JP2013165163A - メタルシールド板の製造方法およびメタルシールド板 - Google Patents

Abstract

【課題】メタルシールド板に要求される特性（高い透磁率および低い保磁力）を確保しつつ、効率良く、高い良品率でメタルシールド板を作製することが可能なメタルシールド板の製造方法を提供する。
【解決手段】まず熱処理炉９０内でパーマロイＰＣ材７０を不活性ガス雰囲気中で１０００℃乃至１３００℃で熱処理する。次に熱処理済のパーマロイＰＣ材７０を加工して、メタルシールド板４０を含む平板状の加工済みパーマロイＰＣ材１０を作製する。その後、加工済みパーマロイＰＣ材１０からメタルシールド板４０を分離することにより、メタルシールド板４０が得られる。
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂とを含む半導体装置に用いられ、半導体チップを外部磁気から保護する半導体装置用のメタルシールド板の製造方法およびメタルシールド板に関する。

ＭＲＡＭ等の半導体チップを有する半導体装置には、その内部にメタルシールド板が設けられているものがある。このメタルシールド板は、ＭＲＡＭ等の半導体チップをパッケージに納める時に、半導体チップの表面、もしくは両面に配置される。このようなメタルシールド板は、外部からの磁気による影響を防止もしくは低減させる目的で使用されるため、一般に磁気シールド効果のある金属材料から作製される。

例えばＭＲＡＭ用のメタルシールド板の材料として透磁率が高く、保磁力の低いパーマロイＰＣ材を使用することにより、半導体チップのシールド効果を高めることが可能となる。このメタルシールド板は、パーマロイＰＣ材を所望の形状に成型した後、加熱処理を施すことにより作成される。このことにより、加工後のメタルシールド板が高い透磁率と低い保磁力特性を得ることができる。

特開２００９−１４１１９４

ところで、パーマロイＰＣ材をこのような高温（約１１００℃）で熱処理する場合、熱処理炉内の温度はパーマロイＰＣ材の金属の再結晶を促す温度領域に達する。このため、パーマロイＰＣ材同士を積層し熱処理を行う場合、パーマロイＰＣ材同士が互いに付着してしまう。これを防止するため、熱処理炉内でアルミナ粉末をパーマロイＰＣ材同士の間に介在させた状態で熱処理を行っている。

しかしながら、この場合、パーマロイＰＣ材同士の間にアルミナ粉末を介在させる手間がかかるため、熱処理の前段取りを行う費用が高くなってしまう。また、熱処理が終了した後、アルミナ粉末を取り除くための洗浄作業が必要となる。さらに、熱処理炉内の温度を約１１００℃という高温にして熱処理するため、パーマロイＰＣ材が軟化して塑性変形しやすく、メタルシールド板の良品率が低下することにつながっている。

この場合、熱処理工程におけるパーマロイＰＣ材同士の付着を防止するため、熱処理温度を低下させることも考えられるが、このように熱処理温度を低下させると、高い透磁率と低い保磁力を得ることはむずかしい。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、メタルシールド板に要求される特性（高い透磁率および低い保磁力）を確保しつつ、効率良く、高い良品率でメタルシールド板を作製することが可能なメタルシールド板の製造方法およびメタルシールド板を提供することを目的とする。

本発明は、半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂とを含む半導体装置に用いられ、半導体チップを外部磁気から保護するメタルシールド板の製造方法において、パーマロイＰＣ材を準備する工程と、熱処理炉内でパーマロイＰＣ材を不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程と、パーマロイＰＣ材を加工して、複数のメタルシールド板を含む平板状の加工済みパーマロイＰＣ材を作製する工程と、加工済みパーマロイＰＣ材からメタルシールド板を分離する工程とを備えたことを特徴とするメタルシールド板の製造方法である。

本発明は、パーマロイＰＣ材を熱処理する工程は、パーマロイＰＣ材を１０００℃〜１３００℃まで加熱した後、このパーマロイＰＣ材を徐冷する焼鈍工程からなることを特徴とするメタルシールド板の製造方法である。

