JPS597008A - 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 - Google Patents

高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法

Info

Publication number
JPS597008A
JPS597008A JP57114799A JP11479982A JPS597008A JP S597008 A JPS597008 A JP S597008A JP 57114799 A JP57114799 A JP 57114799A JP 11479982 A JP11479982 A JP 11479982A JP S597008 A JPS597008 A JP S597008A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tablet
resin
molding
pressure
density
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57114799A
Other languages
English (en)
Inventor
Michitoshi Sera
世良　通利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57114799A priority Critical patent/JPS597008A/ja
Priority to US06/510,226 priority patent/US4554126A/en
Publication of JPS597008A publication Critical patent/JPS597008A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体封止用樹脂の高密度タブレットおよび
その高密度タブレットヲ使用１〜だ半導体装置の樹脂ｊ
１止方法に関する。
〔発明の技術的背景〕
半導体装置の樹脂封止Ｖ、は、量産的なことからトラン
スファ成形法が広く採用されている。このトランスファ
成形法に、一定温度に加熱した金型の多砧のキャビティ
内ニ、リードにボンティングワイヤなどで接続したペレ
ットｉそｉｔぞれ配置６１２、−刃金型のボット内に、
打錠機でタブレット状にし、た熱硬化性樹脂を投入し、
樹脂を可塑化させるとともにプランジャを作動させてキ
ャビティ内に加圧注入して成形する方法である。この方
法に用いるトランスファ金型１は、第１図に示すごとく
、中央に配置されたボット６からランナー４が延び、各
ランナーには複数個のキャビティ５が分岐し、ランナー
からキャビティへは樹脂注入のための狭い流路のゲート
６が設けられる。また、トランスファ成形法ではランナ
ー４とカル６がスクラップとなるのでこの材料歩留りを
改良した成形法と１゜てマルチタブレット成形法がある
。第２図にマルチタブレット方式金型２の平面略図を示
す。第２図において、複数個のボット２６が配置され、
それそばｔＫタブレットが投入される。各ボットには１
〜４個のキャビティ５が分岐し、ボット２６がら直接ゲ
ート２６を経てキャビティ５に樹脂注入がなさｆＬる。
ところで、トランスファ成形に用いられる熱硬化性樹脂
を打錠機でタブレｙ　ｌ’状に１．でいたのは、プレヒ
ートその他の取扱いを容易にするためになさｆしていた
のであって、そのタブレットの硬さは輸送中或は金型ボ
ット中に投入する際に割れや欠けが起こらない程度であ
ればＪ：＜、従って従来タブレットヲ打錠する圧力は０
５〜］、　Ｏｔｏｎ、４Ｊ程度であった。
〔背景技術の問題点〕
し力１しながら、従来のトランスファ成形により樹脂封
止した成形品の断面を調べてみると、直径Ｑ、　］　ｍ
Ｗ以」二の内部巣がみられ、多いものでは直径（］５〜
］、　Ｑ　７／ｍというものが数個もあることがある。
また表面には外部巣がみられ、特にゲート近傍にはスネ
ークアイと呼ばれる外部巣が発生することもある。この
ような成形品の巣は外観を損ねるだけでなく、樹脂封止
半導体装置の信頼性特に耐熱衝撃性、耐湿性を低下させ
る重大な欠陥となる。
さらにまた内部巣の発生はボンディングワイヤの断線に
も相関がある。
また最近は、生産性向−４４のため速硬性（☆］脂が開
発されているが、速硬性樹脂は一段とゲートのシール時
間が早くなり、内部巣が発生しやすく成形歩留りの低下
する問題点が顕著［ｉＪｌ、れる。そしてまた成形条件
の選択も巣の発生によって制約さｎるので、巣の発生の
防止方法が確立さｎていない現状でｒよ、特にマルチタ
ブレット方式の成形法における高速注入・高速成形の利
点を十分に発揮させることができなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、樹脂封止半導体装置の製造にあたり、
