JP2985832B2 - 半導体装置用樹脂封止装置及びその樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置用樹脂封止装置及びその樹脂封止方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用樹脂封
止装置及びその樹脂封止方法に関し、特にリードフレー
ムに半導体素子を搭載し樹脂封止する半導体装置の樹脂
封止装置及びその樹脂封止方法に関する。
止装置及びその樹脂封止方法に関し、特にリードフレー
ムに半導体素子を搭載し樹脂封止する半導体装置の樹脂
封止装置及びその樹脂封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、かかる半導体装置の樹脂封止装置
及び封止方法は、通常タブレット状の樹脂を用い、それ
を加熱し液体状にして金型装置に供給することにより、
樹脂モールドを行っている。
及び封止方法は、通常タブレット状の樹脂を用い、それ
を加熱し液体状にして金型装置に供給することにより、
樹脂モールドを行っている。
【０００３】図４はかかる従来の一例を示す半導体装置
用樹脂封止装置の主要部の断面図である。図４に示すよ
うに、半導体素子４を樹脂封止するにあたっては、まず
素子搭載部３上に半導体素子４を固着し、金線などの金
属細線５で電気的に接続されたリードフレーム２を上型
および下型からなる上下の金型１内に載置する。つい
で、上下の金型１を閉じ金型１のゲート部（図示省略）
を樹脂供給部としてのポット部７ａの先端に設けたラン
ナー部１０と連絡させる。また、このポット部７ａ内に
は、上下に移動するプランジャー６ａを備えており、こ
の上にエポキシ等のタブレット状樹脂１２が供給され
る。この樹脂１２は予め温度を上昇させた金型１からの
熱を受けて溶融し流動性が出てくると、プランジャー６
ａにより金型１内に押し込むことが可能になる。しかる
後、金型１内の温度を下げて樹脂１２を固化させると、
封止作業が完了する。
用樹脂封止装置の主要部の断面図である。図４に示すよ
うに、半導体素子４を樹脂封止するにあたっては、まず
素子搭載部３上に半導体素子４を固着し、金線などの金
属細線５で電気的に接続されたリードフレーム２を上型
および下型からなる上下の金型１内に載置する。つい
で、上下の金型１を閉じ金型１のゲート部（図示省略）
を樹脂供給部としてのポット部７ａの先端に設けたラン
ナー部１０と連絡させる。また、このポット部７ａ内に
は、上下に移動するプランジャー６ａを備えており、こ
の上にエポキシ等のタブレット状樹脂１２が供給され
る。この樹脂１２は予め温度を上昇させた金型１からの
熱を受けて溶融し流動性が出てくると、プランジャー６
ａにより金型１内に押し込むことが可能になる。しかる
後、金型１内の温度を下げて樹脂１２を固化させると、
封止作業が完了する。
【０００４】上述した樹脂１２は、熱を受けて溶融し、
固化する熱硬化性樹脂を使用するのが主流であるが、こ
の樹脂材は半導体装置の信頼性や性能を向上させるため
に、種々の添加物、例えばシリカフィラーなどの充填
剤，カーボンなどの着色剤，ワックスなどの離型剤等を
配合した複合材料を用いており、予め均一にまぜて練っ
た（混練）ものを半導体装置の大きさに応じて特定のサ
イズのタブレットと呼ばれる形状に打錠されている。
固化する熱硬化性樹脂を使用するのが主流であるが、こ
の樹脂材は半導体装置の信頼性や性能を向上させるため
に、種々の添加物、例えばシリカフィラーなどの充填
剤，カーボンなどの着色剤，ワックスなどの離型剤等を
配合した複合材料を用いており、予め均一にまぜて練っ
た（混練）ものを半導体装置の大きさに応じて特定のサ
イズのタブレットと呼ばれる形状に打錠されている。
【０００５】しかしながら、このタブレットは打錠され
る工程そのものの追加に伴う費用の上昇、あるいは半導
体装置の多様化に伴うタブレットの種類の増加等の問題
があるため、近年粉末状の樹脂を用いて封止する封止装
置あるいは封止方法が試みられている。
る工程そのものの追加に伴う費用の上昇、あるいは半導
体装置の多様化に伴うタブレットの種類の増加等の問題
があるため、近年粉末状の樹脂を用いて封止する封止装
