JPS6074446A - 半導体プラスチツクパツケ−ジの製造方法 - Google Patents
半導体プラスチツクパツケ−ジの製造方法Info
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、リードフレームに結線した半導体チップを樹
脂で封止する半導体プラスデックパッケージの製造方法
に関するものである。
脂で封止する半導体プラスデックパッケージの製造方法
に関するものである。
従来、半導体の樹脂封止などのインサートを含む部品を
成形するための成形金型は鏡面仕上するのを通例として
いた。従って樹脂封止された半導体プラスチックパッケ
ージの全表面は鏡面状に形成された。そのため、半導体
プラスチックパッケージの表面に生じる微小なひけや。
成形するための成形金型は鏡面仕上するのを通例として
いた。従って樹脂封止された半導体プラスチックパッケ
ージの全表面は鏡面状に形成された。そのため、半導体
プラスチックパッケージの表面に生じる微小なひけや。
ピンホールが目立ち易いという問題が生じた。
才だ上記半導体プラスチックパンケージを成形金型から
離型する際、パッケージスクラノク及びペレットクラッ
ク等の欠陥やインサートと樹脂との接着に不具合が生じ
ないように、離型力を小さくする必要性があった。
離型する際、パッケージスクラノク及びペレットクラッ
ク等の欠陥やインサートと樹脂との接着に不具合が生じ
ないように、離型力を小さくする必要性があった。
これらの点に関して第１図ないし第５図を参照してさら
に説明する。
に説明する。
第１図はトランスファモールド成形型の一例を示す断面
図であり、第２図はこれによって作られた樹脂封止半導
体の断面図である。予め予備成形された樹脂が高周波加
熱機（図示しない）によって予備加熱されてボンド４に
投入され、上型１α、下型２σより熱を受けて溶融する
。溶融した樹脂５はプランジャ５によって移送され。
図であり、第２図はこれによって作られた樹脂封止半導
体の断面図である。予め予備成形された樹脂が高周波加
熱機（図示しない）によって予備加熱されてボンド４に
投入され、上型１α、下型２σより熱を受けて溶融する
。溶融した樹脂５はプランジャ５によって移送され。
ランナ６、ゲート７を経て鏡面に仕上げられたキャビテ
ィ８ａを充填する。樹脂が硬化するまで型は閉じた状態
に保持され、硬化後に下型２σが下方に移動し、キャビ
ティ８σに対応する形状を持つ成形品が上型１ａおよび
下型２ａから離型ぜしめられる。
ィ８ａを充填する。樹脂が硬化するまで型は閉じた状態
に保持され、硬化後に下型２σが下方に移動し、キャビ
ティ８σに対応する形状を持つ成形品が上型１ａおよび
下型２ａから離型ぜしめられる。
樹脂封止半導体の場合にはそのインサートとして半導体
ペレット１０がリードフレーム９にマウントされ、金線
１１で相互結線されたものが上型１αと下型２σとによ
って作られるキャビティＢａ内に配置されて樹脂５によ
って封止される。従って樹脂の硬化する過程で鏡面に仕
上げられたキャビティ８αの上型１α又は下型２αへの
樹脂の接着力が強いため、硬化時の樹脂収縮に゛よって
内部応力が発生し、インサートである半導体ペレット１
０またはリードフレーム９と樹脂５との間の接着が剥離
するおそれが生じた。更に樹脂５と型との間の接着力が
過大であるため、樹脂５の硬化が完了して下型２を移動
させるとき、即ち離型時において、内部応力が作用し、
樹脂５や半導体ペレット１０にクランクが発生するおそ
れが生じた。このような欠点はしばしば経験されており
、金型面と樹脂との間の接着力が大きいとインサート部
を樹脂で封止保護するという本来の目的に反する信頼性
の悪い製品ができることになる。
ペレット１０がリードフレーム９にマウントされ、金線
１１で相互結線されたものが上型１αと下型２σとによ
って作られるキャビティＢａ内に配置されて樹脂５によ
って封止される。従って樹脂の硬化する過程で鏡面に仕
上げられたキャビティ８αの上型１α又は下型２αへの
樹脂の接着力が強いため、硬化時の樹脂収縮に゛よって
内部応力が発生し、インサートである半導体ペレット１
０またはリードフレーム９と樹脂５との間の接着が剥離
するおそれが生じた。更に樹脂５と型との間の接着力が
過大であるため、樹脂５の硬化が完了して下型２を移動
