JPH0644581B2 - 樹脂封止形半導体の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体の製造方法Info
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- JPH0644581B2 JPH0644581B2 JP61151965A JP15196586A JPH0644581B2 JP H0644581 B2 JPH0644581 B2 JP H0644581B2 JP 61151965 A JP61151965 A JP 61151965A JP 15196586 A JP15196586 A JP 15196586A JP H0644581 B2 JPH0644581 B2 JP H0644581B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/34—Moulds having venting means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路（以下ＩＣと示す。）を外的
環境から保護するためにトランスフア成形法を用いて全
体を樹脂で封止する樹脂封止形半導体の製造方法に関す
るものである。
環境から保護するためにトランスフア成形法を用いて全
体を樹脂で封止する樹脂封止形半導体の製造方法に関す
るものである。
第３図及び第４図は各々例えば特開昭58−68940に関連
した従来の半導体封止用トランスフア成形の金型を示す
断面図であり、図において(1)は油圧プレス（図示せ
ず）に取り付けられ、180℃に加熱できる２分割金型の
上型、(2)は同様の下型、(3)はポツト(4)内の成形樹脂
(7)をキヤビテイ(5)まで圧送するピストンであり、キヤ
ビテイ(5)は複数のＩＣの外形を形取るように金型内に
複数設けられている。
した従来の半導体封止用トランスフア成形の金型を示す
断面図であり、図において(1)は油圧プレス（図示せ
ず）に取り付けられ、180℃に加熱できる２分割金型の
上型、(2)は同様の下型、(3)はポツト(4)内の成形樹脂
(7)をキヤビテイ(5)まで圧送するピストンであり、キヤ
ビテイ(5)は複数のＩＣの外形を形取るように金型内に
複数設けられている。
(6)はピストン(3)の動力源となる油圧シリンダ、(8)は
成形樹脂(7)をキヤビテイ(5)まで送るランナー、(9)は
排気口、(10)は真空ポンプ、(11)はポツト(4)及びキヤ
ビテイ(5)を真空に保持する型パツキン、(12)は同様な
ピストンシール、である。なお成形樹脂(7)はエポキシ
樹脂粉末を円筒状に圧縮成形した軟化点が80〜100℃の
タブレツトである。
成形樹脂(7)をキヤビテイ(5)まで送るランナー、(9)は
排気口、(10)は真空ポンプ、(11)はポツト(4)及びキヤ
ビテイ(5)を真空に保持する型パツキン、(12)は同様な
ピストンシール、である。なお成形樹脂(7)はエポキシ
樹脂粉末を円筒状に圧縮成形した軟化点が80〜100℃の
タブレツトである。
次に従来の樹脂封止形半導体の製造方法であるトランス
フア成形法について、第３図をもとに説明する。
フア成形法について、第３図をもとに説明する。
まず上型(1)と下型(2)を油圧プレスに取付け、170℃〜1
80℃に加熱する。型開状態で下型(2)に複数のＩＣを配
置し、あらかじめ80〜100℃に加熱したタブレツト(7)を
ポツト(4)に投入後、金型を締める。
80℃に加熱する。型開状態で下型(2)に複数のＩＣを配
置し、あらかじめ80〜100℃に加熱したタブレツト(7)を
ポツト(4)に投入後、金型を締める。
真空ポンプ(10)を作動し、ポツト(4)の空気をランナー
(8)及び排気口(9)を通つて外に排気する。ポツト(4)の
内部が真空になると、ピストン(3)を押し上げてタブレ
ツト(7)を圧縮する。タブレツト(7)は金型の熱を受けと
り、さらに粘度が低くなることから、ランナー(8)を通
り、各キヤビテイ(5)に圧送され、ＩＣの全体を包み込
む。
(8)及び排気口(9)を通つて外に排気する。ポツト(4)の
内部が真空になると、ピストン(3)を押し上げてタブレ
ツト(7)を圧縮する。タブレツト(7)は金型の熱を受けと
り、さらに粘度が低くなることから、ランナー(8)を通
り、各キヤビテイ(5)に圧送され、ＩＣの全体を包み込
む。
樹脂は２〜３分で硬化するため、金型を開き成形物を取
出した後、必要な後加工を行ない製品が完成する。
出した後、必要な後加工を行ない製品が完成する。
従来の樹脂封止形半導体の製造方法は上記のように行な
われるが、樹脂の使用効率を上げるためにはポツト(4)
の内径が大きすぎては具合が悪いので通常のタブレツト
(7)の外径に近い状態（比率約１）にされている。この
ためポツト内を真空にする際、ポツト内のタブレツト
(7)はその内部にある空気が外へ放射状に膨脹して、タ
ブレツト(7)がポツト(4)の壁面、即ち下型(2)に密着す
る。この状態でさらにポツト(4)を真空にすると、タブ
レツト(7)は下型(2)及びピストン(3)と接続している箇
