JP3594489B2 - 樹脂封止型電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止型電子部品の製造方法に関し、特に樹脂封止において成形欠陥のない良好な成形品が得られ、かつその成形品が優れた信頼性を有する樹脂封止型電子部品の製造方法に係るものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の樹脂封止型電子部品は、半導体素子もしくは電子部品を損傷させないために、低圧トランスファ成形法で封止されてきた。図2はトランスファー金型の掘り込み面をみた平面図である。低圧トランスファ成形法では、図2に示すように、予備加熱された封止樹脂のタブレットを高温のトランスファー金型のシリンダ21内に投入し、溶融した封止樹脂に対してトランスファ成形機の油圧ラム先端に連なるプランジャ(図示せず)で圧力を加えて、封止樹脂をシリンダ21に続く成形金型内のランナ22、ゲート23を経てキャビティ24に導き、半導体素子もしくは電子部品を搭載したフレームもしくは基板を配置固定したキャビティ24内を充填することにより、半導体素子もしくは電子部品を樹脂封止する方法である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、最近はパッケージデザインの多様化により、(1 )リードフレームの上下の樹脂厚が大きく異なる、(2 )基板の上下の樹脂厚が異なる、(3 )基板上の部品配置が異なる、(4 )基板の片側しか樹脂封止しない(例:BGAパッケージ)など、成形しずらいパッケージが増加している。
【0004】
具体的には、リードフレームや基板の上下の樹脂厚がアンバランスな場合、リードフレーム・基板の上下で封止樹脂の注入速度が異なり、未充填、ウェルド、ボイド等の不具合が生じる。図3(a )は、リードフレームの上下の樹脂厚がアンバランスな場合を説明する概念図である。31は半導体チップ32を搭載したリードフレームであり、リードフレーム31は上下型によりキャビティ33内に固定され、ランナー34、ゲート35から樹脂がリードフレーム上下のキャビティ内に分配導入される。リードフレーム21上部のキャビティの厚さが下部のキャビティの厚さのかりに1.5 倍となっていると、それぞれの抵抗を受けた上下の樹脂流れの先端は曲線r1 ,r2 で示され、その結果リードフレーム31はf1 ,f2 のような応力を受ける。また、ゲートからリードフレームの上下に分配されて導入されたそれぞれの樹脂流れは、樹脂流れがリードフレームに平行に流れるために上下の再分配がおこりにくい。したがって、半導体チップ32がリードフレーム上面にのみ配置されていると、図3(b )に示すように、チップ32やボンディングワイヤ36に当たる樹脂流れuは、リードフレーム31が一点鎖線で示される変形を起こすように応力をあたえることになる。これら未充填、ウェルド、ボイド等の不具合が生じた半導体装置ならびに電子部品装置はその信頼性を低下させるのである。
【0005】
この問題を解決するために、減圧トランスファー成形法等が検討されている。しかし、減圧トランスファー成形法によって、不具合として挙げたうちのボイドは低減するが、上下流路のアンバランスに起因する未充填ならびにウェルドの低減には効果が少ない。本発明は、上記多くの問題点を解決するためになされたものである。
【0006】
本発明の目的は樹脂封止型電子部品を信頼性高く封止できる成形法を開発することである。すなわち、樹脂封止型電子部品の信頼性は、成形品の欠陥の影響を受ける。従来の成形法では、金型内への樹脂供給量が不揃いで成形不良を防止することが困難であった。本発明は、特に上下の樹脂厚が異なる場合にも高い信頼性を得ることを目的とするのである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の目的について鋭意検討を進めた結果、基板もしくはリードフレームで分割された上下の樹脂封止部の樹脂量を簡単にコントロールできるように成形方法として圧縮成形法を採用し、上下樹脂量がさらに容易に分配されるように粒状のエポキシ封止樹脂を採用し、加えて粒状樹脂間のエアを脱気するために減圧成形を採用して、半導体素子もしくは電子部品を樹脂封止することにより、成形性上の不具合がなく、また電子デバイスとして高い信頼性を有する樹脂封止型電子部品を製造できることを見いだして、本発明を完成した。
