JP5875848B2 - フォトカプラの製造方法及びフォトカプラ用リードフレームシート - Google Patents

フォトカプラの製造方法及びフォトカプラ用リードフレームシート Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、フォトカプラの製造方法及びフォトカプラ用リードフレームシートに関する。
従来より、対向型フォトカプラを製造する際には、複数の発光側リードフレームが形成された発光素子側リードフレームシートと、複数の受光側リードフレームが形成された受光素子側リードフレームシートの2枚のリードフレームシートが使用されてきた。しかしながら、近年、リードフレームシートの材料の利用効率を向上させると共に、リードフレームシートの作製コストを低減するために、1枚のリードフレームシートに発光側リードフレーム及び受光側リードフレームの双方を形成する技術が提案されている。この技術においては、リードフレームシートから例えば発光側リードフレームを切り離した上で、これをリードフレームシートに残留した受光側リードフレームに対向させる必要があるが、発光側リードフレームと受光側リードフレームとを精度良く位置決めすることが困難である。
米国特許第7547960号
本発明の目的は、発光側リードフレームと受光側リードフレームとを精度良く位置決めすることができるフォトカプラの製造方法及びフォトカプラ用リードフレームシートを提供することである。
実施形態に係るフォトカプラの製造方法は、リードフレームシートを用いる。前記リードフレームシートにおいては、複数の発光側リードフレーム部が第1端部と第2端部の間で第1方向に沿って一列に配列され、前記第1端部に第1の発光側カップリングバーが設けられ、前記第2端部に第2の発光側カップリングバーが設けられ、前記第1端部と前記第2端部の間に第3の発光側カップリングバーが設けられた複数本の発光列部、及び複数の受光側リードフレーム部が第1端部と第2端部の間で前記第1方向に沿って一列に配列され、前記第1端部に第1の受光側カップリングバーが設けられ、前記第2端部に第2の受光側カップリングバーが設けられ、前記第1端部と前記第2端部の間に第3の受光側カップリングバーが設けられた複数本の受光列部が、前記第1方向に対して交差した第2方向に沿って交互に配列され、前記発光列部の第1端部及び前記受光列部の第1端部前記第2方向に延びる第1結合部によって相互に連結され、前記発光列部及び前記受光列部のうちの一方の列部のそれぞれに第1のパイロット穴が形成され、前記一方の列部を除く部分に第2のパイロット穴が形成されている。そして、前記フォトカプラの製造方法は、前記リードフレームシートにおける前記発光側リードフレーム部に発光素子を搭載すると共に前記受光側リードフレーム部に受光素子を搭載する工程と、前記一方の列部を前記第1結合部から切り離すと共に、前記第2のパイロット穴に、金型に形成された第1のパイロットピンを挿通させることにより、前記リードフレームシートを前記金型に対して位置決めする工程と、前記第1のパイロット穴に前記金型に形成された第2のパイロットピンを挿通させと共に各前記発光側カップリングバーと各前記受光側カップリングバーとを重ねることにより、前記一方の列部を前記金型に対して位置決めし、前記発光素子と前記受光素子とを対向させる工程と、前記金型上において、各前記発光側カップリングバーと各前記受光側カップリングバーとを相互に結合させる工程と、各前記発光素子及び各前記受光素子からなる組を覆うように、樹脂体を形成する工程と、前記発光列部から前記発光側リードフレーム部を切り離すと共に前記受光列部から前記受光側リードフレーム部を切り離す工程と、を備える。
実施形態に係るフォトカプラ用リードフレームシートは、第1方向に沿って交互に配列されたそれぞれ複数本の発光列部及び受光列部と、前記複数本の発光列部及び受光列部が配置された領域の外縁に沿って設けられ、前記発光列部の第1端部及び前記受光列部の第1端部を相互に連結すると共に、前記発光列部の第2端部及び前記受光列部の第2端部を相互に連結する結合部と、を備える。前記発光列部は、前記第1方向に対して交差した第2方向に沿って、前記発光列部の前記第1端部と第2端部との間に一列に配列された複数の発光側リードフレーム部と、前記第1端部に設けられた第1の発光側カップリングバーと、前記第2端部に設けられた第2の発光側カップリングバーと、前記第1端部と前記第2端部との間に設けられた第3の発光側カップリングバーと、を有する。前記受光列部は、前記第2方向に沿って、前記受光列部の前記第1端部と第2端部との間に一列に配列された複数の受光側リードフレーム部と、前記第1端部に設けられた第1の受光側カップリングバーと、前記第2端部に設けられた第2の受光側カップリングバーと、前記第1端部と前記第2端部との間に設けられた第3の受光側カップリングバーと、を有する。前記第2方向における前記第1の発光側カップリングバーの位置と前記第1の受光側カップリングバーの位置とは相互に同じであり、前記第2方向における前記第2の発光側カップリングバーの位置と前記第2の受光側カップリングバーの位置とは相互に同じであり、前記第2方向における前記第3の発光側カップリングバーの位置と前記第3の受光側カップリングバーの位置とは相互に同じである。前記発光列部及び前記受光列部のうちの一方の列部に第1のパイロット穴が形成されており、前記結合部に第2のパイロット穴が形成されている。前記フォトカプラ用リードフレームシートは、前記発光列部又は前記受光列部は前記結合部から切り離され、前記第2のパイロット穴が第1のパイロットピンに挿通されることにより、前記結合部及び前記結合部に結合された前記受光列部又は前記発光列部が位置決めされ、前記第1のパイロット穴が第2のパイロットピンに挿通されることにより、前記結合部から切り離された前記発光列部又は前記受光列部が位置決めされるように構成されている。
