JPS597009A - 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 - Google Patents
高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPS597009A JPS597009A JP11480082A JP11480082A JPS597009A JP S597009 A JPS597009 A JP S597009A JP 11480082 A JP11480082 A JP 11480082A JP 11480082 A JP11480082 A JP 11480082A JP S597009 A JPS597009 A JP S597009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tablet
- resin
- molding
- tableting
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
- B29B11/00—Making preforms
- B29B11/06—Making preforms by moulding the material
- B29B11/12—Compression moulding
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体封止用樹脂の高密度タブレットおよび
その高密度タブレット全使用した半導体装置の樹脂封止
方法に関する。
その高密度タブレット全使用した半導体装置の樹脂封止
方法に関する。
半導体装置の樹脂封止にｒユ、力；−産的なことからト
ランスファ成形法が広く採用されている。このトランス
ファ成形法は、一定温度に加熱した金型の多数のキャビ
ティ内ニ、リードにボンティングワイヤ晩とで接続した
ペレットヲそれぞれ配置６１シ、−刃金型のボット内に
、打錠機でタブレ、ット状にした熱硬化性樹脂を投入し
、樹脂ｆ： ＴｉＪ塑化させるとともにプランジャを作
動させてキャビティ内に加圧注入して成形する方法であ
る。この方法に用いるトランスファ金型１ば、第１図に
示すごとく、中央に配置されたボッｌ−３からランナー
４が延び、各ランナーには複数個のキャビティ５が分岐
し、ランナー力）らキャビティへは樹脂住人のための狭
い流路のゲート６が設けられるＣまた、トランスファ成
形法ではランナー４とカル６がスクラップとなるのでこ
の月１」歩留りを改良した成形法と（７てマルチタブレ
ット成形法がある。第２図にマルチタブレット方式金型
２の平面略図を示す。第２図において、複数個のポット
２６が配置さ）ｔｌそれぞれにタブレットが投入される
。各ポットには１〜４個のキ、トビ′アイ５が分岐し、
ボット２６から面接り−１−２６−’、経てキャビティ
５に樹脂注入がなされる。
ランスファ成形法が広く採用されている。このトランス
ファ成形法は、一定温度に加熱した金型の多数のキャビ
ティ内ニ、リードにボンティングワイヤ晩とで接続した
ペレットヲそれぞれ配置６１シ、−刃金型のボット内に
、打錠機でタブレ、ット状にした熱硬化性樹脂を投入し
、樹脂ｆ： ＴｉＪ塑化させるとともにプランジャを作
動させてキャビティ内に加圧注入して成形する方法であ
る。この方法に用いるトランスファ金型１ば、第１図に
示すごとく、中央に配置されたボッｌ−３からランナー
４が延び、各ランナーには複数個のキャビティ５が分岐
し、ランナー力）らキャビティへは樹脂住人のための狭
い流路のゲート６が設けられるＣまた、トランスファ成
形法ではランナー４とカル６がスクラップとなるのでこ
の月１」歩留りを改良した成形法と（７てマルチタブレ
ット成形法がある。第２図にマルチタブレット方式金型
２の平面略図を示す。第２図において、複数個のポット
２６が配置さ）ｔｌそれぞれにタブレットが投入される
。各ポットには１〜４個のキ、トビ′アイ５が分岐し、
ボット２６から面接り−１−２６−’、経てキャビティ
５に樹脂注入がなされる。
ところで、トランスノア成形に用いらノしる熱硬化性樹
脂を杓錠機でタブレット状にしていたのは、プレヒ−１
・その他の取扱いを容易にするためＶこなさノシていた
のであって、そのタブレットの硬さは輸送中或は金型ボ
ット中に投入する際に割れや欠けが起こらない程度であ
ればよく、従って従来タブレットを打錠する圧力は０５
〜１． □ ｔｏｎ、４ｙＪ程度であった。
脂を杓錠機でタブレット状にしていたのは、プレヒ−１
・その他の取扱いを容易にするためＶこなさノシていた
のであって、そのタブレットの硬さは輸送中或は金型ボ
ット中に投入する際に割れや欠けが起こらない程度であ
ればよく、従って従来タブレットを打錠する圧力は０５
〜１． □ ｔｏｎ、４ｙＪ程度であった。
しかし２ながら、従来のトランスファ成形により樹脂封
止した成形品の断面を調べてみると、直径０１龍以−に
の内部巣がみられ、多いものでは直径０５〜］、、 Ｑ
ｍｍと旨うものが数個もあることがある。
止した成形品の断面を調べてみると、直径０１龍以−に
の内部巣がみられ、多いものでは直径０５〜］、、 Ｑ
ｍｍと旨うものが数個もあることがある。
１だ表面にｄ−外部巣がみら九、特にゲ−１・近傍には
スネークアイと呼ばれる外部巣が発生することもある。
スネークアイと呼ばれる外部巣が発生することもある。
このような成形品の巣は外観を損ねるだけでなく、樹脂
封止半導体装置の信頼性特に耐熱衝撃性、］制湿性を低
下させる重大な欠陥となる。
封止半導体装置の信頼性特に耐熱衝撃性、］制湿性を低
下させる重大な欠陥となる。
さらりこまだ内部巣の発生に［ボンティングワイヤの断
線にも相関がある。
線にも相関がある。
また最近ｒ」２、生産性向上のため速硬性イＩ′Ｌｌ脂
が開発されているが、速硬性樹脂は一段とゲ−１・の／
