JPH0348654B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0348654B2 JPH0348654B2 JP59237219A JP23721984A JPH0348654B2 JP H0348654 B2 JPH0348654 B2 JP H0348654B2 JP 59237219 A JP59237219 A JP 59237219A JP 23721984 A JP23721984 A JP 23721984A JP H0348654 B2 JPH0348654 B2 JP H0348654B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- tablet
- pot
- semiconductor
- melt viscosity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 69
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 20
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 19
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 10
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 9
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 24
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 101100298222 Caenorhabditis elegans pot-1 gene Proteins 0.000 description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005580 one pot reaction Methods 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明はトランスフア成形の一種であるラン
ナレス方式（マルチプランジヤ方式ともいう）に
よつて半導体を樹脂封止するのに使用する半導体
封止用樹脂タブレツトに関する。 〔従来の技術〕 半導体を樹脂封止するための従来のトランスフ
ア成形では、プランジヤを備えたポツトとこのポ
ツトから放射状に延散する多数個のランナと各ラ
ンナにゲートを介して連通する多数個のキヤビテ
イとを有する成形金型を用いて、この金型の各キ
ヤビテイ内に半導体素子組立構体を１個づつ配置
するとともに、上記ポツト内に樹脂タブレツトを
投入し、これを金型熱で溶融しながらプランジヤ
で加圧することにより、上記ランナおよびゲート
を介して各キヤビテイ内に溶融圧入させる方式を
とつている。 しかるに、この成形方式では、ポツトに投入さ
れた樹脂がこのポツトおよび各ゲートのほか長く
てかつ断面積の広いランナに残るため、成形後の
樹脂ロスが非常に大きくなるという欠点がある。 これに対して、近年では、ランナレス方式のト
ランスフア成形として、プランジヤを備えたポツ
トを複数個設けて、各ポツトに投入された封止用
樹脂をランナを介さないで直接ゲートを介して各
キヤビテイに溶融圧入させる方式の成形金型を用
いて、半導体の樹脂封止を行う試みがなされてい
る（第１図参照）。この成形方式は、前記従来の
如きランナに起因した樹脂ロスが全くないため、
材料費の大幅な低減を図れる利点がある。 しかしながら、このようなランナレス方式の成
形法においては、封止樹脂の内部に気泡（以下、
ボイドという）が生じやすく、これが半導体装置
の耐湿信頼性の低下をきたしたり、また機械的強
度の低下を招く原因となつている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この発明は、上記の如く材料費の面ではるかに
有利なランナレス方式のトランスフア成形におけ
る上述の問題点を解決して、封止樹脂内部のボイ
ドが低減された耐湿信頼性などにすぐれる半導体
装置を得ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明者らは、上記問題点を解決するために
鋭意検討した結果、ランナレス方式のトランスフ
ア成形においてはこれに用いる樹脂タブレツトの
溶融粘度が半導体素子組体構体におけるボンデイ
ングワイヤの断線といつた不良品の発生とともに
封止樹脂内部のボイドの発生にも大きく影響し、
この溶融粘度を特定範囲に設定したときには、ボ
イドが少なくてかつ上記の如き不良品の発生がみ
られない高信頼性の半導体装置が得られることを
知り、この発明を完成するに至つた。 すなわち、この発明は、ポツトとこのポツトに
一端が直結しかつ他端が半導体素子組立構体を配
置してなるキヤビテイと直結したゲートとを有す
る、つまりランナレス方式の成形金型の上記ポツ
ト内に投入されて上記ゲートを介して上記キヤビ
テイ内に溶融圧入される半導体封止用樹脂タブレ
ツトにおいて、熱硬化性樹脂と無機質充填剤とを
含む組成物から構成されて、かつ上記溶融圧入の
ための金型温度での溶融粘度が500〜1000ポイズ
の範囲にあることを特徴とする半導体封止用樹脂
タブレツトに係るものである。 なお、この明細書において、樹脂タブレツトの
溶融粘度とは、タブレツトを構成する組成物２ｇ
を断面直径10mm、高さ15mmの大きさ（タブレツ
ト）に成形し、この成形試料を用いて島津社製の
高化式フローテスタ（ノズル直径１mm、ノズル長
さ10mm、荷重10Kg／cm2）により所定温度（金型温
