JP5097031B2 - 反射膜、led、有機elディスプレイ及び有機el照明器具 - Google Patents
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Description
7×[A]+13×[Bi]≦8-------------(1)式
7×[A]+13×[Bi]≦8 -------------(1)式
7×[A]+13×[Bi]≦8 -------------(1)式
図1に示すようなスパッタリング装置のチャンバー内に、φ100mm×t5mmの純AgまたはAg−Bi合金ターゲット(純AgよりなるターゲットまたはAg−Bi合金よりなるターゲット)をセットし、φ50mm×t1mmのポリカーボネート(PC)基板をターゲットに正対するようにセットし、チャンバー内を1×10-5Torr以下となるように真空に引いた。その後、チャンバー内にArガスを導入し、チャンバー内圧力を2×10-3Torrとなるようにし、ターゲットにDC(直流)を印加してプラズマを発生させ、DCパワー200Wでターゲットをスパッタすることにより、PC基板上に純Ag薄膜またはAg合金薄膜を250mmの厚さで成膜した。
・試験液組成:0.5%硫化アンモニウム水溶液
・暴露位置:試験液の液面から5cmの高さで成膜面が液面に対向するように設置
・暴露時間:5分
・試験雰囲気:大気
・試験温度:200℃
・試験時間:5時間
前述の例1と同様の方法にてガラス基板上に表1のNo.1〜6、12、13と同様の組成のAg合金薄膜を膜厚150nmで成膜した。次いで、LEDの状態を模擬して、Ag合金薄膜上にシリコン樹脂(信越化学工業製)を約20μm塗布し、200℃で60分間熱処理して硬化させ、Ag合金膜とシリコン樹脂の積層試料No.15〜22を得た。
・試験雰囲気:大気
・試験温度:150 ℃
・試験時間:1000時間
表1のNo.3、4、5、6のAg合金膜中の各元素の濃度変化および状態分析をX線光電子分光分析にて行った。下記に示す条件で分析を行った結果、No.3、4ではAg合金膜中のGeが、No.5ではAg合金膜中のVが、No.6ではAg合金膜中のZnが、それぞれ膜内部よりも最表面に高濃度に存在していることを確認した。また、X線光電子分光分析による結合エネルギーの分析結果より、No3および4では最表面のGeが酸化物の状態で存在していることを確認した。
・装置:Physical Electoronics社製
Quantera SXM 全自動走査型X線光電子分光装置
・X線源:単色化Al Ka
・X線出力:43.7W
・X線ビーム径:200μm
・光電子取り出し角:45°
・Ar+ スパッタ速度:SiO2 換算で約4.6nm/分
Claims (6)
- 基体上に、Agを主成分としBiを0.02原子%以上含有し、更にV、Ge、Znの1種以上を合計で0.1原子%以上含有すると共に、前記V、Ge、Znの1種以上の含有率を[A](原子%)とし、Biの含有率を[Bi](原子%)としたときに、下記(1)式を満足するAg合金膜が形成され、前記Ag合金膜の表面に、前記Ag合金膜の内部よりもV、Ge、Znの1種以上の含有率が多い層を有し、JIS R3106 に準拠してD65光源での波長範囲380 〜780nm の光によって測定された可視光反射率が93%以上であることを特徴とする反射膜。
7×[A]+13×[Bi]≦8-------------(1)式 - 前記V、Ge、Znの1種以上の含有率が多い層が、V、Ge、Znの1種以上の酸化物を含むことを特徴とする請求項1記載の反射膜。
- 前記Ag合金膜が更にAu、Pt、Pd、Rhの1種以上を合計で0.1〜5原子%含有する請求項1または2記載の反射膜。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の反射膜を備えることを特徴とするLED。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の反射膜を備えることを特徴とする有機ELディスプレイ。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の反射膜を備えることを特徴とする有機EL照明器具。
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