JPS61115330A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はトランスファ成形の一種であるランナレス方
式（マルチプランジャ方式ともいう）によって樹脂封止
型の半導体装置を製造する方法に関する。

〔従来の技術］ 半導体を樹脂封止するための従来のトランスフ・ア成形
では、プランジャを備えたポットとこのポットから放射
状に延数する多数個のランナと各ランチにゲートを介し
て連通ずる多数個のキャビテイとを有する成形金型を用
いて、この金型の各キャビティ内に半導体素子組立構体
を１個つつ配置するとともに、上記ポット内に熱硬化性
の樹脂りブレットを投入し、これを金型熱で溶融しなが
らプランジャで加圧することにより、上記ランチおよび
ゲートを介して各キャビティ内に溶融圧入させる方式を
とっている。

しかるに、この成形方式では、ポットに投入された樹脂
がこのポットおよび各ゲートのほか長（てかつ断面積の
広いランナに残るため、成形後の樹脂ロスが非常に大き
くなるという欠点がある。

また、ポットから遠さかるキャビティに溶融圧入される
樹脂は長いランチを辿る間に硬化反応が進行するためそ
の結反が高（なり、これが原因でポット周辺のキャビテ
ィとポットから遠ざかるキャビティとの間で半導体を樹
脂封止するための成形の均一性に欠けるという問題があ
る。

これに対して、近年では、ランナレス方式のトランスフ
ァ成形として、プランジャを備えたポットを複数個設け
て、各ポットに投入された封止用樹脂をランナを介さな
いで直接ゲートを介して各キャビティに溶融圧入させる
方式の成形金型を用いて、半導体の樹脂封止を行う試み
がなされている（第１図参照）。この成形方式は、前記
従来の如きランナに起因した樹脂ロスが全くないため、
材料費の大幅な低減を図れ、またランチがないため各キ
ャビティ間での成形の均一性を保てるという利点がある
。

しかしながら、このようなランナレス方式の成形法にお
いては、一般に小型の金型を用いてかつ自動制御方式で
成形を行っており、このため１回の成形あたりの成形品
（樹脂封止型半導体装置）の取り数が前記従来のトラン
スファ成形に較べてｌ／４〜’／３０と少なく、量産性
に劣るという問題がある。この問題を克服するためには
、成形時の樹脂の硬化時間をできるだけ短くして成形サ
イクル時間を短縮する必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この発明は、上記の如く材料費や均一成形性の面で（１
″゛″有利なう′す″方式（７）Ｉ″５７７．７　　　
　　　（ア成形における上述の問題点を成形サイクル時
間の短縮によって解決し、これにより量産性の改善され
た樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。

Ｌ問題点を解決するための手段］ ランナレス方式のトランスファ成形において、ポット内
に投入された熱硬化性の樹脂タブレットは、金型熱で溶
融してキャビティに圧入され、ここで−挙に硬化反応が
進行して完全に硬化する。

ところか、上記タブレットの一部はゲートおよびポット
内にも残留しており、この残留樹脂がキャビティにおけ
ると同様の完全硬化に至らなければ離型することはてき
ない。

上記キャビティ、ゲートおよびポット内の樹脂の中で前
二者は金型壁からの良好な熱伝導によって短時間のうち
に硬化するが、後者のポット内残留樹脂は金型からの熱
を受けにくいため完全硬化に至るまでの時間が一般に長
くなる。したがって、成形サイクル時間の短縮は上記ポ
ット内残留樹脂をいかに速く硬化させるかにかかつてい
る。

ところで、この発明音らは、ポット内に投入された（１
ｒ１脂タブレツトか金型熱で溶１嘲しさらにプランジャ
によってキャビティに圧入されるまでの挙動を調べるた
めに、同一樹脂組成の材料で色の異なる３個の樹脂タブ
レットをつくり、これをランナレス方式のトランスファ
成形金型のポット内にポット高さ方向に三段にｆｊｌｆ
状に投入し、この状態で常法により加熱加圧する成形試
験を試みた。

