JPS6230353A - 樹脂封止用回路基板 - Google Patents
樹脂封止用回路基板Info
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- JPS6230353A JPS6230353A JP16885985A JP16885985A JPS6230353A JP S6230353 A JPS6230353 A JP S6230353A JP 16885985 A JP16885985 A JP 16885985A JP 16885985 A JP16885985 A JP 16885985A JP S6230353 A JPS6230353 A JP S6230353A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- circuit board
- groove
- element mounting
- air vent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、小形かつ薄形の半導体装置の製造に適する樹
脂封止用回路基板に関するものである。
脂封止用回路基板に関するものである。
（従来の技術）
一般に、樹脂封止型半導体装前の製造方法として、ボッ
ティング方式やトランスファモールド方式等が知られて
いる。ボッティング方式とは、回路基板」二に半導体素
子をダイボンディング（固着）すると共に、その半導体
素子の周囲に封１Ｆ枠を接着した後、封止枠内に熱硬化
性樹脂を充填し、それを硬化させて半導体素子を樹脂封
止する方法である。このポツティング方式は、特別の設
備を必要とせず、手軽に封止作業が行えるという利点が
あるが、封止枠を接着するスペースを必要とするため、
大きな回路基板を必要とし、それによって半導体装置の
外形が大形化するという欠点がある。そのため、小形で
かつ薄形を要求される電子腕時計等の半導体装置として
は適さない。これに対して、トランスファモールド方式
は、半導体素子をダイポンディングした回路ノ＾板を１
金型に１没けら、れキャビティにセットし、そのキャビ
ティ内へ樹脂を加圧注入することにより、半導体素子を
樹脂封１にする方法である。このトランスファモールド
方式は、Ｍｌｌ：形状が小Ｓ〈できるため、小形で、か
つ薄形に適する。
ティング方式やトランスファモールド方式等が知られて
いる。ボッティング方式とは、回路基板」二に半導体素
子をダイボンディング（固着）すると共に、その半導体
素子の周囲に封１Ｆ枠を接着した後、封止枠内に熱硬化
性樹脂を充填し、それを硬化させて半導体素子を樹脂封
止する方法である。このポツティング方式は、特別の設
備を必要とせず、手軽に封止作業が行えるという利点が
あるが、封止枠を接着するスペースを必要とするため、
大きな回路基板を必要とし、それによって半導体装置の
外形が大形化するという欠点がある。そのため、小形で
かつ薄形を要求される電子腕時計等の半導体装置として
は適さない。これに対して、トランスファモールド方式
は、半導体素子をダイポンディングした回路ノ＾板を１
金型に１没けら、れキャビティにセットし、そのキャビ
ティ内へ樹脂を加圧注入することにより、半導体素子を
樹脂封１にする方法である。このトランスファモールド
方式は、Ｍｌｌ：形状が小Ｓ〈できるため、小形で、か
つ薄形に適する。
従来、このような分野の技術としては、実公昭５９−４
３７３８号公報に記載されるものがあった。以下、その
構成を図を用いて説明する。
３７３８号公報に記載されるものがあった。以下、その
構成を図を用いて説明する。
第２図はトランスファモールド方式に用いられる従来の
樹脂封止用回路基板の一構成例を示す平面図、第３図は
第２図の一部省略縦断面図である。
樹脂封止用回路基板の一構成例を示す平面図、第３図は
第２図の一部省略縦断面図である。
第２図および第３図において、１は絶縁性の基板本体で
、その基板本体１の上面に位置する素子搭載部２から所
定距離隔てて導電性の回路パターン３が形成されている
。素子塔・陵部２の周囲には回路パターン３を被覆する
保護膜４が形成されている。保護膜４は、素子搭載部２
の外縁を区画すると共に、回路パターン３の酸化等を防
１トするためのもので、スクリーン印刷で形成されたソ
ルダーレジストで構成されている。
