JP5870681B2

JP5870681B2 - 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置の製造方法

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Publication number: JP5870681B2
Application number: JP2011283033A
Authority: JP
Inventors: 幸治冨田; 洋二張替; 雅樹矢崎; 柴崎　聡; 聡柴崎
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
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Priority date: 2011-12-26
Filing date: 2011-12-26
Publication date: 2016-03-01
Anticipated expiration: 2031-12-26
Also published as: JP2013135025A

Description

本発明は、半導体装置を製造するために用いられるリードフレーム、当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法に関する。

近年、基板実装の高密度化に伴い、基板に実装される半導体装置の小型化・薄型化が要求されてきている。かかる要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、当該リードフレームの搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂にて封止するとともに、下面側にリードの一部分を露出させてなる、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。

このようなＱＦＮタイプの半導体装置の一例として、図８及び図９に示すように、四隅に吊りリード４００が連続するダイパッド２００上に搭載された半導体素子１１０と、半導体素子１１０の上面の端子と外部端子３００とを電気的に接続するワイヤ１２０と、半導体素子１１０の上面の端子とダイパッド２００の上面とをグランドボンディングするワイヤ１２０と、外部端子３００の下面及びダイパッド２００の下面を露出させるようにして、半導体素子１１０等を封止する封止樹脂１３０とを備える半導体装置が提案されている（特許文献１参照）。かかる半導体装置において、ダイパッド２００は、その周縁に下面側からハーフエッチング加工が施されることでその他の部分よりも厚さの薄い肉薄部２２０と肉薄部２２０により囲まれる肉厚部２１０とにより構成されている。

特許第４４１７５４１号公報

図８及び図９に示す半導体装置を製造するために、ダイパッド２００と、半導体装置における外部端子３００に相当するリード部と、ダイパッド２００の四隅に連続して当該ダイパッド２００を支持する吊りリード４００と、ダイパッド２００、リード部及び吊りリード４００を囲む格子状に配置され、リード部を支持するタイバーを有するリードフレームが用いられることがある。

そして、かかるリードフレームにおけるダイパッド２００上に搭載された半導体素子１１０の上面の端子と、リード部又はダイパッド２００との間をワイヤ１２０で接続するために、一般に、ワイヤボンディング装置が用いられる。かかるワイヤボンディング装置としては、リードフレームを載置・固定するためのヒートブロックと、ワイヤ１２０を接続するためのキャピラリーと、キャピラリーに超音波振動を伝えるための超音波ホーンとを備えるものを例示することができる。そして、図１０に示すように、ダイパッド２００の肉薄部２２０の下面側に当接し得る凸部を有するヒートブロックｈｂ上にリードフレームＬＦを載置・固定し、当該リードフレームＬＦにおけるダイパッド２００の肉薄部２２０及びリード部を加熱しながら、キャピラリーを介して当該ボンディング領域に超音波振動を印加することで、ワイヤが接続されることになる。

しかしながら、上記半導体装置においては、ダイパッド２００の肉薄部２２０は、その周縁にハーフエッチング加工が施されることによりその他の部分よりも薄い厚さを有するものとして形成されているのに対し、それに対向するリード部の先端部側（ダイパッド２００側）は、リードフレームＬＦと同一の厚さを有するため、ダイパッド２００側においてワイヤボンディングされる領域（肉薄部２２０）と、リード部側においてワイヤボンディングされる領域との間で、ヒートブロックｈｂによる熱伝導性が異なることとなり、両領域に温度差が生じてしまう。その結果として、ワイヤ１２０の接続不良が生じるおそれがあるという問題がある。

また、半導体装置がさらに小型化されたときに、従来のリードフレームＬＦをそのままスケールダウンさせていくと、リード部の先端部側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部３００ｂを含む平面と、ダイパッド２００の肉厚部２１０を構成する壁部のうち、上記平面に対向する壁部２１０ｂとの間隔ｄを狭小化せざるを得なくなる。このように当該間隔ｄが狭小化されると、ヒートブロックｈｂを作製する際に、ダイパッド２００の肉薄部２２０の下面側に当接し得る凸部の加工が困難を極める。その結果として、ダイパッド２００の肉薄部２２０の加熱が不十分となり、ワイヤ１２０の接続不良が生じるおそれがある。一方で、ヒートブロックｈｂの凸部の加工が容易な程度に上記間隔ｄを広げるべく、ダイパッド２００の肉厚部２１０の壁部２１０ｂを当該ダイパッド２００の中心側に移動させたとしても、ダイパッド２００側においてワイヤボンディングされる領域（肉薄部２２０）と、リード部側においてワイヤボンディングされる領域との間で、ヒートブロックｈｂによる熱伝導性が異なることとなり、両領域に温度差が生じてしまう。その結果として、ワイヤ１２０の接続不良が生じるおそれがあるという問題がある。