その結果、キャビティに圧入されまたゲートに残る樹脂
のほとんどがポット高さ方向の上下部の樹脂タブレット
で構成され、一方ポット内残留樹脂のほとんどがポット
高さ方向の中央部分の樹脂タブレットで構成されている
ものであることが判った。このことは、ポット内に投入
された樹脂タブレットのうちポット高さ方向の上下部は
同方向中央部分に較べて金型壁からの熱を受けやすく、
より速く溶融してキャビティに圧入されるのに対し、上
記中央部分は溶融がおくれそのぶんキャビティに圧入さ
れにく（なってポット内にほとんど残留してしまうこと
を意味している。

そこで、上記の知見に基づき、ポット内に投入するべき
樹脂タブレットのうち成形時にポット内に残りやすいポ
ット高さ方向の中央部分のゲル化時間を同方向上下部の
ケル化時間よりも短くする構成としてみたところ、これ
によりポット内残留樹脂の硬化が著しく速められ、所期
の目的とする成形サイクル時間の短縮に非常に好結果が
得られることを知り、この発明を完成するに至った。

すなわち、この発明は、ポットとこのポットに一端が直
結しかつ他端が半導体素子組立構体を配置させてなるキ
ャビティと直結したゲートとを有する、つまりランナレ
ス方式のトランスファ成形金型の上記ポット内に、熱硬
化性樹脂組成物からなる柱状の樹脂タブレットを投入し
、このタブレットを上記ゲートを介して上記キャビティ
内に溶融圧入させて上記組立構体を樹脂封止する半導体
装置の製造方法において、上記ポット内に投入させる樹
脂タブレットの金型温度でのゲル化時間をポット高さ方
向の中央部分で同方向上下部よりも短くする構成とした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法に係るものであ
る。

〔発明の構成・作用〕

以下、この発明の製造方法を第１図〜第３図を参考にし
て説明する。

第１図は上型１０と下型１１とからなるランナレス方式
のトランスファ成形金型の断面構造を示したもので、紙
面垂直方向に所定間隔をおいて連設する複数個のポット
１とこの各ポット１に一端が直結しかつ他端がキャビテ
ィ２（２ａ、２ｂ）に直結したゲート３　（３ａ、３ｂ
）を有する構成とされ、各ポット１にはプランジャ４が
配設されている。

上記各構成要素の大きさは、樹脂対１１ユするべき半導
体の大きさによって異なるが、たとえばポット１は後述
する樹脂タブレットに対応する形状。

大きさに設計され、またゲート３はその断面積が通常０
．６〜１．Ｏｎ＋＋Ｊ、長さが一般に５〜１５朋となる
如く設計される。なお、この大きさは、後記第３図（Ａ
）、（８）に示す如き他の成形金型を用いる場合でもほ
ぼ同様である。

このような成形金型の上記キャビティ２ａ、２ｂ内に、
リードフレーム５ａ、５ｂに紙面垂直方向に所定間隔を
おいて複数個配設された半導体素子とこれを取り巻く外
部リードやボンディングワイヤなどからなる半導体素子
組立構体６ａ、６ｂ（たとえば１６　Ｐｉｎ　ＤＩＰ１
４２　Ｐｉｎ　ＤＩＰ、パワートランジスタなど）が配
置される一方、各ポット１内に熱硬化性樹脂組成物から
なる柱状の樹脂タブレット７が投入される。

この発明においては、上記投入にあたって、樹脂タブレ
ット７の金型温度でのゲル化時間をポット高さ方向の中
央部分７１で同方向上下部７０゜７２よりも短（する構
成とすることをもつとも大きな特徴点とするっこのゲル
化時間の差としては、少なくとも２秒以北、好ましくは
３〜１０秒程度であるっこのようなゲル化時間の調整は
、各部に用いる熱硬化性樹脂組成物の硬化剤や硬化促進
剤の爪あるいは種類を変えることなどによって容易に行
えるものである。