−ル時間が甲〈なり、内部巣が発生しやイ〈成形歩留り
の低下する問題点が顕著に現れる。そしてまた成形条件
の選択も巣の発生によって制約さ１するので、巣の発生
の防止方法が確立されていない現状では、特にマルチク
プレ、ット方式の成形法における高速注入・高速成形の
利点を十分に発揮させることができなかった。
が開発されているが、速硬性樹脂は一段とゲ−１・の／
−ル時間が甲〈なり、内部巣が発生しやイ〈成形歩留り
の低下する問題点が顕著に現れる。そしてまた成形条件
の選択も巣の発生によって制約さ１するので、巣の発生
の防止方法が確立されていない現状では、特にマルチク
プレ、ット方式の成形法における高速注入・高速成形の
利点を十分に発揮させることができなかった。
本発明の目的は、樹脂封止形半導体装置を製造するにあ
たら、巣のない成形品を得ることができる樹脂タブレッ
トおよび樹脂封止方法を提供することにある。また本発
明の別の目的は、巣の発生を防ＩＪ−，シ、それにより
ボンディングワイヤの断線と成形条件の選択範囲の拡大
について改良した樹脂旧市方法を提供することにある。
たら、巣のない成形品を得ることができる樹脂タブレッ
トおよび樹脂封止方法を提供することにある。また本発
明の別の目的は、巣の発生を防ＩＪ−，シ、それにより
ボンディングワイヤの断線と成形条件の選択範囲の拡大
について改良した樹脂旧市方法を提供することにある。
本発明者らは、この問題につき、別の出願によって樹脂
粉末ｆ ５ ｔｏｎ、＆＋４以上の高圧力で１錠し、圧
縮率ヲ９７％以上とした高密度タブレット’を使用する
ことを提案した。
粉末ｆ ５ ｔｏｎ、＆＋４以上の高圧力で１錠し、圧
縮率ヲ９７％以上とした高密度タブレット’を使用する
ことを提案した。
すなわち、従来のタブレットでは打錠圧力が０．５〜］
、、 ＯｔｏｎΔＪＪ程度で、タブレットの圧縮率（下
記（１）式でｉ判定義される値）が７７〜８４％に過ぎ
ないことに着目した。
、、 ＯｔｏｎΔＪＪ程度で、タブレットの圧縮率（下
記（１）式でｉ判定義される値）が７７〜８４％に過ぎ
ないことに着目した。
（１）
そこで成形品に巣を生せしめる気泡は、圧縮率が低いた
めにタブレット内に含有さｉ％る空気が原因であると考
え、打錠圧力を高圧力にして圧縮率を高め空気含有を少
なくすることを試み、打錠圧力と圧縮率との関係企調べ
て第６図の結果を得た。
めにタブレット内に含有さｉ％る空気が原因であると考
え、打錠圧力を高圧力にして圧縮率を高め空気含有を少
なくすることを試み、打錠圧力と圧縮率との関係企調べ
て第６図の結果を得た。
同図にみるように、５ ｔｏｎ、ｚ６Ｊ以上の高打錠圧
力にするとタブレット圧縮率は９７％以上になることが
わかった。このように打錠圧力及び圧縮率を高くしたタ
ブレットを使用すると、■成形品に内部巣外部巣ともな
くなり■半導体装置の（Ｆｉ頼性特に耐熱軸絢撃性、耐
湿性が巣のなくなることにより改善さ＃’シ、’また■
巣の発生による制約刀・ら解放されて成形条件の選択範
囲が拡大できることが確認された。。そしてこれらのこ
とを別出願として提案したのである。
力にするとタブレット圧縮率は９７％以上になることが
わかった。このように打錠圧力及び圧縮率を高くしたタ
ブレットを使用すると、■成形品に内部巣外部巣ともな
くなり■半導体装置の（Ｆｉ頼性特に耐熱軸絢撃性、耐
湿性が巣のなくなることにより改善さ＃’シ、’また■
巣の発生による制約刀・ら解放されて成形条件の選択範
囲が拡大できることが確認された。。そしてこれらのこ
とを別出願として提案したのである。
不出、１幀の発明（は、上記別出願の提案を更に改善し
、たものである。例えば第１図に図示し、／とようなラ
ンナー４のある金型の場合、ボット６に近いキャビティ
と遠いキャビティが存在すると、キャビティ内の圧力が
大幅に異なって巣の発生が異常となり、ボンディングワ
イヤの断線が避けられ々い。
、たものである。例えば第１図に図示し、／とようなラ
ンナー４のある金型の場合、ボット６に近いキャビティ
と遠いキャビティが存在すると、キャビティ内の圧力が
大幅に異なって巣の発生が異常となり、ボンディングワ
イヤの断線が避けられ々い。
そこでこの点について更に検削りまたところ、別出願の
提案によりタブレットの圧縮率が９７チ以上である高密
度タブレットが得られても、樹脂粉末間に存在した空気
は幾分は抜けるけれども大部分はタブレット内に閉じこ
められていると考え、このタブレット内に圧縮されて存
在する空気が樹脂ノキャビティ注入時に膨張してキャビ
ティ内に巣となることに着目した。そこで汐ブレ、ト内
に存在する巣の原因となる空気′ｆｆ：杓錠の際真空に
しηさらに取り除くことを思いつき、実験ヲしたところ
成形条件、金型条件、樹脂条件に関係なくボンティング
ワイヤの断線などに著しい効果のあることを確認して本
発明をなすに至った。
提案によりタブレットの圧縮率が９７チ以上である高密
度タブレットが得られても、樹脂粉末間に存在した空気
は幾分は抜けるけれども大部分はタブレット内に閉じこ
められていると考え、このタブレット内に圧縮されて存
在する空気が樹脂ノキャビティ注入時に膨張してキャビ
ティ内に巣となることに着目した。そこで汐ブレ、ト内
に存在する巣の原因となる空気′ｆｆ：杓錠の際真空に
しηさらに取り除くことを思いつき、実験ヲしたところ
成形条件、金型条件、樹脂条件に関係なくボンティング
ワイヤの断線などに著しい効果のあることを確認して本
発明をなすに至った。
本発明は、樹脂粉末ｆ） ５ ｔｏｒ＋／Ｊ以上の高圧
力で杓錠するとともに、打錠の際タブレットに残る空気
全真空下で吸引しながら打錠した半導体封止用樹脂の高
密度タブレットであり゛またその高密度タブレノＦｋ使
用して加圧成形することを特徴とする半導体樹脂封止方
法である。
力で杓錠するとともに、打錠の際タブレットに残る空気
全真空下で吸引しながら打錠した半導体封止用樹脂の高