置あるいは封止方法が試みられている。
【０００６】このようなタブレット樹脂の欠陥を改良す
るために、例えば、特開平７−１８６１８０号公報に記
載されたように、粉末樹脂などを樹脂練りバーの状態に
する樹脂練りバー成型機と、この成型機からの樹脂練り
バーの供給を受けてプランジャーなどで加圧するととも
に金型モールドを行う型締めプレス装置とを用い、所定
の形状のモールドを行うものが知られている。
るために、例えば、特開平７−１８６１８０号公報に記
載されたように、粉末樹脂などを樹脂練りバーの状態に
する樹脂練りバー成型機と、この成型機からの樹脂練り
バーの供給を受けてプランジャーなどで加圧するととも
に金型モールドを行う型締めプレス装置とを用い、所定
の形状のモールドを行うものが知られている。
【０００７】この例では、粉末状の樹脂を加熱，混練
し、所定サイズの練りバーと呼ばれるサイズに切断した
ものを樹脂封止装置としての型締めプレス装置に供給す
ることにより封止するものである。
し、所定サイズの練りバーと呼ばれるサイズに切断した
ものを樹脂封止装置としての型締めプレス装置に供給す
ることにより封止するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の樹脂封
止装置及びその樹脂封止方法は、粉末や顆粒状の樹脂を
用いたとき、粒子の間に空気があるため、タブレットを
用いたときと比較して、半導体装置にボイド（空気の
穴）、すなわち空気が抜け切れずに半導体装置の内部に
残ってしまう不良が発生し易くなるという問題がある。
また、かかる粒子間の空気が断熱材として働くため、ポ
ット部の内壁に近い所の樹脂が熱を多く受けて硬化が進
み、樹脂が均一に金型内に注入されず、ワイヤ流れや未
充填不良等が発生し易くなるという欠点がある。
止装置及びその樹脂封止方法は、粉末や顆粒状の樹脂を
用いたとき、粒子の間に空気があるため、タブレットを
用いたときと比較して、半導体装置にボイド（空気の
穴）、すなわち空気が抜け切れずに半導体装置の内部に
残ってしまう不良が発生し易くなるという問題がある。
また、かかる粒子間の空気が断熱材として働くため、ポ
ット部の内壁に近い所の樹脂が熱を多く受けて硬化が進
み、樹脂が均一に金型内に注入されず、ワイヤ流れや未
充填不良等が発生し易くなるという欠点がある。
【０００９】また、従来の樹脂封止装置及びその樹脂封
止方法は、粉末状の樹脂を加熱、混練し且つ特定のサイ
ズに切断する装置を樹脂封止装置と連結させて設けてい
るが、これでは装置が大型化するとともに、封入サイク
ルの短縮化には不利であるという欠点がある。
止方法は、粉末状の樹脂を加熱、混練し且つ特定のサイ
ズに切断する装置を樹脂封止装置と連結させて設けてい
るが、これでは装置が大型化するとともに、封入サイク
ルの短縮化には不利であるという欠点がある。
【００１０】本発明の第１の目的は、上述したボイドの
発生を防止し、ワイヤ流れや未充填不良等の封入工程に
関する不具合を解決するとともに、信頼性及び生産性を
向上させることのできる半導体装置用樹脂封止装置及び
その樹脂封止方法を提供することにある。
発生を防止し、ワイヤ流れや未充填不良等の封入工程に
関する不具合を解決するとともに、信頼性及び生産性を
向上させることのできる半導体装置用樹脂封止装置及び
その樹脂封止方法を提供することにある。
【００１１】また、本発明の第２の目的は、製造装置と
して小型化するとともに、封入サイクルの短縮化を図
り、生産性を向上させることのできる半導体装置用樹脂
封止装置及びその樹脂封止方法を提供することにある。
して小型化するとともに、封入サイクルの短縮化を図
り、生産性を向上させることのできる半導体装置用樹脂
封止装置及びその樹脂封止方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用樹
脂封止装置は、半導体素子を搭載したリードフレームを
載置する金型と、前記金型に連絡するランナー部を外部
に形成するとともに、供給された樹脂を前記ランナー部
を介して前記金型に供給するためのプランジャーを内部
に備えたポット部と、前記プランジャーに内接され且つ
前記プランジャーの軸方向に沿って前進及び後進を行う