【0008】
即ち、本発明は、半導体素子もしくは電子部品を樹脂封止した樹脂封止型電子部品を製造するにあたり、半導体素子もしくは電子部品を金型内に配置した後、粉砕して1mm以下の微粒をカットした粗粉状のエポキシ樹脂成形材料、または微細粉を固めた顆粒状のエポキシ樹脂成形材料を封止樹脂とし、金型内を減圧下にしつつ、圧縮成形をして樹脂封止することを特徴とする樹脂封止型電子部品の製造方法であり、その樹脂封止する半導体素子もしくは電子部品が基板もしくはフレームに搭載されており、圧縮成形金型内で基板もしくはフレームの上下に成形される封止樹脂の重量比が、上下いずれか一方を1としたとき他方が1.5以上である樹脂封止型電子部品の製造方法である。また、半導体素子もしくは電子部品をエポキシ樹脂成形材料で圧縮成形する際に、成形温度を160℃以下に制御する上記の樹脂封止型電子部品の製造方法である。
【0009】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0010】
本発明に用いるエポキシ封止樹脂は、適当な大きさの粒状のエポキシ樹脂で、粉砕して微細粉をカットした粗粉、または微細粉を固めた顆粒を用い、好ましくは球状に近い形の粒状のものが好ましい。それは、後述する減圧成形時のエア抜きを容易に行え、かつ上下樹脂量を簡便に切り替えられるようにするためである。
【0011】
本発明における成形方法は、圧縮成形法であり、かつ減圧成形法である。即ち、基板(樹脂基板、セラミック基板)もしくはリードフレーム(金属板、耐熱フィルム)で分割された上下の樹脂封止部に、樹脂厚さや部品密度に応じて容易に分配されそれぞれの最適充填が制御できるようにするためである。そのように圧縮成形法を採用することでトランスファ成形法の課題である上下樹脂の注入のアンバランスが防止できる。また、キャビティ内を減圧して成形する減圧成形を採用することにより、成形品に発生する内部ボイドならびに外部ボイドの発生を防止することができる。
【0012】
上述したように、球状に近い形の粒状の封止樹脂を用い、圧縮成形(上下から圧力を加える成形法)、減圧成形(脱気によりボイド等の空間発生による不良を防止する)の各技術を合わせて適用することで、従来の封止方法では不可能であった樹脂封止型電子部品の成形性と信頼性の両立ができた。すなわち、以上の成形条件の導入により、圧縮成形金型内で基板もしくはフレームの上下に成形される樹脂の重量比(上部樹脂量:下部樹脂量または上部樹脂量:下部樹脂量)が、1 :1.5 以上であったとしても良好な成形品が得られた。
【0013】
さらに、圧縮成形法の導入により、成形時に必要な樹脂の流動長が短くてよくなり、従来とくらべて低温成形が可能となった。低温成形温度として、トランスファー成形では困難であった160 ℃以下での成形が可能となった。
【0014】
【発明の効果】
本発明による樹脂封止型電子部品の製造方法は、、従来法(低圧トランスファ成形法)に比べて以下の利点を有する。
(1 )成形特に廃棄を要する樹脂が殆ど出ない。すなわち、トランスファ成形で発生するカル、ランナなどの無駄な樹脂が殆ど出ない。
(2 )未充填の発生を防止できる。すなわち、トランスファ成形のように上下の樹脂厚が樹脂の流動のアンバランスを発生させないため、未充填、ウェルド等の不良を発生させない。
(3 )ボイドの発生を防止できる。すなわち、減圧成形と粒状封止樹脂の適用により内部ボイドならびに外部ボイドの発生を防止できる。
(4 )成形装置を小型化できる。機構の簡単な圧縮成形法の採用により成形装置を小型化できる。
(5 )信頼性を向上できる。本特許の封止法で半導体素子または電子部品を樹脂封止することで、成形時の欠陥の発生を防止できる。成形欠陥は熱サイクル試験、高温昇温試験等で不良発生の原因となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に実施例と比較例を記述して本発明を具体的に説明する。いずれも上下樹脂厚の異なるモデルパッケージで成形試験ならびに信頼性試験を行ったものである。
【0016】
実施例1〜5
成形材料には、フェノール樹脂硬化タイプのエポキシ樹脂であって、ほぼ球状で平均粒径約2 mmの顆粒としたものを使用した。
【0017】