第1の実施形態に係るフォトカプラ用リードフレームシートを例示する平面図である。 図1の拡大図である。 (a)は図2に示すA−A’線による断面図であり、(b)は図2に示すB−B’線による断面図である。 第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示するフローチャート図である。 (a)は、第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図である。 (a)は、第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図である。 第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図である。 (a)は、第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図である。 (a)及び(b)は、第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する図であり、(a)は発光列部の回転前の状態を示し、(b)は発光列部の回転後の状態を示す。 (a)は、第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図である。 (a)は、第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図である。 (a)は、第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図である。 (a)は、第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図である。 (a)は、第1の実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図である。 (a)及び(b)は、横軸にX方向における位置をとり、縦軸にY方向における位置をとって、受光素子に対する発光素子の相対的な位置のバラツキを例示するグラフ図であり、(a)はパイロット穴を使用しない場合を示し、(b)はパイロット穴を使用した場合を示す。 (a)及び(b)は、横軸にシートの厚さをとり、縦軸にギャップ寸法をとって、発光素子と受光素子との間の距離のばらつき例示するグラフ図であり、(a)は各列部にカップリングバーが2本設けられている場合を示し、(b)は各列部にカップリングバーが3本設けられている場合を示す。 第2の実施形態に係るフォトカプラ用リードフレームシートを例示する平面図である。 図17の拡大図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、第1の実施形態について説明する。
以下、本実施形態に係るフォトカプラ用リードフレームシートについて説明する。
図1は、本実施形態に係るフォトカプラ用リードフレームシートを例示する平面図であり、
図2は、図1の拡大図であり、
図3(a)は図2に示すA−A’線による断面図であり、(b)は図2に示すB−B’線による断面図である。
図1に示すフォトカプラ用リードフレームシート1(以下、単に「シート1」ともいう)においては、それぞれ複数本、例えばそれぞれ10本の発光列部11及び受光列部12が交互に配列されている。全ての発光列部11の一端及び全ての受光列部12の一端は、結合部13によって相互に連結されており、全ての発光列部11の他端及び全ての受光列部12の他端は、結合部14によって相互に連結されている。なお、結合部13及び14は、枠状の部材の一部であってもよい。
以下、説明の便宜上、発光列部11及び受光列部12の配列方向を「X方向」とし、発光列部11及び受光列部12が延びる方向を「Y方向」とする。従って、結合部13及び14はX方向に延びることになる。また、シート1のX方向両端部のうち、発光列部11が最外部に配置されている側に向かう方向を「−X方向」とし、受光列部12が最外部に配置されている側に向かう方向を「+X方向」とする。更に、結合部13側を「+Y方向」とし、結合部14側を「−Y方向」とする。更にまた、X方向及びY方向の双方に対して直交する方向を「Z方向」とし、後述する発光素子及び受光素子が搭載される側を「+Z方向」とし、その反対側を「−Z方向」とする。
シート1において、全ての発光列部11、全ての受光列部12、結合部13及び結合部14は、一体的に形成されている。例えば、シート1は、1枚の金属板が加工されることによって作製されたものであり、例えば、金属板がパンチ加工によって選択的に除去されると共に、局所的に板厚方向に折り曲げられて作製されたものである。シート1は、例えば、銅板の表面に、ニッケル層、パラジウム層及び金層がこの順に積層されためっき層が被覆されたNi/Pd/Au−PPF(Palladium Pre Plated Lead Frame)構造である。また、シート1の厚さは、例えば、0.07mm以上0.25mm以下である。
各発光列部11においては、複数、例えば10個の発光側リードフレーム部21が設けられており、Y方向に沿って一列に配列されている。また、各受光列部12においては、複数、例えば10個の受光側リードフレーム部22が設けられており、Y方向に沿って一列に配列されている。各発光列部11における発光側リードフレーム部21の配列周期及び位相は、各受光列部12における受光側リードフレーム部22の配列周期及び位相とそれぞれ同一である。発光側リードフレーム部21の相互間及び受光側リードフレーム部22の相互間は、シート1の一部によって連結されている。
各発光列部11においては、3枚の発光側カップリングバー23a、23b、23cが設けられている。各発光側カップリングバーの形状は短冊状であり、発光列部11から−X方向に延出している。発光側カップリングバー23aは発光列部11の+Y方向側の端部に配置されており、発光側カップリングバー23bは発光列部11のY方向中央部に配置されており、発光側カップリングバー23cは発光列部11の−Y方向側の端部に配置されている。
同様に、各受光列部12においては、3枚の受光側カップリングバー24a、24b、24cが設けられている。各受光側カップリングバーの形状は短冊状であり、受光列部12から+X方向に延出している。受光側カップリングバー24aは受光列部12の+Y方向側の端部に配置されており、受光側カップリングバー24bは受光列部12のY方向中央部に配置されており、受光側カップリングバー24cは受光列部12の−Y方向側の端部に配置されている。受光側カップリングバー24a、24b、24cのY方向における位置は、発光側カップリングバー23a、23b、23cのY方向における位置とそれぞれ同一である。
図1及び図2に示すように、各発光列部11には、2個のパイロット穴25が形成されている。パイロット穴25は、例えば、発光列部11におけるリード23aの根本部分及びリード23cの根本部分に形成されている。また、シート1における発光列部11を除く部分には、複数個、例えば20個のパイロット穴26が形成されている。パイロット穴26は、例えば、結合部13及び結合部14における各受光列部12から見てY方向に位置する領域に配置されている。パイロット穴25及び26はシート1を貫通している。また、シート1の厚さ方向から見て、各パイロット穴25及び26の形状は例えば円形である。
