JPH0713983B2 - 半導体樹脂封止用のタブレット及びそれを使用した半導体樹脂封止方法 - Google Patents
半導体樹脂封止用のタブレット及びそれを使用した半導体樹脂封止方法Info
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- JPH0713983B2 JPH0713983B2 JP62228832A JP22883287A JPH0713983B2 JP H0713983 B2 JPH0713983 B2 JP H0713983B2 JP 62228832 A JP62228832 A JP 62228832A JP 22883287 A JP22883287 A JP 22883287A JP H0713983 B2 JPH0713983 B2 JP H0713983B2
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- resin
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路等（以下ICと記す）を封止す
る樹脂からなる半導体樹脂封止用のタブレツト及びそれ
を使用した半導体樹脂封止方法の改良に関するものであ
る。
る樹脂からなる半導体樹脂封止用のタブレツト及びそれ
を使用した半導体樹脂封止方法の改良に関するものであ
る。
第10図ないし第12図は、例えば特開昭59-139638号公報
に示された従来の真空タブレツト成形機および成形物を
示す断面図で、図において、（１）は主にエポキシ樹脂
と無機質充てん剤の混合物粒子である粉末樹脂、（２）
はシリンダ、（３）は粉末樹脂（１）を圧縮するための
ピストン、（４）はこのピストン（３）外周とシリンダ
（２）内周とを封止するピストンリング、（５）はピス
トン（３）で圧縮された後に、後述するタブレツト
（６）をシリンダ（２）外へ押出すための圧送ピスト
ン、（７）はこの圧送ピストン（６）外周とシリンダ
（２）内周との間を封止するピストンリング、（８）は
粉末樹脂（１）をシリンダ（２）内へ注入するためのホ
ツパ、（９）はシリンダ（２）内に排気口（10）を介し
て真空を導入する真空ポンプ、（６）は粉末樹脂を圧縮
硬化して成形された軟化温度が80℃〜100℃のタブレツ
トで円柱状に成形されている。（11）は粉末樹脂（４）
の粒子部分における粒子間の粒子空間、（12）はタブレ
ツト（６）中の粒子空間（11）に含まれる粒子間空気で
ある。
に示された従来の真空タブレツト成形機および成形物を
示す断面図で、図において、（１）は主にエポキシ樹脂
と無機質充てん剤の混合物粒子である粉末樹脂、（２）
はシリンダ、（３）は粉末樹脂（１）を圧縮するための
ピストン、（４）はこのピストン（３）外周とシリンダ
（２）内周とを封止するピストンリング、（５）はピス
トン（３）で圧縮された後に、後述するタブレツト
（６）をシリンダ（２）外へ押出すための圧送ピスト
ン、（７）はこの圧送ピストン（６）外周とシリンダ
（２）内周との間を封止するピストンリング、（８）は
粉末樹脂（１）をシリンダ（２）内へ注入するためのホ
ツパ、（９）はシリンダ（２）内に排気口（10）を介し
て真空を導入する真空ポンプ、（６）は粉末樹脂を圧縮
硬化して成形された軟化温度が80℃〜100℃のタブレツ
トで円柱状に成形されている。（11）は粉末樹脂（４）
の粒子部分における粒子間の粒子空間、（12）はタブレ
ツト（６）中の粒子空間（11）に含まれる粒子間空気で
ある。
次にタブレツトの製造工程について説明する。まず、ピ
ストン（３）をホツポ（８）の位置よりも後方に位置さ
せて、必要量計量した粉末樹脂（１）をホツパ（８）に
注入し、シリンダ（２）内へ粉末樹脂（１）を挿入す
る。次にピストン（３）を第11図のようにホツパ（８）
の位置よりも前方に位置させて停止させ、真空ポンプ
（９）を運転させる。この真空ポンプ（９）の運転によ
つてシリンダ（２）内の空気や、粉末樹脂（１）内に存
在する空気が外部へ排気され、シリンダ（２）内や粉末
樹脂（１）の粒子間が真空にされる。ここで、再びピス
トン（20）を前進させ、粉末樹脂（１）を1000kg/cm3程
度の圧力で圧縮する。この圧力で粉末樹脂（１）は粒子
の間の粒子空間（11）が押しつぶされ、粒子間の粒子空
間（11）が極めて小となる。シリンダ（２）内は真空状
態であるため、粒子間空気（12）も外部へ排気され、粒
子空間（11）もシリンダ（２）内も真空状態で維持さ