半導体素子(シリコンチップ)をモデルパッケージとした封止試験は、アルミ配線腐食テスト用のシリコンチップで、表面に櫛形のアルミ配線とアルミ電極を形成したものを用意した。チップ面積は、13.5×13.5mm2 、チップ厚さは300 μmである。使用したリードフレームは42アロイ、パッケージの大きさは21×47mm2 である。
【0018】
成形条件は、チップ裏面の樹脂厚さ(計画)を1 mmに統一し、チップ上面の厚さ(計画)を表1に示すように段階的に変化させた。また、成形温度、成形圧力、減圧度は表1に示す所定条件にして、12個のテスト用チップをそれぞれ圧縮成形により樹脂封止した。圧縮成形に使用した金型は、図1に示すように、上型1、下型2、上プランジャ3、下プランジャ4で構成され、5はシリコンチップ6を搭載したリードフレームである。金型は、減圧脱気できるように、金型部材の隙間にシール材7を、また、ガイド部の金型に減圧口8を設けたものである。上記の実施例1〜5の成形品について、充填性、ウェルド、外部巣、内部巣、その他の外観の試験を行った。その後、吸湿率および耐湿信頼性を評価した。それらの結果を表1に示す。
【0019】
実施例6〜10
実施例6〜10は、実施例1〜5におけると同じ顆粒のエポキシ樹脂成形材料を用い、半導体素子(シリコンチップ)の封止試験も、実施例1〜5の試験と同じシリコンチップとリードフレームと金型を用い、チップ裏面の樹脂厚さ(計画)を1 mm、チップ上面の厚さ(計画)を1.7 mmと統一して、表2に示すように成形温度を変化させた。また、成形圧力、減圧度も表2に示す所定条件として12個のテスト用チップをそれぞれ圧縮成形により樹脂封止した。
【0020】
上記の実施例6〜10の成形品について、充填性、ウェルド、外部巣、内部巣、その他の外観の試験を行った。その後、吸湿率および耐湿信頼性を評価した。それらの結果を表2に示す。
【0021】
実施例11〜15
成形材料の材質は、実施例1〜10と同じフェノール樹脂硬化タイプのエポキシ樹脂であって、混練品を粉砕し、粉砕品の粒径1 mm以下の微粉をカットして平均粒径約3 mmの粗粉とした成形材料を使用した。
【0022】
半導体素子(シリコンチップ)の封止試験は、実施例1〜10の試験と同じシリコンチップとリードフレームと金型を用い、チップ裏面の樹脂厚さ(計画)を1 mmに統一し、チップ上面の厚さ(計画)を表3に示すように段階的に変化させた。また、成形温度、成形圧力、減圧度も表1に示す所定条件で12個のテスト用チップをそれぞれ圧縮成形により樹脂封止した。
【0023】
上記の実施例11〜15の成形品について、充填性、ウェルド、外部巣、内部巣、その他の外観の試験を行った。その後、吸湿率および耐湿信頼性を評価した。それらの結果を表3に示す。
【0024】
実施例16〜20
実施例16〜20は、実施例1〜5におけると同じ顆粒のエポキシ樹脂成形材料を用いた。
【0025】
電子部品をモデルパッケージとした封止試験は、部品としてコイル部品(12×12×4 mm3 )、小型半導体パッケージ、抵抗部品等を用意した。使用した基板はセラミツク基板で、大きさは20×45mm2 、厚さは0.7 mmである。パッケージの大きさは半導体素子と同様で、21×47mm2 である。
【0026】
成形条件は、基板裏面の樹脂厚さ(計画)を1 mmに統一し、基板上面の厚さ(計画)を表4に示すように7 mm、10mmと段階的に変化させた。また、成形温度、成形圧力、減圧度も表4に示す所定条件で、セラミツク基板上の電子部品を封止し、それぞれ3 個のテスト用成形品を成形した。
【0027】
上記の実施例16〜20の成形品について、充填性、ウェルド、外部巣、内部巣、その他の外観の試験を行った。それらの結果を表4に示す。
【0028】
比較例1〜5
微粉の成形材料は、材質が実施例1〜15と同じフェノール樹脂硬化タイプのエポキシ樹脂であって、混練品を粉砕して平均粒径が約3 mmのものであるが、粉砕品の粒径1 mm以下の微粉をカットしない、微粉を含む成形材料である。
【0029】
半導体素子(シリコンチップ)の封止試験は、実施例1〜15と同じシリコンチップとリードフレームと金型を用い、チップ裏面の樹脂厚さ(計画)を1 mmに統一し、チップ上面の厚さ(計画)を表5に示すように変化させた。また、成形温度、成形圧力、減圧度も表5に示すような所定条件で12個のテスト用チップをそれぞれ封止した。