上記課題に鑑みて、本発明は、半導体装置を製造する際に半導体素子とリード部との間のワイヤ及び半導体素子と半導体素子搭載部との間のワイヤを、ともに高い信頼性をもって、かつ容易に接続することのできる半導体装置製造用リードフレーム、及び当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、半導体装置を製造するために用いられるリードフレームであって、上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部と、先端部が前記半導体素子搭載部に対向するようにして、当該半導体素子搭載部の周囲に設けられてなる複数のリード部とを備え、前記半導体素子搭載部は、第１の肉厚部と、当該半導体素子搭載部の周縁において下面側から切り欠かれてなり、当該第１の肉厚部よりも薄い厚さを有し、前記半導体素子と電気的に接続され得る第１の肉薄部とを含み、前記各リード部は、第２の肉厚部と、前記先端部側において下面側から切り欠かれてなり、当該第２の肉厚部よりも薄い厚さを有し、前記半導体素子と電気的に接続され得る第２の肉薄部とを含み、前記第２の肉薄部は、前記半導体素子搭載部の略中心に向かうようにして延在し、前記第２の肉薄部の前記先端部の幅は、当該先端部に対向する端部の幅よりも小さく、前記第２の肉薄部の前記先端部に対向する端部の幅は、当該端部における前記第２の肉厚部の幅よりも大きいことを特徴とするリードフレームを提供する（発明１）。

上記発明（発明１）によれば、半導体素子搭載部の周縁に厚さの薄い第１の肉薄部と、それに対向するようにしてリード部先端側に厚さの薄い第２の肉薄部とを有することで、半導体素子の端子と、第１の肉薄部及び第２の肉薄部のそれぞれとをワイヤにより接続するに際し、第１の肉薄部及び第２の肉薄部に対して略同一の条件にて伝熱可能であるため、半導体素子の端子と第１の肉薄部及び第２の肉薄部のそれぞれとの間におけるワイヤによる接続信頼性を向上させることができる。

上記発明（発明１）においては、前記第１の肉薄部と前記第２の肉薄部とは、略同一の厚さを有するのが好ましい（発明２）。かかる発明（発明２）によれば、第１の肉薄部におけるワイヤボンディング領域と第２の肉薄部におけるワイヤボンディング領域とに、略同一の条件で伝熱が可能であり、半導体素子の端子と第１の肉薄部及び第２の肉薄部のそれぞれとの接続信頼性をより向上させることができる。

上記発明（発明１，２）においては、前記第２の肉厚部を構成する壁部のうち、前記リード部先端側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部を含む平面と、前記第１の肉厚部を構成する壁部のうち、前記平面に対向する壁部とが、１ｍｍ以上離隔しているのが好ましい（発明３）。

リードフレームの下面側から見たときに、半導体素子搭載部の周縁の切り欠けと、リード部の先端側の切り欠けとにより、半導体素子搭載部の周縁を取り囲む凹状の溝が構成されることとなり、第１の肉薄部及び第２の肉薄部にワイヤを接続する際に、その凹状の溝にヒートブロックを当接させて加熱することになる。この場合において、その凹状の溝に遊嵌する形状を有するヒートブロックを用意する必要があるが、上記発明（発明３）によれば、凹状の溝の幅が１ｍｍ以上であることで、高精度に加工されたヒートブロックを容易に用意することができるため、第１の肉薄部及び第２の肉薄部のそれぞれのワイヤボンディング領域に、略同一条件で伝熱が可能であり、半導体素子の端子と第１の肉薄部及び第２の肉薄部のそれぞれとの接続信頼性をより向上させることができる。

また、本発明は、上記発明（発明１〜３）に係るリードフレームの前記半導体素子搭載部の上面に搭載された半導体素子の複数の端子のそれぞれと前記第１の肉薄部及び前記第２の肉薄部のそれぞれとを接続するワイヤの一端部を、前記第１の肉薄部及び前記第２の肉薄部の下面側から加熱しながら、前記第１の肉薄部の上面及び前記第２の肉薄部の上面のそれぞれに接続する接続工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明４）。