れ、粉末樹脂（１）の粒子空間（11）には空気は全く、
存在せず、真空状態のタブレツト（６）が成形される。
ストン（３）をホツポ（８）の位置よりも後方に位置さ
せて、必要量計量した粉末樹脂（１）をホツパ（８）に
注入し、シリンダ（２）内へ粉末樹脂（１）を挿入す
る。次にピストン（３）を第11図のようにホツパ（８）
の位置よりも前方に位置させて停止させ、真空ポンプ
（９）を運転させる。この真空ポンプ（９）の運転によ
つてシリンダ（２）内の空気や、粉末樹脂（１）内に存
在する空気が外部へ排気され、シリンダ（２）内や粉末
樹脂（１）の粒子間が真空にされる。ここで、再びピス
トン（20）を前進させ、粉末樹脂（１）を1000kg/cm3程
度の圧力で圧縮する。この圧力で粉末樹脂（１）は粒子
の間の粒子空間（11）が押しつぶされ、粒子間の粒子空
間（11）が極めて小となる。シリンダ（２）内は真空状
態であるため、粒子間空気（12）も外部へ排気され、粒
子空間（11）もシリンダ（２）内も真空状態で維持さ
れ、粉末樹脂（１）の粒子空間（11）には空気は全く、
存在せず、真空状態のタブレツト（６）が成形される。
従来のタブレツトの製造方法では、タブレツトには真空
状態では全く空気が存在することがないが、タブレツト
は固形粉末を機械的に圧縮することにより粒子間が密着
しているだけであり、このタブレツトを大気中に取り出
した場合、内部の粒子空間と外部の粒子空間とが小さな
隙間で連通しているため、内部の粒子空間に直ちに空気
が侵入し、ICをこのタブレツトで封止した場合、ICの内
部に粒子間空気が混入し、ICの内部や表面にボイドが発
生し、ICの製造歩留りが低下するという問題点があつ
た。
状態では全く空気が存在することがないが、タブレツト
は固形粉末を機械的に圧縮することにより粒子間が密着
しているだけであり、このタブレツトを大気中に取り出
した場合、内部の粒子空間と外部の粒子空間とが小さな
隙間で連通しているため、内部の粒子空間に直ちに空気
が侵入し、ICをこのタブレツトで封止した場合、ICの内
部に粒子間空気が混入し、ICの内部や表面にボイドが発
生し、ICの製造歩留りが低下するという問題点があつ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ICの封止時に粒子間空気がICの内部に混入す
ることを防止できるタブレツトの製造方法を得ることを
目的とする。
たもので、ICの封止時に粒子間空気がICの内部に混入す
ることを防止できるタブレツトの製造方法を得ることを
目的とする。
この発明に係る半導体樹脂封止用のタブレツトは、真空
容器内に固形状又は粉状又は粒状の樹脂を真空下で収容
して粒子間空気を脱気すると共に、上記樹脂を自己融着
温度で加熱且つ圧縮して構成されたものである。
容器内に固形状又は粉状又は粒状の樹脂を真空下で収容
して粒子間空気を脱気すると共に、上記樹脂を自己融着
温度で加熱且つ圧縮して構成されたものである。
また、この発明の別の発明に係る半導体樹脂封止方法
は、真空容器内に固形状又は粉状又は粒状の樹脂を真空
下で収容して粒子間空気を脱気すると共に、上記樹脂を
自己融着温度で加熱且つ圧縮してタブレツトを構成し、
このタブレツトが投入される金型内を真空状態として上
記タブレツトを用いて半導体を封止するようにしたもの
である。
は、真空容器内に固形状又は粉状又は粒状の樹脂を真空
下で収容して粒子間空気を脱気すると共に、上記樹脂を
自己融着温度で加熱且つ圧縮してタブレツトを構成し、
このタブレツトが投入される金型内を真空状態として上
記タブレツトを用いて半導体を封止するようにしたもの
である。
この発明におけるタブレツトは、真空容器内で粒子間空
気を脱気され、この脱気された樹脂が上記真空容器内で
自己融着温度で加熱且つ圧縮されて表面の粒子間が融着
され、粒子間空気が除去された状態で維持される。
気を脱気され、この脱気された樹脂が上記真空容器内で
自己融着温度で加熱且つ圧縮されて表面の粒子間が融着
され、粒子間空気が除去された状態で維持される。
また、この発明の別の発明における半導体樹脂封止方法
は、真空下で自己融着温度で加熱且つ圧縮して構成され
たタブレツトを真空状態の金型内に投入し、半導体を封
止する。
は、真空下で自己融着温度で加熱且つ圧縮して構成され
たタブレツトを真空状態の金型内に投入し、半導体を封
止する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図ないし第４図において、（20）はシリンダ室（Ａ）を
