JPH01119032A - 樹脂封止型半導体装置の製造法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造法Info
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- JPH01119032A JPH01119032A JP27663787A JP27663787A JPH01119032A JP H01119032 A JPH01119032 A JP H01119032A JP 27663787 A JP27663787 A JP 27663787A JP 27663787 A JP27663787 A JP 27663787A JP H01119032 A JPH01119032 A JP H01119032A
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Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造法に係り、特にトランスファ
ー成形による樹脂封止型半導体装置の製造法に関する。
ー成形による樹脂封止型半導体装置の製造法に関する。
（従来の技術）
集積回路あるいはチップ型電子部品等の樹脂封止は、エ
ポキシ樹脂などの合成樹脂のトランスファー成形によっ
て行われているが、この成形に供される成形材料は、通
常充填材等を多量に混合した樹脂粉末を円柱状に圧縮成
形したタブレットとして供給されている。
ポキシ樹脂などの合成樹脂のトランスファー成形によっ
て行われているが、この成形に供される成形材料は、通
常充填材等を多量に混合した樹脂粉末を円柱状に圧縮成
形したタブレットとして供給されている。
このタブレットは樹脂材料に硬化剤、充填材、着色剤、
離型剤その他の添加物をロール等の混練機で混練し、冷
却・粉砕して得た粉末の所定量を超硬合金等で作られた
円筒状の成形金型に充填し、上下からパンチで加圧・圧
縮することにより成形される。
離型剤その他の添加物をロール等の混練機で混練し、冷
却・粉砕して得た粉末の所定量を超硬合金等で作られた
円筒状の成形金型に充填し、上下からパンチで加圧・圧
縮することにより成形される。
ところで、このようにして作られたタブレットはその上
下部分と中央部分とでは密度が異なり、特に中央部分は
上下部分に比べて密度が低くなる傾向がある。
下部分と中央部分とでは密度が異なり、特に中央部分は
上下部分に比べて密度が低くなる傾向がある。
密度が不均一なタブレフトを用いて成形を行うと、成形
に先立って行われる高周波予熱処理においてタブレット
中に温度ムラが生じ、成形時の樹脂流れが不安定となり
成形品の歩留まりが悪くなるといった問題があった。
に先立って行われる高周波予熱処理においてタブレット
中に温度ムラが生じ、成形時の樹脂流れが不安定となり
成形品の歩留まりが悪くなるといった問題があった。
本発明はかかる状況に漏みなされたもので、封止特性に
すぐれ歩留まりの良い半導体装置の製造法を提供するこ
とを目的とする。
すぐれ歩留まりの良い半導体装置の製造法を提供するこ
とを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
かかる目的は本発明によれば、少なくとも成形材料が接
する部分を炭化珪素焼結体で構成した成形金型により成
形したタブレットを用いることにより達成される。
する部分を炭化珪素焼結体で構成した成形金型により成
形したタブレットを用いることにより達成される。
本発明においては、成形金型およびパンチ全体を炭化珪
素焼結体としたものでもよく、成形金型の内面だけを炭
化珪素でライニングしたものであってもよい。
素焼結体としたものでもよく、成形金型の内面だけを炭
化珪素でライニングしたものであってもよい。
タブレットの成形装置としては単発のタブレフト機でも
よいが、多数の金型が回転盤に取りつけられるロータリ
ー式タブレット機が生産性にすぐれており好適に用いら
れる。
よいが、多数の金型が回転盤に取りつけられるロータリ
ー式タブレット機が生産性にすぐれており好適に用いら
れる。
タブレットの成形圧力は用いる樹脂成形材料の組成、粒
度等によって異なるが、ｉｔ／ｄ以上とすることによっ
て高い密度を有するタブレットが得られる。
度等によって異なるが、ｉｔ／ｄ以上とすることによっ
て高い密度を有するタブレットが得られる。
炭化珪素は他の材料に比べて熱伝導性、表面滑性、耐摩
耗性にすぐれており、金型の冷却は通常必要としない。
耗性にすぐれており、金型の冷却は通常必要としない。
本発明に用いられる合成樹脂成形材料としては特に制限
はないが、半導体封止用としてはノボラック型エポキシ
樹脂にフェノールノボラック樹脂や酸無水物等の硬化剤
およびシリカ系充填材等の各種添加剤を配合した混合物
が好適に用いられる。
はないが、半導体封止用としてはノボラック型エポキシ
樹脂にフェノールノボラック樹脂や酸無水物等の硬化剤
およびシリカ系充填材等の各種添加剤を配合した混合物
が好適に用いられる。
（実施例）
ｌプとヱ上ｑ作底
下記の組成からなる配合物Ａ、Ｂをロールミルにより混
練し粉砕した樹脂成形材料を、超硬合金製成形金型およ
び炭化珪素製成形金型を用い常温で１．５ｔ／−の加圧
下で成形し重１３００ ｇ、直径５５ｍｍ、高さ８０ｍ
ｍの円柱状タブレフトを得た。
練し粉砕した樹脂成形材料を、超硬合金製成形金型およ
び炭化珪素製成形金型を用い常温で１．５ｔ／−の加圧
下で成形し重１３００ ｇ、直径５５ｍｍ、高さ８０ｍ
ｍの円柱状タブレフトを得た。
配合組成（重量部） Ａ 基ノボラック型エ
ポキシ樹脂 １００ １００フエノールノボラフク樹脂
５０ −テトラヒドロ無水フタル酸 −５０ ２−フェニルイミダゾール １．５ １．５カルナ
バワツクス ２．０ ２．０シリカ粉末
３６０ ３６０カーボンブラツク
１．０ １．０エポキシシラン
２．０ ２．０タブレット温度の測 次にそれぞれのタブレットの上下１５ｍｍおよび中央の
側面に深さ３０ｍの丸穴を設け、出力ＩＫＷＯ高周波加
熱装置により２５秒間加熱した後各穴底の温度を測定し
た。温度測定は各１０個につき行いその平均値を表１に
示す。