図2に示すように、各発光側リードフレーム部21においては、一対のリード31a及び31b、発光素子搭載部32、一対のリード33a及び33bが設けられている。これらの部材は一体的に形成されている。リード31a及び31bは−X方向側に引き出されている。リード31aはリード31bよりも+Y方向側に配置されており、相互に離隔している。発光素子搭載部32は矩形の板状の部材であり、リード31aの先端に取り付けられている。発光素子搭載部32は、発光素子41(図3(a)参照)が搭載される部分であり、発光素子41を支持し、発光素子41の一方の端子が半田等を介して接続される。一方、リード31bには、発光素子41の他方の端子がワイヤを介して接続される。また、リード33a及び33bは+X方向側に引き出されている。リード33aはリード33bよりも+Y方向側に配置されており、相互に離隔している。
同様に、各受光側リードフレーム部22においては、3本のリード34a〜34c、受光素子搭載部35、3本のリード36a〜36cが設けられている。これらの部材は一体的に形成されている。リード34a〜33cは+X方向側に引き出されている。リード34a〜34cは、−Y方向側から順に配置されており、相互に離隔している。受光素子搭載部35は矩形の板状の部材であり、リード34aの先端に取り付けられている。受光素子搭載部35は、受光素子42(図3(a)参照)が搭載される部分であり、受光素子42を支持し、受光素子42の1本の端子が半田等を介して接続される。一方、リード34b及び34cには、受光素子42の他の端子がワイヤを介して接続される。また、リード36a〜36cは−X方向側に引き出されている。リード36a〜36cは、−Y方向側から順に配置されており、相互に離隔している。
発光側リードフレーム部21のリード33a及び33cと、受光側リードフレーム部22のリード36a及び36cとは、Y方向における位置がそれぞれ同一である。リード33a及び33cの先端部とリード36a及び36cの先端部とは、対向しつつ相互に離隔している。また、発光側リードフレーム部21の発光素子搭載部32の先端部と、受光側リードフレーム部22の受光素子搭載部35の先端部とも、対向しつつ相互に離隔している。従って、発光列部11と受光列部12とは、結合部13及び14を介して連結されているものの、相互に接してはいない。
図3(a)に示すように、発光側リードフレーム部21のリード33a及び33bと、受光側リードフレーム部22のリード36a〜36cとは、同一平面上に配置されている。発光素子搭載部32は、リード33a及び33bに対して、下方に変位している。同様に、受光素子搭載部35は、リード36a〜36cに対して、下方に変位している。
図3(b)に示すように、発光側カップリングバー23a〜23c及び受光側カップリングバー24a〜24cは、リード33a及び33b並びにリード36a〜36cに対して、シート1の厚さtの半分の距離(t/2)だけ、下方に変位している。
次に、本実施形態に係るフォトカプラ用リードフレームシート1の使用方法、すなわち、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法について説明する。
図4は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図5(a)は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図であり、
図6(a)は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図であり、
図7は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、
図8(a)は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図であり、
図9(a)及び(b)は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する図であり、(a)は発光列部の回転前の状態を示し、(b)は発光列部の回転後の状態を示し、
図10(a)は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)及び(c)はその部分断面図であり、
図11(a)は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図であり、
図12(a)は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図であり、
図13(a)は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図であり、
図14(a)は、本実施形態に係るフォトカプラの製造方法を例示する平面図であり、(b)はその部分断面図である。
先ず、図4のステップS1並びに図5(a)及び(b)に示すように、上述のフォトカプラ用リードフレームシート1を用意する。なお、図5〜図14において、フォトカプラ用リードフレームシート1は簡略化して図示している。シート1の詳細な構成は、図1〜図3に示すとおりである。
一方、金型100(図8(a)及び(b)参照)も準備する。金型100の上面100aは、シート1よりも広い面となっている。また、上面100aには、シート1のパイロット穴25に対応した配置でパイロットピン101が設けられており、パイロット穴26に対応した配置でパイロットピン102が設けられている。パイロットピン101及び102は上面100aから垂直に起立している。また、パイロットピン101の直径はパイロット穴25の内径よりもやや小さく、パイロットピン102の直径はパイロット穴26の内径よりもやや小さい。
次に、図4のステップS2並びに図6(a)及び(b)に示すように、発光側リードフレーム部21に発光素子41を搭載(マウント)する。発光素子41の搭載には、発光素子41を発光側リードフレーム部21に対して機械的に固定すること、及び、発光素子41の両端子を発光素子搭載部32及びリード31bに電気的に接続することが含まれる。具体的には、発光素子41を発光素子搭載部32の上面に銀ペースト等を用いて接合することにより、発光素子搭載部32に対して固定すると共に、発光素子41の一方の端子を発光素子搭載部32に接続する。また、発光素子41の他方の端子をワイヤを介してリード31b(図2参照)に接続する。その後、ポッティング法等により、発光素子41をシリコーン樹脂等の透明樹脂により被覆する。発光素子41としては、例えば、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)を用いる。