、その基板本体１の上面に位置する素子搭載部２から所
定距離隔てて導電性の回路パターン３が形成されている
。素子塔・陵部２の周囲には回路パターン３を被覆する
保護膜４が形成されている。保護膜４は、素子搭載部２
の外縁を区画すると共に、回路パターン３の酸化等を防
１トするためのもので、スクリーン印刷で形成されたソ
ルダーレジストで構成されている。
以上のような回路基板を用いた半導体装置の製造方法に
ついて、第４図および第５図を参照しつつ説明する。な
お、第４図は第２図の樹脂封止後の一部省略縦断面拡大
図、および第５図は第２図の樹脂封止後の一部省略横断
面拡大図である。
ついて、第４図および第５図を参照しつつ説明する。な
お、第４図は第２図の樹脂封止後の一部省略縦断面拡大
図、および第５図は第２図の樹脂封止後の一部省略横断
面拡大図である。
まず、基板本体１上に回路パターン３を形成する。次い
で、基板本体１及び回路パターン３上にスクリーン印刷
によりソルダーレジストを塗布して保護膜３を形成し、
素子搭載部２の領域を作る。その後、素子搭載部２上に
半導体素子５をダイポンディングし、その半導体素子５
の電極部と回路パター７３とをワイヤ６で接続する。
で、基板本体１及び回路パターン３上にスクリーン印刷
によりソルダーレジストを塗布して保護膜３を形成し、
素子搭載部２の領域を作る。その後、素子搭載部２上に
半導体素子５をダイポンディングし、その半導体素子５
の電極部と回路パター７３とをワイヤ６で接続する。
次に、半導体素子５を搭載した回路基板を金型でモール
ド成形するわけであるが、金型は上下金型からなり、そ
れには樹脂充填用の凹状キャビテ仁タブレット化された
粉末樹脂の投入用穴。
ド成形するわけであるが、金型は上下金型からなり、そ
れには樹脂充填用の凹状キャビテ仁タブレット化された
粉末樹脂の投入用穴。
キャビティと投入用穴とを結ぶ溝状の樹脂注入口（以下
、ゲートという）が設けられている。そこで、加熱した
金型のキャビティに回路基板をセットした後、タブレッ
ト化された粉末樹脂を高周波プリヒートして投入用穴に
投入し、上下金型を加圧する。すると、投入穴内の樹脂
がゲートを通ってキャビティ内へ移送（トランスファー
）され、半導体素子５が樹脂７で封止される。これによ
って樹脂封ＩＦ型半導体装置が得られる。
、ゲートという）が設けられている。そこで、加熱した
金型のキャビティに回路基板をセットした後、タブレッ
ト化された粉末樹脂を高周波プリヒートして投入用穴に
投入し、上下金型を加圧する。すると、投入穴内の樹脂
がゲートを通ってキャビティ内へ移送（トランスファー
）され、半導体素子５が樹脂７で封止される。これによ
って樹脂封ＩＦ型半導体装置が得られる。
ところで、このようなトランスファモールド法では、成
形時においてキャビティ内へ高圧の樹脂が注入されるた
め、ワイヤ流れ、フラッシュ、樹脂未充填、基板ふくれ
等の問題が生じるおそれがある。
形時においてキャビティ内へ高圧の樹脂が注入されるた
め、ワイヤ流れ、フラッシュ、樹脂未充填、基板ふくれ
等の問題が生じるおそれがある。
そこで、上記文献では、キャビティに連通ずる溝状の空
気抜き口（以下、エアーベントという）を金型に設け、
成形時におけるキャビティ内の空気を抜くことにより、
ｊｍ記の問題点を解消している。
気抜き口（以下、エアーベントという）を金型に設け、
成形時におけるキャビティ内の空気を抜くことにより、
ｊｍ記の問題点を解消している。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記構成の装置では、金型にエアーベン
トを設けているため、そのエアーベントに樹脂が付着し
た状態でモールド作業を行なうと、空気の抜けが悪くな
り、樹脂未充填等といった問題が生じる。さらに、金型
にゲート及びエアーベントを設けているため、第５図に
示すように、ゲート対応箇所に樹脂残り８や、エアーベ
ント対応箇所にバリ９が発生する。これらの樹脂残り８
やバリ９の発生を防止するため、金型の形状を改良した
り、樹脂の注入圧力を減少する等の方法も考えられるが
、適正なモールド形状を維持しつつ樹脂残り８やバリ９
の発生を防止することは困難であった。このような樹脂
残り８やバリ９が発生すると、半導体装置が規格以上の
寸法になってしまったり、あるいは樹脂残り８及びバリ