なお、上記ゲル化時間を変える構成とするためには、以
下のいずれかの態様をとればよい。ひとつは、ポット高
さ方向の上下部７０　、７２とこれよりゲル化時間の短
い中央部分７１とからなる樹脂タブレット７を１個の常
温圧縮成形体で構成させる態様（以下、これを態様Ａと
いう）である。つまり、この態様においては、圧縮成形
用の型内に各部分に対応する熱硬化性樹脂組成物からな
る粉末を順次充填加圧して、上下部と中央部分とでゲル
化時間の異なる１個の樹脂タブレットをつくるやり方で
ある。他のひとつは、各部に対応する熱硬化性樹脂組成
物からそれぞれ別個に成形体をつくり、この３個の成形
体をポット内に順次投入して樹脂タブレット７を構成さ
せる態様（以下、これをＢ態様という）である。

これら両前様において、各部を構成させるために用いる
熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂にその種類に応じ
た硬化剤やまた硬化促進剤を加え、さらに無機質充填剤
やシランカップリング剤、離型剤、着色剤などの添加剤
を加えて、加熱下もしくは非加熱下で混合してなるもの
である。

上記熱硬化性樹脂のもつとも代表的なものはエポキシ樹
脂であり、このエポキシ樹脂としては、エポキシ当量が
１７５〜３００のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
やハロゲン化フェノールノホラツク型エポキシｔＭＪ脂
なとか好ましく使用できる１、エポキシ樹脂の場合適宜
の硬化剤を必要とするが、この硬化剤の好ましい例とし
ては、クレゾール／ボランクイ６１脂、フェア〜ル／ボ
ラック樹脂の如きノボラック型フエ／−ル樹脂が挙げら
れる。

また、これら硬化剤とともに通常用いられる硬化促進剤
には、２−メチルイミダゾール、三フッ化ホウ素、トリ
フェニルホスフィンなどがある。

また、前記の無機質充填剤としては、石英ガラス粉末、
二酸化けい素粉末などか好ましく用いられるが、その他
従来公知のケイ酸カルシウム、アルミナ、酸化ジルコン
、酸化アンチモン、炭酸カルシウム、クレー、窒化アル
ミニウム、炭化ケイ素、ガラス繊維などの粉末の使用も
可能である。

この無機質充填剤の平均粒子径としては一般に５〜２０
／Ｅｎ程度であるのが望ましい。

エポキシ樹脂組成物を用いる場合の各成分の配合比率と
しては、硬化剤ではその活性基当量がエポキシ基１当量
あたり０．８〜１．５当量となる割合とするのがよい。

他の成分では、エポキシ樹Ｂｇ　１００重電部に対し、
硬化促進剛力剌、３〜３重量部、無機質充填剤が３００
〜６３０重量部、シランカップリング剤が１〜３重量部
、雛型剤が１〜３重量部、着色剤が１〜３重量部程度で
ある。

このような組成物を用いて前記態様Ａ、Ｂの如く上下部
分７０．７２に比し中央部分７１のゲル化時間が短い樹
脂タブレット７を構成させるが、この際中央部分７１の
重量比率としては、上下部分７０．７２との合計量中つ
まりタブレット７全体の２０〜５０重量％、好ましくは
２５〜４０重量％の範囲にするのがよい。この重量比率
が小さすぎてはこの発明の効果が得られず、逆に大きす
ぎると全体のゲル化時間が速くなりすぎて成形困難とな
ったり、溶融結反の増大によって半導体への損傷などを
きたすおそれがあり、いずれも好ましくない。

さらに、上記タブレット７を構成する各部分の具体的な
ゲル化時間としては、金型温度を考慮した１７５°Ｃの
温度下で、上下部分７０　、７２では８〜２５秒の範囲
、中央部分７１で５〜１５秒の範囲にあるのが望ましい
。上下部分７０　、７２と中央部分７１との間のゲル化
時間の差が前記範囲にあったとしても、各ゲル化時間が
上記範囲外となると、成形性や半導体の損傷などの問題
が生じたり、さらにはこの発明の目的とする成形サイク
ル時間の短縮にも支障をきたす結果となる。