本発明は、帯状のパーマロイＰＣ材を巻取って第１巻取体を形成する工程を更に備え、第１巻取体から帯状のパーマロイＰＣ材を繰り出し、この帯状のパーマロイＰＣ材に対して熱処理炉内で熱処理することを特徴とするメタルシールド板の製造方法である。

本発明は、熱処理炉で熱処理された帯状のパーマロイＰＣ材を巻取って第２巻取体を形成する工程を更に備えたことを特徴とするメタルシールド板の製造方法である。

本発明は、平板状の加工済みパーマロイＰＣ材を洗浄する工程を更に備えたことを特徴とするメタルシールド板の製造方法である。

本発明は、上記記載のメタルシールド板の製造方法によって得られたメタルシールド板である。

以上のように本発明によれば、加工前のパーマロイＰＣ材を不活性ガス雰囲気中で熱処理した後、パーマロイＰＣ材を加工して、複数のメタルシールド板を含む平板上の加工済みパーマロイＰＣ材を作製するので、加工済みパーマロイＰＣ材を熱処理する場合のように、熱処理を行う際、加工済みパーマロイＰＣ材同士の間にアルミナ粉末を介在させる必要がない。また加工前のパーマロイＰＣ材を熱処理するため、加工済みパーマロイＰＣ材を熱処理する場合に比べて高温での熱処理が可能となる。このことにより、半導体装置用のメタルシールド板に要求される特性（高い透磁率および低い保磁力）を確保しつつ、効率良くメタルシールド板を作製することができる。

図１は、メタルシールド板を有する半導体装置（ＳＯＰ）を示す概略断面図。 図２は、メタルシールド板を有する半導体装置（ＢＧＡ）を示す概略断面図。 図３は、メタルシールド板を有する半導体装置（ＳＯＰ）を示す概略断面図。 図４は、メタルシールド板を有する半導体装置（ＢＧＡ）を示す概略断面図。 図５は、メタルシールド板を示す斜視図。 図６は、加工済みパーマロイＰＣ材を示す平面図。 図７（ａ）（ｂ）は、本発明の一実施の形態によるメタルシールド板の製造方法を示す図。 図８（ａ）〜（ｆ）は、熱処理済みのパーマロイＰＣ材を加工して複数のメタルシールド板を含む平板状の加工済みパーマロイＰＣ材を作製する工程を示す概略斜視図。 図９は、メタルシールド板の透磁率と外部磁力からの遮蔽効果との関係を説明するための図。 図１０は、本発明の実施例におけるメタルシールド板のヒステリシス曲線を示す図。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。図１乃至図１０は、本発明の一実施の形態を示す図である。

半導体装置の構成
まず、図１乃至図４により、メタルシールド板を有する半導体装置の概略について説明する。図１および図３は、それぞれ半導体装置がＳＯＰ（Small Outline Packageの略）からなる場合を示す図であり、図２および図４は、それぞれ半導体装置がＢＧＡ（Ball GridArray Packageの略）からなる場合を示す図である。

図１に示すＳＯＰからなる半導体装置５０は、ダイパッド５２と、ダイパッド５２に載置され、回路面５１Ａを有する半導体チップ５１と、半導体チップ５１の回路面５１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ５１は、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。

メタルシールド板４０は、後述するように、シールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ４２とを有している。

また半導体チップ５１の回路面５１Ａとリードフレーム５４とは、金製のボンディングワイヤ５５により電気的に接続されている。さらにダイパッド５２、半導体チップ５１、メタルシールド板４０、およびボンディングワイヤ５５は、封止樹脂５６により封止されている。

一方、図２に示すＢＧＡからなる半導体装置６０は、パッケージ基板６７と、パッケージ基板６７上に設けられたダイパッド６２と、ダイパッド６２に載置され、回路面６１Ａを有する半導体チップ６１と、半導体チップ６１の回路面６１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ６１は、上述した半導体チップ５１と同様、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。

メタルシールド板４０は、後述するように、シールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ４２とを有している。

またパッケージ基板６７上に端子部６４が設けられ、端子部６４にはんだボール６８が電気的に接続されている。このはんだボール６８は、パッケージ基板６７から外方に突出している。また端子部６４と半導体チップ６１の回路面６１Ａとは、金製のボンディングワイヤ６５により電気的に接続されている。さらにダイパッド６２、半導体チップ６１、メタルシールド板４０、端子部６４、およびボンディングワイヤ６５は、封止樹脂６６により封止されている。

