JPS60257528A - 半導体封止用金型 - Google Patents
半導体封止用金型Info
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- JPS60257528A JPS60257528A JP11300484A JP11300484A JPS60257528A JP S60257528 A JPS60257528 A JP S60257528A JP 11300484 A JP11300484 A JP 11300484A JP 11300484 A JP11300484 A JP 11300484A JP S60257528 A JPS60257528 A JP S60257528A
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- JP
- Japan
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- ejector
- lower mold
- resin
- cavity
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/40—Removing or ejecting moulded articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体などの外力に弱いインサートを樹脂で
封止してレジンモールド半導体を成形するｔめの半導体
封止用金型に係勺、特に、レジンモールド半導体の信頼
性の向上と、歩留υの向上を志向した半導体封止用金型
に関するものである。
封止してレジンモールド半導体を成形するｔめの半導体
封止用金型に係勺、特に、レジンモールド半導体の信頼
性の向上と、歩留υの向上を志向した半導体封止用金型
に関するものである。
まず、従来のレジンモールド半導体の製造方法と、その
問題点を説明する。
問題点を説明する。
第１図は、従来のレジンモールド半導体ノ製造工程を説
明するための断面図、第２図は、第１図（ｄｌのト」矢
視から見り要部拡大平面図である。
明するための断面図、第２図は、第１図（ｄｌのト」矢
視から見り要部拡大平面図である。
第１図（ａ）のリードフレーム１の一部であるタブ２上
に、半導体素子３をＡ ｕ／Ｓ ｉで共晶熱接合あるい
はＡｌペーストでダイボンディングして搭載しく第１図
（ｂ））、半導体素子３とリードフレーム１の端とを金
線４でボンディングする（第１図（Ｃ））。このボンデ
ィングが完了したリードフレーム１は、このままの状態
で半導体封止用金型（図示せず）のキャビティ内へ装Ｍ
され、このキャビティ内へ供給した樹脂５によって樹脂
封止される（第１図（ｄ、））。その後、ダム切断。
に、半導体素子３をＡ ｕ／Ｓ ｉで共晶熱接合あるい
はＡｌペーストでダイボンディングして搭載しく第１図
（ｂ））、半導体素子３とリードフレーム１の端とを金
線４でボンディングする（第１図（Ｃ））。このボンデ
ィングが完了したリードフレーム１は、このままの状態
で半導体封止用金型（図示せず）のキャビティ内へ装Ｍ
され、このキャビティ内へ供給した樹脂５によって樹脂
封止される（第１図（ｄ、））。その後、ダム切断。
リード曲げ工程を経て、第１図（−）に示す最終製品が
得られる。
得られる。
ところで、このようにして樹脂刺止したレジンモールド
半導体は、第２図にその詳細を示すように、前記キャビ
ティから流出した樹脂がリードフレーム１上に付着し、
これがレジンフラッシュ６と呼ばれる１ばシ”となる。
半導体は、第２図にその詳細を示すように、前記キャビ
ティから流出した樹脂がリードフレーム１上に付着し、
これがレジンフラッシュ６と呼ばれる１ばシ”となる。
近年、レジンモールド半導体は薄肉化、小型化の傾向に
あるが、インサート（半導体素子を搭載し次リードフレ
ーム）にかかる応力を緩和ｉ する几めに、樹脂の配合
がいろいろと調整されている。樹脂５とリードフレーム
１の線膨張係数を近づけるためにフイラ含有率を増せば
、樹脂５とリードフレーム１との接着性が向上しり−ド
フレーム／樹脂界面剥離不良の発生を低減することがで
