JPH0376779B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はトランスフア成形の一種であるラン
ナレス方式（マルチプランジヤ方式ともいう）に
よつて樹脂封止型の半導体装置を製造する方法に
関する。

〔従来の技術〕

半導体を樹脂封止するための従来のトランスフ
ア成形では、プランジヤを備えたポツトとこのポ
ツトから放射状に延散する多数個のランナと各ラ
ンナにゲートを介して連通する多数個のキヤビテ
イとを有する成形金型を用いて、この金型の各キ
ヤビテイ内に半導体素子組立構体を１個づつ配置
するとともに、上記ポツト内に熱硬化性の樹脂タ
ブレツトを投入し、これを金型熱で溶融しながら
プランジヤで加圧することにより、上記ランナお
よびゲートを介して各キヤビテイ内に溶融圧入さ
せる方式をとつている。

しかるに、この成形方式では、ポツトに投入さ
れた樹脂がこのポツトおよび各ゲートのほか長く
てかつ断面積の広いランナに残るため、成形後の
樹脂ロスが非常に大きくなるという欠点がある。
また、ポツトから遠ざかるキヤビテイに溶融圧入
される樹脂は長いランナを通る間に硬化反応が進
行するためその粘度が高くなり、これが原因でポ
ツト周辺のキヤビテイとポツトから遠ざかるキヤ
ビテイとの間で半導体を樹脂封止するための成形
の均一性に欠けるという問題がある。

これに対して、近年では、ランナレス方式のト
ランスフア成形として、プランジヤを備えたポツ
トを複数個設けて、各ポツトに投入された封止用
樹脂をランナを介さないで直接ゲートを介して各
キヤビテイに溶融圧入させる方式の成形金型を用
いて、半導体の樹脂封止を行う試みがなされてい
る（第１図参照）。この成形方式は、前記従来の
如きランナに起因した樹脂ロスが全くないため、
材料費の大幅な低減を図れ、またランナがないた
め各キヤビテイ間での成形の均一性を保てるとい
う利点がある。

しかしながら、このようなランナレス方式の成
形法においては、一般に小型の金型を用いてかつ
自動制御方式で成形を行つており、このため１回
の成形あたりの成形品（樹脂封止型半導体装置）
の取り数が前記従来のトランスフア成形に較べて
１／４〜1/30と少なく、量産性に劣るという問題が
ある。この問題を克服するためには、成形時の樹
脂の硬化時間をできるだけ短くして成形サイクル
時間を短縮する必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この発明は、上記の如く材料費や均一成形性の
面ではるかに有利なランナレス方式のトランスフ
ア成形における上述の問題点を成形サイクル時間
の短縮によつて解決し、これにより量産性の改善
された樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

ランナレス方式のトランスフア成形において、
ポツト内に投入された熱硬化性の樹脂タブレツト
は、金型熱で溶融してキヤビテイに圧入され、こ
こで一挙に硬化反応が進行して完全に硬化する。
ところが、上記タブレツトの一部はゲートおよび
ポツト内にも残留しており、この残留樹脂はキヤ
ビテイにおける同様の完全硬化に至らなければ離
型することはできない。

上記キヤビテイ、ゲートおよびポツト内の樹脂
の中で前二者は金型壁からの良好な熱伝導によつ
て短時間のうちに硬化するが、後者のポツト内残
留樹脂は金型からの熱を受けにくいため完全硬化
に至るまでの時間が一般に長くなる。したがつ
て、成形サイクル時間の短縮は上記ポツト内残留
樹脂をいかに速く硬化させるかにかかつている。

ところで、この発明者らは、ポツト内に投入さ
れた樹脂タブレツトが金型熱で溶融しさらにプラ
ンジヤによつてキヤビテイに圧入されるまでの挙
動を調べるために、同一樹脂組成の材料で色の異
なる３個の樹脂タブレツトをつくり、これをラン
ナレス方式のトランスフア成形金型のポツト内に
ポツト高さ方向に三段に積層状に投入し、この状
態で常法により加熱加圧する成形試験を試みた。