させるとき、即ち離型時において、内部応力が作用し、
樹脂５や半導体ペレット１０にクランクが発生するおそ
れが生じた。このような欠点はしばしば経験されており
、金型面と樹脂との間の接着力が大きいとインサート部
を樹脂で封止保護するという本来の目的に反する信頼性
の悪い製品ができることになる。
本発明の目的は、従来の問題点を解決し、パッケージク
ラック、及びベレントクラック等の欠陥を大幅に低減し
て歩留りを向上させると共にインサートと樹脂との接着
性を改善して耐湿信頼性を向上させる半導体プラスチッ
クパッケージの製造方法を提供するにある。
ラック、及びベレントクラック等の欠陥を大幅に低減し
て歩留りを向上させると共にインサートと樹脂との接着
性を改善して耐湿信頼性を向上させる半導体プラスチッ
クパッケージの製造方法を提供するにある。
即ち、本発明は上記目的を達成するために。
なめらかな凹凸形状でもって梨地面仕上げされたキャビ
ティ内にリードフレームに結線された半導体ペレットを
設置し、このキャビティ内にトランスファモールド法に
よって樹脂を充填硬化して半導体チップをリードフレ・
−ムと共に封止することを特徴とする半導体プラスチ・
ンクパノケージの製造方法である。特に本発明は１．Ｉ
：配架地面が而粗さ１ＩｒｒＬａｊｃにおいて、５〜１
５μ の範囲内にして、離型力を小さくし、半導体プラ
スチックパッケージに作用１−る応力を小さくしたこと
Ｋある。
ティ内にリードフレームに結線された半導体ペレットを
設置し、このキャビティ内にトランスファモールド法に
よって樹脂を充填硬化して半導体チップをリードフレ・
−ムと共に封止することを特徴とする半導体プラスチ・
ンクパノケージの製造方法である。特に本発明は１．Ｉ
：配架地面が而粗さ１ＩｒｒＬａｊｃにおいて、５〜１
５μ の範囲内にして、離型力を小さくし、半導体プラ
スチックパッケージに作用１−る応力を小さくしたこと
Ｋある。
更に上記梨地面がノ１ｍσ／ピッチがン１０〜１Ａ０口
の範囲、アホソト負荷曲線において基準長さ０〜１００
チの範囲で傾斜が１０μ／２圓咽の範囲にして、半導体
プラスチックパッケージに作用する応力を極力小キくシ
たことにある。
の範囲、アホソト負荷曲線において基準長さ０〜１００
チの範囲で傾斜が１０μ／２圓咽の範囲にして、半導体
プラスチックパッケージに作用する応力を極力小キくシ
たことにある。
本発明の実施例について添付図面を参照して説明する。
第５図は本発明の半導体を樹脂封止するトランスファモ
「ルド型を示す断面図である。第４図は第５図のトラン
スファモールド型で樹脂封止された半導体プラスチック
パッケージの断面を示す図である。即ち本発明において
は、半導体プラスチックパッケージを樹脂封止すると型
１ｈと下型２にとで形成されるキャビティ８ｂの全面に
ついて、放電加工によってなめらかな凹凸形状の梨地面
（表面粗さ１５μ）に硬質クロームメッキを施したもの
、または放電加工によってなめらかな凹凸形状の梨地面
（表面粗さ１０μ）に弗化炭素ポリマ複合化処理を施し
たもので形成されている。また上型１ｂ及び下型２ｂは
各々、５ＫＩ）−１１等の材質で製作されている。
「ルド型を示す断面図である。第４図は第５図のトラン
スファモールド型で樹脂封止された半導体プラスチック
パッケージの断面を示す図である。即ち本発明において
は、半導体プラスチックパッケージを樹脂封止すると型
１ｈと下型２にとで形成されるキャビティ８ｂの全面に
ついて、放電加工によってなめらかな凹凸形状の梨地面
（表面粗さ１５μ）に硬質クロームメッキを施したもの
、または放電加工によってなめらかな凹凸形状の梨地面
（表面粗さ１０μ）に弗化炭素ポリマ複合化処理を施し
たもので形成されている。また上型１ｂ及び下型２ｂは
各々、５ＫＩ）−１１等の材質で製作されている。
従って第１図及び第２図に示すのと同様に予め予備成形
された樹脂が高周波加熱機（図示せず）によって予備加
熱されてボット４に投入され、上型１ａ、下型２αより
熱を受けて溶融する。
された樹脂が高周波加熱機（図示せず）によって予備加
熱されてボット４に投入され、上型１ａ、下型２αより
熱を受けて溶融する。
溶融した樹脂５はプランジャ５によって移送され、ラン
ナ６、ゲート７を経て梨地面で形成されたキャピティ８