本発明によれば、半導体装置を製造する際に半導体素子とリード部との間のワイヤ及び半導体素子と半導体素子搭載部との間のワイヤを、ともに高い信頼性をもって、かつ容易に接続することのできる半導体装置製造用リードフレーム、及び当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係るリードフレームを下面側から見た平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係るリードフレームを示す、図１におけるＡ−Ａ線切断端面図である。図３は、本発明の一実施形態におけるリード部のみの概略構成を示す斜視図である。図４は、本発明の一実施形態におけるリード部の概略構成を示す部分拡大平面図である。図５は、本発明の一実施形態に係るリードフレーム１の製造工程を示す切断端面図である。図６は、本発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示す切断端面図である。図７は、本実施形態における半導体装置を示す平面図である。図８は、従来のＱＦＮタイプの半導体装置の概略構成を示す切断端面図である。図９は、従来のＱＦＮタイプの半導体装置の概略構成を示す平面図である。図１０は、従来のＱＦＮタイプの半導体装置の製造工程におけるワイヤボンディング工程を示す切断端面図である。

本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
〔リードフレーム〕
図１は、本発明の一実施形態に係るリードフレームを下面側から見た平面図であり、図２は、同実施形態に係るリードフレームを示す、図１におけるＡ−Ａ線切断端面図であり、図３は、同実施形態におけるリード部のみの概略構成を示す斜視図であり、図４は、同実施形態におけるリード部の概略構成を示す部分拡大平面図である。

本実施形態に係るリードフレーム１は、半導体素子が搭載される上面（搭載面）を有する略方形状の半導体素子搭載部２と、半導体素子搭載部２の周囲に設けられてなる複数（本実施形態においては２４個）のリード部３と、半導体素子搭載部２の四隅のそれぞれに連続し、当該半導体素子搭載部２を支持する吊りリード４とを備える。なお、本実施形態に係るリードフレーム１は、多面付けにより多数の半導体素子搭載部２を有し、各リード部３は格子状に配置された複数のタイバー５により支持されているものであるが、図１及び図２においては１個の半導体素子搭載部２のみを示している。

半導体素子搭載部２は、第１の肉厚部２１と、第１の肉厚部２１の周縁に連続し、下面側から切り欠かれてなる第１の肉薄部２２とを有する。この第１の肉薄部２２上面が、半導体素子搭載部２の搭載面に搭載された半導体素子の端子との間でワイヤボンディングされる搭載部側ボンディング領域を構成することとなる。また、第１の肉厚部２１の下面２１ａは、本実施形態に係るリードフレーム１を用いて製造された半導体装置において外部に露出することとなるため、外部機器等と接続するための外部端子（グランド端子）としての役割を果たすこととなる。なお、第１の肉薄部２２は、下面側からのハーフエッチング等により形成され得る。

第１の肉薄部２２の厚さは、第１の肉厚部２１よりも薄い厚さであり、好ましくは第１の肉厚部２１の厚さの略半分の厚さである。かかる第１の肉薄部２２の厚さは、リードフレーム１を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常５０〜１２０μｍ程度である。

リード部３は、半導体素子搭載部２の周囲を取り囲むように、かつ方形状の半導体素子搭載部２の各辺に沿って並列するようにして設けられており、第２の肉厚部３１と、第２の肉厚部３１の先端部（半導体素子搭載部２）側に連続して延在し、下面側から切り欠かれてなる第２の肉薄部３２とを有する。第２の肉薄部３２の上面は、半導体素子搭載部２の搭載面に搭載された半導体素子の端子との間でワイヤボンディングされるリード部側ボンディング領域を構成することになる。また、第２の肉厚部３１の下面３１ａは、本実施形態に係るリードフレーム１を用いて製造された半導体装置において外部に露出することとなるため、外部機器等と接続するための外部端子としての役割を果たすこととなる。なお、第２の肉薄部３２は、第１の肉薄部２２と同様に、下面側からのハーフエッチング等により形成され得る。

第２の肉厚部３１は、タイバー５から半導体素子搭載部２に向けて、半導体素子搭載部２における当該第２の肉厚部３１の対向する一辺に略直交するように設けられているが、第２の肉薄部３２のそれぞれは、当該第２の肉薄部３２の先端部が半導体素子搭載部２の略中心に向かうように、第２の肉厚部３１の先端部側から連続して延在している。本実施形態に係るリードフレーム１を用いた半導体装置の製造工程において、第２の肉薄部３２のリード部側ボンディング領域にワイヤを接続するに当たり、一般にワイヤボンディング装置が用いられるが、第２の肉薄部３２の先端部が半導体素子搭載部２の略中心に向かって延在していることで、ワイヤボンディング装置によりリード部側ボンディング領域を容易に、かつ的確に検知・認識することができるため、確実にワイヤを当該ボンディング領域に接続することができ、製造された半導体装置におけるワイヤの接続信頼性を向上させることができる。