その結果、キヤビテイに圧入されまたゲートに
残る樹脂のほとんどがポツト高さ方向の上下部の
樹脂タブレツトで構成され、一方ポツト内残留樹
脂のほとんどがポツト高さ方向の中央部分の樹脂
タブレツトで構成されているものであることが判
つた。このことは、ポツト内に投入された樹脂タ
ブレツトのうちポツト高さ方向の上下部は同方向
中央部分に較べて金型壁からの熱を受けやすく、
より速く溶融してキヤビテイに圧入されるのに対
し、上記中央部分は溶融がおくれそのぶんキヤビ
テイに圧入されにくくなつてポツト内にほとんど
残留してしまうことを意味している。

そこで、上記の知見に基づき、ポツト内に投入
するべき樹脂タブレツトのうち成形時にポツト内
に残りやすいポツト高さ方向の中央部分のゲル化
時間を同方向上下部のゲル化時間よりも短くする
構成としてみたところ、これによりポツト内残留
樹脂の硬化が著しく速められ、所期の目的とする
成形サイクル時間の短縮に非常に好結果が得られ
ることを知り、この発明を完成するに至つた。

すなわち、この発明は、ポツトとこのポツトに
一端が直結しかつ他端が半導体素子組立構体を配
置させてなるキヤビテイと直結したゲートとを有
する。つまりランナレス方式のトランスフア成形
金型の上記ポツト内に、熱硬化性樹脂組成物から
なる柱状の樹脂タブレツトを投入し、このタブレ
ツトを上記ゲートを介して上記キヤビテイ内に溶
融圧入させて上記組立構体を樹脂封止する半導体
装置の製造方法において、上記ポツト内に投入さ
せる樹脂タブレツトの金型温度でのゲル化時間を
ポツト高さ方向の中央部分で同方向上下部よりも
短くする構成としたことを特徴とする半導体装置
の製造方法に係るものである。

〔発明の構成・作用〕

以下、この発明の製造方法を第１図〜第３図を
参考にして説明する。

第１図は上型１０と下型１１とからなるランナ
レス方式のトランスフア成形金型の断面構造を示
したもので、紙面垂直方向に所定間隔をおいて連
設する複数個のポツト１とこの各ポツト１に一端
が直結しかつ他端がキヤビテイ２（２ａ，２ｂ）
に直結したゲート３（３ａ，３ｂ）を有する構成
とされ、各ポツト１にはプランジヤ４が配設され
ている。

上記各構成要素の大きさは、樹脂封止するべき
半導体の大きさによつて異なるが、たとえばポツ
ト１は後述する樹脂タブレツトに対応する形状、
大きさに設計され、またゲート３はその断面積が
通常0.6〜1.0mm²、長さが一般に５〜15mmとなる如
く設計される。なお、この大きさは、後記第３図
Ａ，Ｂに示す如き他の成形金型を用いる場合でも
ほぼ同様である。

このような成形金型の上記キヤビテイ２ａ，２
ｂ内に、リードフレーム５ａ，５ｂに紙面垂直方
向に所定間隔をおいて複数個配設された半導体素
子とこれを取り巻く外部リードやボンデイングワ
イヤなどからなる半導体組立構体６ａ，６ｂ（た
とえば16Pin DIP、42Pin DIP、パワートランジ
スタなど）が配置される一方、各ポツト１内に熱
硬化性樹脂組成物からなる柱状の樹脂タブレツト
７が投入される。

この発明においては、上記投入にあたつて、樹
脂タブレツト７の金型温度でのゲル化時間をポツ
ト高さ方向の中央部分７１で同方向上下部７０，
７２よりも短くする構成とすることをもつとも大
きな特徴点とする。このゲル化時間の差として
は、少なくとも２秒以上、好ましくは３〜10秒程
度である。このようなゲル化時間の調整は、各部
に用いる熱硬化性樹脂組成物の硬化剤や硬化促進
剤の量あるいは種類を変えることなどによつて容
易に行えるものである。