度）で測定される値を意味するものとする。 〔発明の構成・作用〕 この発明に用いる樹脂タブレツト成形用の組成
物は、熱硬化性樹脂と無機質充填剤とを必須成分
とし、これに通常は熱硬化性樹脂の種類に応じた
硬化剤やまた硬化促進剤を配合し、さらに必要に
応じてシランカツプリング剤、離型剤、着色剤な
どの添加剤を加えて加熱下もしくは非加熱下で混
合してなるものである。 この組成物を通常平均粒子径が0.1〜0.5mm程度
に粉砕し、常法にしたがつて常温圧縮成形するこ
とにより、ランナレス方式のトランスフア成形に
適した一般に断面直径4.5〜25mm、高さ５〜30mm
程度の円柱状の樹脂タブレツトとするが、このタ
ブレツトは上記円柱状のほか角柱状などの他の形
態とされたものであつてもよい。また、上記樹脂
タブレツトは、前記組成物を押出機によつて溶融
押出したのち、上述の如き大きさに切断する方法
などによつても得ることができる。 この発明においてはこのような樹脂タブレツト
の溶融粘度を、前述の如く、成形金型温度（通常
150〜200℃、好ましくは160〜190℃）下で500〜
1000ポイズの範囲となるように設定することをも
つとも大きな特徴点とする。すなわち、かかる粘
度範囲に設定したときには、これをポツト内に投
入しゲートを介してキヤビテイ内に溶融圧入させ
る際の空気の巻き込みが抑えられるため、上記キ
ヤビテイ内に溶融圧入されてここに配置された半
導体素子組立構体を被覆する如く硬化した封止樹
脂の内部にはボイドの発生がほとんど認められな
くなる。しかも、上記粘度範囲では、キヤビテイ
内に溶融圧入された際の半導体素子組立構体にか
かる流体抵抗が大きくなりすぎるおそれはないた
め、上記構体に対して物理的損傷をきたす心配は
特にない。 これに対して、従来の樹脂タブレツトは、上記
溶融粘度が溶融圧入性の観点から通常200ポイズ
以下の低い値にされていたため、ポツト投入時の
空気の巻き込みをどうしてもさけられず、これが
封止樹脂にボイドを多発させる原因となつていた
ものと思われる。そして、この溶融粘度を高くす
るにしたがつて、上記問題は減少してくるが、
500ポイズ未満ではなお満足するべき結果は得ら
れない。一方、この溶融粘度をあまりに高くしす
ぎて、この発明の規定範囲外である1000ポイズを
超える値とすると、流体抵抗が大きくなり、半導
体素子組立構体におけるボンデイングワイヤの断
線や外部リードと半導体素子とを連結する金線が
流れてたわみが生じてくるなど、短絡不良という
致命的欠陥をさけられなくなる。 この発明の樹脂タブレツトを上述の特定範囲に
設定するには、たとえば使用する熱硬化性樹脂の
溶融粘度と無機質充填剤の使用量とを適当に調節
することによつて容易に行えるものである。熱硬
化性樹脂のもつとも代表的なものはエポキシ樹脂
であり、このエポキシ樹脂の溶融粘度は金型温度
を考慮した150℃の温度下で一般に15〜30ポイズ
の範囲にあるのが好ましい。また、無機質充填剤
はその量が多くなるほどタブレツトの溶融粘度が
高くなるものであるが、一般にはタブレツトつま
りは組成物中72〜80重量％を占める範囲にあるの
が好ましい。なお、上記エポキシ樹脂の溶融粘度
とは、オスワルド粘度計で測定される値を意味す
る。 このようなエポキシ樹脂としては、エポキシ当
量が175〜300のクレゾールノボラツク型エポキシ
樹脂やハロゲン化フエノールノボラツク型エポキ
シ樹脂などが好ましく使用できる。エポキシ樹脂
の場合適宜の硬化剤を必要とするが、この硬化剤
の好ましい例としては、クレゾールノボラツク樹
脂、フエノールノボラツク樹脂の如きノボラツク
型フエノール樹脂が挙げられる。また、これら硬
化剤とともに通常用いられる硬化促進剤には、２
−メチルイミダゾール、三フツ化ホウ素、トリフ
エニルホスフインなどがある。 また、前記の無機質充填剤としては、石英ガラ
ス粉末、二酸化けい素粉末などが好ましく用いら
れるが、その他従来公知のケイ酸カルシウム、窒
化アルミニウム、酸化ジルコン、クレー、炭酸カ
ルシウム、酸化アンチモン、アルミナ、炭化ケイ
素、ガラス繊維などの粉末の使用も可能である。
この無機質充填剤の平均粒子径としては一般に５
〜20μｍ程度であるのが望ましい。 この発明の樹脂タブレツトは、前述の如く特定
範囲の溶融粘度を有することを特徴とするもので
あるが、これを得るために一般的に採用される前
記の組成物粉末から常温圧縮成形する際の成形密
度（以下、打錠密度という）としては90％以上、
好ましくは93％以上であるのがよい。この打錠密
度が低くなりすぎると、ポツト投入時の含有空気
が多くなるため、溶融粘度を規定したことによる
ボイドの低減効果が損なわれるおそれがある。 なお、上記の打錠密度とは〔タブレツト密度
（ｇ／cm3）／樹脂硬化物密度（ｇ／cm3）〕×100％で
表わされ、上記タブレツト密度はタブレツトの重
量（ｇ）／タブレツトの容量（cm3）にて、また上
記樹脂硬化物密度は樹脂硬化物の重量（ｇ）／樹
脂硬化物の容量（cm3）にて、それぞれ求められる
ものである。 つぎに、この発明の樹脂タブレツトを用いて、
ランナレス方式のトランスフア成形により半導体
を樹脂封止する方法につき、第１図〜第３図を参
考にして説明する。 第１図は上型１０と下型１１とからなるランナ
レス方式のトランスフア成形金型の断面構造を示
したもので、紙面垂直方向に所定間隔をおいて連
設する複数個のポツト１とこの各ポツト１に一端
が直結しかつ他端がキヤビテイ２（２ａ，２ｂ）
に直結したゲート３（３ａ，３ｂ）を有する構成
とされ、各ポツト１にはプランジヤ４が配設され
ている。 上記各構成要素の大きさは、樹脂封止するべき
半導体の大きさによつて異なるが、たとえばポツ
ト１は前記樹脂タブレツト７に対応する形状、大
きさに設計され、またゲート３はその断面積が通
常0.6〜1.0mm2、長さが一般に５〜15mmとなる如く
