所述导电层连接；
正极焊盘，设于所述基板的下表面且与所述导电层相对设置，所述正极焊盘与所述导电层电相通；以及
多个负极焊盘，分别设于所述基板的下表面，各所述负极焊盘分别与所述多个光源一一对应电连通且相对设置。
在一个实施例中，所述共阳极多区发射模组还包括还包括支撑架和光束均化器，所述支撑架顶端、底端均为开口，所述支撑架的底端设于所述基板的上表面，将各所述光源包围在内，并在各所述光源的上方形成一容纳空间，所述光束均化器盖合于所述支撑架顶端的开口。
在一个实施例中，所述光束均化器包括多个透镜和衍射光学元件，各所述透镜分别一一对应设置于各所述光源正上方，所述衍射光学元件盖合于所述支撑架顶端的开口。
在一个实施例中，所述透镜的光轴与其对应的所述光源的光轴位于同一直线上。
在一个实施例中，所述透镜与其所对应的所述光源之间的距离等于所述透镜的等效焦距。
在一个实施例中，所述光束均化器包括光漫射材料，使所述多个光源发射的光束穿过所述光漫射材料时发射漫射。
在一个实施例中，所述共阳极多区发射模组还包括光电二极管和检测焊盘，所述光电二极管设于所述基板的上表面，所述检测焊盘设于所述基板的下表面，所述光电二极管与所述检测焊盘电连通。
在一个实施例中，所述共阳极多区发射模组还包括多个粘合层，各所述粘合层分别用于将各所述光源粘合于所述基板。
在一个实施例中，所述光源为发光二极管或半导体激光器。
本申请实施例的第二方面提了一种深度相机，包括：
控制器；和
如本申请实施例的第一方面所述的共阳极多区发射模组，所述控制器与所述共阳极多区发射模组的各所述负极焊盘连接。
上述的共阳极多区发射模组，通过采用基板、导线、一正极焊盘以及多个负极焊盘，将多个光源封装成共阳极多区发射模组，从而实现通过一个外部I/O口控制多个光源的驱动以减少了对外部控制器的I/O的占用，并且一个光源的调制端(负极)对应一个负极焊盘，即控制器可实现对各光源的波形的独立调制，解决了传统的双区发射模组中存在占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。
附图说明
图1为本申请实施例的第一方面提供的共阳极多区发射模组的结构示意图；
图2为图1所示的共阳极多区发射模组的另一结构示意图；
图3为图2所示的共阳极多区发射模组的另一结构示意图；
图4为图3所示的共阳极多区发射模组的另一结构示意图；
图5为图4所示的共阳极多区发射模组的另一结构示意图；
图6为图5所示的共阳极多区发射模组的另一结构示意图；
图7为本申请实施例的第二方面提供的深度相机的示意图。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
图1示出了本申请实施例的第一方面提供的共阳极多区发射模组10的结构示意图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：
本实施例中的共阳极多区发射模组10，包括基板100，还包括：导电层200、多个光源300、正极焊盘400以及多个负极焊盘500，导电层200设于基板100的上表面；各光源300与导电层200错位相对，并相互间隔地设于基板100的上表面，各光源300的正极分别通过导线110与导电层200连接；正极焊盘400设于基板100的下表面且与导电层200相对设置，正极焊盘与导电层200电相通；多个负极焊盘500分别设于基板100的下表面，各负极焊盘500分别与各光源300的负极一一对应电接通且相对设置。
应理解，当共阳极多区发射模组10为共阳极双区发射模组，即对应的包括两个光源300和两个负极焊盘500，当共阳极多区发射模组10为共阳极三区发射模组，即对应的包括三个光源300和三个负极焊盘500，以此类推。