ことのできるスクリューとを有し、前記プランジャーに
供給された前記樹脂を前記スクリューにより混ぜ、圧縮
して供給することにより、前記金型内で前記半導体素子
を封止するように構成される。
脂封止装置は、半導体素子を搭載したリードフレームを
載置する金型と、前記金型に連絡するランナー部を外部
に形成するとともに、供給された樹脂を前記ランナー部
を介して前記金型に供給するためのプランジャーを内部
に備えたポット部と、前記プランジャーに内接され且つ
前記プランジャーの軸方向に沿って前進及び後進を行う
ことのできるスクリューとを有し、前記プランジャーに
供給された前記樹脂を前記スクリューにより混ぜ、圧縮
して供給することにより、前記金型内で前記半導体素子
を封止するように構成される。
【００１３】この半導体装置用樹脂封止装置における樹
脂は、粉末あるいは顆粒状の樹脂を用い、前記スクリュ
ーにより混練及び圧密を行うように形成される。
脂は、粉末あるいは顆粒状の樹脂を用い、前記スクリュ
ーにより混練及び圧密を行うように形成される。
【００１４】また、本発明の半導体装置用樹脂封止方法
は、半導体素子を搭載したリードフレームを金型内に載
置する工程と、前記金型への溶融樹脂の供給通路となる
ポット部のランナー部を前記金型と連絡する工程と、前
記ポット部のプランジャー内に粉末もしくは顆粒状樹脂
を供給する工程と、前記金型を昇温させた熱により前記
プランジャー内の前記粉末もしくは顆粒状樹脂を溶融さ
せるとともに、前記プランジャー内に配置したスクリュ
ーにより前記粉末もしくは顆粒状樹脂を混ぜて練り且つ
圧縮して密度を高める工程と、前記プランジャーを上昇
させて前記溶融した樹脂を前記ランナー部より前記金型
内に注入する工程と、しかる後前記金型に供給した樹脂
を硬化させる工程とを含んで構成される。
は、半導体素子を搭載したリードフレームを金型内に載
置する工程と、前記金型への溶融樹脂の供給通路となる
ポット部のランナー部を前記金型と連絡する工程と、前
記ポット部のプランジャー内に粉末もしくは顆粒状樹脂
を供給する工程と、前記金型を昇温させた熱により前記
プランジャー内の前記粉末もしくは顆粒状樹脂を溶融さ
せるとともに、前記プランジャー内に配置したスクリュ
ーにより前記粉末もしくは顆粒状樹脂を混ぜて練り且つ
圧縮して密度を高める工程と、前記プランジャーを上昇
させて前記溶融した樹脂を前記ランナー部より前記金型
内に注入する工程と、しかる後前記金型に供給した樹脂
を硬化させる工程とを含んで構成される。
【００１５】この樹脂封止方法において前記金型を昇温
させる温度は、前記半導体素子に悪影響を及ぼさず且つ
前記粉末もしくは顆粒状樹脂を溶融させる１６５度乃至
１８５度に設定される。
させる温度は、前記半導体素子に悪影響を及ぼさず且つ
前記粉末もしくは顆粒状樹脂を溶融させる１６５度乃至
１８５度に設定される。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態ついて
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１７】図１は本発明の半導体装置用樹脂封止装置
の一実施の形態を説明するための装置断面図である。図
１に示すように、本実施の形態における半導体装置用樹
脂封止装置は、素子搭載部（アイランド）３に半導体素
子４を搭載したリードフレーム２を載置する上下の金型
１と、この金型１のゲート部（図示省略）に連絡するラ
ンナー部１０を外部に形成するとともに、供給された顆
粒状樹脂９を溶融して圧縮したのちランナー部１０を介
して金型１に供給するためのプランジャー６を内部に備
えたポット部７と、プランジャー６に内接し、しかもこ
のプランジャーの軸方向に沿って前進及び後進を行うこ
とのできるスクリュー８とを有する。このスクリュー８
は、プランジャー６に供給された樹脂９を混ぜて練る
（混練）と同時に、圧縮して樹脂密度を高める（圧密）
ものであり、温度に対しても樹脂を均一化している。
の一実施の形態を説明するための装置断面図である。図
１に示すように、本実施の形態における半導体装置用樹
脂封止装置は、素子搭載部（アイランド）３に半導体素
子４を搭載したリードフレーム２を載置する上下の金型