９の除去作業を行なう必要があるため、加工工数も多く
なるばかりか、除去作業により発生する傷によって半導
体装置の信頼性が低下するという問題点があった。
トを設けているため、そのエアーベントに樹脂が付着し
た状態でモールド作業を行なうと、空気の抜けが悪くな
り、樹脂未充填等といった問題が生じる。さらに、金型
にゲート及びエアーベントを設けているため、第５図に
示すように、ゲート対応箇所に樹脂残り８や、エアーベ
ント対応箇所にバリ９が発生する。これらの樹脂残り８
やバリ９の発生を防止するため、金型の形状を改良した
り、樹脂の注入圧力を減少する等の方法も考えられるが
、適正なモールド形状を維持しつつ樹脂残り８やバリ９
の発生を防止することは困難であった。このような樹脂
残り８やバリ９が発生すると、半導体装置が規格以上の
寸法になってしまったり、あるいは樹脂残り８及びバリ
９の除去作業を行なう必要があるため、加工工数も多く
なるばかりか、除去作業により発生する傷によって半導
体装置の信頼性が低下するという問題点があった。
本発明は、１ｉ７ｊ記従来技術が持っていた問題点とし
て、モールド成形時の空気抜けが悪くなる点と、樹脂残
りやパリの発生を簡屯に防止できない点について解決し
た樹脂封止用回路基板を提供するものである。
て、モールド成形時の空気抜けが悪くなる点と、樹脂残
りやパリの発生を簡屯に防止できない点について解決し
た樹脂封止用回路基板を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、前記問題点を解決するために、素子搭載部を
有する基板本体と、この基板本体上に配置された回路パ
ターンとを具え、素子搭載部がトランスファモールドさ
れる樹脂封止用回路基板において、素子搭載部に連通ず
る樹脂注入用の溝と空気抜き用の溝とを設けたものであ
る。
有する基板本体と、この基板本体上に配置された回路パ
ターンとを具え、素子搭載部がトランスファモールドさ
れる樹脂封止用回路基板において、素子搭載部に連通ず
る樹脂注入用の溝と空気抜き用の溝とを設けたものであ
る。
（作 用）
本発明によれば、以上のように樹脂封止用回路基板を構
成したので、モールド成形時には、樹脂が樹脂注入用の
溝を通して素子搭載部へ充填され、その際、素子搭載部
附近の空気が空気抜き用の溝を通して外部へ排出される
。樹脂注入用の溝および空気抜き用の溝内に入り込んだ
樹脂は、それらの溝を埋めるように働くため、半導体装
置上に突出する樹脂残りや、パリという形では残らない
。したがって、前記問題点を除去できるのである。
成したので、モールド成形時には、樹脂が樹脂注入用の
溝を通して素子搭載部へ充填され、その際、素子搭載部
附近の空気が空気抜き用の溝を通して外部へ排出される
。樹脂注入用の溝および空気抜き用の溝内に入り込んだ
樹脂は、それらの溝を埋めるように働くため、半導体装
置上に突出する樹脂残りや、パリという形では残らない
。したがって、前記問題点を除去できるのである。
（実施例）
第１図は本発明の第１の実施例を示す樹脂封止用回路基
板の上面図、第６図は第１図のＡ−Ａ線断面拡大図、お
よび第７図は第１図のＢ−Ｂ線断面拡大図である。なお
、第２図〜第５図中の要素と同一の要素には同一の符号
が付されている。
板の上面図、第６図は第１図のＡ−Ａ線断面拡大図、お
よび第７図は第１図のＢ−Ｂ線断面拡大図である。なお
、第２図〜第５図中の要素と同一の要素には同一の符号
が付されている。
そしてこの実施例が従来のものと異なる点は。
保護膜４の２箇所の部分を削除し、一方の箇所には素子
搭載部２と連通ずる樹脂注入用溝４ａを形成すると共に
、他方の箇所には一端が素子搭載部２に連通し他端が基
板本体ｌの外縁に達する空気抜き用溝４ｂを形成したこ
とである。
搭載部２と連通ずる樹脂注入用溝４ａを形成すると共に
、他方の箇所には一端が素子搭載部２に連通し他端が基
板本体ｌの外縁に達する空気抜き用溝４ｂを形成したこ
とである。
このような回路基板の製造方法を説明する。まず、基板
本体１１に回路パターン３を形成する。
本体１１に回路パターン３を形成する。
次いで、基板本体ｌ及び回路パターン３上にスクリーン
印刷等によりンルダーレジストを塗布して保護膜４を形
成し、素子搭載部２の領域を作る。
印刷等によりンルダーレジストを塗布して保護膜４を形