設計される。なお、この大きさは、後記第３図
Ａ，Ｂに示す如き他の成形金型を用いる場合でも
ほぼ同様である。 このような成形金型の上記キヤビテイ２ａ，２
ｂ内に、リードフレーム５ａ，５ｂに紙面垂直方
向に所定間隔をおいて複数個配設された半導体素
子とこれを取り巻く外部リードやボンデイングワ
イヤなどからなる半導体素子組立構体６ａ，６ｂ
（たとえば16PinDIP、42PinDIP、パワートラン
ジスタなど）が配置される一方、各ポツト１に前
記この発明の樹脂タブレツト７が投入され、これ
を金型温度で加熱しながらプランジヤ４によつて
加圧する。このときの金型温度は、既述したよう
に、通常150〜200℃、好ましくは160〜190℃であ
り、またプランジヤ圧は一般に50〜120Kg／cm2、
好ましくは70〜100Kg／cm2とされる。 上記の加熱加圧によつて、樹脂タブレツト７は
溶融しゲート３ａ，３ｂを介してキヤビテイ２
ａ，２ｂに圧入され、ここに配置される半導体素
子組立構体６ａ，６ｂを全面被覆した状態で硬化
する。このとき、樹脂タブレツト７の溶融粘度が
前記特定の範囲にあることにより、硬化樹脂中の
ボイドはほとんどみられず、また上記組立構体６
ａ，６ｂに物理的損傷をきたすおそれは全くな
い。 第２図は上記の如くトランスフア成形を行つた
のち、上型１０と下型１１とからなる成形金型か
ら離型した状態を示したもので、２０ａ，２０ｂ
はそれぞれリードフレーム５ａ，５ｂに所定間隔
をおいて配設された半導体素子組立構体６ａ，６
ｂを被覆する硬化した封止樹脂である。なお、３
０ａ，３０ｂは各ゲート３ａ，３ｂ内で硬化した
樹脂、１００は各ポツト１内で硬化した樹脂であ
る、これら３０ａ，３０ｂ，１００が成形ロスと
なる樹脂部分であるが、ランナを有しないためこ
のランナ部分での樹脂ロスが全くなくそれだけ材
料費の節減を図れるものである。 なお、上記第１図の成形金型においては、１個
のポツト１に一端が直結するゲート３ａ，３ｂの
各他端にそれぞれキヤビテイ２ａ，２ｂが直結さ
せる構成をとつているが、１個のポツト１にゲー
ト３を介して直結させるキヤビテイ２の数は一般
に１〜６個、好ましくは２〜４個の範囲で自由に
選択できる。たとえば第３図Ａ，Ｂはこの例に示
している。 すなわち、第３図Ａのように、１個のポツト１
に対してゲート３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆを介して
４個のキヤビテイ２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆを直結
させる構成をとつてもよく、また第３図Ｂのよう
に、１個のポツト１に一端が直結するゲート３
ｇ，３ｈをそれぞれ二股状としてその各両端部に
２個のキヤビテイ２ｇ，２g′および２ｈ，２h′を
直結させるような構成をとつてもよい。 〔発明の効果〕 以上のように、この発明においては、ランナレ
ス方式のトランスフア成形用の樹脂タブレツトと
してその溶融粘度を特定範囲に設定したことによ
り、成形時に半導体素子組立構体に損傷をきたす
ことなく封止樹脂内部のボイドの低減を図れ、こ
れにより耐湿信頼性などにすぐれる樹脂封止型半
導体装置を得ることが可能となる。 〔実施例〕 以下に、この発明の実施例を記載してより具体
的に説明する。なお、以下において部とあるは重
量部を意味するものとする。 実施例 １ 150℃での溶融粘度が25ポイズのエポキシ当量
195のクレゾールノボラツク型エポキシ樹脂（以
下、エポキシ樹脂Ａという）20部、ノボラツク型
フエノール樹脂10部、二酸化けい素粉末96部、２
−メチルイミダソール0.5部、カルナバワツクス
0.5部、カーボンブラツク0.5部およびシランカツ
プリング剤0.5部を混合し、90℃の加熱ロールで
５分間加熱混練したのち、冷却粉砕して平均粒子
径0.1〜0.5mmのエポキシ樹脂組成物粉末を得た。 この粉末を打錠機にて常温圧縮成形して、断面
直径9.8mm、高さ13mm、重さ1.77ｇの円柱状の樹
脂タブレツトを製造した。このタブレツトの175
℃での溶融粘度は800ポイズ、打錠密度は95％で
あつた。このタブレツトをこの発明の半導体封止
用樹脂タブレツトとした。 実施例 ２ 実施例１で調製したエポキシ樹脂組成物粉末を
打錠機で常温圧縮成形して、断面直径9.8mm、高
さ14.2mm、重さ1.75ｇの円柱状の樹脂タブレツト
を製造した。このタブレツトの175℃での溶融粘
度は805ポイズ、打錠密度は90％であつた。この
タブレツトをこの発明の半導体封止用樹脂タブレ
ツトとした。 実施例 ３ エポキシ樹脂Ａの代わりに150℃での溶融粘度
が15ポイズのエポキシ当量195のクレゾールノボ
ラツク型エポキシ樹脂を同量用いた以外は、実施
例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物粉末を調製
し、この粉末を打錠機で常温圧縮成形して、断面
直径9.8mm、高さ14.2mm、重さ1.75ｇの円柱状の樹
脂タブレツトを製造した。このタブレツトの175
℃での溶融粘度は570ポイズ、打錠密度は90％で
あつた。このタブレツトをこの発明の半導体封止
用樹脂タブレツトとした。 比較例 １ エポキシ樹脂Ａの代わりに150℃での溶融粘度
が５ポイズのエポキシ当量195のクレゾールノボ
ラツク型エポキシ樹脂を同量使用し、かつ二酸化
けい素粉末の使用量を75部に変更した以外は、実
施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物粉末を得
た。この粉末を打錠機にて常温圧縮成形して、断
面直径9.8mm、高さ14.2mm、重さ1.75ｇの円柱状の
樹脂タブレツトを製造した。このタブレツトの
175℃での溶融粘度は120ポイズ、打錠密度は90％