なお、上記ゲル化時間を変える構成とするため
には、以下のいずれかの態様をとればよい。ひと
つは、ポツト高さ方向の上下部７０，７２とこれ
よりゲル化時間の短い中央部分７１とからなる樹
脂タブレツト７を１個の常温圧縮成形体で構成さ
せる態様（以下、これを態様Ａという）である。
つまり、この態様においては、圧縮成形用の型内
に各部分に対応する熱硬化性樹脂組成物からなる
粉末を順次充填加圧して、上下部と中央部分とで
ゲル化時間の異なる１個の樹脂タブレツトをつく
るやり方である。他のひとつは、各部に対応する
熱硬化性樹脂組成物からそれぞれ別個に成形体を
つくり、この３個の成形体をポツト内に順次投入
して樹脂タブレツト７を構成させる態様（以下、
これをＢ態様という）である。

これら両態様において、各部を構成させるため
に用いる熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂に
その種類に応じた硬化剤やまた硬化促進剤を加
え、さらに無機質充填剤やシランカツプリング
剤、離型剤、着色剤などの添加剤を加えて、加熱
下もしくは非加熱下で混合してなるものである。

上記熱硬化性樹脂のもつとも代表的なものはエ
ポキシ樹脂であり、このエポキシ樹脂としては、
エポキシ当量が175〜300のクレゾールノボラツク
型エポキシ樹脂やハロゲン化フエノールノボラツ
ク型エポキシ樹脂などが好ましく使用できる。エ
ポキシ樹脂の場合適宜の硬化剤を必要とするが、
この硬化剤の好ましい例としては、クレゾールノ
ボラツク樹脂、フエノールノボラツク樹脂の如き
ノボラツク型フエノール樹脂が挙げられる。ま
た、これら硬化剤とともに通常用いられる硬化促
進剤には、２−メチルイミダゾール、三フツ化ホ
ウ素、トリフエニルホスフインなどがある。

また、前記の無機質充填剤としては、石英ガラ
ス粉末、二酸化けい素粉末などが好ましく用いら
れるが、この他従来公知のケイ酸カルシウム、ア
ルミナ、酸化ジルコン、酸化アンチモン、炭酸カ
ルシウム、クレー、窒化アルミニウム、炭化ケイ
素、ガラス繊維などの粉末の使用も可能である。
この無機質充填剤の平均粒子径としては一般に５
〜20μm程度であるのが望ましい。

エポキシ樹脂組成物を用いる場合の各成分の配
合比率としては、硬化剤ではその活性基当量がエ
ポキシ基１当量あたり0.5〜1.5当量となる割合と
するのがよい。他の成分では、エポキシ樹脂100
重量部に対し、硬化促進剤が0.3〜３重量部、無
機質充填剤が300〜630重量部、シランカツプリン
グ剤が１〜３重量部、離型剤が１〜３重量部、着
色剤が１〜３重量部程度である。

このような組成物を用いて前記態様Ａ，Ｂの如
く上下部分７０，７２に比し中央部分７１のゲル
化時間が短い樹脂タブレツト７を構成させるが、
この際中央部分７１の重量比率としては、上下部
分７０，７２との合計量中つまりタブレツト７全
体の20〜50重量％、好ましくは25〜40重量％の範
囲にするのがよい。この重量比率が小さすぎては
この発明の効果が得られず、逆に大きすぎると全
体のゲル化時間が速くなりすぎて成形困難となつ
たり、溶融粘度の増大によつて半導体への損傷な
どをきたすおそれがあり、いずれも好ましくな
い。