有するシリンダ、（21）はこのシリンダ（20）にボルト
（22）を介して結合された上部カバーで、弁座（21a）
と真空導入室（Ｂ）を有している。（23）は真空導入室
（Ｂ）に排気口（24）を介して真空を導入する真空ポン
プ、（25）はシリンダ（20）内を摺動するピストン、
（26）はピストン（25）とシリンダ（20）間を封止する
ピストンリング、（27）は弁座（21a）に離接する排気
弁、（28）はこの排気弁（27）と弁座（21a）間を封止
する弁リング、（29）は排気弁（27）と上部カバー（2
1）との間を封止する排気リング、（30）はシリンダ（2
0）と上部カバー（21）とを封止する封止リング、（3
1）はシリンダ（20）の外周に配置され、シリンダ（2
0）等を加熱するヒータ、（32）は上記のシリンダ（2
0），上部カバー（21），ピストン（25）等により構成
されるタブレツト成形機、（33）は直径が0.1〜2mmの粒
子が混合された軟化温度が80℃〜100℃の粉末樹脂、（3
4）は粉末樹脂（33）の粒子相互間の接触界面に形成さ
れる粒子空間、（35）は粉末樹脂（33）の外周部がタブ
レツト成形機（32）の熱により自己融着された融着層、
（36）はタブレツトである。
図ないし第４図において、（20）はシリンダ室（Ａ）を
有するシリンダ、（21）はこのシリンダ（20）にボルト
（22）を介して結合された上部カバーで、弁座（21a）
と真空導入室（Ｂ）を有している。（23）は真空導入室
（Ｂ）に排気口（24）を介して真空を導入する真空ポン
プ、（25）はシリンダ（20）内を摺動するピストン、
（26）はピストン（25）とシリンダ（20）間を封止する
ピストンリング、（27）は弁座（21a）に離接する排気
弁、（28）はこの排気弁（27）と弁座（21a）間を封止
する弁リング、（29）は排気弁（27）と上部カバー（2
1）との間を封止する排気リング、（30）はシリンダ（2
0）と上部カバー（21）とを封止する封止リング、（3
1）はシリンダ（20）の外周に配置され、シリンダ（2
0）等を加熱するヒータ、（32）は上記のシリンダ（2
0），上部カバー（21），ピストン（25）等により構成
されるタブレツト成形機、（33）は直径が0.1〜2mmの粒
子が混合された軟化温度が80℃〜100℃の粉末樹脂、（3
4）は粉末樹脂（33）の粒子相互間の接触界面に形成さ
れる粒子空間、（35）は粉末樹脂（33）の外周部がタブ
レツト成形機（32）の熱により自己融着された融着層、
（36）はタブレツトである。
次に動作について説明する。まず、第１図のようにヒー
タ（31）に通電してタブレツト成形機（32）を粉末樹脂
（33）の融着温度よりも低い温度60℃に加温し、このタ
ブレツト成形機（32）のシリンダ（20）内に粉末樹脂
（33）を注入し、第２図のようにシリンダ（20）と上部
カバー（21）とをボルト（22）で結合して密閉する。次
に、ピストン（25）の位置調整した後、排気弁（27）を
下方に動かし、弁座（21a）と排気弁（27）とを十分に
開放し、真空ポンプ（23）を運転し、シリンダ室（Ａ）
及び真空導入室（Ｂ）の空気を排気口（24）を介して排
気し、各室（Ａ）（Ｂ）を真空にする。次に、この真空
度は２〜３秒程度で0.5Torr以下になるので、排気弁（2
7）を上方向へ変位させて弁リング（28）で排気弁（2
7）と上部カバー（21）の弁座（21a）とを封止させ、シ
リンダ室（Ａ）内を真空保持する。ここで、第３図のよ
うにピストン（25）を上方に移動させ、排気弁（27）と
ピストン（25）とシリンダ（20）とで粉末樹脂（33）を
1000kg/cm3程度の圧力で圧縮する。粉末樹脂（33）にで
きていた粒子空間（34）はこの圧力によつて小となる
が、例えば外部の粒子空間とは連通している。ところ
が、圧縮を10秒以上継続すると、シリンダ（20），ピス
トン（25），排気弁（27）に接触している部分から粉末
樹脂（33）がこの圧力と温度によつて、第４図のように
周囲に融着層（35）が形成される。次に、上部カバー
（21）を取りはずしてピストン（25）を上昇させ、完成
したタブレツト（36）を取り出す。このように、タブレ
ツト（36）の外周には融着層（35）が形成されているた
め、内部の粒子空間（34）は真空状態で維持される。こ
のタブレツト（36）をIC封止用として用いた場合には、
IC封入時に粒子間空気がICに混入することが防止され、
ICの内部や表面にボイドが発生することが防止されるこ