成し、素子搭載部２の領域を作る。
ンルダーレジストを塗布する際、溝４ａ、４ｂの部分を
除いておき、保護膜４の形成時に、同時に樹脂注入用溝
４８と空気抜き用溝４ｂを作る。その後、保護膜４で被
覆されていない配線パターン３の一部や、素子搭載部２
に、金屑１模を形成すれば、樹脂封１Ｌ用の回路基板が
得られる。
除いておき、保護膜４の形成時に、同時に樹脂注入用溝
４８と空気抜き用溝４ｂを作る。その後、保護膜４で被
覆されていない配線パターン３の一部や、素子搭載部２
に、金屑１模を形成すれば、樹脂封１Ｌ用の回路基板が
得られる。
次に、半導体装置の製造方法を第８図を参照しつつ説明
する。なお、第８図は第１図における樹脂月正後のＣ−
Ｃ線断面拡大図である。
する。なお、第８図は第１図における樹脂月正後のＣ−
Ｃ線断面拡大図である。
まず、素子搭載部２上に半導体素子５をＡｕ−３ｉ共品
合金法等によってダイボンディングし、その半導体素子
５の電８ｉ部と回路パターン３の内方端部とをワ・ｒヤ
６で接続する。
合金法等によってダイボンディングし、その半導体素子
５の電８ｉ部と回路パターン３の内方端部とをワ・ｒヤ
６で接続する。
ここで、使用するトランスファモールド金型であるが、
その上下金型には樹脂充填用の凹状キャビティとタブレ
ッ！・化された粉末樹脂の投入用穴とが、没けられ、ゲ
ート及びエアーベントは設けられていない。
その上下金型には樹脂充填用の凹状キャビティとタブレ
ッ！・化された粉末樹脂の投入用穴とが、没けられ、ゲ
ート及びエアーベントは設けられていない。
このような金型を加熱し、そのキャビティに回路ノ、（
板をセットシた後、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等から
なるタブレット化された粉末樹脂を高周波プリヒートし
て投入用穴に投入し、上下金型を加圧する。すると、投
入用穴内の樹脂が樹脂注入用溝４ａを通り、キャビティ
で囲まれた素子搭載部２内へ移送され、半導体素子５及
びワイヤ６が樹脂７で封止される。
板をセットシた後、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等から
なるタブレット化された粉末樹脂を高周波プリヒートし
て投入用穴に投入し、上下金型を加圧する。すると、投
入用穴内の樹脂が樹脂注入用溝４ａを通り、キャビティ
で囲まれた素子搭載部２内へ移送され、半導体素子５及
びワイヤ６が樹脂７で封止される。
この際、素子搭載部２附近の空気は空気抜き用溝４ｂを
通って外部へ排出される。そのため、注入圧力を低くで
き、未充填等の欠点のない高精度な樹脂封［トが行える
。
通って外部へ排出される。そのため、注入圧力を低くで
き、未充填等の欠点のない高精度な樹脂封［トが行える
。
しかも、樹脂は樹脂注入用溝４ａを通って素子搭・浅部
２内へ注入され、溝４ａ内の樹脂の残り分はその溝４ａ
内で硬化するため、保護膜４より盛り上ることがない。
２内へ注入され、溝４ａ内の樹脂の残り分はその溝４ａ
内で硬化するため、保護膜４より盛り上ることがない。
さらに、素子搭載部２内に充填された樹脂の一部は、空
気抜き用溝４ｂに流出するが、その流出した樹脂はその
溝４ｂ内で硬化するため、従来のような保護膜４上に盛
り上るパリの発生がなくなる。
気抜き用溝４ｂに流出するが、その流出した樹脂はその
溝４ｂ内で硬化するため、従来のような保護膜４上に盛
り上るパリの発生がなくなる。
このように保護膜４上に盛り上る樹脂残りやパリの発生
をなくすことができるため、樹脂残りやバリ取りの作業
を省略でき、それに伴なう傷の発生をなくして信頼性の
向上が計れる。従って、時計、カメラ等の極小、極薄が
要求される半導体装置の回路基板として最適である。
をなくすことができるため、樹脂残りやバリ取りの作業
を省略でき、それに伴なう傷の発生をなくして信頼性の
向上が計れる。従って、時計、カメラ等の極小、極薄が
要求される半導体装置の回路基板として最適である。
また、溝４ａ、４ｂを回路基板側に設けたので、樹脂の
付着によって空気抜けが悪くなることもなく、しかもト
ランスファモールド金型の形状が簡単になってその製造
コストを低減できる。
付着によって空気抜けが悪くなることもなく、しかもト
ランスファモールド金型の形状が簡単になってその製造
コストを低減できる。