きるものの、ベースレジンの粘度低下に起因して、前記
レジンフラッシュ６の長さＬが大きくなる。
あるが、インサート（半導体素子を搭載し次リードフレ
ーム）にかかる応力を緩和ｉ する几めに、樹脂の配合
がいろいろと調整されている。樹脂５とリードフレーム
１の線膨張係数を近づけるためにフイラ含有率を増せば
、樹脂５とリードフレーム１との接着性が向上しり−ド
フレーム／樹脂界面剥離不良の発生を低減することがで
きるものの、ベースレジンの粘度低下に起因して、前記
レジンフラッシュ６の長さＬが大きくなる。
このレジンフラッジ−６は、半田の濡れ性を劣化させる
のみならず、前記半導体封止用金型からの成形品の離型
性をも悪化させるものである。
のみならず、前記半導体封止用金型からの成形品の離型
性をも悪化させるものである。
このようなレジンフラッジ３．６の発生を防止する几め
の、樹脂封止方法およびその方法に使用する樹脂封止型
が発明されている（特願昭４８−６１９７２号、＠開昭
５０−１１７７２号、特公昭５３−５８５０１号）が、
必ずしも満足すべきものではかか−）た。
の、樹脂封止方法およびその方法に使用する樹脂封止型
が発明されている（特願昭４８−６１９７２号、＠開昭
５０−１１７７２号、特公昭５３−５８５０１号）が、
必ずしも満足すべきものではかか−）た。
そこで本発明者等は、さき罠、成形品の離型性がよい半
導体封止用金型を開発１−た（実願昭 （５５−８９４
５１号）。
導体封止用金型を開発１−た（実願昭 （５５−８９４
５１号）。
本発明者等がさきに開発した半導体封止用金型の構成は
、半導体樹脂封止用金型において、少なくとも上型と下
型にエジェクタビンを具備し、上型エジェクタビンと下
型エジェクタビンの相対位置が変らないように、上・下
の該エジェクタプレートを一体として下型の移動と同期
して下方に押し下げるようにしたものである。
、半導体樹脂封止用金型において、少なくとも上型と下
型にエジェクタビンを具備し、上型エジェクタビンと下
型エジェクタビンの相対位置が変らないように、上・下
の該エジェクタプレートを一体として下型の移動と同期
して下方に押し下げるようにしたものである。
以下、図面を用いて説明する。
第３図は、本発明者等がさきに開発した半導体封止用金
型の一例を示す断面図であシ、第３図（α）は、離型が
始まる以前の状態を、第３図（ｈ）は、型開き開始状態
の一例を、それぞれ示すものでおる。
型の一例を示す断面図であシ、第３図（α）は、離型が
始まる以前の状態を、第３図（ｈ）は、型開き開始状態
の一例を、それぞれ示すものでおる。
この第３図において、第１，２図と同一番号を付したも
のは同一部分である。そして７は上型、８は、リードフ
レーム固定ビン８σを設けた下型、９は、上型７と下型
８とを型締めし几ときに形成されるキャビティ、１０は
、上型７に具備された、上型エジェクタピン１２を有す
る上型エジェクタプレート、１１Ｆｉ、下型８に具備さ
れた、下型エジェクタビン１３を有する下型エジェクタ
プレートである。
のは同一部分である。そして７は上型、８は、リードフ
レーム固定ビン８σを設けた下型、９は、上型７と下型
８とを型締めし几ときに形成されるキャビティ、１０は
、上型７に具備された、上型エジェクタピン１２を有す
る上型エジェクタプレート、１１Ｆｉ、下型８に具備さ
れた、下型エジェクタビン１３を有する下型エジェクタ
プレートである。
このように構成した半導体封止用金型において、キャビ
ティ９内へ、半導体素子３を搭載し次リードフレーム１
がリードフレーム固定ビン８ａで位置決めされて下型８
に装着されると。
ティ９内へ、半導体素子３を搭載し次リードフレーム１
がリードフレーム固定ビン８ａで位置決めされて下型８
に装着されると。
キャビティ９内へ樹脂５が供給され、所定の温度で加熱
され、成形品２０が成形される（第３図（ａ））。所定
の硬化時間後に下型８が下方へ移動すると同時に、上型
エジェクタプレート１０のみならず、下型エジェクタプ
レート１１が動作し、成形品２０を上型エジェクタピン
１２と下型エジェクタピン１５とではさむように型開き
を行なう。
され、成形品２０が成形される（第３図（ａ））。所定