であつた。このタブレツトを比較用の半導体封止
用樹脂タブレツトとした。 比較例 ２ 二酸化けい素粉末の使用量を128部に変更した
以外は、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成
物粉末を得た。この粉末を打錠機にて常温圧縮成
形して、断面直径9.8mm、高さ14.2mm、重さ1.75ｇ
の円柱状の樹脂タブレツトを製造した。このタブ
レツトの175℃での溶融粘度は1500ポイズ、打錠
密度は90％であつた。このタブレツトを比較用の
半導体封止用樹脂タブレツトとした。 つぎに、上記実施例および比較例に係る各樹脂
タブレツトを用いて、ランナレス方式のトランス
フア成形により半導体を樹脂封止し、その性能を
調べた。成形金型は第１図に示す構造のものを用
いた。ポツト数は103個、したがつてキヤビテイ
数は20個であり、各ゲートの大きさは断面積0.7
mm2、長さ７mmであり、また各キヤビテイの容量は
402mm3である。この成形金型に配置されるふたつ
のリードフレームには所定間隔をおいてそれぞれ
10個の半導体素子組立構体が配設され、これら構
体が各キヤビテイ内に位置するように固定されて
なる。なお、金型温度は180℃、プランジヤ圧力
は90Kg／cm2、プランジヤ速度は1.85mm／秒とし
た。上記金型温度によつて、樹脂タブレツトは通
常175〜180℃の温度に加熱されるものである。 このようにして樹脂封止した半導体装置の樹脂
封止部のボイド数と半導体装置の損傷とを調べた
結果は、下記の表に示されるとおりであつた。な
お、ボイド数は、軟Ｘ線装置で写真撮影し、ボイ
ド径が0.2mm以上のものの個数を調べた。また半
導体装置の損傷は、半導体素子組立構体における
ボンデイングワイヤの断線や金線のたわみなどの
異常がみられるかどうかを、軟Ｘ線写真により調
べた。
ナレス方式（マルチプランジヤ方式ともいう）に
よつて半導体を樹脂封止するのに使用する半導体
封止用樹脂タブレツトに関する。 〔従来の技術〕 半導体を樹脂封止するための従来のトランスフ
ア成形では、プランジヤを備えたポツトとこのポ
ツトから放射状に延散する多数個のランナと各ラ
ンナにゲートを介して連通する多数個のキヤビテ
イとを有する成形金型を用いて、この金型の各キ
ヤビテイ内に半導体素子組立構体を１個づつ配置
するとともに、上記ポツト内に樹脂タブレツトを
投入し、これを金型熱で溶融しながらプランジヤ
で加圧することにより、上記ランナおよびゲート
を介して各キヤビテイ内に溶融圧入させる方式を
とつている。 しかるに、この成形方式では、ポツトに投入さ
れた樹脂がこのポツトおよび各ゲートのほか長く
てかつ断面積の広いランナに残るため、成形後の
樹脂ロスが非常に大きくなるという欠点がある。 これに対して、近年では、ランナレス方式のト
ランスフア成形として、プランジヤを備えたポツ
トを複数個設けて、各ポツトに投入された封止用
樹脂をランナを介さないで直接ゲートを介して各
キヤビテイに溶融圧入させる方式の成形金型を用
いて、半導体の樹脂封止を行う試みがなされてい
る（第１図参照）。この成形方式は、前記従来の
如きランナに起因した樹脂ロスが全くないため、
材料費の大幅な低減を図れる利点がある。 しかしながら、このようなランナレス方式の成
形法においては、封止樹脂の内部に気泡（以下、
ボイドという）が生じやすく、これが半導体装置
の耐湿信頼性の低下をきたしたり、また機械的強
度の低下を招く原因となつている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この発明は、上記の如く材料費の面ではるかに
有利なランナレス方式のトランスフア成形におけ
る上述の問題点を解決して、封止樹脂内部のボイ
ドが低減された耐湿信頼性などにすぐれる半導体
装置を得ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明者らは、上記問題点を解決するために
鋭意検討した結果、ランナレス方式のトランスフ
ア成形においてはこれに用いる樹脂タブレツトの
溶融粘度が半導体素子組体構体におけるボンデイ
ングワイヤの断線といつた不良品の発生とともに
封止樹脂内部のボイドの発生にも大きく影響し、
この溶融粘度を特定範囲に設定したときには、ボ
イドが少なくてかつ上記の如き不良品の発生がみ
られない高信頼性の半導体装置が得られることを
知り、この発明を完成するに至つた。 すなわち、この発明は、ポツトとこのポツトに
一端が直結しかつ他端が半導体素子組立構体を配
置してなるキヤビテイと直結したゲートとを有す
る、つまりランナレス方式の成形金型の上記ポツ
ト内に投入されて上記ゲートを介して上記キヤビ
テイ内に溶融圧入される半導体封止用樹脂タブレ
ツトにおいて、熱硬化性樹脂と無機質充填剤とを
含む組成物から構成されて、かつ上記溶融圧入の
ための金型温度での溶融粘度が500〜1000ポイズ
の範囲にあることを特徴とする半導体封止用樹脂
タブレツトに係るものである。 なお、この明細書において、樹脂タブレツトの
溶融粘度とは、タブレツトを構成する組成物２ｇ
を断面直径10mm、高さ15mmの大きさ（タブレツ
ト）に成形し、この成形試料を用いて島津社製の
高化式フローテスタ（ノズル直径１mm、ノズル長
さ10mm、荷重10Kg／cm2）により所定温度（金型温
度）で測定される値を意味するものとする。 〔発明の構成・作用〕 この発明に用いる樹脂タブレツト成形用の組成
物は、熱硬化性樹脂と無機質充填剤とを必須成分
とし、これに通常は熱硬化性樹脂の種類に応じた
硬化剤やまた硬化促進剤を配合し、さらに必要に
応じてシランカツプリング剤、離型剤、着色剤な
どの添加剤を加えて加熱下もしくは非加熱下で混
合してなるものである。 この組成物を通常平均粒子径が0.1〜0.5mm程度