とになる。
タ（31）に通電してタブレツト成形機（32）を粉末樹脂
（33）の融着温度よりも低い温度60℃に加温し、このタ
ブレツト成形機（32）のシリンダ（20）内に粉末樹脂
（33）を注入し、第２図のようにシリンダ（20）と上部
カバー（21）とをボルト（22）で結合して密閉する。次
に、ピストン（25）の位置調整した後、排気弁（27）を
下方に動かし、弁座（21a）と排気弁（27）とを十分に
開放し、真空ポンプ（23）を運転し、シリンダ室（Ａ）
及び真空導入室（Ｂ）の空気を排気口（24）を介して排
気し、各室（Ａ）（Ｂ）を真空にする。次に、この真空
度は２〜３秒程度で0.5Torr以下になるので、排気弁（2
7）を上方向へ変位させて弁リング（28）で排気弁（2
7）と上部カバー（21）の弁座（21a）とを封止させ、シ
リンダ室（Ａ）内を真空保持する。ここで、第３図のよ
うにピストン（25）を上方に移動させ、排気弁（27）と
ピストン（25）とシリンダ（20）とで粉末樹脂（33）を
1000kg/cm3程度の圧力で圧縮する。粉末樹脂（33）にで
きていた粒子空間（34）はこの圧力によつて小となる
が、例えば外部の粒子空間とは連通している。ところ
が、圧縮を10秒以上継続すると、シリンダ（20），ピス
トン（25），排気弁（27）に接触している部分から粉末
樹脂（33）がこの圧力と温度によつて、第４図のように
周囲に融着層（35）が形成される。次に、上部カバー
（21）を取りはずしてピストン（25）を上昇させ、完成
したタブレツト（36）を取り出す。このように、タブレ
ツト（36）の外周には融着層（35）が形成されているた
め、内部の粒子空間（34）は真空状態で維持される。こ
のタブレツト（36）をIC封止用として用いた場合には、
IC封入時に粒子間空気がICに混入することが防止され、
ICの内部や表面にボイドが発生することが防止されるこ
とになる。
なお、上記実施例では、室温の粉末樹脂（33）を加温さ
れたシリンダ（20）に注入するもので説明したが、特に
これに限定されるものではなく、例えば、投入する粉末
樹脂（33）の温度を自己融着温度まで加温し、その後シ
リンダ（20）内に投入して圧縮する工程でも同様の効果
が得られる。
れたシリンダ（20）に注入するもので説明したが、特に
これに限定されるものではなく、例えば、投入する粉末
樹脂（33）の温度を自己融着温度まで加温し、その後シ
リンダ（20）内に投入して圧縮する工程でも同様の効果
が得られる。
また、上記実施例では、融着層（35）をタブレツト（3
6）の外周部のみに形成するもので説明したが、自己融
着温度で粉末樹脂（33）を加圧すれば良く、例えば融着
層（35）が全周であつても、内部まで形成されても良
く、更には、部分的に形成された場合でも効果を奏する
ものである。
6）の外周部のみに形成するもので説明したが、自己融
着温度で粉末樹脂（33）を加圧すれば良く、例えば融着
層（35）が全周であつても、内部まで形成されても良
く、更には、部分的に形成された場合でも効果を奏する
ものである。
また、粒子の直径が0.1〜2mmの粉末樹脂で説明したが、
この粒子はこの寸法よりも大であつてもよく、また、そ
の形状は特に限定するものではない。
この粒子はこの寸法よりも大であつてもよく、また、そ
の形状は特に限定するものではない。
次に、この発明の他の実施例を第５図ないし第７図に従
つて説明する。まず、ヒータ（31）に通電してタブレツ
ト成形機（32）を50℃〜60℃に加温し、このタブレツト
成形機（32）のシリンダ（20）内に室温で固形状の樹脂
（50）を挿入し、シリンダ（20）と上部カバー（21）と
をボルト（22）で結合して密閉する。次に、排気弁（2
7）を弁座（21a）から離間した時、排気弁（29）が挿入
された樹脂（50）に接触しないようにピストン（25）の
位置調整した後、排気弁（27）を下方に動かし、弁座
（21a）と排気弁（27）とを十分に開放し、真空ポンプ
（23）を運転し、シリンダ室（Ａ）及び真空導入室
（Ｂ）の空気を排気口（24）を介して排気し、各室
（Ａ）（Ｂ）を真空にする。次に、排気弁（27）を上方
向へ変位させて弁リング（28）で排気弁（27）と上部カ
バー（21）の弁座（21a）とを封止させ、シリンダ室
（Ａ）内を真空保持する。ここで、第２図のようにピス
トン（25）を上方向に移動させ、排気弁（27）とピスト
ン（25）とシリンダ（20）とで樹脂（50）を真空下で圧