の硬化時間後に下型８が下方へ移動すると同時に、上型
エジェクタプレート１０のみならず、下型エジェクタプ
レート１１が動作し、成形品２０を上型エジェクタピン
１２と下型エジェクタピン１５とではさむように型開き
を行なう。
すなわち、上型エジェクタプレート１０と下型エジェク
タプレート１１との相対位置が変らないように、下型８
が下方に移動すると同時に上下プレー）１０．１１全体
を下方に移動させるので、相対的には第３図（ｈ）に示
したように上型７の固定型が上型エジェクタピン１２を
支点にあたかも上方に移動したように、下型８は下型エ
ジェクタビン１３を支点に下方に移動するように動作す
る。
タプレート１１との相対位置が変らないように、下型８
が下方に移動すると同時に上下プレー）１０．１１全体
を下方に移動させるので、相対的には第３図（ｈ）に示
したように上型７の固定型が上型エジェクタピン１２を
支点にあたかも上方に移動したように、下型８は下型エ
ジェクタビン１３を支点に下方に移動するように動作す
る。
そして、下型８が下型エジェクタビン１３の全開になる
位置から、下型８と下型エジェクタプレート１１は一体
となって下方に移動し、型開きを完了する。このように
して成形品２０は上下のエジェクタビン１２．１３に挾
持されて離型される。
位置から、下型８と下型エジェクタプレート１１は一体
となって下方に移動し、型開きを完了する。このように
して成形品２０は上下のエジェクタビン１２．１３に挾
持されて離型される。
したがって、上型７．下型８とリードフレーム１との間
の加圧面１４に前述したレジンフラッシュ６が介在して
いても、一般的には、成形品２０に何ら損傷を与えるこ
となく、円滑に離型されるものの、レジンフラッシュ６
の量や樹脂の物性等によっては、離型が必ずしも円滑に
行なわれない場合がある。
の加圧面１４に前述したレジンフラッシュ６が介在して
いても、一般的には、成形品２０に何ら損傷を与えるこ
となく、円滑に離型されるものの、レジンフラッシュ６
の量や樹脂の物性等によっては、離型が必ずしも円滑に
行なわれない場合がある。
このような場合には、リードフレーム固定ビン８αヲ支
点に、リードフレーム１を引抜くような力Ｆが働き（第
３図（ｂ） ） 、リードフレーム１と樹脂５との間に
接着剥離部１５が発生する。
点に、リードフレーム１を引抜くような力Ｆが働き（第
３図（ｂ） ） 、リードフレーム１と樹脂５との間に
接着剥離部１５が発生する。
ところで、リードフレーム１の、樹脂５の内１１’ Ｋ
ｋ ｖ ？ ｕ Ｚ”−“５°−！−ｇｌ！１１１１
（“）１１ 照）が長いレジンモールド半導体では、こ
のような接着剥離部１５が発生していても特に問題とな
らないが、小型で、半導体素子３の寸法が大きいもので
はリード部の長さｔが短くなり、前記接着剥離部１５か
ら水分が侵入するとこれが半導体素子３まで到着する。
ｋ ｖ ？ ｕ Ｚ”−“５°−！−ｇｌ！１１１１
（“）１１ 照）が長いレジンモールド半導体では、こ
のような接着剥離部１５が発生していても特に問題とな
らないが、小型で、半導体素子３の寸法が大きいもので
はリード部の長さｔが短くなり、前記接着剥離部１５か
ら水分が侵入するとこれが半導体素子３まで到着する。
し友がって、耐湿性が低下し、レジンモールド半導体の
信頼性を低下させ、成形の歩留りも悪くするとｂうおそ
れがあった。
信頼性を低下させ、成形の歩留りも悪くするとｂうおそ
れがあった。
本発明は、本発明者等がさきに開発しｔ半導体封止用金
型の離型性をさらに改善して、外力に対して弱いレジン
モールド半導体の信頼性を向上し歩留りよく成形するこ
とができる半導体封止用金型の提供を、その目的とする
ものである。
型の離型性をさらに改善して、外力に対して弱いレジン
モールド半導体の信頼性を向上し歩留りよく成形するこ
とができる半導体封止用金型の提供を、その目的とする
ものである。
本発明に係る半導体封止用金型の構成は、上型と下型の
それぞれに、エジェクタビンを有するエジェクタプレー
トを具備せしめ、半導体素子を搭載したリードフレーム
を前記下型に装着し、前記上型と下型とを型締めして形
成されるキャビティ内へ供給した樹脂によって前記ＩＪ