ｈを充填する。即ち金線１１ニよって相互に結線された
半導体ペレット１０とＩＪ−ドフレーム９が設置された
キャビティ８１！Ｉはｈ記の如くトランスファモールド
法によって樹脂が充填硬化されて封止される。樹脂が硬
化するまで、型は閉じた状態に保持され、硬化後に下型
２ｈが下方に移動し、キャビティ８ｂに対応する形状を
持つ全表面がなめらかな凹凸形状を有する梨地面で形成
された半導体プラスチＩクハンゲージが上型１ｈおよび
下型２ｂがら離型せしめられる。即ち半導体ペレット１
０がリードフレーム９にマウントされて金線１１によっ
て相互結線されたものが、上型１ｂと下型２ｈとによっ
て作られて全表面がなめらかな凹凸形状を有する梨地面
で形成されたキャビティ８ｈＫトランスフアモールド法
によって充填される樹脂５によって封止され、第４図に
示すような半導体プラスチックパッケージが形成される
。このように半導体プラスチックパッケージは、全表面
に亘ってなめらかな凹凸形状の梨地面で形成されている
ため、樹脂５と上型１ｂ及び下型２ｈとの接着力が小さ
くなり、樹脂５が硬化する過程、及び樹脂５の硬化が完
了して下型２を移動させるとき、内部応力の発生が防止
され、インサートである半導体ペレット１０またはリー
ドフレーム９と樹脂５との間の接着が剥離されるのが防
止されて耐湿信頼性を著しく向上でき、更にパッケージ
クラックや半導体ペレットクランク等の欠陥を大幅に低
減して半導体プラスチックパッケージの歩留りを大幅に
向上させることができる。また半導体プラスチックパッ
ケージは、全表面に亘って梨地面で形成されているため
、樹脂が充填・硬化する過程で生じる微小なひけやピン
ホールを目立たなくなり、外観向上をはかることもでき
る。
ナ６、ゲート７を経て梨地面で形成されたキャピティ８
ｈを充填する。即ち金線１１ニよって相互に結線された
半導体ペレット１０とＩＪ−ドフレーム９が設置された
キャビティ８１！Ｉはｈ記の如くトランスファモールド
法によって樹脂が充填硬化されて封止される。樹脂が硬
化するまで、型は閉じた状態に保持され、硬化後に下型
２ｈが下方に移動し、キャビティ８ｂに対応する形状を
持つ全表面がなめらかな凹凸形状を有する梨地面で形成
された半導体プラスチＩクハンゲージが上型１ｈおよび
下型２ｂがら離型せしめられる。即ち半導体ペレット１
０がリードフレーム９にマウントされて金線１１によっ
て相互結線されたものが、上型１ｂと下型２ｈとによっ
て作られて全表面がなめらかな凹凸形状を有する梨地面
で形成されたキャビティ８ｈＫトランスフアモールド法
によって充填される樹脂５によって封止され、第４図に
示すような半導体プラスチックパッケージが形成される
。このように半導体プラスチックパッケージは、全表面
に亘ってなめらかな凹凸形状の梨地面で形成されている
ため、樹脂５と上型１ｂ及び下型２ｈとの接着力が小さ
くなり、樹脂５が硬化する過程、及び樹脂５の硬化が完
了して下型２を移動させるとき、内部応力の発生が防止
され、インサートである半導体ペレット１０またはリー
ドフレーム９と樹脂５との間の接着が剥離されるのが防
止されて耐湿信頼性を著しく向上でき、更にパッケージ
クラックや半導体ペレットクランク等の欠陥を大幅に低
減して半導体プラスチックパッケージの歩留りを大幅に
向上させることができる。また半導体プラスチックパッ
ケージは、全表面に亘って梨地面で形成されているため
、樹脂が充填・硬化する過程で生じる微小なひけやピン
ホールを目立たなくなり、外観向上をはかることもでき
る。
第６図は５ＫＤ−１１製の試料に放電加工により梨地面
を形成してその表面粗さを触針法により実測した一例を
示し、第７図はそのアボット負荷曲線を示す。第８図は
第６図の試料に膜厚５μの硬質クロームメッキを施した
もののアボット負荷曲線を示し、第９図は表面粗さ８ｍ
１アが比較的小さい梨地面忙硬質クロームメッキ処理を
行ったもののアポｙ）負荷曲線を示す。第７図ないし第
９図のアボット負荷曲線はいずれも山部の傾斜が広い範
囲においてゆるやかであり、表面形状としてはあまりエ
ツジの鋭い凹凸を含まフ、「い粗面であることが判る。
を形成してその表面粗さを触針法により実測した一例を
示し、第７図はそのアボット負荷曲線を示す。第８図は
第６図の試料に膜厚５μの硬質クロームメッキを施した