一方、受光側リードフレーム部22に、受光素子42を搭載(マウント)する。具体的には、受光素子42を受光素子搭載部35の上面に銀ペースト等を用いて接合することにより、受光素子搭載部35に対して固定すると共に、受光素子42の一方の端子を受光素子搭載部35に接続する。また、受光素子42の他の端子をワイヤを介してリード33b及び33c(図2参照)に接続する。受光素子42としては、例えば、Photo ICを用いる。この段階では、発光素子41及び受光素子42は、それぞれ発光素子搭載部32及び受光素子搭載部35の上側に配置されている。
次に、図4のステップS3及び図7に示すように、発光列部11を結合部13及び14から切り離す。これにより、発光列部11がシート1から分離される。以下、シート1から全ての発光列部11が切り離された残部を、シート1aという。
次に、図4のステップS4並びに図8(a)及び(b)に示すように、金型100の上面100a上に、シート1aを載置する。このとき、シート1aのパイロット穴26のうち少なくとも一部、例えば複数ヶ所、例えば4ヶ所に、金型100の各パイロットピン102を挿通させることにより、シート1aを金型100に対して、X方向及びY方向について位置決めする。また、シート1aの下面の一部を金型100の上面100aに当接させることにより、シート1aを金型100に対して、Z方向について位置決めする。
次に、図4のステップS5並びに図9(a)及び(b)に示すように、各発光列部11を、発光列部11の長手方向(Y方向)中央部を通過しX方向に延びる中心軸Cを中心として180度回転させる。これにより、各発光列部11において、X方向における位置関係は変わらずに、Y方向及びZ方向における位置関係が反転する。すなわち、X方向については、発光側カップリングバー23a〜23c及び発光素子搭載部32が−X方向に延出し、リード33a及び33bが+X方向に延出した状態が維持される。一方、Y方向については、発光側カップリングバー23aが−Y方向側に配置され、発光側カップリングバー23cが+Y方向側に配置される。Z方向については、発光素子搭載部32がリード33a及び33cよりも上方に位置し、発光素子41が発光素子搭載部32の下側に位置する。また、発光側カップリングバー23a〜23cがリード33a〜33cに対して、シート1の厚さtの半分の距離(t/2)だけ上方に位置する。
次に、図4のステップS6及び図10(a)〜(c)に示すように、金型100上に発光列部11を載置する。なお、図10(a)〜(c)は、縮尺が相互に異なっている。このとき、各発光列部11のパイロット穴25に、金型100の各パイロットピン101を挿通させることにより、各発光列部11を金型100に対して、X方向及びY方向について位置決めする。また、各発光列部11の発光側カップリングバー23a、23b、23cを、シート1aの受光側カップリングバー24c、24b、24aにそれぞれ当接させることにより、発光列部11をシート1aに対して、Z方向について位置決めする。
これにより、図10(a)に示すように、発光列部11が、シート1aにおける発光列部11が切り離されたあとの空間に、Z方向及びY方向が反転した状態で再び配置される。このとき、図10(b)に示すように、発光列部11に搭載され下方を向いた各発光素子41と、受光列部12に搭載され上方を向いた各受光素子42とが、一定のギャップ寸法Gを隔てて対向する。これにより、発光素子41及び受光素子42が一対一でカップリングされる。
また、図10(c)に示すように、各発光列部11の発光側カップリングバー23aが各受光列部12の受光側カップリングバー24cに当接して重なり、各発光列部11の発光側カップリングバー23bが各受光列部12の受光側カップリングバー24bに当接して重なり、各発光列部11の発光側カップリングバー23cが各受光列部12の受光側カップリングバー24aに当接して重なる。このとき、受光側カップリングバー24a〜24cはリード36a〜36cに対して下方に距離(t/2)だけ変位しており、発光側カップリングバー23a〜23cはリード33a及び33bに対して上方に距離(t/2)だけ変位しているため、Z方向におけるリード33a及び33bの位置とリード36a〜36cの位置とが相互に等しくなり、同一平面上に配置される。
次に、図4のステップS7並びに図11(a)及び(b)に示すように、重なり合った発光側カップリングバー23a及び受光側カップリングバー24cを、例えば抵抗溶接によって相互に結合する。同様にして、発光側カップリングバー23bと受光側カップリングバー24bとを相互に結合させ、発光側カップリングバー23cと受光側カップリングバー24aとを相互に結合させる。このようにして、各発光列部11をシート1aに対して仮止めする。
次に、図4のステップS8並びに図12(a)及び(b)に示すように、カップリングされた各1個の発光素子41及び受光素子42からなる組を覆うように、光透過性の樹脂、例えば透明樹脂を成形し、インナーモールド46を形成する。これにより、カップリングされた発光素子41及び受光素子42が光学的に結合されると共に、これらを支持する発光側リードフレーム部21及び受光側リードフレーム部22が機械的に結合される。
次に、図4のステップS9並びに図13(a)及び(b)に示すように、インナーモールド46を覆うように、光遮断性の樹脂、例えば黒色樹脂を成形し、アウターモールド47を形成する。これにより、インナーモールド46内における発光素子41から受光素子42に至る光路が光学的に独立し、受光素子42に外乱光が入射することを防止できる。このとき、発光側リードフレーム部21におけるリード31a及び31bの先端部並びに発光素子搭載部32は、インナーモールド46及びアウターモールド47からなる樹脂体48の内部に埋め込まれ、リード33a及び33bは樹脂体48の外部に引き出される。同様に、受光側リードフレーム部22におけるリード34a〜34cの先端部並びに受光素子搭載部35は樹脂体48の内部に埋め込まれ、リード36a〜36cは樹脂体48の外部に引き出される。
次に、図4のステップS10並びに図14(a)及び(b)に示すように、発光側リードフレーム部21を発光列部11から切り離すと共に、受光側リードフレーム部22を受光列部12から切り離す。これにより、発光側リードフレーム部21、受光側リードフレーム部22、発光素子41、受光素子42及び樹脂体48をそれぞれ1つずつ含むユニットが個片化される。次に、各ユニットのリード33a及び33b並びにリード36a〜36cに対してトリム及びフォーミング処理を行うことにより、リード33a及びリード33bを相互に分離し、リード36a〜36cを相互に分離すると共に、これらのリードを所定の形状に折り曲げる。このようにして、フォトカプラ50が製造される。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、シート1a、すなわち、シート1における発光列部11を除く部分にパイロット穴26が形成されており、図8(a)及び(b)に示す工程において、シート1aを金型100上に載置する際に、金型100のパイロットピン102をパイロット穴26に挿通させている。これにより、X方向及びY方向について、シート1aを金型100に対して精度よく位置決めすることができる。