所の空気の逃げ場所がなくなり、第４図のようにタブレ
ツト(7)全体が上型(1)の上部に持ち上がり、ランナー
(8)に流れ込む。ランナー(8)が塞がれるとその後のポツ
ト内空気あるいはタブレツト(7)に含まれる空気は排気
されず真空ポンプ(10)の真空度が高真空を示しても実際
には内部は十分真空になつていない状態で、ピストン
(3)を押し上げてキヤビテイ(3)に樹脂を流すことにな
る。
われるが、樹脂の使用効率を上げるためにはポツト(4)
の内径が大きすぎては具合が悪いので通常のタブレツト
(7)の外径に近い状態（比率約１）にされている。この
ためポツト内を真空にする際、ポツト内のタブレツト
(7)はその内部にある空気が外へ放射状に膨脹して、タ
ブレツト(7)がポツト(4)の壁面、即ち下型(2)に密着す
る。この状態でさらにポツト(4)を真空にすると、タブ
レツト(7)は下型(2)及びピストン(3)と接続している箇
所の空気の逃げ場所がなくなり、第４図のようにタブレ
ツト(7)全体が上型(1)の上部に持ち上がり、ランナー
(8)に流れ込む。ランナー(8)が塞がれるとその後のポツ
ト内空気あるいはタブレツト(7)に含まれる空気は排気
されず真空ポンプ(10)の真空度が高真空を示しても実際
には内部は十分真空になつていない状態で、ピストン
(3)を押し上げてキヤビテイ(3)に樹脂を流すことにな
る。
従つて成形したＩＣの中に多量の空気が混入し、ＩＣの
信頼性が低下する等の問題点があつた。
信頼性が低下する等の問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ポツト内を十分真空にし、成形する前のタブ
レツト内の空気もできるだけ除去してＩＣの成形物中に
空気の混入を防止し、信頼性の高い樹脂封止形半導体を
製造する方法を提供することを目的とする。
たもので、ポツト内を十分真空にし、成形する前のタブ
レツト内の空気もできるだけ除去してＩＣの成形物中に
空気の混入を防止し、信頼性の高い樹脂封止形半導体を
製造する方法を提供することを目的とする。
この発明に係る樹脂封止形半導体の製造方法は、ポツト
の内径を、加熱された成形樹脂が真空で膨脹する最大外
径より大きくし、ポツト内に成形樹脂を配してポツト内
を真空排気した後、ＩＣの外形を形成するようにするの
である。
の内径を、加熱された成形樹脂が真空で膨脹する最大外
径より大きくし、ポツト内に成形樹脂を配してポツト内
を真空排気した後、ＩＣの外形を形成するようにするの
である。
この発明における樹脂封止形半導体の製造方法は真空下
で成形樹脂が膨脹する最大径より大きな内径のポツトに
成形樹脂を入れるので、ポツト及び成形樹脂内の空気が
十分に排気できる。
で成形樹脂が膨脹する最大径より大きな内径のポツトに
成形樹脂を入れるので、ポツト及び成形樹脂内の空気が
十分に排気できる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図及び第２図は各々この発明の一実施例による樹脂
封止形半導体の製造方法を工程順に示す金型の断面図で
あり、図において、(4)は成形樹脂(7)が真空で膨脹する
最大体積より大きな内径を有するポツトで、この場合、
成形樹脂(7)の外径の1.17倍の内径を有し、容積が成形
樹脂(7)の体積の1.5倍以上ある直径35mm、高さ50mmのポ
ツトである。なお成形樹脂(7)はエポキシ樹脂等の粉末
を圧縮したタブレツトで、軟化点が80℃〜100℃、直径
が30mm、高さが40mmのものである。破線(70)はポツト
(4)を真空にした時、膨脹するタブレツト(7)の最大寸法
を表わしたものである。(13)はポツト(4)内を真空にし
たり、成形樹脂(7)が排気口(9)へ流れないようにする排
気弁、(14)は排気弁(10)を開閉する動力を発生するエア
シリンダ、(15)はポツト及びキヤビテイ内を真空に保持
する軸シール、(16)も同様な弁シールである。
封止形半導体の製造方法を工程順に示す金型の断面図で
あり、図において、(4)は成形樹脂(7)が真空で膨脹する
最大体積より大きな内径を有するポツトで、この場合、
成形樹脂(7)の外径の1.17倍の内径を有し、容積が成形
樹脂(7)の体積の1.5倍以上ある直径35mm、高さ50mmのポ
ツトである。なお成形樹脂(7)はエポキシ樹脂等の粉末
を圧縮したタブレツトで、軟化点が80℃〜100℃、直径
が30mm、高さが40mmのものである。破線(70)はポツト
(4)を真空にした時、膨脹するタブレツト(7)の最大寸法
を表わしたものである。(13)はポツト(4)内を真空にし
たり、成形樹脂(7)が排気口(9)へ流れないようにする排
気弁、(14)は排気弁(10)を開閉する動力を発生するエア
シリンダ、(15)はポツト及びキヤビテイ内を真空に保持
する軸シール、(16)も同様な弁シールである。
次にこの発明の方法について説明する。
まず、油圧プレスに取付けられ180℃に加熱された上型
(1)と下型(2)を開き、下型(2)にＩＣを配置する。ピス
トン(3)を下げ、ポツト(4)内にプリヒータで80℃〜100
℃に加熱したタブレツト(7)を入れ、直ちに上型(1)と下
型(2)を型締めする。第１図に示すように、真空ポンプ
を回し、排気弁(13)を下に移動して上型(1)と排気弁(1
3)との間に間隙を設け、ポツト(4)内の空気を排気口(9)
を通じて排気し、ポツト(4)及びキヤビテイ(5)内を真空
にする。（例えば３Torr.） このようにすると、タブレツト(7)はその内部に含まれ
る空気が膨脹するため、放射状に外部へ膨脹し、第１図
破線(70)に示すような膨脹タブレツトになる。この時、
タブレツト(7)はその内部に含まれる空気が樹脂の表面
張力よりも大きく膨脹するだけの空間が直径方向にある
ことから従来のように金型壁面と密着することなく、あ
る程度膨脹すると気泡が破壊して内部の空気はほとんど
除去される。
(1)と下型(2)を開き、下型(2)にＩＣを配置する。ピス
トン(3)を下げ、ポツト(4)内にプリヒータで80℃〜100
℃に加熱したタブレツト(7)を入れ、直ちに上型(1)と下
型(2)を型締めする。第１図に示すように、真空ポンプ
を回し、排気弁(13)を下に移動して上型(1)と排気弁(1
3)との間に間隙を設け、ポツト(4)内の空気を排気口(9)
を通じて排気し、ポツト(4)及びキヤビテイ(5)内を真空
にする。（例えば３Torr.） このようにすると、タブレツト(7)はその内部に含まれ
る空気が膨脹するため、放射状に外部へ膨脹し、第１図
破線(70)に示すような膨脹タブレツトになる。この時、
タブレツト(7)はその内部に含まれる空気が樹脂の表面
張力よりも大きく膨脹するだけの空間が直径方向にある
ことから従来のように金型壁面と密着することなく、あ
る程度膨脹すると気泡が破壊して内部の空気はほとんど
除去される。
次に排気弁(13)を閉じ、ピストン(3)を上に押し上げ、
第２図のように、キヤビテイ(5)に樹脂を圧送する。樹
脂は２〜３分で硬化するため金型を開いて成形物を取り
出し、必要な後加工を行なつて製品完成となる。
第２図のように、キヤビテイ(5)に樹脂を圧送する。樹
脂は２〜３分で硬化するため金型を開いて成形物を取り
出し、必要な後加工を行なつて製品完成となる。
なお、上記実施例ではタブレツトの外径が30mm、ポツト
の内径が35mmとしてその比が１対1.17としたが、これは
樹脂の効率をできるだけ上げ、無駄になる樹脂を減ら
し、かつポツト内及び樹脂内の空気を充分に排気できる
ようにした値である。
の内径が35mmとしてその比が１対1.17としたが、これは
樹脂の効率をできるだけ上げ、無駄になる樹脂を減ら
し、かつポツト内及び樹脂内の空気を充分に排気できる
ようにした値である。
樹脂の効率を多少下げるならば、上記比率は、この値に
限定されるものではなく、1.17以上でもよく、要は真空
にした時、タブレツトが直径方向に膨脹する最大径よ
り、ポツト径が大きければよい。
限定されるものではなく、1.17以上でもよく、要は真空
にした時、タブレツトが直径方向に膨脹する最大径よ
り、ポツト径が大きければよい。
また、ＩＣの成形物中に空気が混入するのを防止するた
めに、上記実施例ではポツト(4)とキヤビテイ(5)の両方
を真空にする機構としたが、必らずしもこれに限定され
るものでなく、ポツトだけを真空にしても十分その効果
が得られる。
めに、上記実施例ではポツト(4)とキヤビテイ(5)の両方
を真空にする機構としたが、必らずしもこれに限定され
るものでなく、ポツトだけを真空にしても十分その効果
が得られる。
以上のように、この発明によれば、加熱された成形樹脂
が真空で膨脹する最大外径より大きな内径を有するポツ
ト内に、成形樹脂を配し、ポツト内を真空排気して加熱
された成形樹脂より発生する気体を排気するようにした
ので、ポツト内及び樹脂を十分脱気でき、内部に気泡の
ない信頼性に優れた半導体を製造することができる効果
がある。
が真空で膨脹する最大外径より大きな内径を有するポツ
ト内に、成形樹脂を配し、ポツト内を真空排気して加熱
された成形樹脂より発生する気体を排気するようにした
ので、ポツト内及び樹脂を十分脱気でき、内部に気泡の
ない信頼性に優れた半導体を製造することができる効果
がある。
第１図及び第２図は各々この発明の一実施例による樹脂
封止形半導体の製造方法を工程順に示す金型の断面図、
並びに第３図及び第４図は各々従来の樹脂封止形半導体
の製造方法を示す金型の断面図である。 (1)……上型、(2)……下型、(3)……ピストン、(4)……
ポツト、(5)……キヤビテイ、(7)……成形樹脂、(9)…
…排気口、(10)……真空ポンプ。 なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
封止形半導体の製造方法を工程順に示す金型の断面図、
並びに第３図及び第４図は各々従来の樹脂封止形半導体
の製造方法を示す金型の断面図である。 (1)……上型、(2)……下型、(3)……ピストン、(4)……
ポツト、(5)……キヤビテイ、(7)……成形樹脂、(9)…
…排気口、(10)……真空ポンプ。 なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】加熱された成形樹脂が真空で膨脹する最大