ポキシ樹脂 １００ １００フエノールノボラフク樹脂
５０ −テトラヒドロ無水フタル酸 −５０ ２−フェニルイミダゾール １．５ １．５カルナ
バワツクス ２．０ ２．０シリカ粉末
３６０ ３６０カーボンブラツク
１．０ １．０エポキシシラン
２．０ ２．０タブレット温度の測 次にそれぞれのタブレットの上下１５ｍｍおよび中央の
側面に深さ３０ｍの丸穴を設け、出力ＩＫＷＯ高周波加
熱装置により２５秒間加熱した後各穴底の温度を測定し
た。温度測定は各１０個につき行いその平均値を表１に
示す。
表１
上記のようにして得られたタブレットにより、１６ピン
型リードフレームを８４個取り金型に装填し、タブレフ
ト予熱時間２５秒、金型温度１７５℃、注入圧カフ０ｋ
ｇ／ａ＋！、注入時間２０秒、型内硬化時間９０秒の条
件でｌＯシジフト分（合計８４０個）のトランスファー
成形を行い、次いで１７５℃、６時間後キユアし外観検
査した。その結果を表２に示す。
型リードフレームを８４個取り金型に装填し、タブレフ
ト予熱時間２５秒、金型温度１７５℃、注入圧カフ０ｋ
ｇ／ａ＋！、注入時間２０秒、型内硬化時間９０秒の条
件でｌＯシジフト分（合計８４０個）のトランスファー
成形を行い、次いで１７５℃、６時間後キユアし外観検
査した。その結果を表２に示す。
表２
表１、表２に示す結果からも明らかなように、炭化珪素
からなる成形金型によりえられたタブレットを用いた場
合には、外観ボイドの発生のない良好な半導体装置が得
られるのが分かる。
からなる成形金型によりえられたタブレットを用いた場
合には、外観ボイドの発生のない良好な半導体装置が得
られるのが分かる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば歩留まりが良く品
質の安定した樹脂封止型半導体装置を製造することが可
能になった。
質の安定した樹脂封止型半導体装置を製造することが可
能になった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子をトランスファー成形によ り樹脂封止することからなる半導体装置の製造方法にお
いて、少なくとも成形材料が接する部分を炭化珪素焼結
体で構成した成形金型により成形してなる樹脂タブレッ
トを用いることを特徴とする半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27663787A JPH01119032A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27663787A JPH01119032A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01119032A true JPH01119032A (ja) | 1989-05-11 |
Family
ID=17572221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27663787A Pending JPH01119032A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01119032A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112977A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | タブレット成形金型、ならびにタブレット、光半導体素子搭載用基板の製造方法および光半導体装置。 |
| JP2010086993A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂シートおよびそれを用いた回路装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5375264A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-04 | Hitachi Ltd | Tpblet compressing machine |
| JPS6140353A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用樹脂タブレツトの製造方法および製造装置 |
| JPS6230013A (ja) * | 1985-03-27 | 1987-02-09 | Toshiba Corp | マルチプランジヤ型レジンモ−ルド装置のポツト |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27663787A patent/JPH01119032A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5375264A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-04 | Hitachi Ltd | Tpblet compressing machine |
| JPS6140353A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用樹脂タブレツトの製造方法および製造装置 |
| JPS6230013A (ja) * | 1985-03-27 | 1987-02-09 | Toshiba Corp | マルチプランジヤ型レジンモ−ルド装置のポツト |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112977A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | タブレット成形金型、ならびにタブレット、光半導体素子搭載用基板の製造方法および光半導体装置。 |
| JP2010086993A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂シートおよびそれを用いた回路装置の製造方法 |
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