また、各発光列部11にパイロット穴25が形成されており、図10(a)〜(c)に示す工程において、発光列部11を金型100上に載置する際に、金型100のパイロットピン101をパイロット穴25に挿通させている。これにより、X方向及びY方向について、発光列部11を金型100に対して精度よく位置決めすることができる。この結果、X方向及びY方向について、発光列部11をシート1aに対して精度よく位置決めすることができ、発光素子41と受光素子42との位置関係のバラツキを低減することができる。
以下、この効果を試験例によって示す。
本試験例においては、いくつかのフォトカプラ50をパイロット穴を使用して製造し、いくつかのフォトカプラをパイロット穴を使用せずに製造した。そして、受光素子に対する発光素子の相対的な位置を測定し、その測定値の標準偏差σ及び工程能力指数Cpkを算出した。その結果を表1並びに図15(a)及び(b)に示す。
図15(a)及び(b)は、横軸にX方向における位置をとり、縦軸にY方向における位置をとって、受光素子に対する発光素子の相対的な位置のバラツキを例示するグラフ図であり、(a)はパイロット穴を使用しない場合を示し、(b)はパイロット穴を使用した場合を示す。
Figure 0005875848
表1及び図15(a)に示すように、パイロット穴を使用しない場合は、受光素子に対する発光素子の相対的な位置の標準偏差σは15μm程度であった。これに対して、表1及び図15(b)に示すように、パイロット穴を使用した場合は、標準偏差σは8μm程度であった。従って、パイロット穴を使用すると、パイロット穴を使用しない場合と比較して、位置決めの精度が向上した。
また、本実施形態によれば、各発光列部11に発光側カップリングバー23a〜23cを設け、受光列部12に受光側カップリングバー26a〜26cを設け、これらを相互に当接させて結合している。これにより、Z方向について、発光列部11をシート1aに対して精度よく位置決めすることができる。そして、発光列部11及び受光列部12にそれぞれ3ヶ所のカップリングバーを設けることにより、シート1の板厚が薄い場合であっても、発光列部11の撓みを抑制し、発光素子41と受光素子42との間のギャップ寸法を高精度に制御することができる。この結果、フォトカプラ50において、発光素子41と受光素子42との間の絶縁性を確保しつつ、信号の伝達効率を高めることができる。
以下、この効果を試験例によって示す。
本試験例においては、厚さが相互に異なる複数種類のシートを用いてフォトカプラ50を製造した。そして、ギャップ寸法、すなわち、発光素子と受光素子との間の距離を測定し、その測定値の標準偏差σ及び工程能力指数Cpkを算出した。その結果を表2並びに図16(a)及び(b)に示す。
図16(a)及び(b)は、横軸にシートの厚さをとり、縦軸にギャップ寸法をとって、発光素子と受光素子との間の距離のばらつき例示するグラフ図であり、(a)は各列部にカップリングバーが2本設けられている場合を示し、(b)は各列部にカップリングバーが3本設けられている場合を示す。
Figure 0005875848
表2並びに図16(a)及び(b)に示すように、各発光列部11において3ヶ所にカップリングバーを設けると、2ヶ所にカップリングバーを設けた場合と比較して、ギャップ寸法のバラツキを抑えることができた。特に、シート1の厚さが0.07mmと薄い場合には、カップリングバーを2ヶ所にしか設けないとギャップ寸法のバラツキが大きくなるが、カップリングバーを3ヶ所に設けるとバラツキを効果的に抑えることができた。
更に、本実施形態においては、各発光列部11に設けられた3枚の発光側カップリングバーのうち、発光側カップリングバー23a及び23cを発光列部11の長手方向両端部に配置し、発光側カップリングバー23bを発光列部11の長手方向中央部に配置している。これにより、発光列部11の撓みを効果的に抑制し、ギャップ寸法の精度を高めることができる。
更にまた、本実施形態においては、発光列部11が切り離される前のシート1において、発光側カップリングバー23a〜23c及び受光側カップリングバー26a〜26cは、リード33a及び33b並びにリード36a〜36cに対して、シート1の厚さの半分の距離(t/2)だけ、シート1の厚さ方向における同じ側、例えば下方に変位している。これにより、図9(a)及び(b)に示す工程において、発光列部11を中心軸Cを回転軸として180度回転させると、発光側カップリングバー23a〜23cはリード33a及び33bに対して上方に変位する。この結果、図10(a)〜(c)に示す工程において、発光側カップリングバー23a〜23cを受光側カップリングバー26a〜26cに重ね合わせると、リード33a及び33b並びにリード36a〜36cが同一平面上に配置される。これにより、完成後のフォトカプラ50において、発光側及び受光側のリードを同一平面上に延在させることができる。
次に、第2の実施形態について説明する。
図17は、本実施形態に係るフォトカプラ用リードフレームシートを例示する平面図であり、
図18は、図17の拡大図である。
図17及び図18に示すように、本実施形態に係るフォトカプラ用リードフレームシート2においては、全ての発光列部11におけるY方向に沿った発光側リードフレーム部21の配列周期と、全ての受光列部12におけるY方向に沿った受光側リードフレーム部22の配列周期とは相互に同一であるが、発光列部11における発光側リードフレーム部21の配列の位相と、受光列部12における受光側リードフレーム部22の配列の位相とが、相互に異なっている。一方、異なる発光列部11間における発光側リードフレーム部21の位相は相互に同一であり、異なる受光列部12間における受光側リードフレーム部22の位相は相互に同一である。これにより、発光側リードフレーム部21及び受光側リードフレーム部22は、千鳥状に配列されている。
また、シート2においては、受光側リードフレーム部22には2本のリード36a及び36bのみが設けられている。そして、発光側リードフレーム部21のリード33a及び33bと、受光側リードフレーム部22のリード36a及び36bとは、入れ子状に配列されている。すなわち、リード33a及び33bとリード36a及び36bとは、Y方向において離隔し、X方向において一部が重なっている。