さらに、上記タブレツト７を構成する各部分の
具体的なゲル化時間としては、金型温度を考慮し
た175℃の温度下で、上下部分７０，７２では８
〜25秒の範囲、中央部分７１で５〜15秒の範囲に
あるのが望ましい。上下部分７０，７２と中央部
分７１との間のゲル化時間の差が前記範囲にあつ
たとしてもも、各ゲル化時間が上記範囲外となる
と、成形性や半導体の損傷などの問題が生じた
り、さらにはこの発明の目的とする成形サイクル
時間の短縮にも支障をきたす結果となる。

なお、この明細書におけるゲル化時間は、熱板
法により、日新科学(株)製のゲル化試験機Type−
DT−Ｄによつて測定される値を意味する。

このように構成される樹脂タブレツト７の大き
さとしては、前記ポツト１の大きさに応じた直径
4.5〜25mm、高さ５〜30mm程度とされる。形状は
円柱状のほか角柱状などの他の柱状体であつても
よい。

なお、前記態様Ａにおいては、ポツト高さ方向
の上下部および中央部分に対応する３種の熱硬化
性樹脂組成物からそれぞれ通常平均粒子径が0.1
〜0.5mm程度の粉末を得、これら粉末を用いて前
述した如き常温圧縮成形方法にて樹脂脂タブレツ
ト７を構成させる。一方、前記態様Ｂにおいて
は、上記各部に対応する組成物から３個の成形体
をつくるが、この成形に際し上記態様Ａの場合と
同様の常温圧縮形法を採用してもよいし、場合に
より押出機によつて溶融押出したのち、所定の大
きさに切断する方法などを採用してもよい。

これら態様Ａ，Ｂにおいて常温圧縮成形する際
の打錠密度つまり成形密度としては、90％以上、
好ましくは95％以上であるのがよい。この打錠密
度は〔タブレツト密度（ｇ／cm²）／樹脂硬化物密
度（ｇ／cm³）〕×100％で表わされ、上記タブレツ
ト密度はタブレツトの重量（ｇ）／タブレツトの
容量cm³にて、また上記樹脂硬化物密度は樹脂硬化
物の重量（ｇ）／樹脂硬化物の容量（cm³）にて、
それぞれ求められるものである。

上記の如き構成とされた樹脂タブレツト７は、
ポツト１内に投入されたのち、金型温度で加熱さ
れかつプランジヤ４によつて加圧される。このと
きの金型温度は、一般に150〜200℃、好ましくは
160〜190℃程度であり、プランジヤ圧は通常50〜
120Kg／cm²、好ましくは70〜100Kg／cm³程度であ
る。

上記加熱加圧によつて、樹脂タブレツト７は溶
融しゲート３ａ，３ｂを介してキヤビテイ２ａ２
ｂに圧入されるが、この圧入樹脂のほとんどは上
記タブレツト７の上下部分７０，７２で占められ
ており、またこの圧入後にゲート３ａ，３ｂに残
る樹脂についても上記同様である。このように、
圧入充填されたキヤビテイ２ａ，２ｂおよびゲー
ト３ａ，３ｂ内の上記樹脂は金型壁から効率的に
熱を受けるため、これのゲル化時間にほとんど左
右されることなく、速やかに硬化する。キヤビテ
イ２ａ，２ｂ内で硬化した樹脂はここに配置され
る半導体素子組立構体６ａ，６ｂを被覆した封止
樹脂を構成する。

一方、樹脂タブレツト７の中央部分７１はその
多くがポツト１内に残留するが、これのゲル化時
間を予め短くしていることにより、キヤビテイ２
ａ，２ｂやゲート３ａ，３ｂの充填樹脂に較べて
その硬化時間が長くなりすぎるおそれはなく、比
較的短時間のうちに硬化が完了する。その結果、
樹脂タブレツト７をポツト１に投入しプランジヤ
４によつて加圧注入したのち硬化成形を行うまで
の成形サイクル時間が従来に比し短縮され、これ
より樹脂封止型半導体装置の量産性に非常に好結
果を得ることができる。