もののアボット負荷曲線を示し、第９図は表面粗さ８ｍ
１アが比較的小さい梨地面忙硬質クロームメッキ処理を
行ったもののアポｙ）負荷曲線を示す。第７図ないし第
９図のアボット負荷曲線はいずれも山部の傾斜が広い範
囲においてゆるやかであり、表面形状としてはあまりエ
ツジの鋭い凹凸を含まフ、「い粗面であることが判る。
すなわち第５図に概略的に示１〜たような梨地面形状を
有し、アンカー効果を持つような凹所なとがないもので
ある。なお、硬質クロームメッキ処理を施すことにより
、傾斜がゆるやかとなり、凹凸形状がさらになめらかと
なっていることが判る。
有し、アンカー効果を持つような凹所なとがないもので
ある。なお、硬質クロームメッキ処理を施すことにより
、傾斜がゆるやかとなり、凹凸形状がさらになめらかと
なっていることが判る。
第１０図は半導体の樹脂封止作業を繰り返したときの表
面のぬれ性の変化を鏡面にクロームメッキを施したもの
（／ｆ） 、 Ｒｍａｘ ＝ ５μおよび１５μの梨地
に硬質クロームメッキしたもの（それぞれＢおよびＣ゛
）、及びＩｌｍ、ａｘ二１０μの梨地に弗化炭素ポリマ
複合化処理をしたもの（Ｄ） Ｋついて対比して示して
いる。ぬれ性は型表面に滴下した水滴の接触角として示
している。第１０図によれば（ア）樹脂成形をくりかえ
すことによって型表面は樹脂からにじみ出るエステル、
ワックス等によって被われ、これが内部離型剤として作
用して次第に接触角が大となり、ぬれにくくなること、
（イ）同一表面処理では表面粗さの粗い梨地面のほうが
ぬれにくいこと、（つ）硬質クロームメッキ処理よりも
弗化炭素ポリマ複合化処理のほうがぬれにくいことが判
る。
面のぬれ性の変化を鏡面にクロームメッキを施したもの
（／ｆ） 、 Ｒｍａｘ ＝ ５μおよび１５μの梨地
に硬質クロームメッキしたもの（それぞれＢおよびＣ゛
）、及びＩｌｍ、ａｘ二１０μの梨地に弗化炭素ポリマ
複合化処理をしたもの（Ｄ） Ｋついて対比して示して
いる。ぬれ性は型表面に滴下した水滴の接触角として示
している。第１０図によれば（ア）樹脂成形をくりかえ
すことによって型表面は樹脂からにじみ出るエステル、
ワックス等によって被われ、これが内部離型剤として作
用して次第に接触角が大となり、ぬれにくくなること、
（イ）同一表面処理では表面粗さの粗い梨地面のほうが
ぬれにくいこと、（つ）硬質クロームメッキ処理よりも
弗化炭素ポリマ複合化処理のほうがぬれにくいことが判
る。
第１１図は半導体を連続的に樹脂封止作業を行った場合
の離型力の変化を、従来方式による鏡面に硬質クローム
メッキをしたもの（Ｅ）１本発明に係る表面粗さ１５μ
の梨地に硬質クロームメッキを施したもの（０１表面粗
さ１０μの梨地に弗化炭素ポリマ複合化処理を施したも
の（Ｇ） Ｋついて示している。尚表面粗さ１０μの研
削面に硬質クロームメッキを施したもの（Ｉｌ）につい
ても示している。第１１図および第１０図からぬれ性と
離型力との間に対応的関係があることが判る。
の離型力の変化を、従来方式による鏡面に硬質クローム
メッキをしたもの（Ｅ）１本発明に係る表面粗さ１５μ
の梨地に硬質クロームメッキを施したもの（０１表面粗
さ１０μの梨地に弗化炭素ポリマ複合化処理を施したも
の（Ｇ） Ｋついて示している。尚表面粗さ１０μの研
削面に硬質クロームメッキを施したもの（Ｉｌ）につい
ても示している。第１１図および第１０図からぬれ性と
離型力との間に対応的関係があることが判る。
すなわち（ア）最もぬれにくい弗化炭素ポリマ複合化処
理は樹脂成形作業の初期から後期にいたるまで離型力が
ＯＫ９／ｃｔｆｌと測定され、（イ）硬質クローノ・メ
ッキ処理の場合は成形作業の初期では梨地面のほうが鏡
面よりも離型力が犬であるが、表面が離型剤で次第に覆
われると共に鏡面よりも離型力が小となり、（つ）研削
面に硬質クロームメッキを施したものは、ぬれ性では放
電加工梨地面の場合とあまり差はないが成形作業の初期
では離型力が１０にｑ ／ｃｌ以七と測定きれ、明らか
にアンカー効果が存在することが判る。
理は樹脂成形作業の初期から後期にいたるまで離型力が
ＯＫ９／ｃｔｆｌと測定され、（イ）硬質クローノ・メ
ッキ処理の場合は成形作業の初期では梨地面のほうが鏡
面よりも離型力が犬であるが、表面が離型剤で次第に覆
われると共に鏡面よりも離型力が小となり、（つ）研削