第２の肉薄部３２の厚さは、第２の肉厚部３１よりも薄い厚さであり、好ましくは第２の肉厚部３１の略半分の厚さである。かかる第２の肉薄部３２の厚さは、リードフレーム１を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常５０〜１２０μｍ程度である。

この第２の肉薄部３２の厚さは、半導体素子搭載部２の第１の肉薄部２２の厚さと略同一であるのが好ましい。本実施形態に係るリードフレーム１を用いた半導体装置の製造工程において、第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２の各ボンディング領域にワイヤを接続するに当たり、第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２の下面にヒートブロックを当接させ、それらの下面側から加熱することになるが、これらの厚さが略同一であることで、これらの各ボンディング領域に略同一の条件にて伝熱可能となるため、製造された半導体装置におけるワイヤの接続信頼性を向上させることができる。

本実施形態において、第２の肉厚部３１を構成する壁部のうち、リード部３の先端部側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部３１ｂを含む平面と、第１の肉厚部２１を構成する壁部のうち、平面に対向する壁部２１ｂとの間隔Ｄは、１ｍｍ以上であるのが好ましい。言い換えれば、本実施形態に係るリードフレーム１においては、第１の肉厚部２１を取り囲むようにして、１ｍｍ以上の幅を有する溝が当該リードフレーム１の下面側に設けられているのが好ましい。当該間隔Ｄが１ｍｍ以上であることで、本実施形態に係るリードフレーム１を用いた半導体装置の製造工程において第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２の下面に当接させて用いられるヒートブロックを高精度で、かつ容易に作製することができるため、第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２の各ボンディング領域に略同一の条件にて伝熱可能となり、製造された半導体装置におけるワイヤの接続信頼性を向上させることができる。

図４に示すように、本実施形態において、第２の肉薄部３２における先端部の幅Ｗ１は、当該先端部に対向する端部の幅Ｗ２以下であるのが好ましい（Ｗ２≧Ｗ１）。近年、半導体素子の多ピン化や小型化に伴い、リードフレームにおけるリード部の数が増加するとともに、半導体素子搭載部のサイズが小さくなる傾向にある。このときに、半導体素子の各端子と各リード部３とを接続するワイヤ長を短くすることを目的として、第２の肉薄部３２を半導体素子搭載部２の略中心に向けて延在させるようにしているが、このようにすることで、隣接するリード部３，３の先端部が接近することになる。この隣接するリード部３，３の先端部が接近しすぎると、第２の肉薄部３２におけるボンディング領域にワイヤを接続するに際し、ワイヤボンディング装置によるボンディング位置の検出誤差が大きくなりやすく、接続不良が生じるおそれがある。しかしながら、本実施形態に係るリードフレーム１においては、上記のように各リード部３が構成されている（Ｗ２≧Ｗ１）ことで、リード部３の数が増大し、半導体素子搭載部２のサイズが縮小したことにより、第２の肉薄部３２を半導体素子搭載部２の略中心に向けて延在させたとしても、隣接するリード部３，３の先端部が接近しすぎることなく、各リード部３を配置することができるため、ボンディング位置の検出誤差を小さくし、ワイヤを確実に接続することができる。

また、第２の肉薄部３２における先端部に対向する端部の幅Ｗ２は、当該部分における第２の肉厚部３１の幅よりも大きく構成されている。本実施形態に係るリードフレーム１を用いて半導体装置を作製する過程において、第２の肉薄部３２の下方には封止樹脂が充填される。そして、最終的に半導体素子ごとにダイシングされ、タイバー５から各リード部３が切り離されることになる。この場合において、第２の肉薄部３２における先端部に対向する端部の幅Ｗ２が当該部分における第２の肉厚部３１の幅よりも大きく構成されていることで、個片化された半導体装置においてリード部３が下方に抜け落ちるのを防止することができる。

〔リードフレームの製造方法〕
上述した本実施形態に係るリードフレーム１の製造方法について説明する。
図５（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係るリードフレーム１の製造工程を示す切断端面図（図１におけるＡ−Ａ線に相当する位置で切断した端面図）である。