【0030】
なお、比較例5は、微粉の成形材料を成形するために必要な高圧成形条件を顆粒の成形材料に適用したもので、顆粒の成形材料にとっては不適切な成形条件のものである。
【0031】
上記の比較例1〜5の成形品について、充填性、ウェルド、外部巣、内部巣、その他の外観の試験を行った。その後、吸湿率および耐湿信頼性を評価した。それらの結果を表5に示す。
【0032】
比較例6〜10
比較例1〜4と同じ微粉を含む成形材料を用いて、電子部品(コイル部品等)の封止試験を行なった比較例である。
【0033】
電子部品の封止試験には、実施例16〜20におけると同じテスト用コイル部品(12×12×4 mm3 )、小型半導体パッケージ、抵抗部品等を用意した。使用した基板はセラミツク基板で、大きさは20×45mm2 、厚さは0.7 mmである。パッケージの大きさは半導体素子と同様で、21×47mm2 である。
【0034】
成形条件は、基板裏面の樹脂厚さ(計画)を1 mmに統一し、基板上面の厚さ(計画)を表6に示すように7 mmとした。また、成形温度、成形圧力、減圧度も表6に示すような所定条件でセラミツク基板上の電子部品を封止し、それぞれ3 個のテスト用成形品を得た。
【0035】
なお、比較例7、8、10は、微粉の成形材料を成形するために必要な高圧成形条件を、粗粉、顆粒の成形材料に適用したもので、粗粉、顆粒の成形材料にとっては不適切な成形条件のものである。
【0036】
上記の比較例6〜10の成形品について、充填性、ウェルド、外部巣、内部巣、その他の外観の試験を行った。その結果を表6に示す。
【0037】
外観試験および特性試験の方法は次のとおりである。
充填性:金型どおりに樹脂が成形できているか検査した。OK…合格、NG…欠陥あり。
ウエルド:金型内で樹脂先端同士が合体するところにウェルド線が残っていないか検査した。無…ウエルド線がみえない、有…残りあり。
外部巣:目視と低倍率の拡大鏡で巣の存在を検査し、約0.05mm以上のボイドがあるか検査した。無…ボイドなし、有…ボイドあり。
内部巣:縦面と横面でカットして巣の存在を検査し、約0.05mm以上の大きさのボイドがあるか検査した。無…ボイドなし、有…ボイドあり。
その他外観:目視で汚れ、かすれ、異物等の不具合を検査した。無…不具合なし、有…かすれあり。
吸湿率:PCT(2 atm)で24時間後の吸湿量から計算した。
PCT:テスト素子を成形し、アフターキュア後にPCTに投入して所定時間経過後のテスト素子数に対する不良数。
【0038】
以上、実施例1〜20、比較例1〜6における試験の結果から、本発明の実施例が優れていることが確認された。
【0039】
【表1】
【0040】
【表2】
【0041】
【表3】
【0042】
【表4】
【0043】
【表5】
【0044】
【表6】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の減圧、圧縮成形に使用した金型の断面を示す概念図である。
【図2】従来のトランスファー成形金型における堀込み面を示す平面図である。
【図3】従来のトランスファー成形における問題点を説明するキャビティの部分断面図である。
【符号の説明】
1 上型
2 下型
3 上プランジャ
4 下プランジャ
5 リードフレーム
6 シリコンチップ
7 シール材
8 減圧口
Claims (3)
- 半導体素子もしくは電子部品を樹脂封止した樹脂封止型電子部品を製造するにあたり、半導体素子もしくは電子部品を金型内に配置した後、粉砕して1mm以下の微粒をカットした粗粉状のエポキシ樹脂成形材料、または微細粉を固めた顆粒状のエポキシ樹脂成形材料を封止樹脂とし、金型内を減圧下にしつつ、圧縮成形をして樹脂封止することを特徴とする樹脂封止型電子部品の製造方法。
- 樹脂封止する半導体素子もしくは電子部品が基板もしくはフレームに搭載されており、圧縮成形金型内で基板もしくはフレームの上下に成形される封止樹脂の重量比が、上下いずれか一方を1としたとき他方が1.5以上である請求項1記載の樹脂封止型電子部品の製造方法。
- 半導体素子もしくは電子部品をエポキシ樹脂成形材料で圧縮成形する際に、成形温度を160℃以下に制御する請求項1記載の樹脂封止型電子部品の製造方法。
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