JPH079952B2 - 樹脂封止用回路基板 - Google Patents
樹脂封止用回路基板Info
- Publication number
- JPH079952B2 JPH079952B2 JP16885985A JP16885985A JPH079952B2 JP H079952 B2 JPH079952 B2 JP H079952B2 JP 16885985 A JP16885985 A JP 16885985A JP 16885985 A JP16885985 A JP 16885985A JP H079952 B2 JPH079952 B2 JP H079952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- groove
- mounting portion
- circuit board
- element mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、小形かつ薄形の半導体装置の製造に適する樹
脂封止用回路基板に関するものである。
脂封止用回路基板に関するものである。
（従来の技術） 一般に、樹脂封止型半導体装置の製造方法として、ポッ
ティング方式やトランスファモールド方式等が知られて
いる。ポッティング方式とは、回路基板上に半導体素子
をダイボンディング（固着）すると共に、その半導体素
子の周囲に封止枠を接着した後、封止枠内に熱硬化性樹
脂を充填し、それを硬化させて半導体素子を樹脂封止す
る方法である。このポッティング方式は、特別の設備を
必要とせず、手軽に封止作業が行えるという利点がある
が、封止枠を接着するスペースを必要とするため、大き
な回路基板を必要とし、それによって半導体装置の外形
が大形化するという欠点がある。そのため、小形でかつ
薄形を要求される電子腕時計等の半導体装置としては適
さない。これに対して、トランスファモールド方式は、
半導体素子をダイボンディングした回路基板を、金型に
設けられキャビティにセットし、そのキャビティ内へ樹
脂を加圧注入することにより、半導体素子を樹脂封止す
る方法である。このトランスファモールド方式は、封止
形状が小さくできるため、小形で、かつ薄形に適する。
ティング方式やトランスファモールド方式等が知られて
いる。ポッティング方式とは、回路基板上に半導体素子
をダイボンディング（固着）すると共に、その半導体素
子の周囲に封止枠を接着した後、封止枠内に熱硬化性樹
脂を充填し、それを硬化させて半導体素子を樹脂封止す
る方法である。このポッティング方式は、特別の設備を
必要とせず、手軽に封止作業が行えるという利点がある
が、封止枠を接着するスペースを必要とするため、大き
な回路基板を必要とし、それによって半導体装置の外形
が大形化するという欠点がある。そのため、小形でかつ
薄形を要求される電子腕時計等の半導体装置としては適
さない。これに対して、トランスファモールド方式は、
半導体素子をダイボンディングした回路基板を、金型に
設けられキャビティにセットし、そのキャビティ内へ樹
脂を加圧注入することにより、半導体素子を樹脂封止す
る方法である。このトランスファモールド方式は、封止
形状が小さくできるため、小形で、かつ薄形に適する。
従来、このような分野の技術としては、実公昭59−4373
8号公報に記載されるものがあった。以下、その構成を
図を用いて説明する。
8号公報に記載されるものがあった。以下、その構成を
図を用いて説明する。
第２図はトランスファモールド方式に用いられる従来の
樹脂封止用回路基板の一構成例を示す平面図、第３図は
第２図の一部省略縦断面図である。
樹脂封止用回路基板の一構成例を示す平面図、第３図は
第２図の一部省略縦断面図である。
第２図および第３図において、１は絶縁性の基板本体
で、その基板本体１の上面に位置する素子搭載部２から
所定距離隔てて導電性の回路パターン３が形成されてい
る。素子搭載部２の周囲には回路パターン３を被覆する
保護膜４が形成されている。保護膜４は、素子搭載部２
の外縁を区画すると共に、回路パターン３の酸化等を防
止するためのもので、スクリーン印刷で形成されたソル
ダーレジストで構成されている。
で、その基板本体１の上面に位置する素子搭載部２から
所定距離隔てて導電性の回路パターン３が形成されてい
