JPS59148343A - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とその製造方法Info
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- JPS59148343A JPS59148343A JP2306383A JP2306383A JPS59148343A JP S59148343 A JPS59148343 A JP S59148343A JP 2306383 A JP2306383 A JP 2306383A JP 2306383 A JP2306383 A JP 2306383A JP S59148343 A JPS59148343 A JP S59148343A
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- Japan
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- resin
- semiconductor device
- sealed
- mold
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関する
。
。
従来、樹脂封止型半導体装置は、量産性２作業性が良好
であるので広く採用されている。
であるので広く採用されている。
第１図は従、米の半導体装置の樹脂封止方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
リードフレーム１の所定の位置に半導体素子２を搭載し
、金属細線で所定のリードにワイヤボンドした組立済リ
ードフレームをトランスファーモールド金型６と７とで
クランプし、樹脂組成物８をトランスファーモールド金
型のポットｌ５６ａに投入し、プランジャー５を下降さ
せてランナ一部７ａ’を通し、組立済みリードフレーム
１が固定されている金型キャビティ部６ｂ、７ｂに移送
充填して封止する。その後、仕上げ加工を行なって半導
体装置とする。トランスファーモールドはポット部より
キャビティ部まで完全に樹脂組成物を充填させ、硬化さ
せたのち取除く。
、金属細線で所定のリードにワイヤボンドした組立済リ
ードフレームをトランスファーモールド金型６と７とで
クランプし、樹脂組成物８をトランスファーモールド金
型のポットｌ５６ａに投入し、プランジャー５を下降さ
せてランナ一部７ａ’を通し、組立済みリードフレーム
１が固定されている金型キャビティ部６ｂ、７ｂに移送
充填して封止する。その後、仕上げ加工を行なって半導
体装置とする。トランスファーモールドはポット部より
キャビティ部まで完全に樹脂組成物を充填させ、硬化さ
せたのち取除く。
第２図（ａ）、 （ｂ）は上記方法によって製造された
樹脂封止型牛導体装置の断面図及び側面図である。
樹脂封止型牛導体装置の断面図及び側面図である。
このような封止法において、半導体装置を直接構成する
樹脂４の重量はポット部から投入した仕込量の１０〜６
０チ程度であり、ポット部、ランナ一部に残された樹脂
は屑として廃棄される。このようにトランスファーモー
ルドの樹脂の使用効率は他の封止方法、例えばキャステ
ィング、ボッティング、ドロッピングに比らべて著しく
悪いが、量産性１作業性が良好であるので広く採用され
ている。近年１石油等の原料高に追随して樹脂組成物も
価格が高騰した事に伴ない、一部のものは半導体装ｔｉ
ｔ’を小型化して樹脂容積を減じているが、大部分のも
のは信頼度、装置実装上の制約から外形をほとんど変更
できず、半導体装置のコストダウンができないという欠
点があった。
樹脂４の重量はポット部から投入した仕込量の１０〜６
０チ程度であり、ポット部、ランナ一部に残された樹脂
は屑として廃棄される。このようにトランスファーモー
ルドの樹脂の使用効率は他の封止方法、例えばキャステ
ィング、ボッティング、ドロッピングに比らべて著しく
悪いが、量産性１作業性が良好であるので広く採用され
ている。近年１石油等の原料高に追随して樹脂組成物も
価格が高騰した事に伴ない、一部のものは半導体装ｔｉ
ｔ’を小型化して樹脂容積を減じているが、大部分のも
のは信頼度、装置実装上の制約から外形をほとんど変更
できず、半導体装置のコストダウンができないという欠
点があった。
本発明は上記欠点を除去し、コストダウンが可能な構造
を有し、品質的にも優れた樹脂封止型半導体装置とその
製造方法を提供するものである。
を有し、品質的にも優れた樹脂封止型半導体装置とその
製造方法を提供するものである。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子と外部引
出しリードの一部とを樹脂で封止した樹脂封止型半導体
装置において、前記樹脂が封止前に硬化した樹脂ブロッ
クを包含して封止硬化されていることを特徴とする。
出しリードの一部とを樹脂で封止した樹脂封止型半導体
装置において、前記樹脂が封止前に硬化した樹脂ブロッ
クを包含して封止硬化されていることを特徴とする。