なお、この明細書におけるゲル化時間は、熱板法により
、日新科学（掬製のゲル化試験ｆｉＴｙｐｅ−ＤＴ−Ｄ
によって測定される値を意味する。

このように構成される樹脂タブレット７の大きさとして
は、前記ポット１の大きさに応じた直径４５〜２５ｍｍ
１高さ５〜３０間程度とされる。形状は円柱状のほか角
柱状などの他の柱状体であってもよい。

なお、前記態様Ａにおいては、ポット高さ方向の上下部
および中央部分に対応する３種の熱硬化性樹脂組成物か
らそれぞれ通常平均粒子径が０１〜０．５　ｍｍ程度の
粉末を得、これら粉末を用いて前述した如き常温圧縮成
形方法にて樹脂タブレット７を構成させる。一方、前記
態様Ｂにおいては、上記各部に対応する組成物から３個
の成形体をつくるが、この成形に際し上記態様Ａの場合
と同様の常温圧縮成形法を採用してもよいし、場合によ
り押出機によって溶融押出したのち、所定の大きさに切
断する方法などを採用してもよい。

これら態様Ａ、Ｂにおいて常温圧縮成形する際の打錠密
度つまり成形密度としては、９０％以上、好ましくは９
５％以上であるのがよい。この打錠密度は、〔タブレッ
ト密度（９／ｃｙｈ／樹脂硬化物密度（ｙ／ｃｍ’）　
］　Ｘ　１００％で表わされ、上記タブレット密度はタ
ブレットの重１（勝／タブレットの容量（−）にて、ま
た上記樹脂硬化物密度は樹脂硬化物の重量（９）／樹脂
硬化物の容量（））にて、それぞれ求められるものであ
る。

上記の如き構成とされた樹脂タブレット７は、ポット１
内に投入されたのち、金型温度で加熱されかつプランジ
ャ４によって加圧される。このときの金型温度は、一般
に１５０〜２００°Ｃ１好ましくは１６０〜１９０°Ｃ
程度であり、プランジャ圧は通常５０〜１２０ｈ／ｃｉ
、好ましくは７０〜１００Ｋｇ／ｃ１１ｆ程度である。

上記加熱加圧によって、樹脂タブレット７は溶融しゲー
ト３ａ、３ｂを介してキャビティ２ａ、２ｂに圧入され
るが、この圧入樹脂のほとんどは上記タブレット７の上
下部分７０　、７２で占められており、またこの圧入後
にゲート３ａ、３ｂに残る樹脂についても上記同様であ
る。このように、圧入充填されたキャビティ２ａ、２ｂ
およびゲート３ａ、３ｂ内の上記樹脂は金型壁から効率
的に熱を受けるため、これのゲル化時間にほとんど左右
されることな（、速やかに硬化する。キャビティ２ａ、
２ｂ内で硬化した樹脂はここに配置される半導体素子組
立構体６ａ、６ｂを被覆した封止樹脂を構成する。

一方、樹脂タブレット７の中央部分７１はその多くがポ
ット１内に残留するが、これのゲル化時間を予め短くし
ていることにより、キャビティ２ａ。

２ｂやゲート３ａ、３ｂの充填樹脂に較べてその硬化時
間が長（なりすきるおそれはなく、比較的短時間のうち
に硬化が完了する。その結果、樹脂タブレット７をポッ
ト１に投入しプランジャ４によって加圧注入したのち硬
化成形を行うまでの成形サイクル時間か従来に比し短縮
され、これにより樹脂封止型半導体装置の量産性に非常
に好結果を得ることができる。

第２図は上記の如く硬化成形を行ったのち、金型から離
型した状態を示したもので、２０ａ、２０ｂはそれぞれ
リードフレーム５ａ、５ｂに所定間隔をおいて配設され
た半導体素子組立構体６ａ、６ｂを被覆する硬化した封
止樹脂を示している。また、３０ａ、３０ｂは各ゲート
３ａ、３ｂ内で硬化した樹脂、１００は各ポット１内で
硬化した残留樹脂である。