まず、導電性基板４０として、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等の金属基板（厚み１００〜２５０μｍ）を用意する（図５（ａ）参照）。なお、導電性基板４０は、その両面（上面及び下面）に脱脂処理、洗浄処理等を施したものを用いるのが好ましい。

次に、導電性基板４０の上面及び下面に感光性レジストを塗布し、乾燥させ、所望のフォトマスクを介して露光した後に現像してレジストパターン５１，５２を形成する（図５（ｂ）参照）。感光性レジストとしては、従来公知のものを用いることができる。なお、図５（ｂ）において、レジストパターン５１ａはリードフレーム１における半導体素子搭載部２の上面に相当する位置に、レジストパターン５１ｂはリードフレーム１におけるリード部３の上面に相当する位置に、レジストパターン５２ａはリードフレーム１における第１の肉厚部２１の下面に相当する位置に、レジストパターン５２ｂはリードフレーム１における第２の肉厚部２２の下面に相当する位置に形成されるものである。

続いて、レジストパターン５１，５２をマスクとして、エッチング液を用いて導電性基板４０にエッチング処理を施す（図５（ｃ）参照）。エッチング処理に用いるエッチング液は、導電性基板４０の材質に応じて適宜選択され得るものであり、例えば、導電性基板４０として銅基板を用いる場合、一般に塩化第二鉄水溶液又は塩化銅水溶液をエッチング液として用い、導電性基板４０の両面（上面及び下面）からエッチング処理を施す。

このとき、少なくとも導電性基板４０における第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２に相当する部分の下面側には、感光性レジストが設けられていないため、これらの部分は下面側から切り欠かれた状態、すなわちハーフエッチングされることになる。これにより、半導体素子搭載部２の周縁に、その下面側から切り欠かれてなり、第１の肉厚部２１の厚さの略半分の厚さを有する第１の肉薄部２２を形成することができるとともに、リード部３の先端部側において下面側から切り欠かれてなり、第２の肉厚部３１の厚さの略半分の厚さを有する第２の肉薄部３２を形成することができる。

最後に、導電性基板４０の両面（上面及び下面）に残存するレジストパターン５１，５２を剥離して除去する（図５（ｄ）参照）。これにより、本実施形態に係るリードフレーム１を製造することができる。

〔半導体装置の製造方法〕
本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。
図６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図であり、図７は、本発明の一実施形態における製造方法により製造された半導体装置を示す平面図である。なお、図７において、半導体装置の構成の理解を容易にするために、後述する封止樹脂を省略している。

まず、図５（ａ）〜（ｄ）に示す工程により作製されたリードフレーム１を準備し、当該リードフレーム１の半導体素子搭載部２の上面に、両面粘着テープ、Ａｇペースト等のダイボンド材（図示せず）等により半導体素子１１を固着する（図６（ａ）参照）。

次に、半導体素子搭載部２に半導体素子１１が搭載されたリードフレーム１を、ワイヤボンディング装置のヒートブロックＨＢ上に載置する。そして、ヒートブロックＨＢにより第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２の下面側から、第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２の上面の表面温度が、例えば、１８０〜２８０℃程度になるように同時に加熱するとともに、ワイヤボンディング装置のキャピラリーを介して超音波を印加しながら、半導体素子１１の端子１１ａと第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２のそれぞれとをワイヤ（金等の金属細線）１２で電気的に接続する（図６（ｂ）参照）。

このとき、第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２の厚さが略同一であることで、それらの上面に対して略同一の条件にて伝熱可能であるため、第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２のいずれにおいても確実にワイヤ１２を接続することができ、半導体素子１１の端子１１ａと第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２のそれぞれとの間におけるワイヤ１２の接続信頼性を向上させることができる。

このようにして、半導体素子１１のすべての接続すべき端子１１ａと第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２のそれぞれとをワイヤ１２により接続した後、当該リードフレーム１を成形金型内に収容し、第１の肉厚部２１の下面２１ａ及び第２の肉厚部３１の下面３１ａを外部に露出させるようにして、半導体素子１１、半導体素子搭載部２、リード部３、吊りリード４及びワイヤ１２を封止樹脂１３により封止する（図６（ｃ）参照）。

続いて、封止樹脂１３により封止されたリードフレーム１を成形金型から取り出し、第２の肉厚部３２におけるリード部３の先端部に対向する側面３１ｃを外部に露出させるようにして、当該第２の肉厚部３２と吊りリード４とを切断し、半導体装置１０ごとに分離する。具体的には、半導体素子１１ごとにタイバー５に沿ってダイシングすることにより、各リード部３の第２の肉厚部３１及び各吊りリード４を切断し、タイバー５を除去する。