縮破壊して粉末化する。この場合、粒子間空気（51）も
同時に破壊し、この空気は、直ちに、真空状態下にある
シリンダ室（Ａ）に拡散脱泡する。なお、ここで、シリ
ンダ室（Ａ）の真空度が下がれば、再びピストン（25）
を下方へ変位させると共に排気弁（27）を開放してシリ
ンダ室（Ａ）を再度真空引きすることになる。
つて説明する。まず、ヒータ（31）に通電してタブレツ
ト成形機（32）を50℃〜60℃に加温し、このタブレツト
成形機（32）のシリンダ（20）内に室温で固形状の樹脂
（50）を挿入し、シリンダ（20）と上部カバー（21）と
をボルト（22）で結合して密閉する。次に、排気弁（2
7）を弁座（21a）から離間した時、排気弁（29）が挿入
された樹脂（50）に接触しないようにピストン（25）の
位置調整した後、排気弁（27）を下方に動かし、弁座
（21a）と排気弁（27）とを十分に開放し、真空ポンプ
（23）を運転し、シリンダ室（Ａ）及び真空導入室
（Ｂ）の空気を排気口（24）を介して排気し、各室
（Ａ）（Ｂ）を真空にする。次に、排気弁（27）を上方
向へ変位させて弁リング（28）で排気弁（27）と上部カ
バー（21）の弁座（21a）とを封止させ、シリンダ室
（Ａ）内を真空保持する。ここで、第２図のようにピス
トン（25）を上方向に移動させ、排気弁（27）とピスト
ン（25）とシリンダ（20）とで樹脂（50）を真空下で圧
縮破壊して粉末化する。この場合、粒子間空気（51）も
同時に破壊し、この空気は、直ちに、真空状態下にある
シリンダ室（Ａ）に拡散脱泡する。なお、ここで、シリ
ンダ室（Ａ）の真空度が下がれば、再びピストン（25）
を下方へ変位させると共に排気弁（27）を開放してシリ
ンダ室（Ａ）を再度真空引きすることになる。
ところで、粉末化した樹脂（50）を圧縮し続けると、タ
ブレツト成形機（32）の熱により、粉末は外周部分から
順に融着し、最終的には第７図のように内部まで一体化
され、その直径はシリンダ（20）の内径と同じ37mmのタ
ブレツト（36）が完成する。このようにして、タブレツ
ト（36）内の粒子間空気が除去されることになり、この
ように粒子間空気が除去されたタブレツト（36）をIC封
止用として用いた場合には、IC封入時に粒子間空気がIC
に混入することが防止され、ICの内部や表面にボイドが
発生することが防止されることになる。
ブレツト成形機（32）の熱により、粉末は外周部分から
順に融着し、最終的には第７図のように内部まで一体化
され、その直径はシリンダ（20）の内径と同じ37mmのタ
ブレツト（36）が完成する。このようにして、タブレツ
ト（36）内の粒子間空気が除去されることになり、この
ように粒子間空気が除去されたタブレツト（36）をIC封
止用として用いた場合には、IC封入時に粒子間空気がIC
に混入することが防止され、ICの内部や表面にボイドが
発生することが防止されることになる。
なお、上記実施例では、圧縮破壊した後、再度タブレツ
ト化するために粉末化したタブレツトの内部まで自己融
着するように記載したが、粒子間空気が存在しないタブ
レツトを製作する目的としては、外周部だけが融着され
て内部には粒子間空間があつても、真空状態になつてい
れば、結果的に粒子間空気が存在しないので、全体を融
着した場合と同様の効果が得られる。
ト化するために粉末化したタブレツトの内部まで自己融
着するように記載したが、粒子間空気が存在しないタブ
レツトを製作する目的としては、外周部だけが融着され
て内部には粒子間空間があつても、真空状態になつてい
れば、結果的に粒子間空気が存在しないので、全体を融
着した場合と同様の効果が得られる。
また、上記実施例では、タブレツト成形機に挿入するタ
ブレツトは、固形状態のものを真空破壊するようにした
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えば、
最初からタブレツトの温度を80℃以上に加熱溶融し、タ
ブレツト成形機内で真空脱泡してから再圧縮しても同様
な効果が得られることは言うまでもない。
ブレツトは、固形状態のものを真空破壊するようにした
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えば、
最初からタブレツトの温度を80℃以上に加熱溶融し、タ
ブレツト成形機内で真空脱泡してから再圧縮しても同様
な効果が得られることは言うまでもない。
次に、この発明の更に他の実施例を第８図ないし第９図
で説明する。同図において、（61）は固定側の金型で、