第２図は上記の如く硬化成形を行つたのち、金
型から離型した状態を示したもので、２０ａ，２
０ｂはそれぞれリードフレーム５ａ，５ｂに所定
間隔をおいて配設された半導体素子組立構体６
ａ，６ｂを被覆する硬化した封止樹脂を示してい
る。また、３０ａ，３０ｂは各ゲート３ａ，３ｂ
内で硬化した樹脂、１００は各ポツト１内で硬化
した残留樹脂である。

なお、上記第１図の成形金型においては、１個
のポツト１に一端が直結するゲート３ａ，３ｂの
各他端にそれぞれキヤビテイ２ａ，２ｂを直結さ
せる構成をとつているが、１個のポツト１にゲー
ト３を介して直結させるキヤビテイ２の数は一般
に１〜６個、好ましくは２〜４個の範囲で自由に
選択できる。たとえば第３図Ａ，Ｂはこの例を示
している。

すなわち、第３図Ａのように、１個のポツト１
に対してゲート３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆを介して
４個のキヤビテイ２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆを直結
させる構成をとつてもよく、また第３図Ｂのよう
に、１個のポツト１に一端が直結するゲート３
ｇ，３ｈをそれぞれ二股状としてその各両端部に
２個のキヤビテイ２ｇ，２g′および２ｈ，２h′を
直結させるような構成をとつてもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明においては、ランナレ
ス方式のトランスフア成形を行うにあたつて、ポ
ツト内に投入させる樹脂タブレツトの金型温度で
のゲル化時間をポツト高さ方向の中央部分で同方
向上下部よりも短くする構成としたことにより、
成形サイクル時間の短縮を図れるため、樹脂封止
型半導体装置の量産性の向上の大きく寄与させる
ことができる。

〔実施例〕

以下に、この発明の実施例を比較例とともに記
述する。なお、以下において部とあるは重量部を
意味するものとする。また、以下に記述される溶
融粘度およびスパイラルフロー値は下記の方法に
て測定したものである。

〈溶融粘度〉 熱硬化性樹脂組成物粉末2gを直径10mm、高さ
15mmの大きさに常温圧縮成形し、この成形試料を
用いて島津社製の高化式フローテスタ（ノズル直
径１mm、ノズル長さ10mm、荷重10Kg／cm²）により
測定した。

〈スパイラルフロー値〉 EMMI−１−66のスパイラルフロー測定法に
より測定した。

また、以下の実施例および比較例にて使用した
熱硬化性樹脂組成物からなる粉末Ａ，Ｂ，Ｃは下
記の要領にて調製したものである。

〈粉末Ａ〉 150℃での溶融粘度が15ポイズのエポキシ当量
195のクレゾールノボラツク型エポキシ樹脂20部、
ノボラツク型フエノール樹脂10部、二酸化けい素
粉末96部、２−メチルイミダゾール0.5部、シラ
ンカツプリング剤0.5部、カルナバワツクス0.5
部、カーボンブラツク0.5部を混合し、90℃の熱
ロールで５分間加熱混練したのち、冷却後の0.3
mmの平均粒子径に粉砕した。この粉末Ａの175℃
下でのゲル化時間は15秒、スパイラルフロー値は
65cm、溶融粘度は470ポイズであつた。

〈粉末Ｂ〉 150℃での溶融粘度が25ポイズのエポキシ当量
195のクレゾールノボラツク型エポキシ樹脂20部、
ノボラツク型フエノール樹脂10部、二酸化けい素
粉末96部、２−メチルイミダゾール0.7部、カル
ナバワツクス0.5部、カーボンブラツク0.5部、シ
ランカツプリング剤0.5部を混合し、以下前記粉
末Ａと同様の手法にて平均粒子径0.4mmの粉末を
得た。この粉末Ｂの175℃下でのゲル化時間は10
秒、スパイラルフロー値は38cm、溶融粘度は800
ポイズであつた。