る。素子搭載部２の周囲には回路パターン３を被覆する
保護膜４が形成されている。保護膜４は、素子搭載部２
の外縁を区画すると共に、回路パターン３の酸化等を防
止するためのもので、スクリーン印刷で形成されたソル
ダーレジストで構成されている。
以上のような回路基板を用いた半導体装置の製造方法に
ついて、第４図および第５図を参照しつつ説明する。な
お、第４図は第２図の樹脂封止後の一部省略縦断面拡大
図、および第５図は第２図の樹脂封止後の一部省略横断
面拡大図である。
ついて、第４図および第５図を参照しつつ説明する。な
お、第４図は第２図の樹脂封止後の一部省略縦断面拡大
図、および第５図は第２図の樹脂封止後の一部省略横断
面拡大図である。
まず、基板本体１上に回路パターン３を形成する。次い
で、基板本体１及び回路パターン３上にスクリーン印刷
によりソルダーレジストを塗布して保護膜３を形成し、
素子搭載部２の領域を作る。その後、素子搭載部２上に
半導体素子５をダイボンディングし、その半導体素子５
の電極部と回路パターン３とをワイヤ６で接続する。
で、基板本体１及び回路パターン３上にスクリーン印刷
によりソルダーレジストを塗布して保護膜３を形成し、
素子搭載部２の領域を作る。その後、素子搭載部２上に
半導体素子５をダイボンディングし、その半導体素子５
の電極部と回路パターン３とをワイヤ６で接続する。
次に、半導体素子５を搭載した回路基板を金型でモール
ド成形するわけであるが、金型は上下金型からなり、そ
れには樹脂充填用の凹状キャビティ、ダブレット化され
た粉末樹脂の投入用穴、キャビティと投入用穴とを結ぶ
溝状の樹脂注入口（以下、ゲートという）が設けられて
いる。そこで、加熱した金型のキャビティに回路基板を
セットした後、タブレット化された粉末樹脂を高周波プ
リヒートして投入用穴に、投入し、上下金型を加圧す
る。すると、投入穴内の樹脂がゲートを通ってキャビテ
ィ内へ移送（トランスファー）され、半導体素子５が樹
脂７で封止される。これによって樹脂封止型半導体装置
が得られる。
ド成形するわけであるが、金型は上下金型からなり、そ
れには樹脂充填用の凹状キャビティ、ダブレット化され
た粉末樹脂の投入用穴、キャビティと投入用穴とを結ぶ
溝状の樹脂注入口（以下、ゲートという）が設けられて
いる。そこで、加熱した金型のキャビティに回路基板を
セットした後、タブレット化された粉末樹脂を高周波プ
リヒートして投入用穴に、投入し、上下金型を加圧す
る。すると、投入穴内の樹脂がゲートを通ってキャビテ
ィ内へ移送（トランスファー）され、半導体素子５が樹
脂７で封止される。これによって樹脂封止型半導体装置
が得られる。
ところで、このようなトランスファモールド法では、成
形時においてキャビティ内へ高圧の樹脂が注入されるた
め、ワイヤ流れ、フラッシュ、樹脂未充填、基板ふくれ
等の問題が生じるおそれがある。
形時においてキャビティ内へ高圧の樹脂が注入されるた
め、ワイヤ流れ、フラッシュ、樹脂未充填、基板ふくれ
等の問題が生じるおそれがある。
そこで、上記文献では、キャビティに連通する溝状の空
気抜き口（以下、エアーベントという）を金型に設け、
成形時におけるキャビティ内の空気を抜くことにより、
前記の問題点を解消している。
気抜き口（以下、エアーベントという）を金型に設け、
成形時におけるキャビティ内の空気を抜くことにより、
前記の問題点を解消している。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記構成の装置では、金型にエアーベン
トを設けているため、そのエアーベントに樹脂が付着し
た状態でモールド作業を行なうと、空気の抜けが悪くな
り、樹脂未充填等といった問題が生じる。さらに、金型
にゲート及びエアーベントを設けているため、第５図に
示すように、ゲート対応箇所に樹脂残り８や、エアーベ
ント対応箇所にバリ９が発生する。これらの樹脂残り８
やバリ９の発生を防止するため、金型の形状を改良した
り、樹脂の注入圧力を減少する等の方法も考えられる
が、適正なモールド形状を維持しつつ樹脂残り８やバリ
９の発生を防止することは困難であった。このような樹
脂残り８やバリ９が発生すると、半導体装置が規格以上
の寸法になってしまったり、あるいは樹脂残り８及びバ
リ９の除去作業を行なう必要があるため、加工工数も多