上側プラテン（62）に取り付けられており、そのパーテ
イング面（61a）には半導体チツプ封止用の上側パツケ
ージ（図示せず）を形成するキヤビテイ（63）が形成さ
れている。この金型（61）には、金型内の真空度を測定
する真空計（64）および金型内を真空吸引する吸気装置
（65）が接続されており、またその内部にはタブレツト
加圧用のプランジヤー（66）が進退するトランスフアポ
ツト（図示せず）が取り付けられている。（67）は可動
側の金型で、前記金型（61）の下方に進退自在に設けら
れ、かつ下側プラテン（68）に取り付けられており、そ
のパーテイング面（67a）には半導体チツプ封止用の下
側パツケージ（図示せず）を形成するキヤビテイ（69）
が形成されている。（70）はプランジヤー始動時を制御
するコントローラで、前記真空計（64），前記吸気装置
（65），前記プランジヤー（66）および前記下側のプラ
テン（68）に接続されている。このコントローラ（70）
によつて溶融レジンの前記キヤビテイ（63），（69）内
への注入時期および注入速度を制御することができる。
で説明する。同図において、（61）は固定側の金型で、
上側プラテン（62）に取り付けられており、そのパーテ
イング面（61a）には半導体チツプ封止用の上側パツケ
ージ（図示せず）を形成するキヤビテイ（63）が形成さ
れている。この金型（61）には、金型内の真空度を測定
する真空計（64）および金型内を真空吸引する吸気装置
（65）が接続されており、またその内部にはタブレツト
加圧用のプランジヤー（66）が進退するトランスフアポ
ツト（図示せず）が取り付けられている。（67）は可動
側の金型で、前記金型（61）の下方に進退自在に設けら
れ、かつ下側プラテン（68）に取り付けられており、そ
のパーテイング面（67a）には半導体チツプ封止用の下
側パツケージ（図示せず）を形成するキヤビテイ（69）
が形成されている。（70）はプランジヤー始動時を制御
するコントローラで、前記真空計（64），前記吸気装置
（65），前記プランジヤー（66）および前記下側のプラ
テン（68）に接続されている。このコントローラ（70）
によつて溶融レジンの前記キヤビテイ（63），（69）内
への注入時期および注入速度を制御することができる。
次に、このように構成された半導体装置の樹脂封止装置
による封止方法について説明する。
による封止方法について説明する。
先ず、第１図ないし第４図、又は第５図ないし第７図で
構成されたタブレツト（36）を、金型（61）内のトラン
スフアポツト（図示せず）の内部に投入する。次に、吸
気装置（65）によつて金型（61），（67）内を真空排気
した後、プランジヤー（66）を前進動作させることによ
りキヤビテイ（63），（69）内にタブレツト（36）を圧
送して樹脂封止する。この場合、プランジヤー（66）を
前進動作させるにあたつて真空計（64）によつて金型
（61），（67）内の真空度を測定し、この測定値によつ
てプランジヤー（66）の始動時が制御される。
構成されたタブレツト（36）を、金型（61）内のトラン
スフアポツト（図示せず）の内部に投入する。次に、吸
気装置（65）によつて金型（61），（67）内を真空排気
した後、プランジヤー（66）を前進動作させることによ
りキヤビテイ（63），（69）内にタブレツト（36）を圧
送して樹脂封止する。この場合、プランジヤー（66）を
前進動作させるにあたつて真空計（64）によつて金型
（61），（67）内の真空度を測定し、この測定値によつ
てプランジヤー（66）の始動時が制御される。
このようにして金型（61），（67）内の半導体チツプ
（図示せず）を樹脂封止することができる。
（図示せず）を樹脂封止することができる。
したがつて、金型（61），（67）内が所定の真空状態に
なると、第９図において一点鎖線（従来例：破線）で示
す曲線のＡ点でプランジヤー（66）を前進動作させ、キ
ヤビテイ（63），（69）内にタブレツト（36）を圧送す
ることができる。なお、同図において、実線は両金型
（61），（67）内の圧力変化、つまり真空度を示す特性
図である。
なると、第９図において一点鎖線（従来例：破線）で示
す曲線のＡ点でプランジヤー（66）を前進動作させ、キ
ヤビテイ（63），（69）内にタブレツト（36）を圧送す
ることができる。なお、同図において、実線は両金型
（61），（67）内の圧力変化、つまり真空度を示す特性
図である。
従来においては、真空度を確認していないので、予め真