なお、上記第１図の成形金型においては、１個のポット
１に一端が直結するゲー１−３ａ、３ｂの各他端にそれ
ぞれキャビティ２ａ、２ｂを直結させる構成をとってい
るが、１個のポット１にゲート３を介して直結させるキ
ャビティ２の数は一般に１１〜６個、好ましくは２〜４
個の範囲で自由に選択できる。たとえば第３図（５）、
（Ｂ）はこの例を示している。

すなわち、第３図囚のように、１個のポット１に対して
ゲート３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆを介して４個のキャビテ
ィ２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆを直結させる構成をとっても
よ（、また第３図（Ｂｌのように、１個のポット１に一
端が直結するゲー）　３ｇ、３ｈをそれぞれ二股状とし
てその各両端部に２個のキャビティ２ｇ、２ｇ’および
２ｈ、２ｈ’を直結させるような構成をとってもよい。

〔発明の効果］ 以上のように、この発明においては、ランナレス方式の
トランスファ成形を行うにあたって、ポット内に投入さ
せる樹脂タブレットの金型温度でのゲル化時間をポット
高さ方向の中央部分で同方向上下部よりも短くする構成
としたことにより、成形サイクル時間の短縮を図れるた
め、樹脂封止型半導体装置の量産性の向上に大きく寄与
させることができる。

〔実施例〕

以下に、この発明の実施例を比較例とともに記述する。

なお、以下において部とあるは重量部を意味するものと
する。また、以下に記述される溶融粘度およびスパイラ
ルフロー値は下記の方法にて測定したものである。

く溶融粘度〉 熱硬化性樹脂組成物粉末２ｙを直径１０＋ｍ、高さ１５
闘の大きさに常温圧縮成形し、この成形試料を用いて島
津社製の高化式フローテスタ（ノズル直径１　ｔｍ　、
ノズル長さ１０朋、荷重１０Ｋｇ／ｃ＋＋ｆ）により測
定した。

くスパイラルフロー値〉 ＥＭＭＩ−１−６６のスパイラルフロー測定法により測
定した。

また、以下の実施例および比較例にて使用した熱硬化性
樹脂組成物からなる粉末Ａ、Ｂ、Ｃは下記の要領にて調
製したものである。

〈粉末Ａ〉 １５０°Ｃでの溶融粘度が１５ポイズのエポキシ当量１
９５のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂２０部、ノ
ボラック型フェノール樹脂１０　部、二酸化けい素粉床
９６部、２−メチルイミダゾール０．５　Ｌ　シランカ
ップリング剤０５部、カルナバワックス０．５部、カー
ボンブラック０．５部を混合し、９０’Ｃの熱ロールで
５分間加熱混練したのち、冷却後０．３　ａｍの平均粒
子径に粉砕した。この粉末Ａの１７５°Ｃ下でのゲル化
時間は１５秒、スパイラルフロー値は６５ｃｍ、溶融粘
度は４７０ポイズであった。

く粉末Ｂ〉 １５０°Ｃでの溶融粘度が２５ポイズのエポキシ当量１
９５のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂２０部、ノ
ボラック型フェノール樹脂１０部、二酸化けい素粉末９
６部、２−メチルイミダゾール０．７部、カルナバワッ
クス０．５部、カーボンブラック０．５部、シランカッ
プリング剤０．５部を混合し、以下前記粉末Ａと同様の
手法にて平均粒子径０．４　ｍｍの粉末を得た。この粉
末Ｂの１７５°Ｃ下でのゲル化時間は１０秒、スパイラ
ルフロー値は３８−１溶融粘度は８００ポイズであった
。