面に硬質クロームメッキを施したものは、ぬれ性では放
電加工梨地面の場合とあまり差はないが成形作業の初期
では離型力が１０にｑ ／ｃｌ以七と測定きれ、明らか
にアンカー効果が存在することが判る。
この第１１図において（／”）は（Ｅ）に対してその差
が僅かであるけれども、この僅かな差により、半導体プ
ラスチックパッケージとしての製品の品質（樹脂ハノケ
ージクラックや半導体ペレットクラック等の欠陥の発生
率の低減、並ひＫ ＩＪ−ドフレームと樹脂との接着性
にもとづく耐湿信頼性の向ト）が著しく改善できること
は明らかである。またザイクルタイムを短縮するために
硬化時間を短縮すると離型力の影響が大きくなって上記
作用効果は増々顕著となる。
が僅かであるけれども、この僅かな差により、半導体プ
ラスチックパッケージとしての製品の品質（樹脂ハノケ
ージクラックや半導体ペレットクラック等の欠陥の発生
率の低減、並ひＫ ＩＪ−ドフレームと樹脂との接着性
にもとづく耐湿信頼性の向ト）が著しく改善できること
は明らかである。またザイクルタイムを短縮するために
硬化時間を短縮すると離型力の影響が大きくなって上記
作用効果は増々顕著となる。
上述データは清浄な型表面を持つ試料について連続的に
成形作業を行ったととのぬれ性。
成形作業を行ったととのぬれ性。
離型力を測定したデータであるが、実際の成形作業では
ダミーショット等により型表面は離型剤で被われており
、清浄ではない。従って第１１図において硬質クローム
メッキの場合に本発明に係る梨地仕上のほうが鏡面仕上
よりも離型力が大であるということは実際には生じない
。なお、弗化炭素ポリマ複合化金属表面処理が著しく有
利であることは明らかである。
ダミーショット等により型表面は離型剤で被われており
、清浄ではない。従って第１１図において硬質クローム
メッキの場合に本発明に係る梨地仕上のほうが鏡面仕上
よりも離型力が大であるということは実際には生じない
。なお、弗化炭素ポリマ複合化金属表面処理が著しく有
利であることは明らかである。
粗面とぬれ性との関係は一般につきのウェ／ツエル（Ｗ
ｅｎｚｅｌ ）の式で表享ハろ。
ｅｎｚｅｌ ）の式で表享ハろ。
ｃｏｓθ／ｃｏｓθ＝Ｒ
こ＼に θ：粗面上の接触角
θ：平坦面上の接触角
ｌイ＝、 Ａｒ ／ Ａａ （Ｒ≧１）Ａｒ ＋真の表
面積 Δ／２＝見掛けの表面積 １５たがって θ〈９［ｆのとき θ′〈′ θ〉９０°のとき θ′〉θ の関係が成立する。すなわち、ぬれ易い表面材質に対し
ては表面粗さが粗いほどぬれ易くなり。
面積 Δ／２＝見掛けの表面積 １５たがって θ〈９［ｆのとき θ′〈′ θ〉９０°のとき θ′〉θ の関係が成立する。すなわち、ぬれ易い表面材質に対し
ては表面粗さが粗いほどぬれ易くなり。
ぬれ件い表面利賀の場合は表面粗さが粗いほどぬれ難く
なる。
なる。
従って離型側抜たは表面処理なとに−よってぬれ難い表
面を形成するようにした金型の場合は鏡面よりも梨地面
の方がぬれ難く、離型に有利であることが判った。
面を形成するようにした金型の場合は鏡面よりも梨地面
の方がぬれ難く、離型に有利であることが判った。
上述のように表面粗さが粗いはど離型に有利であるが、
実際の半導体プラスチックパンケージは側面を持ってお
り、表面粗さが過大であると離型時に側面にかじり傷が
発生する。本発明の如く半導体プラスチックパッケージ
を金型に接する全表面に亘って梨地面にすることにより
離型性か良好となるので硬化収縮時に型面から剥離する
が、かじり傷を防止するためには抜き勾配を過大にする
必要があり、梨地面の粗さＲｍｏを１５μ以下とするこ
とが望ましい。尚。
実際の半導体プラスチックパンケージは側面を持ってお
り、表面粗さが過大であると離型時に側面にかじり傷が
発生する。本発明の如く半導体プラスチックパッケージ
を金型に接する全表面に亘って梨地面にすることにより
離型性か良好となるので硬化収縮時に型面から剥離する
が、かじり傷を防止するためには抜き勾配を過大にする
必要があり、梨地面の粗さＲｍｏを１５μ以下とするこ
とが望ましい。尚。
梨地面の粗さＨｍハを５μより小とすると鏡面仕上との
差が小となり１本発明による効果が得られなくなる。
差が小となり１本発明による効果が得られなくなる。
また梨地面の凹凸形状はなめらかであることが必要であ