図１において、メタルシールド板４０は半導体チップ５１、６１の回路面５１Ａ、６１Ａ側に設けられている。しかしながらこれに限らず、図３および図４に示すように、メタルシールド板４０に加え、半導体チップ５１、６１の回路面５１Ａ、６１Ａと反対側の面５１Ｂ、６１Ｂに追加のメタルシールド板４０Ａが設けられていても良い。

図３および図４に示す半導体装置５０、６０は、追加のメタルシールド板４０Ａを設けた点が異なるのみであり、他は図１および図２にそれぞれ示す半導体装置５０、６０と同一である。図３および図４において、図１および図２に示す実施の形態と同一部分は同一符号を付しておく。また図３および図４に示す追加のメタルシールド板４０Ａの構成は、上述したメタルシールド板４０の構成と同一である。

すなわち図３に示すように、ＳＯＰからなる半導体装置５０において、半導体チップ５１の回路面５１Ａと反対側の面５１Ｂに、追加のメタルシールド板４０Ａが設けられている。この場合、追加のメタルシールド板４０Ａは、半導体チップ５１とダイパッド５２との間に介在される。

一方、図４に示すように、ＢＧＡからなる半導体装置６０において、半導体チップ６１の回路面６１Ａと反対側の面６１Ｂに、追加のメタルシールド板４０Ａが設けられている。この場合、追加のメタルシールド板４０Ａは、半導体チップ６１とダイパッド６２との間に介在される。

メタルシールド板の構成
次に図５により、本発明によるメタルシールド板の製造方法により作製されるメタルシールド板の概略について説明する。

図５に示す半導体装置用のメタルシールド板４０は、上述したように半導体装置５０、６０に含まれるものである。

このような構成からなるメタルシールド板４０は、矩形状のシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ（具体的には連結部３０を切断した残り）４２とを備えている。

このうちバリ４２は、シールド板本体４１の一面４１ａ側に位置している。このバリ４２の厚さはシールド板本体４１の厚さより薄い。なおバリ４２は、後述する加工済みパーマロイＰＣ材１０の連結部３０の一部に相当する。

メタルシールド板４０は、パーマロイＰＣ材、すなわち７０％乃至８５％のニッケルを含むＦｅ−Ｎｉ合金にモリブデン、銅等の添加元素を含んだソフトマグネティック金属材料からなっている。

メタルシールド板４０の大きさは問わないが、その厚みは５０μｍ乃至２００μｍとすることが好ましく、１００μｍ乃至１５０μｍとすることが更に好ましい。メタルシールド板４０の厚みが５０μｍ未満となると、外部の磁気から半導体チップを十分に保護できないおそれがある。他方、メタルシールド板４０の厚みが２００μｍ超となると半導体装置５０、６０全体の厚さが厚くなるので好ましくない。

加工済みパーマロイＰＣ材（メタルシールド用シート）の構成
次に図６により、本発明によるメタルシールド板の製造方法において用いられる加工済みパーマロイＰＣ材（メタルシールド用シート）の概略について説明する。

図６に示すように、加工済みパーマロイＰＣ材１０は、複数の矩形状の開口２１を有する枠体２０と、枠体２０の開口２１内に配置され、枠体２０に連結部３０を介して連結された複数のメタルシールド板４０とを備えている。

このうち枠体２０は、複数の開口２１全体を取り囲む外枠部２２と、隣接する各開口２１間に形成され、互いに平行に配置された複数の細長いステー部２３とを有している。これら枠体２０の外枠部２２、ステー部２３、およびメタルシールド板４０は、互いに同一の厚さからなっている。

図６に示すように、連結部３０は、各メタルシールド板４０の側部にそれぞれ設けられている。すなわち各連結部３０は、メタルシールド板４０の側部と枠体２０のステー部２３（または外枠部２２）とを連結するものである。なお連結部３０は、ハーフエッチングによりメタルシールド板４０より薄く形成されていることが好ましい。