空引きを破線Ｂ点のように過度に行つて、Ｂ点でプラン
ジヤー（66）を動作させていたが、Ａ点でプランジヤー
（66）を作動させるため、封止時間の短縮も図ることが
できる。
空引きを破線Ｂ点のように過度に行つて、Ｂ点でプラン
ジヤー（66）を動作させていたが、Ａ点でプランジヤー
（66）を作動させるため、封止時間の短縮も図ることが
できる。
以上のようにこの発明は、真空容器内に固形状又は粉状
又は粒状の樹脂を真空下で収容して粒子間空気を脱気す
ると共に、上記樹脂を自己融着温度で加熱且つ圧縮して
タブレツトが構成され、また、このタブレツトが投入さ
れる金型内を真空状態として上記タブレツトを用いて半
導体を封止するようにしたので、IC封入時にICの内部や
表面にボイドが発生することを防止でき、ICの信頼性向
上や外観不良の低減を確実に防止できる効果がある。
又は粒状の樹脂を真空下で収容して粒子間空気を脱気す
ると共に、上記樹脂を自己融着温度で加熱且つ圧縮して
タブレツトが構成され、また、このタブレツトが投入さ
れる金型内を真空状態として上記タブレツトを用いて半
導体を封止するようにしたので、IC封入時にICの内部や
表面にボイドが発生することを防止でき、ICの信頼性向
上や外観不良の低減を確実に防止できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はそ
の動作工程を示す断面図、第３図は第１図の他の動作工
程を示す断面図、第４図はこの発明のタブレツトを示す
断面図、第５図はこの発明の他の実施例を示す断面図、
第６図はその動作工程を示す断面図、第７図は第５図の
他の動作工程を示す断面図、第８図はこの発明の更に他
の実施例を示す断面図、第９図はその封止特性を示すグ
ラフ、第10図は従来装置の断面図、第11図はその動作工
程を示す断面図、第12図は従来のタブレツトを示す断面
図である。 図中、（20）はシリンダ、（21）は上部カバー、（23）
は真空ポンプ、（25）はピストン、（31）はヒータ、
（33）は粉末樹脂、（36），（50）はタブレツト、（6
1），（67）は金型、（63），（69）はキヤビテイ、（6
4）は真空計、（65）は吸気装置、（66）はプランジ
ヤ、（70）はコントローラである。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
の動作工程を示す断面図、第３図は第１図の他の動作工
程を示す断面図、第４図はこの発明のタブレツトを示す
断面図、第５図はこの発明の他の実施例を示す断面図、
第６図はその動作工程を示す断面図、第７図は第５図の
他の動作工程を示す断面図、第８図はこの発明の更に他
の実施例を示す断面図、第９図はその封止特性を示すグ
ラフ、第10図は従来装置の断面図、第11図はその動作工
程を示す断面図、第12図は従来のタブレツトを示す断面
図である。 図中、（20）はシリンダ、（21）は上部カバー、（23）
は真空ポンプ、（25）はピストン、（31）はヒータ、
（33）は粉末樹脂、（36），（50）はタブレツト、（6
1），（67）は金型、（63），（69）はキヤビテイ、（6
4）は真空計、（65）は吸気装置、（66）はプランジ
ヤ、（70）はコントローラである。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 豊 福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号 三菱電機株式会社福岡製作所内 (56)参考文献 特開 昭57−21828（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−132716（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−7009（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−139633（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】真空容器内に固形状又は粉状又は粒状の樹
脂を真空下で収容して粒子間空気を脱気すると共に、上
記樹脂を自己融着温度で加熱且つ圧縮して構成された半
導体樹脂封止用のタブレツト。 - 【請求項２】真空容器内に固形状又は粉状又は粒状の樹
脂を真空下で収容して粒子間空気を脱気すると共に、上
記樹脂を自己融着温度で加熱且つ圧縮してダブレツトを