に粉砕し、常法にしたがつて常温圧縮成形するこ
とにより、ランナレス方式のトランスフア成形に
適した一般に断面直径4.5〜25mm、高さ５〜30mm
程度の円柱状の樹脂タブレツトとするが、このタ
ブレツトは上記円柱状のほか角柱状などの他の形
態とされたものであつてもよい。また、上記樹脂
タブレツトは、前記組成物を押出機によつて溶融
押出したのち、上述の如き大きさに切断する方法
などによつても得ることができる。 この発明においてはこのような樹脂タブレツト
の溶融粘度を、前述の如く、成形金型温度（通常
150〜200℃、好ましくは160〜190℃）下で500〜
1000ポイズの範囲となるように設定することをも
つとも大きな特徴点とする。すなわち、かかる粘
度範囲に設定したときには、これをポツト内に投
入しゲートを介してキヤビテイ内に溶融圧入させ
る際の空気の巻き込みが抑えられるため、上記キ
ヤビテイ内に溶融圧入されてここに配置された半
導体素子組立構体を被覆する如く硬化した封止樹
脂の内部にはボイドの発生がほとんど認められな
くなる。しかも、上記粘度範囲では、キヤビテイ
内に溶融圧入された際の半導体素子組立構体にか
かる流体抵抗が大きくなりすぎるおそれはないた
め、上記構体に対して物理的損傷をきたす心配は
特にない。 これに対して、従来の樹脂タブレツトは、上記
溶融粘度が溶融圧入性の観点から通常200ポイズ
以下の低い値にされていたため、ポツト投入時の
空気の巻き込みをどうしてもさけられず、これが
封止樹脂にボイドを多発させる原因となつていた
ものと思われる。そして、この溶融粘度を高くす
るにしたがつて、上記問題は減少してくるが、
500ポイズ未満ではなお満足するべき結果は得ら
れない。一方、この溶融粘度をあまりに高くしす
ぎて、この発明の規定範囲外である1000ポイズを
超える値とすると、流体抵抗が大きくなり、半導
体素子組立構体におけるボンデイングワイヤの断
線や外部リードと半導体素子とを連結する金線が
流れてたわみが生じてくるなど、短絡不良という
致命的欠陥をさけられなくなる。 この発明の樹脂タブレツトを上述の特定範囲に
設定するには、たとえば使用する熱硬化性樹脂の
溶融粘度と無機質充填剤の使用量とを適当に調節
することによつて容易に行えるものである。熱硬
化性樹脂のもつとも代表的なものはエポキシ樹脂
であり、このエポキシ樹脂の溶融粘度は金型温度
を考慮した150℃の温度下で一般に15〜30ポイズ
の範囲にあるのが好ましい。また、無機質充填剤
はその量が多くなるほどタブレツトの溶融粘度が
高くなるものであるが、一般にはタブレツトつま
りは組成物中72〜80重量％を占める範囲にあるの
が好ましい。なお、上記エポキシ樹脂の溶融粘度
とは、オスワルド粘度計で測定される値を意味す
る。 このようなエポキシ樹脂としては、エポキシ当
量が175〜300のクレゾールノボラツク型エポキシ
樹脂やハロゲン化フエノールノボラツク型エポキ
シ樹脂などが好ましく使用できる。エポキシ樹脂
の場合適宜の硬化剤を必要とするが、この硬化剤
の好ましい例としては、クレゾールノボラツク樹
脂、フエノールノボラツク樹脂の如きノボラツク
型フエノール樹脂が挙げられる。また、これら硬
化剤とともに通常用いられる硬化促進剤には、２
−メチルイミダゾール、三フツ化ホウ素、トリフ
エニルホスフインなどがある。 また、前記の無機質充填剤としては、石英ガラ
ス粉末、二酸化けい素粉末などが好ましく用いら
れるが、その他従来公知のケイ酸カルシウム、窒
化アルミニウム、酸化ジルコン、クレー、炭酸カ
ルシウム、酸化アンチモン、アルミナ、炭化ケイ
素、ガラス繊維などの粉末の使用も可能である。
この無機質充填剤の平均粒子径としては一般に５
〜20μｍ程度であるのが望ましい。 この発明の樹脂タブレツトは、前述の如く特定
範囲の溶融粘度を有することを特徴とするもので
あるが、これを得るために一般的に採用される前
記の組成物粉末から常温圧縮成形する際の成形密
度（以下、打錠密度という）としては90％以上、
好ましくは93％以上であるのがよい。この打錠密
度が低くなりすぎると、ポツト投入時の含有空気
が多くなるため、溶融粘度を規定したことによる
ボイドの低減効果が損なわれるおそれがある。 なお、上記の打錠密度とは〔タブレツト密度
（ｇ／cm3）／樹脂硬化物密度（ｇ／cm3）〕×100％で
表わされ、上記タブレツト密度はタブレツトの重
量（ｇ）／タブレツトの容量（cm3）にて、また上
記樹脂硬化物密度は樹脂硬化物の重量（ｇ）／樹
脂硬化物の容量（cm3）にて、それぞれ求められる
ものである。 つぎに、この発明の樹脂タブレツトを用いて、
ランナレス方式のトランスフア成形により半導体
を樹脂封止する方法につき、第１図〜第３図を参
考にして説明する。 第１図は上型１０と下型１１とからなるランナ
レス方式のトランスフア成形金型の断面構造を示
したもので、紙面垂直方向に所定間隔をおいて連
設する複数個のポツト１とこの各ポツト１に一端
が直結しかつ他端がキヤビテイ２（２ａ，２ｂ）
に直結したゲート３（３ａ，３ｂ）を有する構成
とされ、各ポツト１にはプランジヤ４が配設され
ている。 上記各構成要素の大きさは、樹脂封止するべき
半導体の大きさによつて異なるが、たとえばポツ
ト１は前記樹脂タブレツト７に対応する形状、大
きさに設計され、またゲート３はその断面積が通
常0.6〜1.0mm2、長さが一般に５〜15mmとなる如く
設計される。なお、この大きさは、後記第３図
Ａ，Ｂに示す如き他の成形金型を用いる場合でも
ほぼ同様である。 このような成形金型の上記キヤビテイ２ａ，２
ｂ内に、リードフレーム５ａ，５ｂに紙面垂直方
向に所定間隔をおいて複数個配設された半導体素
子とこれを取り巻く外部リードやボンデイングワ
イヤなどからなる半導体素子組立構体６ａ，６ｂ
（たとえば16PinDIP、42PinDIP、パワートラン