このようにして、半導体素子搭載部２と、半導体素子搭載部２の上面に搭載された半導体素子１１と、半導体素子搭載部２と電気的に独立するようにして当該半導体素子搭載部２の周囲に設けられてなる複数の外部端子３０と、半導体素子１１の各端子１１ａと各外部端子３０の第２の肉薄部３２又は半導体素子搭載部２の第１の肉薄部２２とを電気的に接続するワイヤ１２と、第１の肉厚部２１の下面２１ａ、第２の肉厚部３１の下面３１ａ及び外部端子３０の先端部に対向する側面３１ｃを外部に露出させるようにして、半導体素子搭載部２、各リード部３、吊りリード４、半導体素子１１及びワイヤ１２を封止する封止樹脂１３とを備える半導体装置１０を得ることができる（図６（ｄ），図７参照）。

上述したように、本実施形態に係るリードフレーム１によれば、当該リードフレーム１を用いて半導体装置を製造するに際し、ヒートブロックＨＢを用いて第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２に対して略同一の条件にて伝熱可能であるため、半導体素子１１の端子１１ａと第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２のそれぞれとの間におけるワイヤによる接続信頼性を向上させることができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
導電性基材（厚さ：２００μｍ，縦５００ｍｍ×横５４０ｍｍ，材質：EFTEC64T）を用意し、その両面に感光性レジストを塗布し、乾燥させ、所望のフォトマスクを用いて露光・現像することで、当該基材の両面のそれぞれに、レジストパターンを形成した。

次に、当該レジストパターンが形成された基材を、エッチング液（塩化第二鉄）を用いた所定時間のスプレーエッチング処理に付した後に、当該レジストパターンを剥離・除去し、図１〜４に示す構成を有するリードフレーム１を作製した。なお、かかるリードフレーム１において、第２の肉厚部３１を構成する壁部のうち、リード部３の先端部側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部３１ｂを含む平面と、第１の肉厚部２１を構成する壁部であって、当該平面に対向する壁部２１ｂとの間隔Ｄが１ｍｍとなるように、第１の肉薄部２２及び第２の肉薄部３２を形成した。

本発明は、ＱＦＮタイプ等のような樹脂封止型半導体装置を製造するためのリードフレームとして有用である。

１…リードフレーム
２…半導体素子搭載部
２１…第１の肉厚部
２２…第１の肉薄部
３…リード部
３１…第２の肉厚部
３２…第２の肉薄部

Claims

半導体装置を製造するために用いられるリードフレームであって、
上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部と、
先端部が前記半導体素子搭載部に対向するようにして、当該半導体素子搭載部の周囲に設けられてなる複数のリード部と
を備え、
前記半導体素子搭載部は、第１の肉厚部と、当該半導体素子搭載部の周縁において下面側から切り欠かれてなり、当該第１の肉厚部よりも薄い厚さを有し、前記半導体素子と電気的に接続され得る第１の肉薄部とを含み、
前記各リード部は、第２の肉厚部と、前記先端部側において下面側から切り欠かれてなり、当該第２の肉厚部よりも薄い厚さを有し、前記半導体素子と電気的に接続され得る第２の肉薄部とを含み、
前記第２の肉薄部は、前記半導体素子搭載部の略中心に向かうようにして延在し、
前記第２の肉薄部の前記先端部の幅は、当該先端部に対向する端部の幅よりも小さく、
前記第２の肉薄部の前記先端部に対向する端部の幅は、当該端部における前記第２の肉厚部の幅よりも大きいことを特徴とするリードフレーム。
前記第１に肉薄部と前記第２の肉薄部とは、略同一の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
前記第２の肉厚部を構成する壁部のうち、前記リード部の先端部側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部を含む平面と、前記第１の肉厚部を構成する壁部のうち、前記平面に対向する壁部とが、１ｍｍ以上離隔していることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
請求項１〜３のいずれかに記載のリードフレームの前記半導体素子搭載部の上面に搭載された半導体素子の複数の端子のそれぞれと前記第１の肉薄部及び前記第２の肉薄部のそれぞれとを接続するワイヤの一端部を、前記第１の肉薄部及び前記第２の肉薄部の下面側から加熱しながら、前記第１の肉薄部の上面及び前記第２の肉薄部の上面のそれぞれに接続する接続工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。