本実施形態によれば、発光側リードフレーム部21のリード33a及び33bと、受光側リードフレーム部22のリード36a及び36bとを、入れ子状に配列することにより、シート2における発光列部11及び受光列部12の配列密度を向上させることができる。これにより、シート2における材料の利用効率を高めることができ、フォトカプラ50の製造コストを低減することができる。本実施形態における上記以外のシートの構成、フォトカプラの製造方法及び作用効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
なお、前述の第1及び第2の実施形態においては、発光列部11及び受光列部12のそれぞれに3枚のカップリングバーを設ける例を示したが、これには限定されず、3枚以上のカップリングバーが設けられていればよい。各列部に4枚以上のカップリングバーが設けられている場合においても、Y方向において、2枚のカップリングバーは列部の両端部に配置されていることが好ましく、また、カップリングバーは等間隔に配列されていることが好ましい。
また、前述の第1の実施形態においては、図7(a)及び(b)に示す工程において、シート1から発光列部11を切り離す例を示したが、これには限定されず、シート1から受光列部12を切り離してもよい。この場合は、発光列部11をシート1aに残し、これに反転させた受光列部12を対向させる。
更に、前述の第1の実施形態においては、図7(a)及び(b)に示す工程において、シート1から発光列部11を切り離した後、図8(a)及び(b)に示す工程において、シート1aを金型100に対して固定する例を示したが、シート1を金型100に対して位置決めした後で、シート1から発光列部11を切り離してもよい。
以上説明した実施形態によれば、発光側リードフレームと受光側リードフレームとを精度良く位置決めすることができるフォトカプラの製造方法及びフォトカプラ用リードフレームシートを実現することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
1、1a、2:フォトカプラ用リードフレームシート、11:発光列部、12:受光列部、13、14:結合部、21:発光側リードフレーム部、22:受光側リードフレーム部、23a、23b、23c:発光側カップリングバー、24a、24b、24c:受光側カップリングバー、25、26:パイロット穴、31a、31b:リード、32:発光素子搭載部、33a、33b:リード、34a、34b、34c:リード、35:受光素子搭載部、36a、36b、36c:リード、41:発光素子、42:受光素子、46:インナーモールド、47:アウターモールド、48:樹脂体、50:フォトカプラ、100:金型、100a:上面、101、102:パイロットピン、C:中心軸、G:ギャップ寸法、t:シートの厚さ

Claims (17)

  1. 複数の発光側リードフレーム部が第1端部と第2端部の間で第1方向に沿って一列に配列され、前記第1端部に第1の発光側カップリングバーが設けられ、前記第2端部に第2の発光側カップリングバーが設けられ、前記第1端部と前記第2端部の間に第3の発光側カップリングバーが設けられた複数本の発光列部、及び複数の受光側リードフレーム部が第1端部と第2端部の間で前記第1方向に沿って一列に配列され、前記第1端部に第1の受光側カップリングバーが設けられ、前記第2端部に第2の受光側カップリングバーが設けられ、前記第1端部と前記第2端部の間に第3の受光側カップリングバーが設けられた複数本の受光列部が、前記第1方向に対して交差した第2方向に沿って交互に配列され、前記第1〜第3の発光側カップリングバーは、前記第1方向に沿って等間隔に配列され、各前記発光側リードフレーム部には、発光素子搭載部及び前記発光素子搭載部に接続された発光側リードが設けられ、各前記受光側リードフレーム部には、受光素子搭載部及び前記受光素子搭載部に接続された受光側リードが設けられ、前記発光側リード及び前記受光側リードが同一平面上に配置され、前記発光素子搭載部及び前記受光素子搭載部が、前記発光側リード及び前記受光側リードに対して、厚さ方向のうちの一方向側に変位しており、前記発光側カップリングバー及び前記受光側カップリングバーが、前記発光側リード及び前記受光側リードに対して、厚さの半分の距離だけ、前記一方向側に変位し、前記発光列部の第1端部及び前記受光列部の第1端部が第1結合部によって相互に連結され、前記発光列部の第2端部及び前記受光列部の第2端部が第1結合部から前記第1方向に離隔した第2結合部によって相互に連結され、前記発光列部及び前記受光列部のうちの一方の列部のそれぞれに第1のパイロット穴が形成され、前記第1結合部及び前記第2結合部にそれぞれ第2のパイロット穴が形成されたリードフレームシートにおける前記発光素子搭載部に発光素子を搭載すると共に前記受光素子搭載部に受光素子を搭載する工程と、
    前記一方の列部を前記第1結合部及び前記第2結合部から切り離すと共に、前記第2のパイロット穴に、金型に形成された第1のパイロットピンを挿通させることにより、前記リードフレームシートを前記金型に対して位置決めする工程と、
    前記第1のパイロット穴に前記金型に形成された第2のパイロットピンを挿通させると共に各前記発光側カップリングバーと各前記受光側カップリングバーとを重ねることにより、前記一方の列部を前記金型に対して位置決めし、前記発光素子と前記受光素子とを対向させる工程と、
    前記金型上において、各前記発光側カップリングバーと各前記受光側カップリングバーとを相互に結合させる工程と、
    各前記発光素子及び各前記受光素子からなる組を覆い、前記発光側リード及び前記受光側リードがその外部に引き出されるように、樹脂体を形成する工程と、
    前記発光列部から前記発光側リードフレーム部を切り離すと共に前記受光列部から前記受光側リードフレーム部を切り離す工程と、
    を備えたフォトカプラの製造方法。
  2. 複数の発光側リードフレーム部が第1端部と第2端部の間で第1方向に沿って一列に配列され、前記第1端部に第1の発光側カップリングバーが設けられ、前記第2端部に第2の発光側カップリングバーが設けられ、前記第1端部と前記第2端部の間に第3の発光側カップリングバーが設けられた複数本の発光列部、及び複数の受光側リードフレーム部が第1端部と第2端部の間で前記第1方向に沿って一列に配列され、前記第1端部に第1の受光側カップリングバーが設けられ、前記第2端部に第2の受光側カップリングバーが設けられ、前記第1端部と前記第2端部の間に第3の受光側カップリングバーが設けられた複数本の受光列部が、前記第1方向に対して交差した第2方向に沿って交互に配列され、前記発光列部の第1端部及び前記受光列部の第1端部が前記第2方向に延びる第1結合部によって相互に連結され、前記発光列部及び前記受光列部のうちの一方の列部のそれぞれに第1のパイロット穴が形成され、前記一方の列部を除く部分に第2のパイロット穴が形成されたリードフレームシートにおける前記発光側リードフレーム部に発光素子を搭載すると共に前記受光側リードフレーム部に受光素子を搭載する工程と、