−ドフレームを樹脂封止してレジンモールド半導体を成
形するに使用される半導体封止用金型において、リード
フレームのキャビティからはみ出九部分を上下方向から
挾持することができる上型ロッドと下型ロッドとを、そ
れぞれ前記上型エジェクタプレート、下型エジェクタプ
レートに取付け、前記上型エジェクタプレートを下方へ
押圧する上型圧縮ばねを該上型エジェクタプレートの上
面側に配設し、前記下型エジェクタプレートの下方への
移動に抗する下型圧縮ばねヲ該下型エジェクタプレート
と下型との間に介挿せしめるようにしｔものである。
それぞれに、エジェクタビンを有するエジェクタプレー
トを具備せしめ、半導体素子を搭載したリードフレーム
を前記下型に装着し、前記上型と下型とを型締めして形
成されるキャビティ内へ供給した樹脂によって前記ＩＪ
−ドフレームを樹脂封止してレジンモールド半導体を成
形するに使用される半導体封止用金型において、リード
フレームのキャビティからはみ出九部分を上下方向から
挾持することができる上型ロッドと下型ロッドとを、そ
れぞれ前記上型エジェクタプレート、下型エジェクタプ
レートに取付け、前記上型エジェクタプレートを下方へ
押圧する上型圧縮ばねを該上型エジェクタプレートの上
面側に配設し、前記下型エジェクタプレートの下方への
移動に抗する下型圧縮ばねヲ該下型エジェクタプレート
と下型との間に介挿せしめるようにしｔものである。
さらに詳しくは、次の通夛である。
離型時に、下型が下方へ移動すると同時に、上型エジェ
クタビンのみならず下型エジェクタビンを動作させ、且
つ離型シーケンスよりも早期に、リードフレームのキャ
ビティからはみ出た部分を、上型ロッドと下型ロッドと
によって挾持することができるようにし、成形品を前記
上型エジェクタビン、下型エジヱクタビン、上型ロッド
および下型ロッドによって中吊りの状態で離型すること
によって、リードフレーム１を引抜くような力Ｆ（第３
図（ｂ））の発生を防止するようにしたものである。
クタビンのみならず下型エジェクタビンを動作させ、且
つ離型シーケンスよりも早期に、リードフレームのキャ
ビティからはみ出た部分を、上型ロッドと下型ロッドと
によって挾持することができるようにし、成形品を前記
上型エジェクタビン、下型エジヱクタビン、上型ロッド
および下型ロッドによって中吊りの状態で離型すること
によって、リードフレーム１を引抜くような力Ｆ（第３
図（ｂ））の発生を防止するようにしたものである。
まず、本発明の原理を、図面を用いて説明する。
第４図は、本発明の半導体封止用金型の原理を説明する
ための断面図であり、第４図（α）は、離型が始まる以
前の状態と、これから各部品が移動する方向を矢印で示
し、第４図＜ｈ）は、離型の瞬間の状態と、各部品に作
用する力の方向を矢印で示し次ものである。
ための断面図であり、第４図（α）は、離型が始まる以
前の状態と、これから各部品が移動する方向を矢印で示
し、第４図＜ｈ）は、離型の瞬間の状態と、各部品に作
用する力の方向を矢印で示し次ものである。
各図において、第３図と同一番号を付し友ものは同一部
分である。そして１６．１７は、成形品２０のキャビテ
ィ９からはみ出た部分（すなわち非モールド部）を、離
型シーケンスよりも早期に、上、下方向から挾持するこ
とができる、断面形状が円形、矩形などの上型ロッド、
下型口ラドである。
分である。そして１６．１７は、成形品２０のキャビテ
ィ９からはみ出た部分（すなわち非モールド部）を、離
型シーケンスよりも早期に、上、下方向から挾持するこ
とができる、断面形状が円形、矩形などの上型ロッド、
下型口ラドである。
このように構成した半導体封止用金型において、離型に
先立って前記上型ロッド１６．下型ロッド１７によって
成形品２０の非モールド部を挾持し、上型エジェクタプ
レート１０．下型エジェクタプレート１１．上型ロッド
１６．下型ロッド１７の相対位置が変らないように、下
型８が下方へ移動すると同時に、上、下型エジェクタプ
レート１０、１１を下方へ移動させ、成形品２０のモー
ルド部および非モールド部を、両エジェクタピン１２゜
１３および両ロッド１（Ｓ、 １７でそれぞれ挾持して
、中量シの状態で離型させる。そして、下型８が下型エ