〈粉末Ｃ〉 前記粉末Ｂにおける２−メチルイミダゾールの使用機を
１．１部に変更した以外は、粉末Ｂと全く同様にして平
均粒子径０．３　ｒｉｍの粉末を得た。この粉末Ｃの１
７５°Ｃ下でのゲル化時間は６秒、スパイラルフロー値
は２１ｃＩｎ、溶融粘度は２，０００ポイズであった。

実施例１ 上部％が粉末Ａ１中央部分％が粉末Ｃおよび下部％が粉
末Ａからなる直径９．８　輯、高さ１４．２餌。

重さ１．７５ｆの円柱状の樹脂タブレット１個を常温圧
縮成形により作製した。この樹脂タブレットを使用し、
かつランナレス方式のトランスファ成彫金型として前記
第１図に示す構造のものを用いて、半導体封止のための
トランスファ成形を行った。

なお、上記成形金型およびこれに配置した半導体素子組
立構体の詳細は以下のとおりである。すなイつち、ポッ
ト数は１０個、したがってキャビテ　　　　　ｉイ数は
２０個であり、各ゲートの大きさは断面積０．７ｄ、長
さ７順であり、また各キャビティの容量は４０２　ｒｍ
３である。この成形金型に配置されるふたつのリードフ
レームには所定間隔をおいてそれぞれ１０個の半導体素
子組立構体が配設され、これら構体が各キャビティ内に
位置するように固定されてなる。なお、金型温度は１８
０℃、プランジャ圧力は９０Ｋｇ／ｃｄ１プランジャ速
度は１．８５朋／秒とした。上記金型温度によって、樹
脂タブレットは通常１７５〜１８０℃の温度に加熱され
るものである。また上記プランジャ速度による樹脂タブ
レットの溶融圧入時間（注入時間）は８秒である。

上記トランスファ成形により、半導体に異常が認められ
ない信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きた。この成形法における前記タブレットの溶融圧入後
硬化完了に至るまでの時間、つまり離型可能な時間は１
５秒であった。なお、硬化が完了したかどうかは、離型
したときにキャビティ、ゲートおよびボット部の硬化樹
脂の表面にふくれがあるかどうかで判断した。すなわち
、未硬化の場合離型時に樹脂表面にふくれが発生するた
め、このふくれが認められないときは完全硬化したもの
と判定できる。

比較例１ 粉末Ａだけを用いて直径９．８　ｒｍ　、高さ１４．２
ｍ。

重量１．７５ｙの円柱状の樹脂タブレット１個を常温圧
縮成形により作製した。このタブレットを用いて実施例
１と同様のランナレス方式のトランスファ成形を行った
ところ、離型可能な硬化時間は２２秒であった。

比較例２ 粉末Ｃだけを用いて直径９．８ｍｍ、高さ１４．２ｍｍ
。

重ｆｆ１１．７５ｙの円柱状の樹脂タブレット１個を常
温圧縮成形により作製した。このタブレットを用いて実
施例１と同様のランナレス方式のトランスファ成形を行
ったところ、離型可能な硬化時間は８秒となったが、こ
の場合キャビティ内の半導体素子組立構体にＸ線観察に
より金線のたわみが著しいなどの異常が認められ、樹脂
封止型半導体装置の信頼性に欠けるものであった。

実施例２ 上部号が粉末Ｂ１中央部分％が粉末Ｃおよび下部は≦が
粉末Ｂからなる直径９．８　ａｍ　、高さ１４．２ｍｍ
。

重さ１７５ｙの円柱状の樹脂タブレット１個を常１’Ｍ
圧縮成形により作製した。この樹脂タブレットを用いて
実施例１と同様のランナレス方式のトランスファ成形を
行ったところ、半導体に異常か全く認められない高信頼
性の樹脂封止型半導体装置を得ることができた。この場
合の離型可能な時間は８秒であった。