应理解，基板100可以为方形、圆形、椭圆形等任意形状。基板100为绝缘基板，例如可以为陶瓷基板，蓝宝石基板；基板100为不导电，但是基板100内部设置有用于连接导电层200和正极焊盘400的导电线路，导电线路可以为打孔、引线或电镀等方式形成的电相通结构。可选的，可以利用薄膜用蒸发、磁控溅射等面沉积工艺进行基板100表面金属化以形成导电层200，例如，在真空条件下，在基板100的上表面的预设区域中溅射钛、铬，然后再溅射铜颗粒、电镀增厚并以普通印刷电路板(Printed Circuit Board，pcb)工艺完成线路制作，最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度。
应理解，光源300用于发射光束，光源300可以包括至少一个子光源。在一个实施例中，光源300可以为发光芯片，其具体类型可以是发光二极管、半导体激光器等。例如，可以为垂直腔面激光发射器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL)阵列或者平行共振腔表面的边发射激光器，半导体激光器可用于向外发射红外、紫外等波长的光束。可以理解的是，VCSEL的体积小、光源300发射角小且稳定性好，可以同时在面积1mm×1mm的半导体衬底上布置成百上千个VCSEL子光源300，从而构成的体积小且功耗低的VCSEL阵列发光芯片。其中，VCSEL阵列发光芯片可以是裸片以拥有更小体积和厚度，也可以经过封装后的发光芯片以具有更好的稳定性以及更方便的连接。
应理解，光源300的正极、负极分别位于光源300的顶部、底部；或分别位于光源300的横向的两端，比如正装、倒装LED芯片。
可选的，各个光源300分别与各个负极焊盘500正相对，导电层200与正极焊盘400正相对，以节省设置在基板100上的导电线路，降低阻抗。
应当理解的是，导电层200可以嵌设于基板100上表面，或者铺设于基板100上表面。各个光源300可间隔设置于基板100的上表面的任意位置上，各个光源300间的间隔可根据实际需求做出相应的调整，各个光源300与其对应的负极焊盘500相对设置，各个光源300的正极分别通过一导线110连接到导电层200，导电层200通过基板100与正极焊盘400连接，从而使得外部电流可以通过设置于基板100下表面的正极焊盘400传递到导电层200，再经过导线110激活光源300以使光源300发光；即本实施例中的共阳极多区发射模组10，通过使用共阳极封装形式及不同的调制端(负极)，可分别对各个光源300进行波形调制，从而实现对各个光源300的单独控制。
应理解，本实施例中的导线110可以为铜线、铝线或LED键合金线。
应理解，本实施例的共阳极多区发射模组10可应用于基于飞机时间(Time offlight，TOF)、结构光、RGB双目方案或激光雷达的深度相机或其他电子设备。当共阳极多区发射模组10应用于基于飞机时间的深度相机时，共阳极多区发射模组10与基于飞行时间的控制器(具体的，可以为驱动芯片或具备驱动功能的微处理器)连接，控制器的I/O口与各个负极焊盘500连接，以实现对共阳极多区发射模组10内的各个光源300的调制，控制器的I/O口还可以与正极焊盘400连接，以实现对共阳极多区发射模组10内的各个光源300的驱动。
本实施例中共阳极多区发射模组10，通过采用基板100、导线110、一正极焊盘400以及多个负极焊盘500，将多个光源300封装成共阳极多区发射模组10，从而实现通过一个外部I/O口控制多个光源300的驱动以简化了发射模组的外部驱动电路，并且一个光源300的调制端(负极)对应一个负极焊盘500，即控制器可实现对各光源300的波形的独立调制，解决了传统的发光芯片双区发射模组中存在占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。
请参阅图2和图3，在一个实施例中，共阳极多区发射模组10还包括支撑架600，支撑架600和光束均化器700，支撑架600的顶端、底端均为开口，支撑架600的底端设于基板100的上表面，将各光源300包围在内，并在各光源300的上方形成一容纳空间，光束均化器700盖合于支撑架600顶端的开口。