くなるばかりか、除去作業により発生する傷によって半
導体装置の信頼性が低下するという問題点があった。
トを設けているため、そのエアーベントに樹脂が付着し
た状態でモールド作業を行なうと、空気の抜けが悪くな
り、樹脂未充填等といった問題が生じる。さらに、金型
にゲート及びエアーベントを設けているため、第５図に
示すように、ゲート対応箇所に樹脂残り８や、エアーベ
ント対応箇所にバリ９が発生する。これらの樹脂残り８
やバリ９の発生を防止するため、金型の形状を改良した
り、樹脂の注入圧力を減少する等の方法も考えられる
が、適正なモールド形状を維持しつつ樹脂残り８やバリ
９の発生を防止することは困難であった。このような樹
脂残り８やバリ９が発生すると、半導体装置が規格以上
の寸法になってしまったり、あるいは樹脂残り８及びバ
リ９の除去作業を行なう必要があるため、加工工数も多
くなるばかりか、除去作業により発生する傷によって半
導体装置の信頼性が低下するという問題点があった。
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、モ
ールド成形時の空気抜けが悪くなる点と、樹脂残りやバ
リの発生を簡単に防止できない点について解決した樹脂
封止用回路基板を提供するものである。
ールド成形時の空気抜けが悪くなる点と、樹脂残りやバ
リの発生を簡単に防止できない点について解決した樹脂
封止用回路基板を提供するものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、前記問題点を解決するために、素子搭載部を
有する基板本体と、この基板本体上に配置された回路パ
ターンとを具え、素子搭載部がトランスファモールドさ
れる樹脂封止用回路基板において、素子搭載部に連通す
る樹脂注入用の溝と空気抜き用の溝とを設けたものであ
る。
有する基板本体と、この基板本体上に配置された回路パ
ターンとを具え、素子搭載部がトランスファモールドさ
れる樹脂封止用回路基板において、素子搭載部に連通す
る樹脂注入用の溝と空気抜き用の溝とを設けたものであ
る。
（作用） 本発明によれば、以上のように樹脂封止用回路基板を構
成したので、モールド成形時には、樹脂が樹脂注入用の
溝を通して素子搭載部へ充填され、その際、素子搭載部
附近の空気が空気抜き用の溝を通して外部へ排出され
る。樹脂注入用の溝および空気抜き用の溝内に入り込ん
だ樹脂は、それらの溝を埋めるように働くため、半導体
装置上に突出する樹脂残りや、バリという形では残らな
い。したがって、前記問題点を除去できるのである。
成したので、モールド成形時には、樹脂が樹脂注入用の
溝を通して素子搭載部へ充填され、その際、素子搭載部
附近の空気が空気抜き用の溝を通して外部へ排出され
る。樹脂注入用の溝および空気抜き用の溝内に入り込ん
だ樹脂は、それらの溝を埋めるように働くため、半導体
装置上に突出する樹脂残りや、バリという形では残らな
い。したがって、前記問題点を除去できるのである。
（実施例） 第１図は本発明の第１の実施例を示す樹脂封止用回路基
板の平面図、第６図は第１図のＡ−Ａ線断面拡大図、お
よび第７図は第１図のＢ−Ｂ線断面拡大図である。な
お、第２図〜第５図中の要素と同一の要素には同一の符
号が付されている。
板の平面図、第６図は第１図のＡ−Ａ線断面拡大図、お
よび第７図は第１図のＢ−Ｂ線断面拡大図である。な
お、第２図〜第５図中の要素と同一の要素には同一の符
号が付されている。
そしてこの実施例が従来のものと異なる点は、保護膜４
の２箇所の部分を削除し、一方の箇所には素子搭載部２
と連通する樹脂注入用溝4aを形成すると共に、他方の箇
所には一端が素子搭載部２に連通し他端が基板本体１の
外縁に達する空気抜き用溝4bを形成したことである。
の２箇所の部分を削除し、一方の箇所には素子搭載部２
と連通する樹脂注入用溝4aを形成すると共に、他方の箇
所には一端が素子搭載部２に連通し他端が基板本体１の
外縁に達する空気抜き用溝4bを形成したことである。
このような回路基板の製造方法を説明する。まず、基板
本体１上に回路パターン３を形成する。次いで、基板本
体１及び回路パターン３上にスクリーン印刷等によりソ
ルダーレジストを塗布して保護膜４を形成し、素子搭載
部２の領域を作る。ソルダーレジストを塗布する際、溝