    前記一方の列部を前記第1結合部から切り離すと共に、前記第2のパイロット穴に、金型に形成された第1のパイロットピンを挿通させることにより、前記リードフレームシートを前記金型に対して位置決めする工程と、
    前記第1のパイロット穴に前記金型に形成された第2のパイロットピンを挿通させると共に各前記発光側カップリングバーと各前記受光側カップリングバーとを重ねることにより、前記一方の列部を前記金型に対して位置決めし、前記発光素子と前記受光素子とを対向させる工程と、
    前記金型上において、各前記発光側カップリングバーと各前記受光側カップリングバーとを相互に結合させる工程と、
    各前記発光素子及び各前記受光素子からなる組を覆うように、樹脂体を形成する工程と、
    前記発光列部から前記発光側リードフレーム部を切り離すと共に前記受光列部から前記受光側リードフレーム部を切り離す工程と、
    を備えたフォトカプラの製造方法。
  3. 前記リードフレームシートには、前記発光列部の第1端部と第2端部との間に設けられた第4の発光側カップリングバー、及び、前記受光列部の第1端部と第2端部との間に設けられた第4の受光側カップリングバーが設けられている請求項2記載のフォトカプラの製造方法。
  4. 前記第1の発光側カップリングバーと前記第3の発光側カップリングバーとの間に設けられた前記発光側リードフレーム部の数は、前記第2の発光側カップリングバーと前記第3の発光側カップリングバーとの間に設けられた前記発光側リードフレーム部の数と等しい請求項2記載のフォトカプラの製造方法。
  5. 前記発光側カップリングバーは、前記第1方向に沿って等間隔に配列されており、
    前記受光側カップリングバーは、前記第1方向に沿って等間隔に配列されている請求項2〜4のいずれか1つに記載のフォトカプラの製造方法。
  6. 前記発光側リードフレーム部には、前記発光素子が搭載される発光素子搭載部及び前記発光素子搭載部に接続され前記樹脂体の外部に引き出される発光側リードが設けられており、
    前記受光側リードフレーム部には、前記受光素子が搭載される受光素子搭載部及び前記受光素子搭載部に接続され前記樹脂体の外部に引き出される受光側リードが設けられており、
    前記発光側リード及び前記受光側リードは同一平面上に配置されており、
    前記発光素子搭載部及び前記受光素子搭載部は、前記発光側リード及び前記受光側リードに対して、前記リードフレームシートの厚さ方向のうちの一方向側に変位している請求項2〜5のいずれか1つに記載のフォトカプラの製造方法。
  7. 前記発光側カップリングバー及び前記受光側カップリングバーは、前記発光側リード及び前記受光側リードに対して、前記リードフレームシートの厚さの半分の距離だけ、前記一方向側に変位している請求項6記載のフォトカプラの製造方法。
  8. 前記発光列部における前記発光側リードフレーム部の位相と、前記受光列部における前記受光側リードフレーム部の位相とは、相互にずれている請求項1〜7のいずれか1つに記載のフォトカプラの製造方法。
  9. 前記第2のパイロット穴は、前記第1結合部に形成されている請求項2〜8のいずれか1つに記載のフォトカプラの製造方法。
  10. 前記リードフレームシートには、前記第2方向に延び、前記発光列部の第2端部及び前記受光列部の第2端部を相互に連結し、前記第1方向において前記第1結合部から離隔した第2結合部が設けられている請求項1〜9のいずれか1つに記載のフォトカプラの製造方法。
  11. 第1方向に沿って交互に配列されたそれぞれ複数本の発光列部及び受光列部と、
    前記複数本の発光列部及び受光列部が配置された領域の外縁に沿って設けられ、前記発光列部の第1端部及び前記受光列部の第1端部を相互に連結すると共に、前記発光列部の第2端部及び前記受光列部の第2端部を相互に連結する結合部と、
    を備え、
    前記発光列部は、
    前記第1方向に対して交差した第2方向に沿って、前記発光列部の前記第1端部と第2端部との間に一列に配列された複数の発光側リードフレーム部と、
    前記第1端部に設けられた第1の発光側カップリングバーと、
    前記第2端部に設けられた第2の発光側カップリングバーと、
    前記第1端部と前記第2端部との間に設けられた第3の発光側カップリングバーと、
    を有し、
    前記受光列部は、
    前記第2方向に沿って、前記受光列部の前記第1端部と第2端部との間に一列に配列された複数の受光側リードフレーム部と、
    前記第1端部に設けられた第1の受光側カップリングバーと、
    前記第2端部に設けられた第2の受光側カップリングバーと、
    前記第1端部と前記第2端部との間に設けられた第3の受光側カップリングバーと、 を有し、
    前記第2方向における前記第1の発光側カップリングバーの位置と前記第1の受光側カップリングバーの位置とは相互に同じであり、前記第2方向における前記第2の発光側カップリングバーの位置と前記第2の受光側カップリングバーの位置とは相互に同じであり、前記第2方向における前記第3の発光側カップリングバーの位置と前記第3の受光側カップリングバーの位置とは相互に同じであり、
    前記発光列部及び前記受光列部のうちの一方の列部に第1のパイロット穴が形成されており、
    前記結合部に第2のパイロット穴が形成されているフォトカプラ用リードフレームシートであって、
    前記発光列部又は前記受光列部は前記結合部から切り離され、
    前記第2のパイロット穴が第1のパイロットピンに挿通されることにより、前記結合部及び前記結合部に結合された前記受光列部又は前記発光列部が位置決めされ、
    前記第1のパイロット穴が第2のパイロットピンに挿通されることにより、前記結合部から切り離された前記発光列部又は前記受光列部が位置決めされるように構成されたフォトカプラ用リードフレームシート。
  12. 前記発光列部は、前記発光列部の第1端部と第2端部との間に設けられた第4の発光側カップリングバーをさらに有し、
    前記受光列部は、前記受光列部の第1端部と第2端部との間に設けられた第4の受光側カップリングバーをさらに有した請求項11記載のフォトカプラ用リードフレームシート。
  13. 前記第1の発光側カップリングバーと前記第3の発光側カップリングバーとの間に設けられた前記発光側リードフレーム部の数は、前記第2の発光側カップリングバーと前記第3の発光側カップリングバーとの間に設けられた前記発光側リードフレーム部の数と等しい請求項11記載のフォトカプラ用リードフレームシート。