ジェクタピン１３の全開になる位置から、下型８と下型
エジェクタプレート１１とが一体となって下方へ移動し
、型開きが完了する。
先立って前記上型ロッド１６．下型ロッド１７によって
成形品２０の非モールド部を挾持し、上型エジェクタプ
レート１０．下型エジェクタプレート１１．上型ロッド
１６．下型ロッド１７の相対位置が変らないように、下
型８が下方へ移動すると同時に、上、下型エジェクタプ
レート１０、１１を下方へ移動させ、成形品２０のモー
ルド部および非モールド部を、両エジェクタピン１２゜
１３および両ロッド１（Ｓ、 １７でそれぞれ挾持して
、中量シの状態で離型させる。そして、下型８が下型エ
ジェクタピン１３の全開になる位置から、下型８と下型
エジェクタプレート１１とが一体となって下方へ移動し
、型開きが完了する。
このようにして成形品２０を中吊りの状態で離型させる
ようにし九ので、リードフレーム１を引抜くような力の
発生を防止することができる。
ようにし九ので、リードフレーム１を引抜くような力の
発生を防止することができる。
ｆ 以下、実施例によって説明する。
第５図は、本発明の一実施例に係る半導体封止用金型の
断面図であシ、第５図（ｃＬ）は、離型の始まる以前の
型締め状態（樹脂封上前）を示し、第５図（ｂ）は、離
型の瞬間の状態と、各部品に作用する力の方向を矢印で
示したものである。
断面図であシ、第５図（ｃＬ）は、離型の始まる以前の
型締め状態（樹脂封上前）を示し、第５図（ｂ）は、離
型の瞬間の状態と、各部品に作用する力の方向を矢印で
示したものである。
各図において、第４図と同一番号を付したものは同一部
分である。そして、上型エジェクタプレート１０Ａには
、上型エジェクタピン１２のほかに、上型ロッド１６が
取付けられておシ、ま沈下型エジェクタプレート１１Ａ
には、下型エジェクタビン１′５のほかに、下型ロッド
１７が取付けられている。そして、上型７Ａと下型８Ａ
とが型締めし次状態（第５図（α）の状態）では、リー
ドフレーム１のキャビティ９からはみ出た部分を、これ
ら上型ロッド１６．下型ロッド１７によって上下方向か
ら挾持することができるようになっている。
分である。そして、上型エジェクタプレート１０Ａには
、上型エジェクタピン１２のほかに、上型ロッド１６が
取付けられておシ、ま沈下型エジェクタプレート１１Ａ
には、下型エジェクタビン１′５のほかに、下型ロッド
１７が取付けられている。そして、上型７Ａと下型８Ａ
とが型締めし次状態（第５図（α）の状態）では、リー
ドフレーム１のキャビティ９からはみ出た部分を、これ
ら上型ロッド１６．下型ロッド１７によって上下方向か
ら挾持することができるようになっている。
上型エジェクタプレート１ｏＡ上には該上型エジェクタ
プレー）１０Ａを下方へ押圧する上型圧縮はね１８が配
設され、また下型エジェクタプレー）１１Ａと下型８Ａ
のばね座面８ｂとの間には下型圧縮ばね１９が介挿され
ておシ、対向する上下−組の圧縮ばね１８．１９におい
て、上型圧縮ばね１８は、（第５図（ａ）、 （Ａ）に
おいては上型ロッド１６の鉛直線上に配設されているよ
うに図示されているが、）その内径及び上型エジェクタ
プレー）１０，４のキリ孔（図示せず）を貫通し、上型
７Ａとねじ締結されるスタッド２１と座金２２を介して
、また、下型圧縮ばね１９は、（第５図（ｃＬｌ。
プレー）１０Ａを下方へ押圧する上型圧縮はね１８が配
設され、また下型エジェクタプレー）１１Ａと下型８Ａ
のばね座面８ｂとの間には下型圧縮ばね１９が介挿され
ておシ、対向する上下−組の圧縮ばね１８．１９におい
て、上型圧縮ばね１８は、（第５図（ａ）、 （Ａ）に
おいては上型ロッド１６の鉛直線上に配設されているよ
うに図示されているが、）その内径及び上型エジェクタ
プレー）１０，４のキリ孔（図示せず）を貫通し、上型
７Ａとねじ締結されるスタッド２１と座金２２を介して
、また、下型圧縮ばね１９は、（第５図（ｃＬｌ。
（ｂ）においては下型ロッド１７の鉛直線上に配設され
ているように図示されているが、設置位置けこの限シで
はない。）下型８Ａのばね座面８ｂに嵌められ、上下圧
縮はね１８． ｊ？それぞれに圧縮力が付加されている
。
ているように図示されているが、設置位置けこの限シで