密度タブレットであり゛またその高密度タブレノＦｋ使
用して加圧成形することを特徴とする半導体樹脂封止方
法である。
本発明の高密度タブレットは第４図に示すように［７て
ｒＱられる。同図において、真空系４１内にタブレット
打錠金型４２ヲ封じ、エポキシ樹脂粉末４６ヲ削量装置
４４とフィーダー４５により所定ｊｉｉ」１錠金型４２
内に供給し、真空下（ｌＴｏｒｒ）でンリンダ４６によ
ってタブレット４７ヲ打錠した。
ｒＱられる。同図において、真空系４１内にタブレット
打錠金型４２ヲ封じ、エポキシ樹脂粉末４６ヲ削量装置
４４とフィーダー４５により所定ｊｉｉ」１錠金型４２
内に供給し、真空下（ｌＴｏｒｒ）でンリンダ４６によ
ってタブレット４７ヲ打錠した。
得られたタブレットをマルチタブレット方式の成形金型
で、金型温度１８０〜１８５’ｔ；、成形時間２０秒、
成形圧力１１０ Ｋｑ ／ｃｒＪ 、注入時間１０秒の
条ｆ＋で半導体装置（ＤＩＰ １６ピン）を成形し、ボ
ンティングワイヤ断線の不良率を求めて第１表の結果を
得た。
で、金型温度１８０〜１８５’ｔ；、成形時間２０秒、
成形圧力１１０ Ｋｑ ／ｃｒＪ 、注入時間１０秒の
条ｆ＋で半導体装置（ＤＩＰ １６ピン）を成形し、ボ
ンティングワイヤ断線の不良率を求めて第１表の結果を
得た。
第１表
第１表にみるように、真空下で吸り口、なから５ｔｏｎ
〆・７ｊ以上の打錠圧力で打錠したタブレットは圧縮率
は９７％以上となり、真空下で打錠しているのでタブレ
ットに含有する空気は極めて少なくなって成形品の巣の
発生も皆無となり、その結果としてボンディングワイヤ
の断ｆｅＭ ’ｃ皆無に近くすることができた。この方
法は従来のシングルポット方式でも同様に非常に効果が
あることが認められた。
〆・７ｊ以上の打錠圧力で打錠したタブレットは圧縮率
は９７％以上となり、真空下で打錠しているのでタブレ
ットに含有する空気は極めて少なくなって成形品の巣の
発生も皆無となり、その結果としてボンディングワイヤ
の断ｆｅＭ ’ｃ皆無に近くすることができた。この方
法は従来のシングルポット方式でも同様に非常に効果が
あることが認められた。
′また、真空下で１錠した高密度タブレットは常圧下で
杓錠した高密度タブレットと同様成形品に内部巣外部巣
がなく、半導体装置は信頼性、耐熱１ｆＪ撃性、耐湿性
等の特性が良好で、巣発生による制約かなくなり成形条
件の許容度の広いことも確認できた。
杓錠した高密度タブレットと同様成形品に内部巣外部巣
がなく、半導体装置は信頼性、耐熱１ｆＪ撃性、耐湿性
等の特性が良好で、巣発生による制約かなくなり成形条
件の許容度の広いことも確認できた。
以上高圧力真空下で打錠した圧縮率の大きいタブレッ］
・を使用することにより、巣やボンディングワイヤの断
線のない成形が可能になり、その結果最近採用されつつ
ある速硬化性樹脂の成形歩留りも向上させることができ
た。
・を使用することにより、巣やボンディングワイヤの断
線のない成形が可能になり、その結果最近採用されつつ
ある速硬化性樹脂の成形歩留りも向上させることができ
た。
また巣やボンディングワイヤの断線という問題が新法さ
れたため許容できる成形条件の範囲が広がり、従来の成
形圧力の１／２程度の低圧成形、従来の注入速度の２倍
程度の高速注入が可能になって生産性の向上に寄与する
ことができた。
れたため許容できる成形条件の範囲が広がり、従来の成
形圧力の１／２程度の低圧成形、従来の注入速度の２倍
程度の高速注入が可能になって生産性の向上に寄与する
ことができた。
第１図はシングルタブレット方式のトランスファ成形ｔ
ｙ明する図、第２図にしマルチタブレット方式のトラン
スファ成形を説明する図、第６図は封止用樹脂粉末の杓
錠圧力とタブレット密度及び圧縮率との関係を示すグラ
フ、第４図は本発明タブレットの打錠装置例の断面略図
である。 １・・・シングルタブレット方式成形金ノＷ、２・・・
マルチタブレット方式成形金型、４１・・・亮空系、４
２・・・打錠金型。
ｙ明する図、第２図にしマルチタブレット方式のトラン
スファ成形を説明する図、第６図は封止用樹脂粉末の杓
錠圧力とタブレット密度及び圧縮率との関係を示すグラ
フ、第４図は本発明タブレットの打錠装置例の断面略図
である。 １・・・シングルタブレット方式成形金ノＷ、２・・・
マルチタブレット方式成形金型、４１・・・亮空系、４
２・・・打錠金型。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 樹脂粉末’ｆｘ ５ ｔｏｎ、／ＣＪ以上の高圧力
で打錠するとともに、打錠の際タブレットに残る空気を
真空下で吸引しながら打錠した半導体封止用樹脂の高密
度タブレット。 ２ 樹脂粉末を５ ｔｏｎ／ｃｔＪ以」二の高圧力で打
錠するとともに、打錠の際クブレッＩ・に残る空気を真
空下で吸引しながら打錠して高密度タブレットヲ得、該
タブレットを使用して加圧成形することを特徴とする半
導体樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11480082A JPS597009A (ja) | 1982-07-03 | 1982-07-03 | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11480082A JPS597009A (ja) | 1982-07-03 | 1982-07-03 | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597009A true JPS597009A (ja) | 1984-01-14 |
Family