可选的，光束均化器700可通过贴合或内嵌的方式盖合于支撑架600顶端的开口，其中，图2所示的光束均化器700通过贴合的方式盖合于支撑架600的上端，图3所示的光束均化器700通过内嵌的方式盖合于支撑架600的上端。
应理解，支撑架600用于与光束均化器700和基板100配合以使所有光源300位于封闭空间内。可选的，支撑架600呈圆柱形或方形，且支撑架600的底端开口并与基板100贴合，支撑架600的顶端开口且与光束均化器700贴合。
应理解，支撑架600可以与基板100一体形成或通过粘合剂等贴合于基板100上。其中，粘合剂可以为紫外光固化胶水、黑胶或热固化胶。
应理解，光束均化器700用于接收并汇聚各个光源300发射的光束。当光束均化器700通过贴合的方式盖合于支撑架600的顶端的开口时，光束均化器700可通过紫外光固化胶水、黑胶或热固化胶等粘合剂贴合于支撑架600上；当光束均化器700内嵌于支撑架600的顶端的开口时，光束均化器700与支撑架600之间的接触面可以通过环氧胶粘合固定，也可以通过螺栓固定。
可选的，光束均化器700为光漫射材料，更具体地可为具有表面光洁度的表面漫射体，该表面漫射体在光穿过该光漫射材料时使光漫射。在一些实施例中，光漫射材料可包括浸渍在材料中的杂质(例如，非均匀颗粒)的体积漫射体，当光穿过材料时，该材料使得光漫射。在一些实施例中，光漫射材料的不同段可包括不同类型的漫射体，诸如表面漫射体、体积漫射体、或两者的组合。在一些实施例中，光漫射材料可为电可控的并且可包括聚合物液晶设备或电致变色玻璃。在一些实施例中，可使用其他类型的漫射体和可控漫射体。
本实施例中的共阳极多区发射模组10，通过加入光束均化器700，实现了对各个光源300所发射的光束的接收和汇聚。且本实施例中的共阳极多区发射模组10，通过加入支撑架600和光束均化器700，从而使得支撑架600、光束均化器700以及基板100共同形成一个封闭的容纳空间，该容纳空间用于容纳各个光源300，从而使得各个光源300被封装为一封闭的共阳极多区发射模组10，避免由于环境潮湿等因素造成的光源300损坏。
请参阅图4，在一个实施例中，光束均化器700包括多个透镜710和衍射光学元件720，各透镜710分别一一对应设置于各光源300正上方，衍射光学元件720盖合于支撑架600的顶端的开口。
应理解，透镜710的数量与光源300的数量一致，一个透镜710对应一个光源300。
可选的，透镜710与其对应的光源300的光轴位于同一直线上，从而使得透镜710可以最大限度的汇聚光源300所发射的光束。
可选的，透镜710与其对应的光源300之间的距离等于该透镜710的等效焦距，其中，允许其存在一定的误差，误差范围可在±5％内。透镜710设置于其所对应的光源300的正上方。各透镜710用于接收并汇聚其所对应的光源300发射的光束并向外投射平行光束。
例如，当多个光源300包括第一发光芯片、第二发光芯片，多个透镜710包括第一透镜和第二透镜，即第一透镜设置于第一发光芯片的正上方，第一透镜的光轴与第一发光芯片的光轴位于同一条直线上，且第一透镜与第一发光芯片的距离等于第一透镜的等效焦距；第二透镜设置于第二发光芯片的正上方，第二透镜的光轴与第二发光芯片的光轴位于同一条直线上，且第二透镜与第二发光芯片的距离等于第二透镜的等效焦距；第一透镜用于接收并汇聚第一发光芯片发射的光束，第二透镜用于接收并汇聚第二发光芯片发射的光束，并向外投射平行光束。
在一个实施例中，透镜710可以仅包括一片透镜710，也可以包括多片相同和/或不同曲率的透镜。透镜710的材质可以是透明玻璃，也可以是树脂或者高分子聚合物。在一个实施例中也可以采用微透镜阵列(Micro lens array，MLA)，微透镜阵列中每一个微透镜单元与发光芯片中的每个子发光光源对应，也可以是一个微透镜单元与多个子发光光源对应等；在另一个实施例中，也可以采用透镜组来实现光束汇聚。透镜710可以由不同曲率半径的玻璃球面透镜和/或玻璃非球面透镜组合而成。