また、メタルシールド板４０は、加工済みパーマロイＰＣ材１０の連結部３０を切断して、枠体２０から分離することにより作製されたものである。なお、メタルシールド板４０の構成は図５を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。

加工済みパーマロイＰＣ材１０は、後述するように一枚の金属板（パーマロイＰＣ材７０）をエッチング加工することにより作製されたものである。すなわち加工済みパーマロイＰＣ材１０の枠体２０、連結部３０、およびメタルシールド板４０は互いに一体に形成されている。

この加工済みパーマロイＰＣ材１０は、上述したメタルシールド板４０と同様、パーマロイＰＣ材からなっている。また加工済みパーマロイＰＣ材１０の厚みについても、メタルシールド板４０と同様に、５０μｍ乃至２００μｍとすることが好ましく、１００μｍ乃至１５０μｍとすることが更に好ましい。

メタルシールド板の製造方法
次に、本発明によるメタルシールド板の製造方法について、図７（ａ）（ｂ）、図８（ａ）〜（ｆ）、および図９により説明する。

図７（ａ）に示すように、まず加工済みパーマロイＰＣ材１０を製造するための（未加工の）帯状のパーマロイＰＣ材７０を準備し、この帯状のパーマロイＰＣ材７０を巻取って第１巻取体７０Ａを作製する。

次に第１巻取体７０Ａから帯状のパーマロイＰＣ材７０を繰り出し、この帯状のパーマロイＰＣ材７０を熱処理炉９０内に導く。その後、帯状のパーマロイＰＣ材７０に対して熱処理炉９０内でバッチ方式で熱処理を施す。

このように帯状のパーマロイＰＣ材７０を熱処理することにより、帯状のパーマロイＰＣ材７０の磁気シールド効果を高めることができる。

熱処理炉９０内で熱処理が施された帯状のパーマロイＰＣ材７０はその後巻取られて第２巻取体７０Ｂを形成する。

この間、熱処理炉９０内では以下のような熱処理工程が実行される。すなわち熱処理炉９０は帯状のパーマロイＰＣ材７０を受け入れると、密閉され、熱処理炉９０内に水素ガス等の不活性ガスが充填される。次に、帯状のパーマロイＰＣ材７０が不活性ガス雰囲気中で熱処理される。

この間、まず熱処理炉９０内を所定の温度（１０００℃〜１３００℃）まで昇温し、この状態で、帯状のパーマロイＰＣ材７０を例えば２分間程度加熱する。

その後、帯状のパーマロイＰＣ材７０が常温となるまで熱処理炉９０内で徐冷することにより、帯状のパーマロイＰＣ材７０の金属の再結晶が促される（焼鈍工程）。このようにして、磁気シールド効果が高められた帯状のパーマロイＰＣ材７０を得ることができる。

なお、熱処理温度が６５０℃を下回ると、メタルシールド板４０の透磁率（μｉ）および保磁力（Ｈｃ）の特性が不十分となる。すなわち図９に示すように、一般にメタルシールド板４０の透磁率（比透磁率：μｉ）が高いほど、外部からの磁力がメタルシールド板４０に沿って透磁されやすくなるため、半導体チップ５１を外部磁力から遮蔽する効果が高まる。また、一般にメタルシールド板４０の保磁力（Ｈｃ）が低いほど、半導体チップ５１を外部磁力から遮蔽する効果が高まる。ここで、半導体装置５０、６０用のメタルシールド板４０に要求される透磁率（μｉ）は、６０００以上であり、保磁力（Ｈｃ）は、６．０Ａ／ｍ以下である。そして帯状のパーマロイＰＣ材７０の熱処理温度が１０００℃を下回った場合、これらの透磁率（μｉ）および保磁力（Ｈｃ）の要求値を満たさないおそれがある。

他方、熱処理温度が１３００℃を上回ると、パーマロイＰＣ材の金属の再結晶を促す温度領域に近づくため、帯状のパーマロイＰＣ材７０が軟化して変形するおそれがある。

このため、熱処理炉９０内における熱処理温度は、上述のように、１０００℃〜１３００℃と定めることができる。

なお、熱処理炉９０内では、加工前の帯状のパーマロイＰＣ材７０を熱処理するので、加工済みパーマロイＰＣ材１０を熱処理する場合に比べて加工済みパーマロイＰＣ材１０同士の付着を問題とする必要はなく、高温による熱処理が可能となる。