ID=14646996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11480082A Pending JPS597009A (ja) | 1982-07-03 | 1982-07-03 | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597009A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224234A (ja) * | 1984-04-21 | 1985-11-08 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62261404A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | タブレツトの製造方法 |
| JPS62261405A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | タブレツトの製造方法 |
| US4826931A (en) * | 1986-10-09 | 1989-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tablet for resin-molding semiconductor devices |
| NL8903165A (nl) * | 1988-12-24 | 1990-07-16 | T & K Int Kenkyusho Kk | Werkwijze en inrichting voor het afsluitend ingieten van een elektronische component in kunsthars. |
| WO1992016969A1 (en) * | 1991-03-20 | 1992-10-01 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin tablet and its manufacture |
| JPH0669259A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-03-11 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂タブレツト |
| JPH06104301A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂タブレット及びその製造方法と半導体封止方法 |
| US6173490B1 (en) * | 1997-08-20 | 2001-01-16 | National Semiconductor Corporation | Method for forming a panel of packaged integrated circuits |
| EP1498244A1 (en) * | 2003-07-17 | 2005-01-19 | Nitto Denko Corporation | Method for producing a semiconductor-molding tablet, a semiconductor-molding tablet obtained thereby and a semiconductor device using the same |
| JP2006167953A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toyo Seiki Seisakusho:Kk | 再生用合成樹脂熱圧着方法及びその装置 |
-
1982
- 1982-07-03 JP JP11480082A patent/JPS597009A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224234A (ja) * | 1984-04-21 | 1985-11-08 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62261404A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | タブレツトの製造方法 |
| JPS62261405A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | タブレツトの製造方法 |
| US4826931A (en) * | 1986-10-09 | 1989-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tablet for resin-molding semiconductor devices |
| US4963307A (en) * | 1986-10-09 | 1990-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a tablet for resin-molding semiconductor devices and resin-molding method making use of the tablet |
| NL8903165A (nl) * | 1988-12-24 | 1990-07-16 | T & K Int Kenkyusho Kk | Werkwijze en inrichting voor het afsluitend ingieten van een elektronische component in kunsthars. |
| US5645787A (en) * | 1991-03-20 | 1997-07-08 | Nitto Denko Corporation | Process for producing semiconductor devices using resin tablets |