  14. 前記発光側カップリングバーは、前記第2方向に沿って等間隔に配列されており、
    前記受光側カップリングバーは、前記第2方向に沿って等間隔に配列されている請求項11〜13のいずれか1つに記載のフォトカプラ用リードフレームシート。
  15. 前記発光側リードフレーム部は、
    発光素子が搭載される発光素子搭載部と、
    前記発光素子搭載部に接続された発光側リードと、
    を有し、
    前記受光側リードフレーム部は、
    受光素子が搭載される受光素子搭載部と、
    前記受光素子搭載部に接続された受光側リードと、
    を有し、
    前記発光側リード及び前記受光側リードは同一平面上に配置されており、
    前記発光素子搭載部及び前記受光素子搭載部は、前記発光側リード及び前記受光側リードに対して、前記リードフレームシートの厚さ方向のうちの一方向側に変位している請求項11〜14のいずれか1つに記載のフォトカプラ用リードフレームシート。
  16. 前記発光側カップリングバー及び前記受光側カップリングバーは、前記発光側リード及び前記受光側リードに対して、前記リードフレームシートの厚さの半分の距離だけ、前記一方向側に変位している請求項15記載のフォトカプラ用リードフレームシート。
  17. 前記発光列部における前記発光側リードフレーム部の位相と、前記受光列部における前記受光側リードフレーム部の位相とは、相互にずれている請求項11〜16のいずれか1つに記載のフォトカプラ用リードフレームシート。
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TW101124923A TWI484650B (zh) 2011-12-16 2012-07-11 光耦合器之製造方法及光耦合器用引線框架板
CN201210313508.8A CN103163604B (zh) 2011-12-16 2012-08-29 光耦合器的制造方法及光耦合器用引线框架片材

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101458366B (zh) * 2007-12-13 2010-12-01 旭丽电子(广州)有限公司 光耦合器导线架料带
JP6603982B2 (ja) 2013-07-31 2019-11-13 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法
WO2016006714A1 (ja) * 2014-07-11 2016-01-14 イマジニアリング株式会社 点火装置
CN104766857A (zh) * 2015-03-25 2015-07-08 安徽中威光电材料有限公司 一种led高密度支架结构
JP1537981S (ja) * 2015-04-20 2015-11-16
JP1537979S (ja) * 2015-04-20 2015-11-16
JP1537980S (ja) * 2015-04-20 2015-11-16
JP6445940B2 (ja) * 2015-08-03 2018-12-26 株式会社東芝 光結合装置
CN107195610A (zh) * 2017-05-16 2017-09-22 四川旭茂微科技有限公司 一种新型整流桥的引线框架

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57104280A (en) * 1980-12-19 1982-06-29 Toshiba Corp Frame coupling device
US4446375A (en) * 1981-10-14 1984-05-01 General Electric Company Optocoupler having folded lead frame construction
JPH02117182A (ja) * 1988-10-26 1990-05-01 Sharp Corp 光結合素子の製造方法
JP3096824B2 (ja) * 1992-04-17 2000-10-10 ローム株式会社 Led製造用フレームおよびこれを用いたledの製造方法
JP2958227B2 (ja) * 1993-04-15 1999-10-06 シャープ株式会社 光結合装置用リードフレーム
GB2323474B (en) * 1997-03-21 2002-07-31 Rohm Co Ltd A leadframe and a method of manufacturing a semiconductor device device by use of it
US8168989B2 (en) * 2005-09-20 2012-05-01 Renesas Electronics Corporation LED light source and method of manufacturing the same
TWI320228B (en) 2006-05-04 2010-02-01 A structure of a lead-frame matrix of photoelectron devices
TWI307416B (en) * 2006-05-05 2009-03-11 Everlight Electronics Co Ltd Method of manufacturing photo coupler
CN101458366B (zh) * 2007-12-13 2010-12-01 旭丽电子(广州)有限公司 光耦合器导线架料带
EP2232541B1 (en) * 2008-01-22 2013-10-30 Nxp B.V. Method for manufacturing a microelectronic package comprising at least one microelectronic device
CN101546796B (zh) * 2008-03-25 2012-01-11 旭丽电子(广州)有限公司 Led导线支架
JP5370843B2 (ja) * 2009-09-30 2013-12-18 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板、発光パネル及びその製造方法並びに電子機器
JP5263788B2 (ja) * 2009-10-22 2013-08-14 シャープ株式会社 表示装置

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