次に図７（ｂ）に示すように、第２巻取体７０Ｂから帯状のパーマロイＰＣ材７０が繰り出され、この帯状のパーマロイＰＣ材７０が加工し易い所定形状に打ち抜かれる。そして所定形状をもつパーマロイＰＣ材７０に対して加工が施されて、複数のメタルシールド板４０を含む平板状の加工済パーマロイＰＣ材１０がエッチングにより作製される。

すなわち、まず帯状のパーマロイＰＣ材７０が加工し易い所定形状に打抜かれ、この所定形状をもつパーマロイＰＣ材７０の一方の面全体にレジスト層７１を設けるととともに、他方の面全体にレジスト層７２を設ける（図８（ａ）（ｂ））。

次いで、レジスト層７１、７２に各々所定形状からなるパターンを形成する（図８（ｃ））。この場合、例えば図示しない露光用マスクを介してレジスト層７１、７２を露光し、硬化させ、次いでレジスト層７１、７２を現像し、その後レジスト層７１、７２の不要部分を除去することにより、各レジスト層７１、７２に所定のパターンを形成することができる。

次に、パーマロイＰＣ材７０の両面にエッチング加工を施し、パーマロイＰＣ材７０のうちレジスト層７１、７２が設けられていない部分を除去する（図８（ｄ））。パーマロイＰＣ材７０のうちこのようにして除去された部分は、主に加工済みパーマロイＰＣ材１０の枠体２０の開口２１に対応する。一方、パーマロイＰＣ材７０のうち除去されなかった部分は、加工済みパーマロイＰＣ材１０の枠体２０、連結部３０、およびメタルシールド板４０に対応する。またこの際、ハーフエッチングにより、連結部３０をメタルシールド板４０より薄く形成する。なお、このエッチング加工で用いられるエッチング液としては、塩化第２鉄水溶液、塩化第２銅水溶液、および銅アンモニウム錯イオンを含むアルカリ水溶液などが挙げられる。

その後、レジスト層７１、７２を除去することにより、上述した平板状の加工済みパーマロイＰＣ材１０が得られる（図８（ｅ））。この加工済みパーマロイＰＣ材１０には、枠体２０、連結部３０、およびメタルシールド板４０が含まれる。

次に、このようにして作製された加工済みパーマロイＰＣ材１０は洗浄ノズル９１を有する洗浄部９１Ａへ送られ、洗浄ノズル９１から噴出される洗浄液９２により洗浄される（図７（ｂ）、図８（ｆ）参照）。洗浄後の加工済みパーマロイＰＣ材１０は、その後半導体装置５０、６０の組立て工程に搬送される。

この半導体装置５０、６０の組立て工程において、加工済みパーマロイＰＣ材１０を固定し、ダイヤモンド砥石等からなるブレード８０によって連結部３０を切断する（図８（ｇ））。これによりメタルシールド板４０が枠体２０から分離される（ソーイング（sawing）工程）。このようにして、加工済みパーマロイＰＣ材１０から個々のメタルシールド板４０（図５参照）が分離されて得られる。

なお、メタルシールド板４０を枠体２０から分離する工程において、ブレード８０により連結部３０をステー部２３から各々切断しても良いが、ステー部２３より幅広のブレード８０を用いて、ステー部２３および連結部３０を一体として切断することが好ましい。

すなわちブレード８０をステー部２３の長手方向に沿って移動させることにより（図６の線分Ｌ参照）、ステー部２３と、このステー部２３の両側に位置する連結部３０、３０とを一度に連続して切断することがメタルシールド板４０を効率的に分離するうえで好ましい。