り、 Ｈ，ｃＬよ／ピッチが１／１ｏよりも大きい、す
なわちピッチに対してＨゆよが大であると側面のぬき勾
配を大きくしないと半導体プラスチックパッケージにか
じり傷ができる。通常の抜き勾配（約９５°）を持つ半
導体ブラスチンクパッケージの場合にはこの値を１／１
ｏよりも小とすることが望ましい。さらに、この値が１
／１ｏよりも犬であるとアンカー効果が生することにな
る。尚ｓ Ｒ７７１（Ｚ、ｆ ／ピッチを１／２００よ
りも小とすることは放電加工処理によって形成′１−る
ことが困難である。
り、 Ｈ，ｃＬよ／ピッチが１／１ｏよりも大きい、す
なわちピッチに対してＨゆよが大であると側面のぬき勾
配を大きくしないと半導体プラスチックパッケージにか
じり傷ができる。通常の抜き勾配（約９５°）を持つ半
導体ブラスチンクパッケージの場合にはこの値を１／１
ｏよりも小とすることが望ましい。さらに、この値が１
／１ｏよりも犬であるとアンカー効果が生することにな
る。尚ｓ Ｒ７７１（Ｚ、ｆ ／ピッチを１／２００よ
りも小とすることは放電加工処理によって形成′１−る
ことが困難である。
梨地面の凹凸形状を判断する別の指標としてアボット負
荷曲線がある。これは四部（ピント）の形状が測定範囲
（基準長さ）でどの程度そろっているかを示すものであ
り、望ましくは基準長さ０〜１００％の範囲で傾斜が１
０μ７０．２ ｍ以下とする。特に基準長さ０〜５％の
範囲における傾斜が１０μ１０２咽を超える場合は凸部
の先端がザンドヘーパー研磨面の場合の如く尖っている
ことを示し、アンカー効果が生ずることになる。
荷曲線がある。これは四部（ピント）の形状が測定範囲
（基準長さ）でどの程度そろっているかを示すものであ
り、望ましくは基準長さ０〜１００％の範囲で傾斜が１
０μ７０．２ ｍ以下とする。特に基準長さ０〜５％の
範囲における傾斜が１０μ１０２咽を超える場合は凸部
の先端がザンドヘーパー研磨面の場合の如く尖っている
ことを示し、アンカー効果が生ずることになる。
商品名などを半導体プラスチックパッケージに表示する
マーキングを施すとき、半導体プラスチックパッケージ
は洗浄して表面の離型剤などを除去した状態でマーキン
グが行われる。このとき表面はぬれ易くなっており、梨
地面を有する半導体プラスチックパッケージのマーキン
グ用インクの付着性は鏡面を有する半導体プラスチック
パッケージに比して優れている。
マーキングを施すとき、半導体プラスチックパッケージ
は洗浄して表面の離型剤などを除去した状態でマーキン
グが行われる。このとき表面はぬれ易くなっており、梨
地面を有する半導体プラスチックパッケージのマーキン
グ用インクの付着性は鏡面を有する半導体プラスチック
パッケージに比して優れている。
梨地面を有する半導体プラスチックパンケージの外観は
著しく良好である。これは前述σ）ように梨地面がぬれ
難く従って樹脂と接着し難いので、樹脂の硬化収縮時の
応力が半導体プラスチソクバ・ツケージ内に発生せず、
金型表面から均一にするので部分的なひけが生じ難いた
めと考えられる。このことは半導体を樹脂封止してって
も非常に有利である。更に梨地を有する半導体プラスチ
ックパッケージは鏡面を有する半導体プラスチックパン
ケージのよう匠光を反射しないので、微小なひけ又はピ
ンホール等が目立たず、高級品であるというイメージを
与える効果もある。
著しく良好である。これは前述σ）ように梨地面がぬれ
難く従って樹脂と接着し難いので、樹脂の硬化収縮時の
応力が半導体プラスチソクバ・ツケージ内に発生せず、
金型表面から均一にするので部分的なひけが生じ難いた
めと考えられる。このことは半導体を樹脂封止してって
も非常に有利である。更に梨地を有する半導体プラスチ
ックパッケージは鏡面を有する半導体プラスチックパン
ケージのよう匠光を反射しないので、微小なひけ又はピ
ンホール等が目立たず、高級品であるというイメージを
与える効果もある。
以上説明したように本発明によれば、半導体を樹脂封止
する除虫じる樹脂パッケージクランク、半導体ペレット
クラック等の欠陥を大幅に低減して半導体プラスチック
バラケーンの歩留りを大幅に向上させろことができ、し
かもリードフレームと樹脂との接着性が著しく改善され
て半導体プラスチックパッケージの耐湿信頼性を著し、
＜向上させることができる効果を奏する。