〈粉末Ｃ〉 前記粉末Ｂにおける２−メチルイミダゾールの
使用量を1.1部に変更した以外は、粉末Ｂと全く
同様にして平均粒子径0.3mmの粉末を得た。この
粉末Ｃの175℃下でのゲル化時間は６秒、スパイ
ラルフロー値は21cm、溶融粘度は2000ポイズであ
つた。

実施例 １ 上部が1/3粉末Ａ、中央部分１／３が粉末Ｃお
よび下部1/3が粉末Ａからなる直径9.8mm、高さ
14.2mm、重さ11.75gの円柱状の樹脂タブレツト１
個常温圧縮成形により作製した。この樹脂タブレ
ツトを使用し、かつランナレス方式のトランスフ
ア成形金型として前記第１図に示す構造のものを
用いて、半導体封止のためのトランスフア成形を
行つた。

なお、上記成形金型およびこれに配置した半導
体素子組立構体の詳細は以下のとおりである。す
なわち、ポツト数は10個、したがつてキヤビテイ
数は20個であり、各ゲートの大きさは断面積0.7
mm²、長さ７mmであり、また各キヤビテイの容量は
402mm³である。この成形金型に配置されるふたつ
のリードフレームには所定間隔をおいてそれぞれ
10個の半導体素子組立構体が配設され、これら構
体が各キヤビテイ内に位置するように固定されて
なる。なお、金型温度は180℃、プランジヤ圧力
は90Kg／cm²、プランジヤ速度は1.85mm／秒とし
た。上記金型温度によつて、樹脂タブレツトは通
常175〜150℃の温度に加熱されるものである。ま
た上記プランジヤ速度による樹脂タブレツトの溶
融圧入時間（注入時間）は８秒である。

上記トランスフア成形により、半導体に異常が
認められない信頼性の高い樹脂封止型半導体装置
を得ることができた。この成形法における前記タ
ブレツトの溶融圧入後硬化完了に至るまでの時
間、つまり離型可能な時間は15秒であつて。な
お、硬化が完了したかどうかは、離型したときに
キヤビテイ、ゲートおよびポツト部の硬化樹脂の
表面にふくれがあるかどうかで判断した。すなわ
ち、未硬化の場合離型時に樹脂表面にふくれが発
生するため、このふくれが認められないときは完
全硬化したものと判定できる。

比較例 １ 粉末Ａだけを用いて直径9.8mm、高さ14.2mm、
重量1.75gの円柱状の樹脂タブレツト１個を常温
圧縮成形により作製した。このタブレツトを用い
て実施例１と同様のランナレス方式のトランスフ
ア成形を行つたところ、離型可能な硬化時間は22
秒であつた。

比較例 ２ 粉末Ｃだけを用いて直径9.8mm、高さ14.2mm、
重量1.75gの円柱状の樹脂タブレツト１個を常温
圧縮成形により作製した。このタブレツトを用い
て実施例１と同様のランナレス方式のトランスフ
ア成形を行つたところ、離型可能な硬化時間は８
秒となつたが、この場合キヤビテイ内の半導体素
子組立構体にＸ線観察により金線のたわみが著し
いなどの異常が認められ、樹脂封止型半導体装置
の信頼性に欠けるものであつた。

実施例 ２ 上部1/3が粉末Ｂ、中央部分１／３が粉末Ｃお
よび下部1/3が粉末Ｂからなる直径9.8mm、高さ
14.2mm、重さ1.75gの円柱状の樹脂タブレツト１
個を常温圧縮成形により作製した。この樹脂タブ
レツトを用いて実施例１と同様のランナレス方式
のトランスフア成形を行つたところ、半導体に異
常が全く認められない高信頼性の樹脂封止型半導
体装置を得ることができた。この場合の離型可能
な時間は８秒であつた。