その後、半導体装置５０、６０の組立て工程において、このようにして製造されたメタルシールド板４０を用いて、上述した半導体装置５０、６０が製造される。

このように本実施の形態によれば、加工前の帯状のパーマロイＰＣ材７０を熱処理炉９０内で熱処理するので、加工済みパーマロイＰＣ材を熱処理する場合と比較して、熱処理を行う際、加工済みパーマロイＰＣ材同士の間にアルミナ粉末を介在させる必要がない。これにより、メタルシールド板４０に要求される特性（透磁率および保磁力）を確保しつつ、効率良くメタルシールド板４０を作製することができる。すなわち熱処理の前段取りを行う費用を削減することができるとともに、熱処理が終了した後、アルミナ粉末を取り除くための洗浄作業を行う必要がなくなる。また加工前の帯状のパーマロイＰＣ材７０を熱処理するため、加工済みパーマロイＰＣ材７０を熱処理する場合に比べて高温での熱処理が可能となる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。

まず、板厚ｔ＝０．１５０ｍｍの帯状のパーマロイＰＣ材７０を準備し、このパーマロイＰＣ材７０を熱処理炉（空気炉）９０内において、不活性ガス（水素ガス）雰囲気の下で１１００℃まで加熱した。

次に帯状のパーマロイＰＣ材７０を１１００℃で２分間保持した後除冷することにより、パーマロイＰＣ材７０を焼鈍した。次にこのパーマロイＰＣ材７０をエッチングにより加工した。具体的には、連結部３０がハーフエッチングにより薄く仕上がるように設計した原版を用いて製版し、その後エッチングにより複数のメタルシールド板４０を含む平板状の加工済みパーマロイＰＣ材１０を作製した。

次に、メタルシールド板４０に対して外部から磁界をかけていったときのヒステリシス曲線を作成した（図１０）。また、メタルシールド板４０の特性値として透磁率（μｉ）および保磁力（Ｈｃ）を測定した。この結果、透磁率（μｉ）が２１，５００となり、保磁力（Ｈｃ）が４．５（Ａ／ｍ）となった。これは、ＭＲＡＭ用のメタルシールド板４０の特性値として十分満足する値であった。

１０ 加工済みパーマロイＰＣ材
２０ 枠体
２１ 開口
２２ 外枠部
２３ ステー部
３０ 連結部
４０ メタルシールド板
４０Ａ 追加のメタルシールド板
４１ シールド板本体
４２ バリ
５０ 半導体装置（ＳＯＰ）
５１ 半導体チップ
５２ ダイパッド
５４ リードフレーム
５５ ボンディングワイヤ
５６ 封止樹脂
６０ 半導体装置（ＢＧＡ）
６１ 半導体チップ
６２ ダイパッド
６４ 端子部
６５ ボンディングワイヤ
６６ 封止樹脂
６７ パッケージ基板
６８ はんだボール
７０ パーマロイＰＣ材
９０ 熱処理炉
９１ 洗浄ノズル
９２ 洗浄液

Claims (6)

1. 半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂とを含む半導体装置に用いられ、半導体チップを外部磁気から保護するメタルシールド板の製造方法において、
   パーマロイＰＣ材を準備する工程と、
   熱処理炉内でパーマロイＰＣ材を不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程と、
   パーマロイＰＣ材を加工して、複数のメタルシールド板を含む平板状の加工済みパーマロイＰＣ材を作製する工程と、
   加工済みパーマロイＰＣ材からメタルシールド板を分離する工程とを備えたことを特徴とするメタルシールド板の製造方法。
2. パーマロイＰＣ材を熱処理する工程は、パーマロイＰＣ材を１０００℃〜１３００℃まで加熱した後、このパーマロイＰＣ材を徐冷する焼鈍工程からなることを特徴とする請求項１記載のメタルシールド板の製造方法。
3. 帯状のパーマロイＰＣ材を巻取って第１巻取体を形成する工程を更に備え、
   第１巻取体から帯状のパーマロイＰＣ材を繰り出し、この帯状のパーマロイＰＣ材に対して熱処理炉内で熱処理することを特徴とする請求項１記載のメタルシールド板の製造方法。
4. 熱処理炉で熱処理された帯状のパーマロイＰＣ材を巻取って第２巻取体を形成する工程を更に備えたことを特徴とする請求項３記載のメタルシールド板の製造方法。
5. 平板状の加工済みパーマロイＰＣ材を洗浄する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１記載のメタルシールド板の製造方法。
6. 請求項１記載のメタルシールド板の製造方法によって得られたメタルシールド板。

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