１と、この金型１のゲート部（図示省略）に連絡するラ
ンナー部１０を外部に形成するとともに、供給された顆
粒状樹脂９を溶融して圧縮したのちランナー部１０を介
して金型１に供給するためのプランジャー６を内部に備
えたポット部７と、プランジャー６に内接し、しかもこ
のプランジャーの軸方向に沿って前進及び後進を行うこ
とのできるスクリュー８とを有する。このスクリュー８
は、プランジャー６に供給された樹脂９を混ぜて練る
（混練）と同時に、圧縮して樹脂密度を高める（圧密）
ものであり、温度に対しても樹脂を均一化している。
【００１８】かかる半導体装置用樹脂封止装置は、顆粒
状樹脂９を用いたとき、圧密させて粒子の間の空気を無
くし、しかも混練により樹脂の流動性や硬化性均一にし
ている。すなわち、樹脂９をランナー部１０を介して金
型１に注入するプランジャー６に、前進及び後進可能な
スクリュー８を設けたものである。
状樹脂９を用いたとき、圧密させて粒子の間の空気を無
くし、しかも混練により樹脂の流動性や硬化性均一にし
ている。すなわち、樹脂９をランナー部１０を介して金
型１に注入するプランジャー６に、前進及び後進可能な
スクリュー８を設けたものである。
【００１９】以下、上述した封止装置の主要構成部分の
実施例を具体的に説明する。まず、本実施例は、金属で
形成される上下の金型１と、図示してないが、エポキシ
樹脂などの顆粒状樹脂９を通常上部より供給するポット
部７と、樹脂９を金型１に押し込むために、油圧機構で
上昇させるプランジャー５と、このプランジャー５に内
接された前進及び後進可能なスクリュー８とで構成す
る。この上下の金型１の材質としては、ステンレスなど
の超硬金属が適しており、しかもその表面部は硬質のク
ロムめっきで加工する。
実施例を具体的に説明する。まず、本実施例は、金属で
形成される上下の金型１と、図示してないが、エポキシ
樹脂などの顆粒状樹脂９を通常上部より供給するポット
部７と、樹脂９を金型１に押し込むために、油圧機構で
上昇させるプランジャー５と、このプランジャー５に内
接された前進及び後進可能なスクリュー８とで構成す
る。この上下の金型１の材質としては、ステンレスなど
の超硬金属が適しており、しかもその表面部は硬質のク
ロムめっきで加工する。
【００２０】実際の封止においては、素子搭載部３に半
導体素子４を接着剤で固定した後、金線などの金属線５
で電気的に接続したリードフレーム２を下金型の所定の
位置に載置し、上下の金型１を閉じる。この金型１は予
め昇温されており、半導体素子４に悪影響を与えずに樹
脂９を溶融しうる範囲に設定する。すなわち、この実施
の形態においては、金型昇温範囲を１６５度から１８５
度に設定している。これは、１６５度よりも低い温度に
おいては、樹脂そのものが溶融しにくくなり、粘度が高
くなるために、ワイヤー切れ等の封入上の不具合が発生
し、また逆に１８５度よりも高い温度に設定すると、樹
脂の溶融は進むが、硬化（固化）も進むために、同じく
ワイヤー切れ等の封入上の不具合が発生するからであ
る。
導体素子４を接着剤で固定した後、金線などの金属線５
で電気的に接続したリードフレーム２を下金型の所定の
位置に載置し、上下の金型１を閉じる。この金型１は予
め昇温されており、半導体素子４に悪影響を与えずに樹
脂９を溶融しうる範囲に設定する。すなわち、この実施
の形態においては、金型昇温範囲を１６５度から１８５
度に設定している。これは、１６５度よりも低い温度に
おいては、樹脂そのものが溶融しにくくなり、粘度が高
くなるために、ワイヤー切れ等の封入上の不具合が発生
し、また逆に１８５度よりも高い温度に設定すると、樹
脂の溶融は進むが、硬化（固化）も進むために、同じく
ワイヤー切れ等の封入上の不具合が発生するからであ
る。
【００２１】ついで、エポキシなどの樹脂９をポット部
７のプランジャー６に供給すると、金型１の熱を受けて
樹脂９が溶融を始め、スクリュー８による混練、圧密が
行われる。十分に、混練、圧密が行われると、プランジ
ャー６を油圧機構等で上昇させ、溶融した樹脂９を金型
１内に供給する。
７のプランジャー６に供給すると、金型１の熱を受けて
樹脂９が溶融を始め、スクリュー８による混練、圧密が
行われる。十分に、混練、圧密が行われると、プランジ