ジスタなど）が配置される一方、各ポツト１に前
記この発明の樹脂タブレツト７が投入され、これ
を金型温度で加熱しながらプランジヤ４によつて
加圧する。このときの金型温度は、既述したよう
に、通常150〜200℃、好ましくは160〜190℃であ
り、またプランジヤ圧は一般に50〜120Kg／cm2、
好ましくは70〜100Kg／cm2とされる。 上記の加熱加圧によつて、樹脂タブレツト７は
溶融しゲート３ａ，３ｂを介してキヤビテイ２
ａ，２ｂに圧入され、ここに配置される半導体素
子組立構体６ａ，６ｂを全面被覆した状態で硬化
する。このとき、樹脂タブレツト７の溶融粘度が
前記特定の範囲にあることにより、硬化樹脂中の
ボイドはほとんどみられず、また上記組立構体６
ａ，６ｂに物理的損傷をきたすおそれは全くな
い。 第２図は上記の如くトランスフア成形を行つた
のち、上型１０と下型１１とからなる成形金型か
ら離型した状態を示したもので、２０ａ，２０ｂ
はそれぞれリードフレーム５ａ，５ｂに所定間隔
をおいて配設された半導体素子組立構体６ａ，６
ｂを被覆する硬化した封止樹脂である。なお、３
０ａ，３０ｂは各ゲート３ａ，３ｂ内で硬化した
樹脂、１００は各ポツト１内で硬化した樹脂であ
る、これら３０ａ，３０ｂ，１００が成形ロスと
なる樹脂部分であるが、ランナを有しないためこ
のランナ部分での樹脂ロスが全くなくそれだけ材
料費の節減を図れるものである。 なお、上記第１図の成形金型においては、１個
のポツト１に一端が直結するゲート３ａ，３ｂの
各他端にそれぞれキヤビテイ２ａ，２ｂが直結さ
せる構成をとつているが、１個のポツト１にゲー
ト３を介して直結させるキヤビテイ２の数は一般
に１〜６個、好ましくは２〜４個の範囲で自由に
選択できる。たとえば第３図Ａ，Ｂはこの例に示
している。 すなわち、第３図Ａのように、１個のポツト１
に対してゲート３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆを介して
４個のキヤビテイ２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆを直結
させる構成をとつてもよく、また第３図Ｂのよう
に、１個のポツト１に一端が直結するゲート３
ｇ，３ｈをそれぞれ二股状としてその各両端部に
２個のキヤビテイ２ｇ，２g′および２ｈ，２h′を
直結させるような構成をとつてもよい。 〔発明の効果〕 以上のように、この発明においては、ランナレ
ス方式のトランスフア成形用の樹脂タブレツトと
してその溶融粘度を特定範囲に設定したことによ
り、成形時に半導体素子組立構体に損傷をきたす
ことなく封止樹脂内部のボイドの低減を図れ、こ
れにより耐湿信頼性などにすぐれる樹脂封止型半
導体装置を得ることが可能となる。 〔実施例〕 以下に、この発明の実施例を記載してより具体
的に説明する。なお、以下において部とあるは重
量部を意味するものとする。 実施例 １ 150℃での溶融粘度が25ポイズのエポキシ当量
195のクレゾールノボラツク型エポキシ樹脂（以
下、エポキシ樹脂Ａという）20部、ノボラツク型
フエノール樹脂10部、二酸化けい素粉末96部、２
−メチルイミダソール0.5部、カルナバワツクス
0.5部、カーボンブラツク0.5部およびシランカツ
プリング剤0.5部を混合し、90℃の加熱ロールで
５分間加熱混練したのち、冷却粉砕して平均粒子
径0.1〜0.5mmのエポキシ樹脂組成物粉末を得た。 この粉末を打錠機にて常温圧縮成形して、断面
直径9.8mm、高さ13mm、重さ1.77ｇの円柱状の樹
脂タブレツトを製造した。このタブレツトの175
℃での溶融粘度は800ポイズ、打錠密度は95％で
あつた。このタブレツトをこの発明の半導体封止
用樹脂タブレツトとした。 実施例 ２ 実施例１で調製したエポキシ樹脂組成物粉末を
打錠機で常温圧縮成形して、断面直径9.8mm、高
さ14.2mm、重さ1.75ｇの円柱状の樹脂タブレツト
を製造した。このタブレツトの175℃での溶融粘
度は805ポイズ、打錠密度は90％であつた。この
タブレツトをこの発明の半導体封止用樹脂タブレ
ツトとした。 実施例 ３ エポキシ樹脂Ａの代わりに150℃での溶融粘度
が15ポイズのエポキシ当量195のクレゾールノボ
ラツク型エポキシ樹脂を同量用いた以外は、実施
例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物粉末を調製
し、この粉末を打錠機で常温圧縮成形して、断面
直径9.8mm、高さ14.2mm、重さ1.75ｇの円柱状の樹
脂タブレツトを製造した。このタブレツトの175
℃での溶融粘度は570ポイズ、打錠密度は90％で
あつた。このタブレツトをこの発明の半導体封止
用樹脂タブレツトとした。 比較例 １ エポキシ樹脂Ａの代わりに150℃での溶融粘度
が５ポイズのエポキシ当量195のクレゾールノボ
ラツク型エポキシ樹脂を同量使用し、かつ二酸化
けい素粉末の使用量を75部に変更した以外は、実
施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物粉末を得
た。この粉末を打錠機にて常温圧縮成形して、断
面直径9.8mm、高さ14.2mm、重さ1.75ｇの円柱状の
樹脂タブレツトを製造した。このタブレツトの
175℃での溶融粘度は120ポイズ、打錠密度は90％
であつた。このタブレツトを比較用の半導体封止
用樹脂タブレツトとした。 比較例 ２ 二酸化けい素粉末の使用量を128部に変更した
以外は、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成
物粉末を得た。この粉末を打錠機にて常温圧縮成
形して、断面直径9.8mm、高さ14.2mm、重さ1.75ｇ