構成し、このタブレツトが投入される金型内を真空状態
として上記タブレツトを用いて半導体を封止するように
した半導体樹脂封止方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62228832A JPH0713983B2 (ja) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | 半導体樹脂封止用のタブレット及びそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
| US07/107,336 US4826931A (en) | 1986-10-09 | 1987-10-09 | Tablet for resin-molding semiconductor devices |
| US07/271,905 US4963307A (en) | 1986-10-09 | 1988-11-16 | Method for producing a tablet for resin-molding semiconductor devices and resin-molding method making use of the tablet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62228832A JPH0713983B2 (ja) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | 半導体樹脂封止用のタブレット及びそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6471137A JPS6471137A (en) | 1989-03-16 |
| JPH0713983B2 true JPH0713983B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=16882556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62228832A Expired - Lifetime JPH0713983B2 (ja) | 1986-10-09 | 1987-09-10 | 半導体樹脂封止用のタブレット及びそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713983B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03178405A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-08-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用熱硬化性樹脂成形材料タブレットの製造方法 |
| JPH03236919A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱硬化性樹脂成形材料の予熱装置 |
| JP2010162710A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
| JP5336974B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2013-11-06 | 住友重機械工業株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
| EP3760408A4 (en) * | 2018-03-29 | 2021-04-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | METHOD FOR MANUFACTURING A MOLDED ARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC COMPONENT |
-
1987
- 1987-09-10 JP JP62228832A patent/JPH0713983B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6471137A (en) | 1989-03-16 |
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