4a,4bの部分を除いておき、保護膜４の形成時に、同時
に樹脂注入用溝4aと空気抜き用溝4bを作る。その後、保
護膜４で被覆されていない配線パターン３の一部や、素
子搭載部２に、金属膜を形成すれば、樹脂封止用の回路
基板が得られる。
本体１上に回路パターン３を形成する。次いで、基板本
体１及び回路パターン３上にスクリーン印刷等によりソ
ルダーレジストを塗布して保護膜４を形成し、素子搭載
部２の領域を作る。ソルダーレジストを塗布する際、溝
4a,4bの部分を除いておき、保護膜４の形成時に、同時
に樹脂注入用溝4aと空気抜き用溝4bを作る。その後、保
護膜４で被覆されていない配線パターン３の一部や、素
子搭載部２に、金属膜を形成すれば、樹脂封止用の回路
基板が得られる。
次に、半導体装置の製造方法を第８図を参照しつつ説明
する。なお、第８図は第１図における樹脂封止後のＣ−
Ｃ線断面拡大図である。
する。なお、第８図は第１図における樹脂封止後のＣ−
Ｃ線断面拡大図である。
まず、素子搭載部２上に半導体素子５をAu−Si共晶合金
法等によってダイボンディングし、その半導体素子５の
電極部と回路パターン３の内方端部とをワイヤ６で接続
する。
法等によってダイボンディングし、その半導体素子５の
電極部と回路パターン３の内方端部とをワイヤ６で接続
する。
ここで、使用するトランスファモールド金型であるが、
その上下金型には樹脂充填用の凹状キャビティとタブレ
ット化された粉末樹脂の投入用穴とが設けられ、ゲート
及びエアーベントは設けられていない。
その上下金型には樹脂充填用の凹状キャビティとタブレ
ット化された粉末樹脂の投入用穴とが設けられ、ゲート
及びエアーベントは設けられていない。
このような金型を加熱し、そのキャビティに回路基板を
セットした後、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなる
タブレット化された粉末樹脂を高周波プリヒートして投
入用穴に投入し、上下金型を加圧する。すると、投入用
穴内の樹脂が樹脂注入用溝4aを通り、キャビティで囲ま
れた素子搭載部２内へ移送され、半導体素子５及びワイ
ヤ６が樹脂７で封止される。
セットした後、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなる
タブレット化された粉末樹脂を高周波プリヒートして投
入用穴に投入し、上下金型を加圧する。すると、投入用
穴内の樹脂が樹脂注入用溝4aを通り、キャビティで囲ま
れた素子搭載部２内へ移送され、半導体素子５及びワイ
ヤ６が樹脂７で封止される。
この際、素子搭載部２附近の空気は空気抜き用溝4bを通
って外部へ排出される。そのため、注入圧力を低くで
き、未充填等の欠点のない高精度な樹脂封止が行える。
って外部へ排出される。そのため、注入圧力を低くで
き、未充填等の欠点のない高精度な樹脂封止が行える。
しかも、樹脂は樹脂注入用溝4aを通って素子搭載部２内
へ注入され、溝4a内の樹脂の残り分はその溝4a内で硬化
するため、保護膜４より盛り上ることがない。さらに、
素子搭載部２内に充填された樹脂の一部は、空気抜き用
溝4bに流出するが、その流出した樹脂はその溝4b内で硬
化するため、従来のような保護膜４上に盛り上るバリの
発生がなくなる。
へ注入され、溝4a内の樹脂の残り分はその溝4a内で硬化
するため、保護膜４より盛り上ることがない。さらに、
素子搭載部２内に充填された樹脂の一部は、空気抜き用
溝4bに流出するが、その流出した樹脂はその溝4b内で硬
化するため、従来のような保護膜４上に盛り上るバリの
発生がなくなる。
このように保護膜４上に盛り上る樹脂残りやバリの発生
をなくすことができるため、樹脂残りやバリ取りの作業
を省略でき、それに伴なう傷の発生をなくして信頼性の
向上が計れる。従って、時計、カメラ等の極小、極薄が
要求される半導体装置の回路基板として最適である。
をなくすことができるため、樹脂残りやバリ取りの作業
を省略でき、それに伴なう傷の発生をなくして信頼性の
向上が計れる。従って、時計、カメラ等の極小、極薄が
要求される半導体装置の回路基板として最適である。
また、溝4a,4bを回路基板側に設けたので、樹脂の付着
によって空気抜けが悪くなることもなく、しかもトラン
スファモールド金型の形状が簡単になってその製造コス