また、上記樹脂タブレツトの上下部（粉末Ｂ）
と中央部分（粉末Ｃ）との比率を、１：１，４：
１，５：１に変更して、上記同様のランナレス方
式のトランスフア成形を行つてみたところ、離型
可能な時間が８秒、10秒、15秒となつた。これよ
り、中央部分に配する粉末Ｃが少なすぎると離型
サイクル時間の短縮を図れず（後記比較例３との
対比）、また一定量を超えて多くしてもそれ以上
の短縮を図れないものであることが判る。また上
記粉末Ｃが多くなりすぎると（比率１：１）、Ｘ
線観察により金線の流れが僅かに認められた。

比較例 ３ 粉末Ｂだけを用いて直径9.8mm、高さ14.2mm、
重さ1.75gの円柱状の樹脂タブレツト１個を常温
圧縮成形により作製した。このタブレツトを用い
て実施例１と同様のトランスフア成形を行つたと
ころ、離型可能な時間は15秒であつた。

実施例 ３ 粉末Ｂだけで直径9.8mm、高さ4.7mm、重さ0.58g
の円柱状の常温圧縮成形体２個をつくり、また粉
末Ｃだけで直径9.8mm、高さ4.7mm、重さ0.58ggの
円柱状の常温圧縮成形体１個をつくつた。これら
の成形体を粉末Ｂからなるものが上下部に粉末Ｃ
からなるものが中央部分に位置するように積層し
てポツト内に投入するべき樹脂タブレツトとし、
これを用いて実施例１と同様のランナレス方式の
トランスフア成形を行つた。結果は、実施例２の
場合と全く同じで、離型可能な時間は８秒であつ
た。

上記の実施例１と比較例１，２との対比、およ
び実施例２，３と比較例２，３との対比から、こ
の発明の方法によれば、半導体に損傷が認められ
ない信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を量産性
良好に製造できるものであることが判る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明方法の実施に用いられるラン
ナレス方式のトランスフア成形金型の一例を示す
断面図、第２図は上記金型を用いて半導体の樹脂
封止を行つたのち成形金型より離型した状態を示
す平面図、第３図Ａ，Ｂは第１図の成形金型の変
形例としてポツトとゲートとキヤビテイとの連結
状態が異なる例を示す構成図である。 １……ポツト、２（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，
２ｅ，２ｆ，２ｇ，２g′，２ｈ，２h′）……キヤ
ビテイ、３（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３
ｆ，３ｇ，３ｈ）……ゲート、６ａ，６ｂ……半
導体素子組立構体、７……樹脂タブレツト、７
０，７２……上下部、７１……中央部分、１０，
１１……成型金型、２０ａ，２０ｂ……封止樹
脂。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ポツトとこのポツトに一端が直結しかつ他端
   が半導体素子組立構体を配置させてなるキヤビテ
   イと直結したゲートとを有する成形金型の上記ポ
   ツト内に、熱硬化性樹脂組成物からなる柱状の樹
   脂タブレツトを投入し、このタブレツトを上記ゲ
   ートを介して上記キヤビテイ内に溶融圧入させて
   上記組立構体を樹脂封止する半導体装置の製造方
   法において、上記ポツト内に投入させる樹脂タブ
   レツトの金型温度でのゲル化時間をポツト高さ方
   向の中央部分で同方向上下部よりも短くする構成
   としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２ 熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂組成物か
   らなる特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の
   製造方法。 ３ ポツト高さ方向の上下部と中央部分とからな
   る柱状の樹脂タブレツトが１個の常温圧縮成形体
   から構成されてなる特許請求の範囲第１項または
   第２項記載の半導体装置の製造方法。 ４ ポツト高さ方向の上下部と中央部分とからな
   る柱状の樹脂タブレツトが上記各部分に対応する
   ３個の成形体から構成されてなる特許請求の範囲
   第１項または第２項記載の半導体装置の製造方
   法。