はない。）下型８Ａのばね座面８ｂに嵌められ、上下圧
縮はね１８． ｊ？それぞれに圧縮力が付加されている
。
このように構成した半導体封止用金型の動作を説明する
。
。
半導体素子３を搭載したリードフレーム１が、型開きし
た半導体封止用金型の側方がら挿入さし、下型８Ａに、
リードフレーム固定ピン８ｃＬによって位置決めして装
着され、次に上型７Ａと下型８Ａとが型締めされる。型
締め状態で、リードフレーム１のキャビティ９からはみ
出している非モールド部が上型ロッド１６と下型ロッド
１７とによって上下方向から挾持され、まｔ上。
た半導体封止用金型の側方がら挿入さし、下型８Ａに、
リードフレーム固定ピン８ｃＬによって位置決めして装
着され、次に上型７Ａと下型８Ａとが型締めされる。型
締め状態で、リードフレーム１のキャビティ９からはみ
出している非モールド部が上型ロッド１６と下型ロッド
１７とによって上下方向から挾持され、まｔ上。
下型エジェクタビン１２．１３の先端は、金型製造番号
などの拐刻ができるように、キャビティ９内へ突出して
いる。そして、型締めによって形成され九キャビティ９
内へ樹脂５が注入され、所定の温度で加熱され、成形品
２０が成形され“る。
などの拐刻ができるように、キャビティ９内へ突出して
いる。そして、型締めによって形成され九キャビティ９
内へ樹脂５が注入され、所定の温度で加熱され、成形品
２０が成形され“る。
所定の硬化時間後に可動プラテン（図示せず）が下降し
て下型８Ａが下方へ移動すると、スタッド２１も一体と
なって下降するので、上、下型エジェクタプレー）１０
．（、１１，４は上、下型圧縮はね１８．１９で押圧さ
れ一体となった状態で下降する。下Ｔｆｄ８Ａが下型エ
ジェクタプレート１１．（と当接し几のちは、下型８Ａ
が下型エジェクタプレート１１Ａと一体となって下方へ
移動し、型開きが完了する。
て下型８Ａが下方へ移動すると、スタッド２１も一体と
なって下降するので、上、下型エジェクタプレー）１０
．（、１１，４は上、下型圧縮はね１８．１９で押圧さ
れ一体となった状態で下降する。下Ｔｆｄ８Ａが下型エ
ジェクタプレート１１．（と当接し几のちは、下型８Ａ
が下型エジェクタプレート１１Ａと一体となって下方へ
移動し、型開きが完了する。
このようにして、成形品２０は、上、下型圧縮ばね１８
．１９の弾性力のバランスによって、上型エジェクタピ
ン１２．下型エジェクタビン１６．上型ロッド１６．下
型ロツド１７を介して中吊りの状態で離型されるので、
たとえリードフレーム１にレジンフラッシュが付着して
いても、リードフレーム１を引抜くような力が作用する
ことはな（＾。
．１９の弾性力のバランスによって、上型エジェクタピ
ン１２．下型エジェクタビン１６．上型ロッド１６．下
型ロツド１７を介して中吊りの状態で離型されるので、
たとえリードフレーム１にレジンフラッシュが付着して
いても、リードフレーム１を引抜くような力が作用する
ことはな（＾。
以上説明した実施例によれば、離型時にり一部フレーム
１を引抜くような力が作用しないので、リードフレーム
１と樹脂５との間に接着剥離部を発生させることなく成
形品２０を離型することができるので、レジンモールド
半導体の信頼性が向上し、成形の歩留りが向上するとい
う効果がある。
１を引抜くような力が作用しないので、リードフレーム
１と樹脂５との間に接着剥離部を発生させることなく成
形品２０を離型することができるので、レジンモールド
半導体の信頼性が向上し、成形の歩留りが向上するとい
う効果がある。
以上詳細に説明したように本発明によれば、外力に対し
て弱いレジンモールド半導体の信頼性を向上し、歩留り
よく成形することができる半導体封止用金型を提供する
ことができる。
て弱いレジンモールド半導体の信頼性を向上し、歩留り
よく成形することができる半導体封止用金型を提供する
ことができる。
１’ ４． 図面の簡単な説明
１・１
１ 第１図は、従来のレジンモールド半導体の製造工程
を説明するための断面図、第２図は、第１図（ｄ＋のＴ
ｌ−１１矢視から見た要部拡大平面図、第３図は、本発
明者等がさきに開発した半導体封止用金型の一例を示す
断面図、第４図は、本発明の半導体封止用金型の原理を