する除虫じる樹脂パッケージクランク、半導体ペレット
クラック等の欠陥を大幅に低減して半導体プラスチック
バラケーンの歩留りを大幅に向上させろことができ、し
かもリードフレームと樹脂との接着性が著しく改善され
て半導体プラスチックパッケージの耐湿信頼性を著し、
＜向上させることができる効果を奏する。
第１図は従来のトランスファモールド型を示す断面図、
第２図は第１図に示すトランスファモールド型で樹脂封
止された半導体プラスチックパンケージを示す断面図、
第５図は本発明の半導体プラスチックパッケージを成形
するためのトランスファモールド型を示す断面図、第４
図は第５図に示すトランスファモールド型で樹脂封止さ
れた半導体プラスチックパッケージを示す断面図、第５
図は本発明に係るなめらかな凹凸形状に形成された梨地
面を示す概略的断面図、第６図は本発明に係る放電加工
で形成された梨地面の粗さ測定データを示すグラフ、第
７図はそのアボット負荷曲線図、第８図は第６図の梨地
面を硬質クロームメッキしたときのアボット負荷曲線を
示す図、第９図は第６図の場合に比して面粗さの小さい
梨地面に硬質クロームメッキを施したもののアボット負
荷曲線図、第１０図は本発明に係る金型疋半導体プラス
チンクハンゲージを連続成形したときの型表向のぬれ性
変化を従来の鏡面仕上された金型と対比して型表面のぬ
れ性の変化を示す図、第１１図は本発明ン係る金型と半
導体プラスチックパッケージとの間の離型力を、従来の
鏡面仕上の場合および研削仕上の場合と対比して示す図
である。 １ｈ・・・上型 ２７５・・・下型 ５・・・プランジャ ５・・樹脂 ８ｂ・・・キャビティ 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第 １ 目 第 Ｚ 目 箔 ３ 回 第 −１図 べ 不ぎ 図 革乙閃 茗７ 図 第８図 犀と４１正ヒ隅（７＋１ｍ） 第 ＝Ｉ 図 若／θ 図 しシレＡｔｉ列久 −今 葛 １１ 図 しレン成形委（→
第２図は第１図に示すトランスファモールド型で樹脂封
止された半導体プラスチックパンケージを示す断面図、
第５図は本発明の半導体プラスチックパッケージを成形
するためのトランスファモールド型を示す断面図、第４
図は第５図に示すトランスファモールド型で樹脂封止さ
れた半導体プラスチックパッケージを示す断面図、第５
図は本発明に係るなめらかな凹凸形状に形成された梨地
面を示す概略的断面図、第６図は本発明に係る放電加工
で形成された梨地面の粗さ測定データを示すグラフ、第
７図はそのアボット負荷曲線図、第８図は第６図の梨地
面を硬質クロームメッキしたときのアボット負荷曲線を
示す図、第９図は第６図の場合に比して面粗さの小さい
梨地面に硬質クロームメッキを施したもののアボット負
荷曲線図、第１０図は本発明に係る金型疋半導体プラス
チンクハンゲージを連続成形したときの型表向のぬれ性
変化を従来の鏡面仕上された金型と対比して型表面のぬ
れ性の変化を示す図、第１１図は本発明ン係る金型と半
導体プラスチックパッケージとの間の離型力を、従来の
鏡面仕上の場合および研削仕上の場合と対比して示す図
である。 １ｈ・・・上型 ２７５・・・下型 ５・・・プランジャ ５・・樹脂 ８ｂ・・・キャビティ 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第 １ 目 第 Ｚ 目 箔 ３ 回 第 −１図 べ 不ぎ 図 革乙閃 茗７ 図 第８図 犀と４１正ヒ隅（７＋１ｍ） 第 ＝Ｉ 図 若／θ 図 しシレＡｔｉ列久 −今 葛 １１ 図 しレン成形委（→
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ なめらかへ凹凸形状でもって梨地面仕上げされたキ
ャビティ内にリードフレームに結線された半導体チップ
を設置し、このキャビティ内にトランスファモールド法
によって樹脂を充填硬化させて上記半導体チップをリー
ドフレームと共眞封止することを特徴とする半導体プラ
スチックパッケージの製造方法。 ２ 上記梨地面が面粗’＃Ｅｍａ工において５〜１５μ
の範囲内であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体プラスチックパンケージの製造方法。 ６ 上記梨地面が４σ／ピツチにおいて、１Ａ。 〜’／２００の範囲であって、アボット負荷曲線におい