| WO1992016969A1 (en) * | 1991-03-20 | 1992-10-01 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin tablet and its manufacture |
| JP2822273B2 (ja) * | 1991-03-20 | 1998-11-11 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用樹脂タブレット及びその製造方法 |
| JPH06104301A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂タブレット及びその製造方法と半導体封止方法 |
| JP2576018B2 (ja) * | 1993-06-14 | 1997-01-29 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用樹脂タブレツト |
| JPH0669259A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-03-11 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂タブレツト |
| US6173490B1 (en) * | 1997-08-20 | 2001-01-16 | National Semiconductor Corporation | Method for forming a panel of packaged integrated circuits |
| EP1498244A1 (en) * | 2003-07-17 | 2005-01-19 | Nitto Denko Corporation | Method for producing a semiconductor-molding tablet, a semiconductor-molding tablet obtained thereby and a semiconductor device using the same |
| CN100339457C (zh) * | 2003-07-17 | 2007-09-26 | 日东电工株式会社 | 半导体密封用片及其制法和使用该片的半导体装置 |
| JP2006167953A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Toyo Seiki Seisakusho:Kk | 再生用合成樹脂熱圧着方法及びその装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS597008A (ja) | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 | |
| JPS597009A (ja) | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 | |
| US5052907A (en) | Resin sealing apparatus for use in manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
| KR200309906Y1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
| JPH0575565B2 (ja) | ||
| JP3305842B2 (ja) | 半導体部品の樹脂封止方法、半導体封止装置および樹脂封止半導体部品 | |
| JP2000021908A (ja) | 樹脂封止型電子部品の製造方法 | |
| JP2834257B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびモールド装置 | |
| JPH07135230A (ja) | 電子装置の樹脂封止方法およびそれに用いるリードフレーム | |
| JPH09307046A (ja) | 金型及び該金型を用いたタイバ−切断方法 | |
| JPS60125616A (ja) | 樹脂封止用金型 | |
| JP2785770B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置の製造方法およびその製造装置 | |
| JPS59139633A (ja) | 電子部品の樹脂封止方法 | |
| JP2666630B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2549634B2 (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS618932A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JPH03167834A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62150834A (ja) | 半導体装置樹脂成形方法および樹脂成形装置 | |
| JPS6311722Y2 (ja) | ||
| JPS592326A (ja) | 半導体素子の樹脂成形方法およびその装置 | |
| JPS5827326A (ja) | Ｉｃチツプの樹脂封止方法 | |
| JPH043947A (ja) | 成形装置 | |
| JPS59189636A (ja) | トランスフアモ−ルド半導体部品製造方法およびその装置 | |
| JP2006339428A (ja) | 一括封止型半導体パッケージの樹脂封止方法 | |
| JPH03157942A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 |