外径より大きな内径を有すポツト内に、上記成形樹脂を
配する工程、上記ポツト内を真空排気すると共に、加熱
された上記成形樹脂から発生する気体を排気する工程、
及び上記ポツト内の上記成形樹脂を押圧して半導体集積
回路の配設されたキヤビテイ内へ圧送し、上記半導体集
積回路の外形を形成する工程を施す樹脂封止形半導体の
製造方法。 - 【請求項２】ポツトの内径は成形樹脂の外径の1.17倍以
上である特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61151965A JPH0644581B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 樹脂封止形半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61151965A JPH0644581B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 樹脂封止形半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637638A JPS637638A (ja) | 1988-01-13 |
| JPH0644581B2 true JPH0644581B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=15530082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61151965A Expired - Lifetime JPH0644581B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 樹脂封止形半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644581B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03281210A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Toowa Kk | 電子部品の樹脂封止成形方法 |
| GB2252746B (en) * | 1991-01-17 | 1995-07-12 | Towa Corp | A method of molding resin to seal an electronic part on a lead frame and apparatus therefor |
| US5275546A (en) * | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Fierkens Richard H J | Plastic encapsulation apparatus for an integrated circuit lead frame and method therefor |
| JP2524955B2 (ja) * | 1993-04-22 | 1996-08-14 | トーワ株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
| TW421833B (en) * | 1998-07-10 | 2001-02-11 | Apic Yamada Corp | Method of manufacturing semiconductor devices and resin molding machine |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064818U (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-08 | トーワ株式会社 | トランスフア−モ−ルド金型装置 |
| JPH0651312B2 (ja) * | 1984-06-15 | 1994-07-06 | 株式会社東芝 | 透明樹脂封止製品の製造方法 |
| JPS6185829A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-01 | Michio Osada | 半導体素子のトランスフア樹脂モ−ルド成形方法 |
| JPS61115342A (ja) * | 1984-11-10 | 1986-06-02 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体封止用樹脂タブレツト |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61151965A patent/JPH0644581B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637638A (ja) | 1988-01-13 |
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