巣のない成形品を得る高密度タブレットおよび樹脂封止
方法を提供することにある。また別の目的は、金型内で
の均一な尚速注入・高速成形を可能とする樹脂封止方法
を提供することにある。さらに他の目的は、ボンディン
グワイヤの断線のない樹脂封止方法を提供することにも
ある。
〔発明の仲、太〕
本発明者は、この問題点について鋭意検８ζＪしていた
が、従来使用されていたタブレットは、タブレット打錠
圧力が半導体封止以外の一般成形品用と同じようにＯ０
５〜］、、　ＯｔｏｎＡ４であり、タブレット打錠によ
る圧縮率が７７〜８４％しかないことに着目した。ここ
で圧縮率とは、下記（１）式で定義する値で、圧縮され
ない２３〜１６％に相当する部分には空気を含むものと
考えることができる。
、　そこ丁成形品に巣を生じさせる気泡は、タブレット
内に含丑れている空気であると考え、拐錠圧力と圧縮率
との関係を調べて第６図の結果を得た。
第３図は横軸に樹脂（エポキシ樹脂〕粉末をタブレット
にしたときの打錠圧力をとり、縦軸に得られたタブレッ
トのタブレット密度と圧縮率をとっである。従来の打錠
圧力０５〜１．　Ｏｔｏｎ／２Ｊの範囲では１．６〜］
−，７Ｆ／／ｃ４というタブレット密度であった。この
樹脂を加圧成形して硬化させた成形品密度は２．０２１
１／ｃＡであったから、前記（１）式で求めた圧縮率は
ほぼ７７〜８４％である。換Ｈすれば従来打錠圧力のタ
ブレットには相当程度空隙に空気が閉じ込められている
。
この打錠圧力を次第に上げてゆくと、タブレット密度は
飛躍的に高まり、打錠圧力が５ｔｏｎＡ・Ｊになれば圧
縮率は約９７％になり、打錠圧力が７　ｔｏｎ／２Ｊに
なればタブレット密度はほぼ成形品密度まで近づいて圧
縮率は９９％以上にすることができることがわ力）った
。
そこで圧縮率の異なるタブレットを使用することによっ
て、成形品中の０．３ｍｍφ以上の内部巣の発生を調べ
たところ第１表に示す結果を得た。成形条件はマルチタ
ブレット金型について金型温度１８０〜１８５℃、成形
時間２０秒、成形圧力１１０　Ｋｌ；ｌ／ａｉｒ　、注
入時間１０秒であり、シングルタブレット金型について
はマルチタブレット金型のそれに相当する条件である。
第１表 ×：発生、○：発生なし また外部巣についても、本発明の高密度タブレットの使
用で、ゲート近傍に発生しゃすい外部巣（スネークアイ
と呼ばれるもの）も全くなくなった。
そしてまた、耐熱衝撃性（ＴＣＴ）試験〔−６５℃・３
０分間ち室温・５分間＃２００℃・３０分間〕のサイク
ルと不良率の関係を調べたところ第２表の結果を得た。
以下従来例というのは打錠圧力０．８　ｔｏｎｌｃＪ圧
縮率７９９％のもの、実施例というのは打錠圧カフ、　
ＯｔｏｎΔＪ圧縮率９８４％のものである。
第２表 さらに、耐湿性（ＰＣＴ、ｌ試験〔２５気圧〕の試験時
間と不良率の関係を調べたところ第６表の結果を得た。
第６表 次にボンディングワイヤの断線も実施例においては認め
られなかった。
１だ、成形条件の範囲については、成形圧力とφ０．１
騙以上の内部巣の発生率との関係を第４表に、注入速度
とφＱ、　ｌ　ｍｙ１以上の内部巣の発生率との関係を
第５表に試験結果として示す。これらの結果をみれば、
実施例では成形条件の大幅な変化も不良の発生に影響を
及ぼすことがない事がわかる。
第４表 第５表 したがって打錠圧力５　ｔｏｎＪ−Ｊ以上で打錠し、圧
縮率９７％以上のクブレッｌ−を使用すれば、成形圧力
が１／２程度の低圧成形、注入速度が２倍程度の高速成
形、１８０℃９０秒硬化に対して２０秒硬化という成形
時間が１１５程度の速硬性樹脂の採用、あるいはそれら
の組合せというように樹脂や成形条件の範囲が広がり、
生産性の向上を・実現することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、今まで半導体樹脂封止Ｖこおいて
も゛また樹脂−膜成形に丸・いても採用されたことのな
い高打錠圧力（５ｔｏｎΔｄ以」二）で杓錠され圧縮率
９７％以上のタブレットを使用することによって、タブ
レット中の空気がそのまま成形品に・入って巣となるこ
とがなくなり、半導体樹脂封止における最大の障害が乗
り越えられた結果、半導体装置の歩留りが向上し、また
超速硬化性樹脂の採用や連続高速サイクルの実現などに
よって従来の成形サイクルｋｌ／１０以下にすることが
できるという見通しも得られた。
【図面の簡単な説明】
第１図はシングル、タブレット力式のトランスフ了成形
のｉ況明図、第２図はマルチタブレット方式のトランス
フ・ｒ成形の説明図、第６図は樹脂タプレ、１・０４１
錠圧力とタブレット密度及び圧縮率との関係を示すグラ
フである。 １・・・シングルタブレット方式金型、２・・・マルチ
タブレット方式金型。 第２図　　　　　２ ２６　　　　　２３　　１ ２３　　　　５　　　２６ １：：１ 一打錠圧力（ｔｏ牲肖