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹脂封止
用のトランスファモールド金ＷΦヤビティ部に硬化済み
樹脂ブロックをｅ置した後、半導体チップを搭載したリ
ードフレーム全載置する工程と、ランナ一部全通して前
記キャビティ部に樹脂全移送充填させた後硬化させる工
程とを含んで構成される。
用のトランスファモールド金ＷΦヤビティ部に硬化済み
樹脂ブロックをｅ置した後、半導体チップを搭載したリ
ードフレーム全載置する工程と、ランナ一部全通して前
記キャビティ部に樹脂全移送充填させた後硬化させる工
程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第３図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例の断
面図である。
面図である。
樹脂封上前に既に硬化済みの樹脂ブロック９がリードフ
レーム１の下部に置かれ、この樹脂ブロック９ｔ−包合
して樹脂４で封止される。樹脂プロ、り９は、トランス
７アモールド後のランナ一部など金型内に残った樹脂硬
化物を利用する。このように、従来は廃棄されていた樹
脂を再利用することによ多新しく使用する樹脂量を減ら
すことができ、樹脂使用量の低減分だけコストダウンげ
ることができる。
レーム１の下部に置かれ、この樹脂ブロック９ｔ−包合
して樹脂４で封止される。樹脂プロ、り９は、トランス
７アモールド後のランナ一部など金型内に残った樹脂硬
化物を利用する。このように、従来は廃棄されていた樹
脂を再利用することによ多新しく使用する樹脂量を減ら
すことができ、樹脂使用量の低減分だけコストダウンげ
ることができる。
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
第４図ｆａ）〜（Ｃ）は本発明の樹脂封止型半導体装置
の製造方法の一実施例全説明するための工程順に示した
断面図である。
の製造方法の一実施例全説明するための工程順に示した
断面図である。
まず、第４図（ａ）ＶＣ示すように、トランスファーモ
ールドの金型６，７を１４０〜２００’Ｏの温度に調整
する。下部金型７のキャピテイ部７ｂの凹部に硬化済み
樹脂ブロック９をキャビティ部１個所あた９１個以上載
置する。
ールドの金型６，７を１４０〜２００’Ｏの温度に調整
する。下部金型７のキャピテイ部７ｂの凹部に硬化済み
樹脂ブロック９をキャビティ部１個所あた９１個以上載
置する。
次に、第４図（ｂ）に示すように、組立済みリードフレ
ーム１全下部金型７の所定の位置に固定し、上、下部金
型６，７を締める。樹脂組成物８を金型ポット部６ａに
投入し、樹脂組成物８を熱溶融させる。
ーム１全下部金型７の所定の位置に固定し、上、下部金
型６，７を締める。樹脂組成物８を金型ポット部６ａに
投入し、樹脂組成物８を熱溶融させる。
次に、第４図（Ｃ）に示すように、プランジャー５を下
降させて溶融させた樹脂組成物８を押し出し、うｙナ一
部７ａを通してキャビティ部６ｂ、７ｂに移送充填させ
る。プランジャー５を加圧したまま、３０〜１５０秒間
保持し、樹脂組成物８を熱硬化させる。その後樹脂硬化
済みリードフレームを金型から取り出し、後加工して半
導体装ｔｉ製作する。
降させて溶融させた樹脂組成物８を押し出し、うｙナ一
部７ａを通してキャビティ部６ｂ、７ｂに移送充填させ
る。プランジャー５を加圧したまま、３０〜１５０秒間
保持し、樹脂組成物８を熱硬化させる。その後樹脂硬化
済みリードフレームを金型から取り出し、後加工して半
導体装ｔｉ製作する。
硬化済み樹脂ブロック９はランナ一部７ａに残ある。ラ
ンナ一部７ａは金型からの離型を考慮して抜き勾配が設
けられているので、樹脂ブロック９の側面にはテーパが
ある。ランナ一部７ａは切断し易すくするためランナ一
部上下面又は一方に切欠部を設けた方がよい。
ンナ一部７ａは金型からの離型を考慮して抜き勾配が設
けられているので、樹脂ブロック９の側面にはテーパが
ある。ランナ一部７ａは切断し易すくするためランナ一
部上下面又は一方に切欠部を設けた方がよい。
以上のように、従来は全く用途がなかったランナ一部を
半導体装置の樹脂部に再使用する事により樹脂組成物の
使用効率を大幅に向上させる事ができた。１６ピンのＩ
Ｃでは従来使用効率ば５４チであったが、本発明による
実施例の使用効率は９０％になった。又、本発明による
半導体装置の品質は従来のものと全く遜色はなく良好で
あった。
半導体装置の樹脂部に再使用する事により樹脂組成物の
使用効率を大幅に向上させる事ができた。１６ピンのＩ
Ｃでは従来使用効率ば５４チであったが、本発明による
実施例の使用効率は９０％になった。又、本発明による
半導体装置の品質は従来のものと全く遜色はなく良好で
あった。
以上詳細［説明したように、本発明によれば、従来は廃
棄されていた樹脂金再利用し、資源の有効活用とコスト
ダウンとが計れ、しかも品質的には従来と遜色のない樹
脂封止型半導体装ｔ’を作ることができるのでその効果
は太きい。
棄されていた樹脂金再利用し、資源の有効活用とコスト
ダウンとが計れ、しかも品質的には従来と遜色のない樹
脂封止型半導体装ｔ’を作ることができるのでその効果
は太きい。
第１図は従来の半導体装置の樹脂封止方法を説明するた
めの断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は従来の樹脂封止
型半導体装置の一例の断面図及び側面図、第３図は本発
明の樹脂封止型半導体装置の一実施例の断面図、第４図
（ａ）〜（Ｃ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実
施例を説明するための工程順に示した断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・半導体
素子、３・・・・・・金属細線、４・・・・・・樹脂、
５・・・・・・プランジャー、６・・・・・・金型、６
ａ・・・・・・ポット部、６ｂ・・・・・・キャビティ
部、７・・・・・・金型％ ７ａ・・・・・・ランナ一
部、７ｂ・・・・・・キャビティ部、８・・・・・・樹
脂組成物、９・・・・・・硬イヒｎギ利叶り旨プロ ・
リ り− 第、Ｉ 図 （（Ｌ） （ｂ）牟２聞 ＃３図 （α） （ｂ） （Ｃ） 丞４ 凹
めの断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は従来の樹脂封止
型半導体装置の一例の断面図及び側面図、第３図は本発
明の樹脂封止型半導体装置の一実施例の断面図、第４図
（ａ）〜（Ｃ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実
施例を説明するための工程順に示した断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・半導体
素子、３・・・・・・金属細線、４・・・・・・樹脂、
５・・・・・・プランジャー、６・・・・・・金型、６
ａ・・・・・・ポット部、６ｂ・・・・・・キャビティ
部、７・・・・・・金型％ ７ａ・・・・・・ランナ一
部、７ｂ・・・・・・キャビティ部、８・・・・・・樹
脂組成物、９・・・・・・硬イヒｎギ利叶り旨プロ ・
リ り− 第、Ｉ 図 （（Ｌ） （ｂ）牟２聞 ＃３図 （α） （ｂ） （Ｃ） 丞４ 凹
Claims (1)
- （１） 半導体素子と外部引出しリードの一部とを樹
脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂
が封止前に硬化した樹脂ブロックを包含して封止硬化さ
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 偉）樹脂封止用のトランス７アモールド金型キヤビテイ
部に硬化済み樹脂ブロックを載置した後、半導体素子を
搭載したリードフレームｔｌ−載置する工程と、ランナ
一部を通して前記キャビティ部に樹脂を移送充填させた
後硬化させる工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2306383A JPS59148343A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2306383A JPS59148343A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148343A true JPS59148343A (ja) | 1984-08-25 |
Family
ID=12099957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2306383A Pending JPS59148343A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59148343A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0684641A3 (en) * | 1994-05-26 | 1996-11-06 | Nec Corp | Encapsulation of a semiconductor device having a high resistance to humidity. |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP2306383A patent/JPS59148343A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0684641A3 (en) * | 1994-05-26 | 1996-11-06 | Nec Corp | Encapsulation of a semiconductor device having a high resistance to humidity. |
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