第９図は本発明の第２の実施例を示す樹脂ＭＩト用回路
基板の平面図、第１０図は第９図のＤ−Ｄ線断面拡大図
である。
基板の平面図、第１０図は第９図のＤ−Ｄ線断面拡大図
である。
この実施例が上記第１の実施例と異なる点は、基板本体
１１のＬ面に、座ぐり等の加工によって凹状の素子搭載
部１２を形成すると共に、その素子搭載部１２に連通ず
る凹状の樹脂注入用溝１４ａ及び空気抜き用溝１４ｂを
形成したことである。なお、素子搭載部１２及び溝１４
ａ、１４ｂの周囲の基板本体ｌｌ上には、保護膜４が形
成されている。
１１のＬ面に、座ぐり等の加工によって凹状の素子搭載
部１２を形成すると共に、その素子搭載部１２に連通ず
る凹状の樹脂注入用溝１４ａ及び空気抜き用溝１４ｂを
形成したことである。なお、素子搭載部１２及び溝１４
ａ、１４ｂの周囲の基板本体ｌｌ上には、保護膜４が形
成されている。
このように構成すれば、素子搭載部１２にダイポディン
グされる半導体素子５の高さが低くなってモールド成形
後の高さ方向の厚さを薄くできる。
グされる半導体素子５の高さが低くなってモールド成形
後の高さ方向の厚さを薄くできる。
ざらに、丑記第１の実施例の場合、保護膜４に溝４ａ、
４ｂを形成するため、保護１１！２４の厚さをあまり薄
くできない。ところが、この実施例では、基板本体１１
上に溝１４ａ、１４ｂを形成するため、保護膜４の厚さ
を薄くしても、第１の実施例と同様の作用、効果を奏す
る。また、保護膜４は回路パターン３の一部を被覆して
それを保護するために形成されているため、回路パター
ン３上に金属膜茅を施すことによって保護膜４自体を省
略してもよい。
４ｂを形成するため、保護１１！２４の厚さをあまり薄
くできない。ところが、この実施例では、基板本体１１
上に溝１４ａ、１４ｂを形成するため、保護膜４の厚さ
を薄くしても、第１の実施例と同様の作用、効果を奏す
る。また、保護膜４は回路パターン３の一部を被覆して
それを保護するために形成されているため、回路パター
ン３上に金属膜茅を施すことによって保護膜４自体を省
略してもよい。
なお、本発明は図示の実施例に限定されず、種々の変形
が可能である１例えば、溝４ａ、４ｂ、１４ａ。
が可能である１例えば、溝４ａ、４ｂ、１４ａ。
１４ｂを３本以上設けてもよい。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように１本発明によれば、基板本体
上か、あるいはその上に形成される保護膜に、樹脂注入
用の溝と空気抜きＩ目の溝とを設けたので、回路基板上
に突出する樹脂残りやパリの発生を簡易的確に防止でき
、これによってモールド後の半導体装置を高い信頼性で
極小、極薄形にできる。しかもトランスファモールド金
型自体の形状も簡単化でき、空気抜けが悪くなることも
ない。
上か、あるいはその上に形成される保護膜に、樹脂注入
用の溝と空気抜きＩ目の溝とを設けたので、回路基板上
に突出する樹脂残りやパリの発生を簡易的確に防止でき
、これによってモールド後の半導体装置を高い信頼性で
極小、極薄形にできる。しかもトランスファモールド金
型自体の形状も簡単化でき、空気抜けが悪くなることも
ない。
第１図は本発明の第１の実施例を示す回路基板の上面図
、第２図は従来の回路基板の上面図、第３図は第２図の
縦断面拡大図、第４図は第２図の樹脂封止後の縦断面拡
大図、第５図は第２図の樹脂封止後の横断面拡大図、第
６図は第１図のＡ−Ａ線断面拡大図、第７図は第１図の
Ｂ−Ｂ線断面拡大図、第８図は第１図の樹脂１１止後の
Ｃ−Ｃ線断面拡大図、第９図は本発明の第２の実施例を
示す回路基板の平面図、第１０図は第９図のＤ−Ｄ線断
面拡大図である。 ■・・・・・・基板本体、２・・・・・・素子搭載部、
３・・・・・・回路パターン、４・・・・・・保護膜、
４ａ 、 １４ａ・・・・・・樹脂注入用溝、４ｂ、１
４ｂ・・・・・・空気抜き用溝、５・旧・・半導体素子
、６・・・・・・ワイヤ、７・・・・・・封１１：ＪＡ
脂。 １：蟇板杢俸 ４株護膜 ４ｂ＝空気扱き用溝 不発日月の回路基板 第１図
、第２図は従来の回路基板の上面図、第３図は第２図の
縦断面拡大図、第４図は第２図の樹脂封止後の縦断面拡
大図、第５図は第２図の樹脂封止後の横断面拡大図、第
６図は第１図のＡ−Ａ線断面拡大図、第７図は第１図の
Ｂ−Ｂ線断面拡大図、第８図は第１図の樹脂１１止後の