トを低減できる。
によって空気抜けが悪くなることもなく、しかもトラン
スファモールド金型の形状が簡単になってその製造コス
トを低減できる。
第９図は本発明の第２の実施例を示す樹脂封止用回路基
板の平面図、第10図は第９図のＤ−Ｄ線断面拡大図であ
る。
板の平面図、第10図は第９図のＤ−Ｄ線断面拡大図であ
る。
この実施例が上記第１の実施例と異なる点は、基板本体
11の上面に、座ぐり等の加工によって凹状の素子搭載部
12を形成すると共に、その素子搭載部12に連通する凹状
の樹脂注入用溝14a及び空気抜き用溝14bを形成したこと
である。なお、素子搭載部12及び溝14a,14bの周囲の基
板本体11上には、保護膜４が形成されている。
11の上面に、座ぐり等の加工によって凹状の素子搭載部
12を形成すると共に、その素子搭載部12に連通する凹状
の樹脂注入用溝14a及び空気抜き用溝14bを形成したこと
である。なお、素子搭載部12及び溝14a,14bの周囲の基
板本体11上には、保護膜４が形成されている。
このように構成すれば、素子搭載部12にダイボディング
される半導体素子５の高さが低くなってモールド成形後
の高さ方向の厚さを薄くできる。さらに、上記第１の実
施例の場合、保護膜４に溝4a,4bを形成するため、保護
膜４の厚さをあまり薄くできない。ところが、この実施
例では、基板本体11上に溝14a,14bを形成するため、保
護膜４の厚さを薄くしても、第１の実施例と同様の作
用、効果を奏する。また、保護膜４は回路パターン３の
一部を被覆してそれを保護するために形成されているた
め、回路パターン３上に金属膜等を施すことによって保
護膜４自体を省略してもよい。
される半導体素子５の高さが低くなってモールド成形後
の高さ方向の厚さを薄くできる。さらに、上記第１の実
施例の場合、保護膜４に溝4a,4bを形成するため、保護
膜４の厚さをあまり薄くできない。ところが、この実施
例では、基板本体11上に溝14a,14bを形成するため、保
護膜４の厚さを薄くしても、第１の実施例と同様の作
用、効果を奏する。また、保護膜４は回路パターン３の
一部を被覆してそれを保護するために形成されているた
め、回路パターン３上に金属膜等を施すことによって保
護膜４自体を省略してもよい。
なお、本発明は図示の実施例に限定されず、種々の変形
が可能である。例えば、溝4a,4b,14a,14bを３本以上設
けてもよい。
が可能である。例えば、溝4a,4b,14a,14bを３本以上設
けてもよい。
（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、基板本体
上か、あるいはその上に形成される保護膜に、樹脂注入
用の溝と空気抜き用の溝とを設けたので、回路基板上に
突出する樹脂残りやバリの発生を簡易的確に防止でき、
これによってモールド後の半導体装置を高い信頼性で極
小、極薄形にできる。しかもトランスファモールド金型
自体の形状も簡単化でき、空気抜けが悪くなることもな
い。
上か、あるいはその上に形成される保護膜に、樹脂注入
用の溝と空気抜き用の溝とを設けたので、回路基板上に
突出する樹脂残りやバリの発生を簡易的確に防止でき、
これによってモールド後の半導体装置を高い信頼性で極
小、極薄形にできる。しかもトランスファモールド金型
自体の形状も簡単化でき、空気抜けが悪くなることもな
い。
第１図は本発明の第１の実施例を示す回路基板の平面
図、第２図は従来の回路基板の平面図、第３図は第２図
の縦断面拡大図、第４図は第２図の樹脂封止後の縦断面
拡大図、第５図は第２図の樹脂封止後の横断面拡大図、
第６図は第１図のＡ−Ａ線断面拡大図、第７図は第１図
のＢ−Ｂ線断面拡大図、第８図は第１図の樹脂封止後の
Ｃ−Ｃ線断面拡大図、第９図は本発明の第２の実施例を
示す回路基板の平面図、第10図は第９図のＤ−Ｄ線断面
拡大図である。 １……基板本体、２……素子搭載部、３……回路パター
ン、４……保護膜、4a,14a……樹脂注入用溝、4b,14b…
…空気抜き用溝、５……半導体素子、６……ワイヤ、７
……封止樹脂。
図、第２図は従来の回路基板の平面図、第３図は第２図
の縦断面拡大図、第４図は第２図の樹脂封止後の縦断面
拡大図、第５図は第２図の樹脂封止後の横断面拡大図、
第６図は第１図のＡ−Ａ線断面拡大図、第７図は第１図