衍射光学元件720盖合于支撑架600的顶端的开口，即衍射光学元件720设置在各光源300和各透镜710的上方，衍射光学元件720用于接收各透镜710汇聚后的光束并向外投射衍射后的光束。可选的，衍射光学元件720与支撑架600构成一个密封空间，即发射模组是密封的，从而避免出现由于外界尘埃、水汽等因素影响光学元件的性能的情况出现。
请参阅图5，在一个实施例中，共阳极多区发射模组10还包括光电二极管(Photo-Diode，PD)810和检测焊盘820，光电二极管810设于基板100的上表面，与光源300间隔设置，检测焊盘820设于基板100的下表面，光电二极管810与检测焊盘820电相通。可选地，检测焊盘820与光电二极管810正相对，节省设置在基板100上的导电线路，降低阻抗。
光电二极管810用于监测各光源300发射光束的光强度，以确保人眼安全；检测焊盘820用于接入外部控制器的控制信号以实现对光电二极管810的工作状态的控制。
应理解，光电二极管810和检测焊盘820构成一光强度检测电路，用于检测光源300发射的光束的光强度。可选的，光强度检测电路用于接收光源300发射的光束的光强度并转换为电信号，外部的控制器根据该电信号的强度来判断所有光源300所发射的光束的光强度。
应理解，各光源300发射光束通过光束均化器700反射回光电二极管810，光电二极管810将检测到的光强度转换为电信号并通过检测焊盘820输出至控制器，控制器通过对光电二极管810反馈的电信号进行处理，进而可以判断各个光源300发射光束的光强度，且可以监控光束均化器700的结构完整性，判断光束均化器700是否出现失效及龟裂的情况，当光束均化器700出现失效及龟裂时可停止各光源300工作。应理解，当在各光源300正常工作时，如光电二极管810反馈的电信号的强度过弱，则可判定光束均化器700的结构完整性较低，不能有效的将光束反射回光电二极管810。
本实施例中的共阳极多区发射模组10，通过加入由光电二极管810和检测焊盘820组成的光强度检测电路，从而实现了对各个光源300发射的光束的光强度的检测，即使得外部控制器可实时监测共阳极多区发射模组10的光强度状态，并可进一步以此确定共阳极多区发射模组10的运行状态和故障状态等。例如，外部控制器可根据预设光强度与检测所得的实际光强度的比较，来判断各个光源300所发射的光束是否达到目标值，从而判定共阳极多区发射模组10是否正常运行。或者，外部控制器还可根据检测所得的实际光强度判断其是否超了人眼可承受的亮度范围，当检测所得的实际光强度超过人眼可承受的亮度范围时，可及时关闭光源300或通过减小电流以降低光源300所发射的光束的光强度，从而确保人眼安全。
请参阅图6，在一个实施例中，共阳极多区发射模组10还包括多个粘合层900，各粘合层900分别用于将各光源300粘合于基板100。
应理解，粘合层900的数量与光源300的数量一致，一个粘合层900对应一个光源300，各个粘合层900可以为银浆。例如，当多个光源300包括第一发光芯片和第二发光芯片时，多个粘合层900包括第一粘合层和第二粘合层，第一发光芯片和第二发光芯片分别通过第一粘合层和第二粘合层粘合在基板100同一表面。更具体地，利用第一粘合层将第一发光芯片贴装在基板100的上表面，第二粘合层将第二发光芯片贴装于基板100的上表面，并通过烘烤方式，分别将第一粘合层及第二粘合层固化，使第一发光芯片及第二发光芯片固定在基板100上表面，然后利用铜线或合金线或金线，通过打线方式，使第一发光芯片与第二发光芯片与嵌设于基板100中的导电层200连接。
可选的，各粘合层900分别与其对应的光源300正相对且与其对应的负极焊盘500正相对，各粘合层900分别与导电层200错位相对，从而节省设置在基板100上的导电线路，降低阻抗。
请参与图7，本申请实施例的第二方面提供了一种深度相机01，包括：控制器20和如本申请实施例的第一方面中的共阳极多区发射模组10，控制器20与共阳极多区发射模组10的各负极焊盘500连接。
可选的，共阳极多区发射模组10的正极焊盘400可以与控制器20连接，也可以通过开关电路与电源连接，控制器20通过控制该开关电路的通断实现对共阳极多区发射模组10的各光源300的驱动。