の円柱状の樹脂タブレツトを製造した。このタブ
レツトの175℃での溶融粘度は1500ポイズ、打錠
密度は90％であつた。このタブレツトを比較用の
半導体封止用樹脂タブレツトとした。 つぎに、上記実施例および比較例に係る各樹脂
タブレツトを用いて、ランナレス方式のトランス
フア成形により半導体を樹脂封止し、その性能を
調べた。成形金型は第１図に示す構造のものを用
いた。ポツト数は103個、したがつてキヤビテイ
数は20個であり、各ゲートの大きさは断面積0.7
mm2、長さ７mmであり、また各キヤビテイの容量は
402mm3である。この成形金型に配置されるふたつ
のリードフレームには所定間隔をおいてそれぞれ
10個の半導体素子組立構体が配設され、これら構
体が各キヤビテイ内に位置するように固定されて
なる。なお、金型温度は180℃、プランジヤ圧力
は90Kg／cm2、プランジヤ速度は1.85mm／秒とし
た。上記金型温度によつて、樹脂タブレツトは通
常175〜180℃の温度に加熱されるものである。 このようにして樹脂封止した半導体装置の樹脂
封止部のボイド数と半導体装置の損傷とを調べた
結果は、下記の表に示されるとおりであつた。な
お、ボイド数は、軟Ｘ線装置で写真撮影し、ボイ
ド径が0.2mm以上のものの個数を調べた。また半
導体装置の損傷は、半導体素子組立構体における
ボンデイングワイヤの断線や金線のたわみなどの
異常がみられるかどうかを、軟Ｘ線写真により調
べた。
【表】
上記の結果から明らかなように、この発明の樹
脂タブレツトによればボイドが少なくてかつ半導
体の損傷がみられない高信頼性の樹脂封止型半導
体装置を製造することができる。
脂タブレツトによればボイドが少なくてかつ半導
体の損傷がみられない高信頼性の樹脂封止型半導
体装置を製造することができる。
第１図はこの発明の樹脂タブレツトを適用する
べきランナレス方式のトランスフア成形金型の一
例を示す断面図、第２図は上記の成形金型を用い
て半導体の樹脂封止を行つたのち成形金型より離
型した状態を示す平面図、第３図Ａ，Ｂは第１図
の成形金型の変形例としてポツトとゲートとキヤ
ビテイとを連結状態が異なる例を示す構成図であ
る。 １……ポツト、２（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，
２ｅ，２ｆ，２ｇ，２g′、２ｈ，２h′）……キヤ
ビテイ、３（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３
ｆ，３ｇ，３ｈ）……ゲート、６ａ，６ｂ……半
導体素子組立構体、７……樹脂タブレツト、１
０，１１……成形金型、２０ａ，２０ｂ……封止
樹脂。
べきランナレス方式のトランスフア成形金型の一
例を示す断面図、第２図は上記の成形金型を用い
て半導体の樹脂封止を行つたのち成形金型より離
型した状態を示す平面図、第３図Ａ，Ｂは第１図
の成形金型の変形例としてポツトとゲートとキヤ
ビテイとを連結状態が異なる例を示す構成図であ
る。 １……ポツト、２（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，
２ｅ，２ｆ，２ｇ，２g′、２ｈ，２h′）……キヤ
ビテイ、３（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３
ｆ，３ｇ，３ｈ）……ゲート、６ａ，６ｂ……半
導体素子組立構体、７……樹脂タブレツト、１
０，１１……成形金型、２０ａ，２０ｂ……封止
樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポツトとこのポツトに一端が直結しかつ他端
が半導体素子組立構体を配置してなるキヤビテイ
と直結したゲートとを有する成形金型の上記ポツ
ト内に投入されて上記ゲートを介して上記キヤビ
テイ内に溶融圧入される半導体封止用樹脂タブレ
ツトにおいて、熱硬化性樹脂と無機質充填剤とを
含む組成物から構成されて、かつ上記溶融圧入の
ための金型温度での溶融粘度が500〜1000ポイズ
の範囲にあることを特徴とする半導体封止用樹脂
タブレツト。 ２ 熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である特許請求
の範囲第１項記載の半導体封止用樹脂タブレツ
ト。 ３ 無機質充填剤が組成物中72〜80重量％を占め
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導
体封止用樹脂タブレツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237219A JPS61115342A (ja) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | 半導体封止用樹脂タブレツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237219A JPS61115342A (ja) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | 半導体封止用樹脂タブレツト |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5168581A Division JP2576018B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体封止用樹脂タブレツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115342A JPS61115342A (ja) | 1986-06-02 |