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　樹脂粉末ｆ　５　ｔｏｎΔｄ以」二の高圧力で打錠
    し、圧縮率全９７％以上とした半導体封止用樹脂の高密
    度タブレット。 ２　樹脂粉末＞　５ｔｏｎ、ｆＪ以上の高圧力で打錠し
    、圧縮率が９７％以上の高密度タブレットを得、該タブ
    レットを使用して加圧成形することを特徴とする半導体
    装置の樹脂封止方法。
JP57114799A 1982-07-03 1982-07-03 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 Pending JPS597008A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57114799A JPS597008A (ja) 1982-07-03 1982-07-03 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法
US06/510,226 US4554126A (en) 1982-07-03 1983-07-01 Method for encapsulating semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57114799A JPS597008A (ja) 1982-07-03 1982-07-03 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS597008A true JPS597008A (ja) 1984-01-14

Family

ID=14646971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57114799A Pending JPS597008A (ja) 1982-07-03 1982-07-03 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4554126A (ja)
JP (1) JPS597008A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60224234A (ja) * 1984-04-21 1985-11-08 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4723514A (en) * 1985-09-11 1988-02-09 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control system for two-cycle engines
US4763613A (en) * 1986-05-14 1988-08-16 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control system for a two cycle engine
US4768473A (en) * 1985-07-22 1988-09-06 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control apparatus
US4776305A (en) * 1986-05-20 1988-10-11 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control device for two-cycle engines
US4793347A (en) * 1986-01-29 1988-12-27 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control device for two cycle engines
US4807571A (en) * 1985-07-22 1989-02-28 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control apparatus
US4829945A (en) * 1986-06-26 1989-05-16 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control device for two-cycle engines
JPH0669259A (ja) * 1993-06-14 1994-03-11 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂タブレツト

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR920005448B1 (ko) * 1988-03-14 1992-07-04 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 소자의 수지봉지장치 및 그것을 사용한 반도체 소자의 수지봉지방법
GB2227707B (en) * 1988-12-24 1993-06-16 T & K Int Kenkyusho Kk Method of and device for seal molding electronic components with resin
US4996170A (en) * 1990-07-30 1991-02-26 Motorola, Inc. Molding process for encapsulating semiconductor devices using a thixotropic compound
US5182071A (en) * 1990-12-14 1993-01-26 Motorola, Inc. Method of molding a carrier ring to leads
MY109641A (en) * 1991-03-20 1997-03-31 Nitto Denko Corp Resin tablet for semiconductor sealing,process for producing the same, and process for producing semiconductor devices using the same
US5460502A (en) * 1993-09-15 1995-10-24 Majercak; Michael L. Plunger apparatus used in a resin molding device for encapsulating electronic components
JP3037552B2 (ja) * 1994-02-23 2000-04-24 日東電工株式会社 半導体封止用樹脂タブレット及び半導体封止装置とその製造方法
CA2208355A1 (en) * 1994-12-23 1996-07-04 Cookson Singapore Pte Ltd Improved process for making preforms useful for encapsulating semiconductors
US5672550A (en) * 1995-01-10 1997-09-30 Rohm Co., Ltd. Method of encapsulating semiconductor devices using a lead frame with resin tablets arranged on lead frame
DE69625623T2 (de) * 1996-01-31 2003-11-06 Sumitomo Bakelite Co. Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren zur Herstellung von in Epoxyharz eingekapselter Halbleitervorrichtung
US5656549A (en) * 1996-08-19 1997-08-12 Motorola, Inc. Method of packaging a semiconductor device
JP4118353B2 (ja) * 1996-10-11 2008-07-16 株式会社デンソー 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびモールド金型
US6001672A (en) 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
US7157302B2 (en) * 1998-06-04 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Imaging device and method of manufacture
WO2000047391A1 (en) * 1999-02-10 2000-08-17 Cookson Semiconductor Packaging Materials Method and apparatus for producing semiconductor preforms
JP3552613B2 (ja) * 1999-10-28 2004-08-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション モールド装置及びモールディング方法
KR100611548B1 (ko) * 2000-03-29 2006-08-10 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 장치, 그 제조 공정 및 에폭시 수지 조성물을포함하는 태블릿
US6856006B2 (en) * 2002-03-28 2005-02-15 Siliconix Taiwan Ltd Encapsulation method and leadframe for leadless semiconductor packages
US6838319B1 (en) * 2000-08-31 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Transfer molding and underfilling method and apparatus including orienting the active surface of a semiconductor substrate substantially vertically
US7220615B2 (en) 2001-06-11 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Alternative method used to package multimedia card by transfer molding
US6444501B1 (en) * 2001-06-12 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module
US6555400B2 (en) 2001-08-22 2003-04-29 Micron Technology, Inc. Method for substrate mapping
CN101808795B (zh) * 2007-10-05 2013-08-14 日本碍子株式会社 成型模具及成型方法
JP5971270B2 (ja) * 2014-02-27 2016-08-17 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA905623A (en) * 1972-07-25 The Goodyear Tire And Rubber Company Process of preparing resin flakes
GB1271833A (en) * 1968-07-10 1972-04-26 Hitachi Ltd Improvements in or relating to encapsulation processes
JPS5717153A (en) * 1980-07-04 1982-01-28 Asahi Glass Co Ltd Sealing method of electronic parts

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60224234A (ja) * 1984-04-21 1985-11-08 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4768473A (en) * 1985-07-22 1988-09-06 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control apparatus
US4807571A (en) * 1985-07-22 1989-02-28 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control apparatus
US4723514A (en) * 1985-09-11 1988-02-09 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control system for two-cycle engines
US4793347A (en) * 1986-01-29 1988-12-27 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control device for two cycle engines
US4763613A (en) * 1986-05-14 1988-08-16 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control system for a two cycle engine
US4776305A (en) * 1986-05-20 1988-10-11 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control device for two-cycle engines
US4829945A (en) * 1986-06-26 1989-05-16 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Exhaust timing control device for two-cycle engines
JPH0669259A (ja) * 1993-06-14 1994-03-11 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂タブレツト
JP2576018B2 (ja) * 1993-06-14 1997-01-29 日東電工株式会社 半導体封止用樹脂タブレツト

Also Published As

Publication number Publication date
US4554126A (en) 1985-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS597008A (ja) 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法
US5672549A (en) Method of producing epoxy resin-encapsulated semiconductor device
US5052907A (en) Resin sealing apparatus for use in manufacturing a resin-sealed semiconductor device
WO1995019251A1 (fr) Procede de soudage par resine de dispositifs semi-conducteurs
US5254501A (en) Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices
JPH0575565B2 (ja)
JPS597009A (ja) 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法
JP3594489B2 (ja) 樹脂封止型電子部品の製造方法
JPH0790572B2 (ja) 成形された底部を有する成型用ポット
CN203491253U (zh) 一种半导体塑封结构
JP2598988B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法
JP2666630B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60182142A (ja) 半導体装置の樹脂封止用金型
JPH03250635A (ja) 半導体装置の製造方法およびモールド装置
JPS6311722Y2 (ja)
JPH08186141A (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP3602422B2 (ja) 樹脂封止装置
JP3147334B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10289919A (ja) 半導体封止方法
CN109501149A (zh) 一种转注成型ic封装模具的新型流道结构
JPH03157942A (ja) 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法
JPS5839889Y2 (ja) 半導体封入成形用金型装置
KR0121114B1 (ko) 몰드 컴파운드(Mold Compound) 주입방법
JPS63264314A (ja) モ−ルド装置およびモ−ルド型
JP2001196402A (ja) 半導体装置の製造方法