应理解，本实施例中的深度相机可以3D成像的深度相机01，其具体可以基于飞行时间的深度相机、基于RGB双目的深度相机、或基于结构光的深度相机。对应的，当本实施例中的深度相机01为基于飞行时间的深度相机，即控制器20为基于飞行时间的驱动芯片或微处理器；当本实施例中的深度相机01为基于RGB双目的深度相机，即控制器20为基于RGB双目的驱动芯片或微处理器；当本实施例中的深度相机01为基于结构光的深度相机，即控制器20为基于结构光的驱动芯片或微处理器。
本实施例中的深度相机01，通过加入控制器20和如本申请实施例的第一方面中的共阳极多区发射模组10，实现了在减少对控制器20的引脚的占用的情况下，实现对共阳极多区发射模组10中的各个光源的驱动，并且本实施例中的控制器20可以分别对各个光源300进行波形调制，从而实现对各个光源300的单独控制，即本实施中的深度相机减少了引脚资源浪费且可更加灵活的调制光源，从而更灵活的实现3D成像。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种共阳极多区发射模组，包括基板，其特征在于，还包括：
导电层，设于所述基板的上表面；
多个光源，各所述光源与所述导电层错位相对，并相互间隔地设于所述基板的上表面，且各所述光源的正极分别通过导线与所述导电层连接；
正极焊盘，设于所述基板的下表面且与所述导电层相对设置，所述正极焊盘与所述导电层电连通；以及
多个负极焊盘，分别设于所述基板的下表面，各所述负极焊盘分别与所述多个光源一一对应相对设置且电连通。
2.如权利要求1所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，还包括支撑架和光束均化器，所述支撑架顶端、底端均为开口，所述支撑架的底端设于所述基板的上表面，将各所述光源包围在内，并在各所述光源的上方形成一容纳空间，所述光束均化器盖合于所述支撑架顶端的开口。
3.如权利要求2所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述光束均化器包括多个透镜和衍射光学元件，各所述透镜分别一一对应设置于各所述光源正上方，所述衍射光学元件盖合于所述支撑架顶端的开口。
4.如权利要求3所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述透镜的光轴与其对应的所述光源的光轴位于同一直线上。
5.如权利要求4所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述透镜与其所对应的所述光源之间的距离等于所述透镜的等效焦距。
6.如权利要求2所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述光束均化器包括光漫射材料，使所述多个光源发射的光束穿过所述光漫射材料时发生漫射。
7.如权利要求1～6任意一项所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，还包括光电二极管和检测焊盘，所述光电二极管设于所述基板的上表面，所述检测焊盘设于所述基板的下表面，所述光电二极管与所述检测焊盘电连通。
8.如权利要求1～6任意一项所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，还包括多个粘合层，各所述粘合层分别用于将各所述光源粘合于所述基板。
9.如权利要求1～6任意一项所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述光源为发光二极管或半导体激光器。
10.一种深度相机，其特征在于，包括：
控制器；和
如权利要求1～9任意一项所述的共阳极多区发射模组，所述控制器与所述共阳极多区发射模组的各所述负极焊盘连接。
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