Ｃ−Ｃ線断面拡大図、第９図は本発明の第２の実施例を
示す回路基板の平面図、第１０図は第９図のＤ−Ｄ線断
面拡大図である。 ■・・・・・・基板本体、２・・・・・・素子搭載部、
３・・・・・・回路パターン、４・・・・・・保護膜、
４ａ 、 １４ａ・・・・・・樹脂注入用溝、４ｂ、１
４ｂ・・・・・・空気抜き用溝、５・旧・・半導体素子
、６・・・・・・ワイヤ、７・・・・・・封１１：ＪＡ
脂。 １：蟇板杢俸 ４株護膜 ４ｂ＝空気扱き用溝 不発日月の回路基板 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子が搭載される素子搭載部を有する基板本
体と、前記素子搭載部から所定距離隔てて前記基板上に
配設され前記素子搭載部に搭載される半導体素子とワイ
ヤで接続される回路パターンとを具え、前記素子搭載部
がトランスファモールドされる樹脂封止用回路基板にお
いて、 前記素子搭載部に連通する樹脂注入用の溝と空気抜き用
の溝とを設けたことを特徴とする樹脂封止用回路基板。 ２、前記素子搭載部の周囲には前記回路パターンを被覆
する保護膜が形成され、その保護膜に前記樹脂注入用の
溝及び空気抜き用の溝とが形成された特許請求の範囲第
１項記載の樹脂封止用回路基板。 ３、前記樹脂注入用の溝及び空気抜き用の溝は前記基板
本体上に形成された特許請求の範囲第１項記載の樹脂封
止用回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16885985A JPH079952B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 樹脂封止用回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16885985A JPH079952B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 樹脂封止用回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230353A true JPS6230353A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH079952B2 JPH079952B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=15875881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16885985A Expired - Lifetime JPH079952B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 樹脂封止用回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079952B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5373418A (en) * | 1990-03-28 | 1994-12-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrical device for mounting electrical components with enhanced thermal radiating properties |
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-
1985
- 1985-07-31 JP JP16885985A patent/JPH079952B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN109302806B (zh) * | 2018-10-26 | 2021-08-20 | 上海量子绘景电子股份有限公司 | 一种线路板的制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079952B2 (ja) | 1995-02-01 |
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