説明するための断面図、第５図は、本発明の一実施例に
係る半導体封止用金型の断面図である。
を説明するための断面図、第２図は、第１図（ｄ＋のＴ
ｌ−１１矢視から見た要部拡大平面図、第３図は、本発
明者等がさきに開発した半導体封止用金型の一例を示す
断面図、第４図は、本発明の半導体封止用金型の原理を
説明するための断面図、第５図は、本発明の一実施例に
係る半導体封止用金型の断面図である。
１・・・リードフレーム ３・・・半導体素子５・・・
樹脂 ７Ａ・・・上型 ８Ａ・・・下型 ９・・・キャビティ １１Ｍ・・・上型エジェクタプレート １１．４・・・下型エジェクタプレート１２・・・上型
エジェクタビン １３・・・下型エジェクタピン １６・・・上型ロッド １７・・・下型ロッド１８・・
・上型圧縮ばね １９・・・下型圧縮ばね２０・・・成
形品 ２１・・・スタッド２２・・・座金 第１ 図 （り） （ｂ） ＜ｃ） 第２ 図 第３図 （θ） （し） 殖４図 （（２） （閃 菊 ５図 （（１＞ 第１頁の続き ■Ｉｎｔ、ＣＩ、’ 識別記号 庁内整理。
樹脂 ７Ａ・・・上型 ８Ａ・・・下型 ９・・・キャビティ １１Ｍ・・・上型エジェクタプレート １１．４・・・下型エジェクタプレート１２・・・上型
エジェクタビン １３・・・下型エジェクタピン １６・・・上型ロッド １７・・・下型ロッド１８・・
・上型圧縮ばね １９・・・下型圧縮ばね２０・・・成
形品 ２１・・・スタッド２２・・・座金 第１ 図 （り） （ｂ） ＜ｃ） 第２ 図 第３図 （θ） （し） 殖４図 （（２） （閃 菊 ５図 （（１＞ 第１頁の続き ■Ｉｎｔ、ＣＩ、’ 識別記号 庁内整理。
０発 明 者 金 １） 愛 三 横浜市戸塚１術研究
所内
所内
Claims (1)
- ｔ 上型と下型のそれぞれに、エジェクタビンを有する
エジェクタプレートを具備せしめ、半導体素子を搭載し
たリードフレームを前記下型に装着し、前記上型と下型
とを型締めして形成されるキャビティ内へ供給し几樹脂
によって前記リードフレームを樹脂封止してレジンモー
ルド半導体を成形するに使用される半導体封止用金型に
おいて、リードフレームのキャビティからはみ出た部分
を上下方向がら挾持することができる上型ロッドと下型
ロッドとを、それぞれ前記上型エジェクタプレート、下
型エジェクタプレートに取付け、前記上型エジェクタプ
レートラ下方へ押圧する上型圧縮ばねを該上型エジェク
タプレートの上面側に配設し、前記下型エジェクタプレ
ートの下方への移動に抗する下型圧縮ばねを該下型エジ
ェクタプレートと下型との間に介挿せしめるようにした
ことを特徴とする半導体封止用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11300484A JPS60257528A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 半導体封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11300484A JPS60257528A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 半導体封止用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257528A true JPS60257528A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14601028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11300484A Pending JPS60257528A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 半導体封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257528A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62269329A (ja) * | 1986-07-31 | 1987-11-21 | Michio Osada | 半導体素子の樹脂封止成形用金型 |