のＢ−Ｂ線断面拡大図、第８図は第１図の樹脂封止後の
Ｃ−Ｃ線断面拡大図、第９図は本発明の第２の実施例を
示す回路基板の平面図、第10図は第９図のＤ−Ｄ線断面
拡大図である。 １……基板本体、２……素子搭載部、３……回路パター
ン、４……保護膜、4a,14a……樹脂注入用溝、4b,14b…
…空気抜き用溝、５……半導体素子、６……ワイヤ、７
……封止樹脂。
Claims (3)
- 【請求項１】半導体素子が搭載される素子搭載部を有す
る基板本体と、前記素子搭載部から所定距離隔てて前記
基板上に配設され前記素子搭載部に搭載される半導体素
子とワイヤで接続される回路パターンとを具え、前記素
子搭載部がトランスファモールドされる樹脂封止用回路
基板において、 前記素子搭載部に連通する樹脂注入用の溝と空気抜き用
の溝とを設けたことを特徴とする樹脂封止用回路基板。 - 【請求項２】前記素子搭載部の周囲には前記回路パター
ンを被覆する保護膜が形成され、その保護膜に前記樹脂
注入用の溝及び空気抜き用の溝とが形成された特許請求
の範囲第１項記載の樹脂封止用回路基板。 - 【請求項３】前記樹脂注入用の溝及び空気抜き用の溝は
前記基板本体上に形成された特許請求の範囲第１項記載
の樹脂封止用回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16885985A JPH079952B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 樹脂封止用回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16885985A JPH079952B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 樹脂封止用回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230353A JPS6230353A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH079952B2 true JPH079952B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=15875881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16885985A Expired - Lifetime JPH079952B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 樹脂封止用回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079952B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2536657B2 (ja) * | 1990-03-28 | 1996-09-18 | 三菱電機株式会社 | 電気装置及びその製造方法 |
| JP2768247B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1998-06-25 | 松下電工株式会社 | 半導体チップキャリア |
| TW392315B (en) * | 1996-12-03 | 2000-06-01 | Nippon Electric Co | Boards mounting with chips, mounting structure of chips, and manufacturing method for boards mounting with chips |
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-
1985
- 1985-07-31 JP JP16885985A patent/JPH079952B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPS6230353A (ja) | 1987-02-09 |
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