ャー６を油圧機構等で上昇させ、溶融した樹脂９を金型
１内に供給する。
【００２２】かかる樹脂９の注入が完了すると、暫くそ
の状態を保持し樹脂９を硬化させる。さらに、樹脂９が
完全に硬化してから金型１を開き、成形品としてのパッ
ケージ状に樹脂モールドされた半導体装置を取り出す。
の状態を保持し樹脂９を硬化させる。さらに、樹脂９が
完全に硬化してから金型１を開き、成形品としてのパッ
ケージ状に樹脂モールドされた半導体装置を取り出す。
【００２３】なお、樹脂９の注入時間や型保持時間は、
樹脂９の種類によってその流動特性や硬化特性が異なる
が、封入サイクルを短縮して生産能力を上げるために
も、そろぞれを短かくした方が良い。
樹脂９の種類によってその流動特性や硬化特性が異なる
が、封入サイクルを短縮して生産能力を上げるために
も、そろぞれを短かくした方が良い。
【００２４】図２（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の半
導体装置用樹脂封止方法の一実施の形態を説明するため
の工程順に示した装置断面図である。まず、本実施の形
態の半導体装置用樹脂封止方法は、前述したように、半
導体素子４を搭載したリードフレーム２を金型１内に載
置する工程と、金型１への溶融樹脂９の供給通路となる
ポット部７のランナー部１０を金型１と連絡する工程と
を経た後、図２（ａ）に示すように、ポット部７のプラ
ンジャー６内に顆粒状樹脂９を供給する工程を実施す
る。その際、プランジャー６のスクリュー８を予め後進
させておき、それによってプランジャー６内に形成され
る凹部に顆粒状樹脂９を落下させる。
導体装置用樹脂封止方法の一実施の形態を説明するため
の工程順に示した装置断面図である。まず、本実施の形
態の半導体装置用樹脂封止方法は、前述したように、半
導体素子４を搭載したリードフレーム２を金型１内に載
置する工程と、金型１への溶融樹脂９の供給通路となる
ポット部７のランナー部１０を金型１と連絡する工程と
を経た後、図２（ａ）に示すように、ポット部７のプラ
ンジャー６内に顆粒状樹脂９を供給する工程を実施す
る。その際、プランジャー６のスクリュー８を予め後進
させておき、それによってプランジャー６内に形成され
る凹部に顆粒状樹脂９を落下させる。
【００２５】ついで、図２（ｂ）に示すように、金型１
を昇温させた熱によりプランジャー６内の顆粒状樹脂９
を溶融させ溶融樹脂９Ａとするとともに、再びスクリュ
ー８を後進させて溶融樹脂９Ａをスクリュー８に巻き込
ませる。
を昇温させた熱によりプランジャー６内の顆粒状樹脂９
を溶融させ溶融樹脂９Ａとするとともに、再びスクリュ
ー８を後進させて溶融樹脂９Ａをスクリュー８に巻き込
ませる。
【００２６】しかる後、図２（ｃ）に示すように、プラ
ンジャー６内に配置したスクリュー６を前進させて溶融
した樹脂９Ａを混ぜて練り、圧縮して密度を高める工程
と、プランジャー６を上昇（矢印方向）させて溶融した
樹脂９Ａをランナー部１０より金型１内に注入する工程
とを実施する。
ンジャー６内に配置したスクリュー６を前進させて溶融
した樹脂９Ａを混ぜて練り、圧縮して密度を高める工程
と、プランジャー６を上昇（矢印方向）させて溶融した
樹脂９Ａをランナー部１０より金型１内に注入する工程
とを実施する。
【００２７】上述した顆粒状樹脂９としては、一旦混練
したものをある特定のサイズもしくはある分布を持たせ
たサイズにふるい分けして製造してもよく、ここでは２
ｍｍ程度の大きさに顆粒化したものを使用している。
したものをある特定のサイズもしくはある分布を持たせ
たサイズにふるい分けして製造してもよく、ここでは２
ｍｍ程度の大きさに顆粒化したものを使用している。
【００２８】最後に、金型１に供給した樹脂９Ａを硬化
させる工程を経て半導体装置が形成される。
させる工程を経て半導体装置が形成される。
【００２９】このような工程を含んだ封止方法とするこ
とにより、溶融樹脂９Ａを圧密して粒子の間の空気を無
くしてから金型１内に注入できるため、ボイドの発生率
を低減することができる。
とにより、溶融樹脂９Ａを圧密して粒子の間の空気を無
くしてから金型１内に注入できるため、ボイドの発生率
を低減することができる。