| JPH0348654B2 true JPH0348654B2 (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=17012142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59237219A Granted JPS61115342A (ja) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | 半導体封止用樹脂タブレツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61115342A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0644581B2 (ja) * | 1986-06-27 | 1994-06-08 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止形半導体の製造方法 |
| JP2653554B2 (ja) * | 1990-12-11 | 1997-09-17 | シャープ株式会社 | テープキャリア半導体素子の製造方法 |
| US5506444A (en) * | 1990-12-11 | 1996-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tape carrier semiconductor device |
| DE69913298T2 (de) * | 1998-06-09 | 2004-05-27 | Nitto Denko Corp., Ibaraki | Epoxydharzzusammensetzung für die versieglung von halbleitern und damit ausgerüstete halbleitervorrichtung |
| CN110431185A (zh) * | 2017-03-31 | 2019-11-08 | 日立化成株式会社 | 环氧树脂组合物、环氧树脂固化物和电子部件装置 |
-
1984
- 1984-11-10 JP JP59237219A patent/JPS61115342A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61115342A (ja) | 1986-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5331205A (en) | Molded plastic package with wire protection | |
| US8084301B2 (en) | Resin sheet, circuit device and method of manufacturing the same | |
| JP2000208540A (ja) | 薄型半導体チップスケ―ル・パッケ―ジを密封する方法 | |
| TW201611138A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
| KR900002454A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JPH0348654B2 (ja) | ||
| JP2825332B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置、該装置の製法および半導体封止用樹脂組成物 | |
| JP2576018B2 (ja) | 半導体封止用樹脂タブレツト | |
| EP0607949B1 (en) | Method and resin composition for molding an optical connector ferrule | |
| EP0539109A1 (en) | Transfer mold having balanced runners | |
| JPH0376779B2 (ja) | ||
| US5932160A (en) | Process and mold for encapsulating semiconductor chips having radial runners | |
| JP3436490B2 (ja) | 半導体封止成形方法及び装置 | |
| JPS626587B2 (ja) | ||
| JP3154471B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59148343A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| JP3147334B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5827326A (ja) | Ｉｃチツプの樹脂封止方法 | |
| JP3077632B2 (ja) | 樹脂封止金型とその金型によるマトリクス型リードフレームの樹脂封止方法 | |
| JPS60224234A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR200232738Y1 (ko) | 반도체 패키지 몰딩공정용 몰드다이 | |
| JP3112227B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2985832B2 (ja) | 半導体装置用樹脂封止装置及びその樹脂封止方法 | |
| JP2001196402A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100228776B1 (ko) | 반도체 칩 패키지 몰딩 장치 |