また、上記樹脂タブレットの上下部（粉末Ｂ）と中央部
分（粉末Ｃ）との比率を、１：１，４：１゜５＝１に変
更して、上記同様のランナレス方式のトランスファ成形
を行ってみたところ、離型可能な時間が８秒、１０秒、
１５秒となった。これより、中央部分に配する粉末Ｃが
少なすぎると雛型サイクル時間の短縮を図れず（後記比
較例３との対比）、また一定量を超えて多くしてもそれ
以上の短縮を図れないものであることが判る。また上記
粉末Ｃが多くな−りすきると（比率１：１）、Ｘ線観察
により金線の流れが僅かに認められた。

比較例３ 粉末Ｂだけを用いて直径９．８　ｍｍ　、高さ１４．２
＋＋＋＋＋＋。

重さ１．７５９の円柱状の樹脂タブレット１個を常温圧
縮成形により作製した。このタブレットを用いて実施例
１と同様のトランスファ成形を行ったところ、離型可能
な時間は１５秒であった。

実施例３ 粉末Ｂだけで直径９．８　ｒｒｕｔｔ　、高さ４．７　
ｌ１ｍ　、重さ０５８ｙの円柱状の常温圧縮成形体２個
をつくり、また粉末Ｃだけで直径９．８　ｒ＋Ｉｍ　、
高さ４．７　ｍｍ　、重さ０５８ｙの円柱状の常温圧縮
成形体１個をつくった。これらの成形体を粉末Ｂからな
るものが上下部に粉末Ｃからなるものが中央部分に位置
するように積層してポット内に投入するべき樹脂タブレ
ットとし、これを用いて実施例１と同様のランナレス方
式のトランスファ成形を行った。結果は、実施例２の場
合と全く同じで、離型可能な時間は８秒であった。

上記の実施例１と比較例１．２との対比、および実施例
２，３と比較例２，３との対比から、この発明の方法に
よれば、半導体に損傷が認められない信頼性の高い樹脂
封止型半導体装置を一穐産性良好に製造できるものであ
ることが判る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明方法の実施に用いられるランナレス方
式のトランスファ成形金型の一例を示す断面図、第２図
は上記金型を用いて半導体の樹脂封止を行ったのち成形
金型より離型した状態を示す平面図、第３図（Ａ）　、
　（Ｂ）は第１図の成形金型の変形例としてポットとゲ
ートとキャビティとの連結状態が異なる例を示す構成図
である。 ■　ポット、２　（２ａ、２１）、２ｃ、２ｄ、２ｅ、
２ｆ。 ２ｇ、２ｇ’、２ｈ、２ｈ’）　　キャビティ、３（３
ａ、３ｂ。 ３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈ）−ゲート、６ａ
、６ｂ半導体素子組立構体、７・樹脂タブレット、７０
．７２　　上下部、７１　中央部分、１０．ｌｌ・・・
成形金型、２０ａ、２０ｂ・封止樹脂特許出願人　　日
東電気工君株式会社 代　理　人　弁理士部′げ元邦夫 第　１　口 第２図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）ポットとこのポットに一端が直結しかつ他端が半
   導体素子組立構体を配置させてなるキャビティと直結し
   たゲートとを有する成形金型の上記ポット内に、熱硬化
   性樹脂組成物からなる柱状の樹脂タブレットを投入し、
   このタブレットを上記ゲートを介して上記キャビティ内
   に溶融圧入させて上記組立構体を樹脂封止する半導体装
   置の製造方法において、上記ポット内に投入させる樹脂
   タブレットの金型温度でのゲル化時間をポット高さ方向
   の中央部分で同方向上下部よりも短くする構成としたこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. （２）熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂組成物からな
   る特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造方
   法。
3. （３）ポット高さ方向の上下部と中央部分とからなる柱
   状の樹脂タブレットが１個の常温圧縮成形体から構成さ
   れてなる特許請求の範囲第（１）項または第（２）項記
   載の半導体装置の製造方法。
4. （４）ポット高さ方向の上下部と中央部分とからなる柱
   状の樹脂タブレットが上記各部分に対応する３個の成形
   体から構成されてなる特許請求の範囲第（１）項または
   第（２）項記載の半導体装置の製造方法。