| FR2740720A1 (fr) * | 1995-11-08 | 1997-05-09 | Samsung Electronics Co Ltd | Ensemble de moules pour corps protecteur de boitier de pastille semi-conductrice |
| US6815261B2 (en) * | 1997-07-23 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Encapsulation method in a molding machine for an electronic device |
| KR100490211B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-05-17 | 씨케이티주식회사 | 리드 프레임 인서트 사출 성형용 슬라이드 금형 |
| US7008584B2 (en) | 2000-12-07 | 2006-03-07 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a seal-integrated separator |
| US7138081B2 (en) | 2000-11-30 | 2006-11-21 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a seal-integrated separator |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP11300484A patent/JPS60257528A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62269329A (ja) * | 1986-07-31 | 1987-11-21 | Michio Osada | 半導体素子の樹脂封止成形用金型 |
| FR2740720A1 (fr) * | 1995-11-08 | 1997-05-09 | Samsung Electronics Co Ltd | Ensemble de moules pour corps protecteur de boitier de pastille semi-conductrice |
| US6815261B2 (en) * | 1997-07-23 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Encapsulation method in a molding machine for an electronic device |
| US7138081B2 (en) | 2000-11-30 | 2006-11-21 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a seal-integrated separator |
| US7008584B2 (en) | 2000-12-07 | 2006-03-07 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a seal-integrated separator |
| US7491355B2 (en) | 2000-12-07 | 2009-02-17 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a seal-integrated separator |
| KR100490211B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-05-17 | 씨케이티주식회사 | 리드 프레임 인서트 사출 성형용 슬라이드 금형 |
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