JPH0541396A - 半導体素子の封止成形方法 - Google Patents
半導体素子の封止成形方法Info
- Publication number
- JPH0541396A JPH0541396A JP3026586A JP2658691A JPH0541396A JP H0541396 A JPH0541396 A JP H0541396A JP 3026586 A JP3026586 A JP 3026586A JP 2658691 A JP2658691 A JP 2658691A JP H0541396 A JPH0541396 A JP H0541396A
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- JP
- Japan
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- mold
- frame
- pressure
- sealing
- vacuum frame
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- Withdrawn
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/34—Moulds having venting means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体素子を搭載した回路基板を
封止成形する方法に関し、回路基板の変形を抑えるため
トランスファ−圧力を下げても、ボイド及び未充填がな
い半導体素子の封止成形方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明は、半導体素子を搭載した回路基板の
封止成形方法に際し、金型の回りを真空枠で覆い、その
真空枠を減圧する構成とした。
封止成形する方法に関し、回路基板の変形を抑えるため
トランスファ−圧力を下げても、ボイド及び未充填がな
い半導体素子の封止成形方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明は、半導体素子を搭載した回路基板の
封止成形方法に際し、金型の回りを真空枠で覆い、その
真空枠を減圧する構成とした。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を搭載した
回路基板を封止成形方法する方法に関するものである。
回路基板を封止成形方法する方法に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】近年、電子部品関係は、益々軽薄短小化
してきており、それに伴い、半導体素子自信も軽薄形状
傾向にある。当然ながら、それに使用する回路基板も薄
くなっており、一部では、フイルム（ＴＡＢ）も使用さ
れてきた。
してきており、それに伴い、半導体素子自信も軽薄形状
傾向にある。当然ながら、それに使用する回路基板も薄
くなっており、一部では、フイルム（ＴＡＢ）も使用さ
れてきた。
【０００４】また、半導体素子をトランスファ−プレス
で封止する方法としては、図２の金型１ａのキャビティ
１ｂ内に封止樹脂１ｃがゲ−ト１ｄより注入され、半導
体素子２を封止硬化させるものがあるが、この時、キャ
ビティ１ｂ内のエア−は、封止樹脂１ｄが進入してくる
際に、エア−ベント１ｅより封止樹脂１ｄがキャビティ
１ｂ内に充填されるに従い排出されてゆき、封止樹脂１
ｄで半導体素子２を封止する方法を取っている。
で封止する方法としては、図２の金型１ａのキャビティ
１ｂ内に封止樹脂１ｃがゲ−ト１ｄより注入され、半導
体素子２を封止硬化させるものがあるが、この時、キャ
ビティ１ｂ内のエア−は、封止樹脂１ｄが進入してくる
際に、エア−ベント１ｅより封止樹脂１ｄがキャビティ
１ｂ内に充填されるに従い排出されてゆき、封止樹脂１
ｄで半導体素子２を封止する方法を取っている。
【０００５】近年の薄くなってきた該回路基板に直接半
導体素子を実装したものは、封止成形する際には、主と
して、金型の構造及び形状で回路基板の変形を防止しな
がら、トランスファ−圧力をできるだけ高くしてキャビ
ティ内のエア−残り、即ち、ボイド及び未充填を抑えて
封止成形を行っている。
導体素子を実装したものは、封止成形する際には、主と
して、金型の構造及び形状で回路基板の変形を防止しな
がら、トランスファ−圧力をできるだけ高くしてキャビ
ティ内のエア−残り、即ち、ボイド及び未充填を抑えて
封止成形を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法には限度があり、該回路基板の変形を抑えるために、
トランスファ−圧力を下げると、キャビティ内のボイド
及び未充填が発生するという問題があった。
法には限度があり、該回路基板の変形を抑えるために、
トランスファ−圧力を下げると、キャビティ内のボイド
及び未充填が発生するという問題があった。
【０００７】本発明はかかる問題点を解決するために為
されたもので、回路基板の変形を抑えるためトランスフ
ァ−圧力を下げても、ボイド及び未充填がない半導体素
子の封止成形方法を提供することを目的とするものであ
る。
されたもので、回路基板の変形を抑えるためトランスフ
ァ−圧力を下げても、ボイド及び未充填がない半導体素