て、基準長さ０〜１００％の範囲で傾斜が１０μ／ ０
．２ ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の半導体プラスチックパッケージの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6335984A JPS6074446A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 半導体プラスチツクパツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6335984A JPS6074446A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 半導体プラスチツクパツケ−ジの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2937979A Division JPS5831293B2 (ja) | 1979-03-15 | 1979-03-15 | インサ−ト樹脂封止用成形金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074446A true JPS6074446A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=13226979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6335984A Pending JPS6074446A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 半導体プラスチツクパツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074446A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857483A (en) * | 1986-04-30 | 1989-08-15 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method for the encapsulation of integrated circuits |
| US6602430B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for finishing microelectronic device packages |
| CN116013813A (zh) * | 2023-01-06 | 2023-04-25 | 苏州赛肯智能科技有限公司 | 全自动封装系统 |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP6335984A patent/JPS6074446A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857483A (en) * | 1986-04-30 | 1989-08-15 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method for the encapsulation of integrated circuits |
| US6602430B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for finishing microelectronic device packages |
| CN116013813A (zh) * | 2023-01-06 | 2023-04-25 | 苏州赛肯智能科技有限公司 | 全自动封装系统 |
| CN116013813B (zh) * | 2023-01-06 | 2023-10-10 | 苏州赛肯智能科技有限公司 | 全自动封装系统 |
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