【００３０】実際に、従来の樹脂封止装置を使用したと
き、１４ｍｍ角の８０ピン薄型表面実装パッケージ〔Ｌ
ＱＦＰ〕（１．４ｍｍ厚）においては、５／１０００個
（０．５％）のボイド不良が発生していたが、本実施例
では１／１００００個（０．０１％）程度のボイド発生
率に低減することができる。なお、このボイドに関して
は、閉じた上下の金型１の内部を真空状態に近ずけれ
ば、一層改善することができる。
き、１４ｍｍ角の８０ピン薄型表面実装パッケージ〔Ｌ
ＱＦＰ〕（１．４ｍｍ厚）においては、５／１０００個
（０．５％）のボイド不良が発生していたが、本実施例
では１／１００００個（０．０１％）程度のボイド発生
率に低減することができる。なお、このボイドに関して
は、閉じた上下の金型１の内部を真空状態に近ずけれ
ば、一層改善することができる。
【００３１】また、かかる封止方法によれば、顆粒状樹
脂９を混練することにより、樹脂９Ａの流動性や硬化性
を均一にできるため、金属線５の変形量や未充填などの
不良の発生率を低減することができる。例えば、従来の
半導体装置（パッケージ）においては、金属線５のワイ
ヤー長に対して１０％程度の変形率であったが、本実施
においては、約２％程度に低減することができる。さら
に、未充填不良も従来の０．１％から０．０３％程度に
改善することができる。
脂９を混練することにより、樹脂９Ａの流動性や硬化性
を均一にできるため、金属線５の変形量や未充填などの
不良の発生率を低減することができる。例えば、従来の
半導体装置（パッケージ）においては、金属線５のワイ
ヤー長に対して１０％程度の変形率であったが、本実施
においては、約２％程度に低減することができる。さら
に、未充填不良も従来の０．１％から０．０３％程度に
改善することができる。
【００３２】要するに、本実施の形態においては、プラ
ンジャー６に内接するスクリュー８を後進させてから、
ポット部７内に樹脂９を供給し、金型１の昇温によりこ
の樹脂９を溶融させるとともに、スクリュー８を前進さ
せて樹脂９の圧密および混練を行う。これにより、粒子
の間の空気を無くし、樹脂９の流動性や硬化性を均一に
できる。このため、ボイドの発生やワイヤ５の流れある
いは未充填不良といった封入工程に関する不具合を解消
することができる。
ンジャー６に内接するスクリュー８を後進させてから、
ポット部７内に樹脂９を供給し、金型１の昇温によりこ
の樹脂９を溶融させるとともに、スクリュー８を前進さ
せて樹脂９の圧密および混練を行う。これにより、粒子
の間の空気を無くし、樹脂９の流動性や硬化性を均一に
できる。このため、ボイドの発生やワイヤ５の流れある
いは未充填不良といった封入工程に関する不具合を解消
することができる。
【００３３】図３は本発明の半導体装置用樹脂封止装置
及び樹脂封止方法の他の実施の形態を説明するための装
置主要部の断面図である。図３に示すように、本実施の
形態は、前述した図１の封止装置の構造および各工程と
同様であり、異なるのは樹脂材料にある。すなわち、本
実施の形態では、樹脂の原材料を配合し、均一に分散し
た粉末状樹脂１１を使用するものである。
及び樹脂封止方法の他の実施の形態を説明するための装
置主要部の断面図である。図３に示すように、本実施の
形態は、前述した図１の封止装置の構造および各工程と
同様であり、異なるのは樹脂材料にある。すなわち、本
実施の形態では、樹脂の原材料を配合し、均一に分散し
た粉末状樹脂１１を使用するものである。
【００３４】一般に、樹脂は構成材料となる複数の原材
料を所定の比率で配合し均一に分散させた後、完全に硬
化が進まない程度の温度に予備加熱して混練を行う。そ
の後、その混練物を冷却してから粉砕し、粉砕した粉末
をタブレット用金型に供給したのち、上下から圧力を加
えてタブレットに打錠している。この混練の温度は樹脂
の種類により異なるが、通常は８０〜１００度であり、
タブレットに打錠する際は、常温で行っている。
料を所定の比率で配合し均一に分散させた後、完全に硬
化が進まない程度の温度に予備加熱して混練を行う。そ
の後、その混練物を冷却してから粉砕し、粉砕した粉末
をタブレット用金型に供給したのち、上下から圧力を加
えてタブレットに打錠している。この混練の温度は樹脂
の種類により異なるが、通常は８０〜１００度であり、
タブレットに打錠する際は、常温で行っている。
【００３５】一方、本実施の形態では、混練がされてい
ない樹脂を用い、前述したとおり、混練はスクリュー８
を用いて封止装置の内部で行う。特に、本実施の形態で
は、プランジャー６の温度を混練温度である８０〜１０
０度に制御し、スクリュー８の前進、後進により粉末状
樹脂１１を混練している。
ない樹脂を用い、前述したとおり、混練はスクリュー８
を用いて封止装置の内部で行う。特に、本実施の形態で
は、プランジャー６の温度を混練温度である８０〜１０
０度に制御し、スクリュー８の前進、後進により粉末状
樹脂１１を混練している。
【００３６】このようにすることにより、粉末状樹脂１
１の製造コストを下げ、半導体装置自体を安価に製造す
ることができる。例えば、汎用の低応力樹脂を用いたと
き、樹脂の製造コストは、従来のタブレット、粉末ある
いは顆粒状の樹脂を用いたときと比較して、ほぼ２／３
〜３／４倍にすることができる。また、従来は樹脂の流
動性低下（特に、スパイラルフロー特性の劣化）を防止
するために、樹脂の常温放置時間を規定して管理しなけ
ればならなかったが、本実施の形態では一切不要とする
ことができる。
１の製造コストを下げ、半導体装置自体を安価に製造す
ることができる。例えば、汎用の低応力樹脂を用いたと
き、樹脂の製造コストは、従来のタブレット、粉末ある
いは顆粒状の樹脂を用いたときと比較して、ほぼ２／３
〜３／４倍にすることができる。また、従来は樹脂の流
動性低下（特に、スパイラルフロー特性の劣化）を防止
するために、樹脂の常温放置時間を規定して管理しなけ
ればならなかったが、本実施の形態では一切不要とする
ことができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置用樹脂封止装置及びその樹脂封止方法は、プランジャ
ーの内部に設けたスクリューにより樹脂を混練および圧
密することにより、樹脂を均一化できるので、粉末や顆
粒状の樹脂を用いたときでも、封入サイクルを延ばさず
に、ボイドの発生あるいはワイヤー流れや未充填などの
封止不良を低減できるという効果がある。
置用樹脂封止装置及びその樹脂封止方法は、プランジャ
ーの内部に設けたスクリューにより樹脂を混練および圧
密することにより、樹脂を均一化できるので、粉末や顆
粒状の樹脂を用いたときでも、封入サイクルを延ばさず
に、ボイドの発生あるいはワイヤー流れや未充填などの
封止不良を低減できるという効果がある。
【００３８】また、本発明は、ポット部及びプランジャ
ーの改良だけで封止装置を作成できるので、封止装置を
小型化でき、低価格化を実現できるという効果がある。
ーの改良だけで封止装置を作成できるので、封止装置を
小型化でき、低価格化を実現できるという効果がある。
【００３９】さらに、本発明は、予備加熱をして樹脂を
混練できるため、原材料を配合し且つ均一に分散した樹
脂粉末での供給が可能になり、樹脂の製造コストをも下
げられるという果がある。
混練できるため、原材料を配合し且つ均一に分散した樹
脂粉末での供給が可能になり、樹脂の製造コストをも下
げられるという果がある。
【図１】本発明の半導体装置用樹脂封止装置の一実施の
形態を説明するための装置主要部の断面図である。
形態を説明するための装置主要部の断面図である。
【図２】本発明の半導体装置用樹脂封止方法の一実施の
形態を説明するための工程順に示した封止装置主要部の
断面図である。
形態を説明するための工程順に示した封止装置主要部の
断面図である。
【図３】本発明の半導体装置用樹脂封止装置及び樹脂封
止方法の他の実施の形態を説明するための装置主要部の
断面図である。
止方法の他の実施の形態を説明するための装置主要部の
断面図である。
【図４】従来の一例を説明するための半導体装置用封止
装置主要部の断面図である。
装置主要部の断面図である。
１ 上下金型 ２ リードフレーム ３ 素子搭載部 ４ 半導体素子 ５ 金属線 ６ プランジャー ７ ポット部 ８ スクリュー ９ 顆粒状樹脂 ９Ａ，９Ｂ 溶融樹脂 １０ ランナー部 １１ 粉末状樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載したリードフレームを
載置する金型と、前記金型に連絡するランナー部を外部
に形成するとともに、供給された樹脂を前記ランナー部
を介して前記金型に供給するためのプランジャーを内部
に備えたポット部と、前記プランジャーに内接され且つ
前記プランジャーの軸方向に沿って前進及び後進を行う
ことのできるスクリューとを有し、前記プランジャーに
供給された前記樹脂を前記スクリューにより混ぜ、圧縮
して供給することにより、前記金型内で前記半導体素子
を封止することを特徴とする半導体装置用樹脂封止装
置。 - 【請求項２】 前記樹脂は、粉末あるいは顆粒状の樹脂
を用い、前記スクリューにより混練及び圧密を行う請求
項１記載の半導体装置用樹脂封止装置。 - 【請求項３】 半導体素子を搭載したリードフレームを
金型内に載置する工程と、前記金型への溶融樹脂の供給
通路となるポット部のランナー部を前記金型と連絡する
工程と、前記ポット部のプランジャー内に粉末もしくは
顆粒状樹脂を供給する工程と、前記金型を昇温させた熱
により前記プランジャー内の前記粉末もしくは顆粒状樹
脂を溶融させるとともに、前記プランジャー内に配置し
たスクリューにより前記粉末もしくは顆粒状樹脂を混ぜ
て練り且つ圧縮して密度を高める工程と、前記プランジ
ャーを上昇させて前記溶融した樹脂を前記ランナー部よ
り前記金型内に注入する工程と、しかる後前記金型に供
給した樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする
半導体装置用樹脂封止方法。 - 【請求項４】 前記金型を昇温させる温度は、前記半導
体素子に悪影響を及ぼさず且つ前記粉末もしくは顆粒状
樹脂を溶融させる１６５度乃至１８５度に設定した請求
項３記載の半導体装置用樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13999197A JP2985832B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体装置用樹脂封止装置及びその樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13999197A JP2985832B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体装置用樹脂封止装置及びその樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10329182A JPH10329182A (ja) | 1998-12-15 |
| JP2985832B2 true JP2985832B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=15258400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13999197A Expired - Lifetime JP2985832B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体装置用樹脂封止装置及びその樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985832B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011212841A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-10-27 | Panasonic Corp | 成形機、その成形機を用いたモールドモータの製造方法及びその製造方法によるモールドモータ |
-
1997
- 1997-05-29 JP JP13999197A patent/JP2985832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10329182A (ja) | 1998-12-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990831 |