子の封止成形方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体素子
の封止成形方法は、半導体素子を搭載した回路基板の封
止成形方法に際し、金型の回りを真空枠で覆い、その真
空枠を減圧するものである。
の封止成形方法は、半導体素子を搭載した回路基板の封
止成形方法に際し、金型の回りを真空枠で覆い、その真
空枠を減圧するものである。
【００１０】
【作用】本発明においては、金型の周囲を真空枠で覆
い、真空枠を減圧することによって、金型のキャビティ
内も減圧され、封止成形する際のエア−残り、即ち、ボ
イド及び未充填がない半導体装置を得ることができる。
い、真空枠を減圧することによって、金型のキャビティ
内も減圧され、封止成形する際のエア−残り、即ち、ボ
イド及び未充填がない半導体装置を得ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図2 に基づいて説明
する。
する。
【００１２】先ず、本発明の実施例に用いる装置につい
て説明する。
て説明する。
【００１３】金型１２は、ポット部１２ｄを有する上型
１２ａと、これと重合する下型１２ｂとで構成されてい
る。
１２ａと、これと重合する下型１２ｂとで構成されてい
る。
【００１４】この金型１２の上下には、プレス熱板１
３，１３が配置されている。一方のプレス熱板１３に
は、トランスファ−１５を挿入するための孔から成るプ
レスポット部１４が設けられている。
３，１３が配置されている。一方のプレス熱板１３に
は、トランスファ−１５を挿入するための孔から成るプ
レスポット部１４が設けられている。
【００１５】また、プレス熱板１３，１３間には、金型
１２を囲むように真空枠１０がシリコンパッキン１１，
１１を介して配置されている。シリコンパッッキン１１
は、真空枠１０に取り付けられている。真空枠１０の断
面形状としては、シリコンパッキン１１がプレス熱板１
３，１３に潰されて変形することを考慮しておく必要が
ある。また、シリコンパッキン１１としては、プレス熱
板１３，１３と真空枠１０をシール可能で、なおかつ金
型12成形圧力が加わるような断面形状にしてある。
１２を囲むように真空枠１０がシリコンパッキン１１，
１１を介して配置されている。シリコンパッッキン１１
は、真空枠１０に取り付けられている。真空枠１０の断
面形状としては、シリコンパッキン１１がプレス熱板１
３，１３に潰されて変形することを考慮しておく必要が
ある。また、シリコンパッキン１１としては、プレス熱
板１３，１３と真空枠１０をシール可能で、なおかつ金
型12成形圧力が加わるような断面形状にしてある。
【００１６】さらに、真空枠１０は、アキュムレ−タ１
６に配管１９を介して連絡しているアキュムレ−タ１６
には、真空ポンプ１７が連絡している。
６に配管１９を介して連絡しているアキュムレ−タ１６
には、真空ポンプ１７が連絡している。
【００１７】次に、本実施例に係る封止成形方法につい
て、順を追って説明する。
て、順を追って説明する。
【００１８】先ず、金型１２をプレス熱板１３，１３に
通常の作業位置にセットする。ここでは、プレス熱板１
３のプレスポット部１４と、トランスファ−１５の位置
が合せられる。次に、金型１２が真空枠１０の中心にく
るように、プレス熱板１３上にセットし、成形圧力を金
型１２と真空枠１０に加える。この時、金型１２には成
形圧力が掛かり、真空枠１０はプレス熱板１３，１３と
シリコンパッキン１１，１１との間でリ−クが無いよう
にする。なお、ポット部１２ｃに封止樹脂が無くても、
トランスファ−１５をプレスポット部１４を介してポッ
ト部１２ｃに入れば、リ−クの無いことを確認してお
く。
通常の作業位置にセットする。ここでは、プレス熱板１
３のプレスポット部１４と、トランスファ−１５の位置
が合せられる。次に、金型１２が真空枠１０の中心にく
るように、プレス熱板１３上にセットし、成形圧力を金
型１２と真空枠１０に加える。この時、金型１２には成
形圧力が掛かり、真空枠１０はプレス熱板１３，１３と
シリコンパッキン１１，１１との間でリ−クが無いよう
にする。なお、ポット部１２ｃに封止樹脂が無くても、
トランスファ−１５をプレスポット部１４を介してポッ
ト部１２ｃに入れば、リ−クの無いことを確認してお
く。
【００１９】次に、封止樹脂をプレスポット部１４に投
入し、トランスファ−１５を下ろし、トランスファ−圧
力を加え、成形する。この際、トランスファ−１５が下
り、プレスポット部１４に入った時、真空枠１０に接続
されているアキュムレ−タ１６の弁を解放し、真空枠１
０内を減圧する。また、予め真空ポンプＰでアキュムレ
−タ１６内を減圧しておく必要がある。アキュムレ−タ
１６の容量としては、真空枠１０内の容量の約10倍あれ
ば良い。また、真空枠１０内の減圧開始のタイミングと
しては、トランスファ−１５にリミットスイッチなどを
取り付けて制御するようにする。
入し、トランスファ−１５を下ろし、トランスファ−圧
力を加え、成形する。この際、トランスファ−１５が下
り、プレスポット部１４に入った時、真空枠１０に接続
されているアキュムレ−タ１６の弁を解放し、真空枠１
０内を減圧する。また、予め真空ポンプＰでアキュムレ
−タ１６内を減圧しておく必要がある。アキュムレ−タ
１６の容量としては、真空枠１０内の容量の約10倍あれ
ば良い。また、真空枠１０内の減圧開始のタイミングと
しては、トランスファ−１５にリミットスイッチなどを
取り付けて制御するようにする。
【００２０】以上のように、本実施例によれば、真空枠
１０内を減圧することによって、金型１２のキャビティ
−１８も減圧され、封止樹脂がキャビティ−１８内に充
填された時に、ボイド及び、未充填の無い半導体装置を
成形することが可能となる。
１０内を減圧することによって、金型１２のキャビティ
−１８も減圧され、封止樹脂がキャビティ−１８内に充
填された時に、ボイド及び、未充填の無い半導体装置を
成形することが可能となる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半導体
素子を搭載した回路基板の封止成形方法に際し、金型の
回りを真空枠で覆い、その真空枠を減圧するものである
から、従来の封止金型を改造することなく治具を追加す
ることによって、ボイド及び、未充填の無い半導体装置
を成形することが可能であり、また最近の益々軽薄短小
化してきた電子部品関係のモ−ルド成形仕様に満足する
ことが可能である。
素子を搭載した回路基板の封止成形方法に際し、金型の
回りを真空枠で覆い、その真空枠を減圧するものである
から、従来の封止金型を改造することなく治具を追加す
ることによって、ボイド及び、未充填の無い半導体装置
を成形することが可能であり、また最近の益々軽薄短小
化してきた電子部品関係のモ−ルド成形仕様に満足する
ことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に用いた金型及び真空枠を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】従来の封止成形方法に於ける金型を示す断面図
である。
である。
１０………真空枠 １１………シリコンパッキン １２………金型 １２ａ……上型 １２ｂ……下型 １２ｃ……ポット部 １３………プレス熱板 １４………プレスポット部 １５………トランスファ−
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載した回路基板の封止成
形方法に際し、金型の回りを真空枠で覆い、その真空枠
を減圧することを特徴とする半導体素子の封止成形方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026586A JPH0541396A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 半導体素子の封止成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026586A JPH0541396A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 半導体素子の封止成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541396A true JPH0541396A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=12197654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3026586A Withdrawn JPH0541396A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 半導体素子の封止成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541396A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100414400B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-01-07 | 최록일 | 반도체칩 성형프레스의 진공장치 |
| WO2008155647A2 (en) * | 2007-06-21 | 2008-12-24 | Sinergetic S.R.L. | Method and means for moulding by injection or extrusion |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP3026586A patent/JPH0541396A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100414400B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-01-07 | 최록일 | 반도체칩 성형프레스의 진공장치 |
| WO2008155647A2 (en) * | 2007-06-21 | 2008-12-24 | Sinergetic S.R.L. | Method and means for moulding by injection or extrusion |
| WO2008155647A3 (en) * | 2007-06-21 | 2009-02-19 | Sinergetic S R L | Method and means for moulding by injection or extrusion |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |