FI76220C - Foerfarande foer inkapsling av pao ett baerarband anordnade halvledarkomponenter. - Google Patents

Foerfarande foer inkapsling av pao ett baerarband anordnade halvledarkomponenter. Download PDF

Info

Publication number
FI76220C
FI76220C FI843631A FI843631A FI76220C FI 76220 C FI76220 C FI 76220C FI 843631 A FI843631 A FI 843631A FI 843631 A FI843631 A FI 843631A FI 76220 C FI76220 C FI 76220C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
component
cup
polymer
layer
edges
Prior art date
Application number
FI843631A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI843631L (fi
FI76220B (fi
FI843631A0 (fi
Inventor
Seppo Pienimaa
Original Assignee
Elkotrade Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elkotrade Ag filed Critical Elkotrade Ag
Publication of FI843631A0 publication Critical patent/FI843631A0/fi
Priority to FI843631A priority Critical patent/FI76220C/fi
Priority to GB08522166A priority patent/GB2164794B/en
Priority to FR858513669A priority patent/FR2570544B1/fr
Priority to BE0/215586A priority patent/BE903242A/fr
Priority to CH4004/85A priority patent/CH669477A5/de
Priority to SE8504295A priority patent/SE8504295L/xx
Priority to DE19853533159 priority patent/DE3533159A1/de
Priority to CA000490925A priority patent/CA1232372A/en
Publication of FI843631L publication Critical patent/FI843631L/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI76220B publication Critical patent/FI76220B/fi
Publication of FI76220C publication Critical patent/FI76220C/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor

Description

76220
Menetelmä kantonauhalla olevien puolijohdekomponenttien kapseloimiseksi Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen menetelmä kantonauhalla olevien puolijohdekomponenttien kapseloimiseksi.
Automaattisissa komponenttien ladonta- ja käsittelymenetelmissä käytetään kantonauhalla olevia puolijohdekomponentteja. Suojaamattomat komponentit ovat alttita ympäristötekijöille ja mekaanisille vaurioille komponenttien tai komponentteja sisältävän tuotteen käsittelyvaiheissa. Tästä syystä on tarpeellista kapseloida puolijohdekomponentit nauhalla siten, että nauhaa ja komponentteja voidaan käyttää automaattisissa koneissa, kuten kapseloimattomia komponenttejakin. Puolijohdekomponenttien suojauksessa käytetyin menetelmä on ns. "transfer moulding", jossa polymeeriä siirretään paineella puolijohdekomponentin sisältävään valumuottiin. Tällä tekniikalla kapseloitaessa polymeerin paine kohdistuu johtimiin.
FI-patenttihakemuksessa 840981 on esitetty menetelmä, jonka mukaan kunkin komponentin tukirenkaaseen painetaan kantonau-han molemmilta puolilta polymeerikalvo, ja näin käsitelty kantonauha saatetaan lämminilmapuhalluksen alaiseksi. Kanto-nauhan toiseen puoleen yhdistetään sitten polymeerillä kostutettu ja lämminilmakäsittelyn läpikäynyt kapselointinauha, ja näin saatu yhdistelmänauha lämmitetään esilämmitysuunis-sa. Tämän jälkeen komponentin pinnalle ja siten sen ILB-alueelle levitetään kapselointipolymeeria annostus- ja levi-tyslaitteen avulla, ja näin käsitelty yhdistelmänauha lämmitetään uunivyöhykkeessä polymeerin kovettamiseksi. Lopuksi kapselointinauha irroitetaan kapseloidut komponentit nyt sisältävästä kantonauhasta.
Tämän keksinnön tarkoituksena on edelleen parantaa kantonauhalla olevien komponenttien suojausta. Tämä tapahtuu kek- 2 76220 sinnön mukaan käyttämällä polymeerikalvosta tehtyä kuppia tai sentapaista, 'joka liimataan komponentista lähtevien tai johtimia tukevan tukirenkaan alle. Kuppi estää suojauspoly-meerin leviämisen haluttua aluetta laajemmalle ja antaa suojaukselle tarkasti rajatun muodon.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle menetelmälle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
Keksinnön mukaisella menetelmällä suojattuja komponentteja voidaan edullisesti käyttää bondaus- ja ladontakoneissa. Ladottaessa komponentit, joiden liitosjohtimet on taivutettu, liimataan pohjalevylle ja juotetaan johtimet pohjalevyn liitoskohtiin.
Keksinnön mukaista menetelmää ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan oheisten piirustusten mukaisten suoritusesi-merkkien avulla.
Kuvio 1 esittää sivulta ja kuvio 2 päältä katsottuna kanto-nauhalla olevaa TAB-komponenttia.
Kuvio 3 esittää kaaviollisesti keksinnön mukaisessa menetelmässä käytettävän kupin valmistusta.
Kuvio 4 esittää leikkauskuvantona ja kuvio 5 päältä katsottuna yhtä kuppia.
Kuvio 6 esittää kaaviollisesti polymeerin annostelua kupin pohjalle.
Kuvio 7 esittää leikkauskuvantona kupin liimausta kantonau-haan.
Kuvio 8 esittää leikkauskuvantona ja kuvio 9 päältä katsottuna polymeerin annostelua ja levitystä komponentin päälle.
Kuvio 10 esittää kaaviollisesti samanaikaisesti suoritettavaa liimausta, suojausta ja esikovetusta.
3 76220
Kuvio 11 esitttää leikkauskuvantona ja kuvio 12 päältä katsottuna kantonauhalla olevaa valmista suojattua komponenttia.
Kuvio 13 esittää leikkauskuvantona kantonauhasta irrotettua, suojattua valmista komponenttia.
Levymäinen TAB(Tape Automatic Bonding)-komponentti 1 on kuvioiden 1 jo esittämällä tavalla ripustettu johtimien 7 varassa polyimidikantonauhassa 2 olevaan neliömäiseen aukkoon niin, että aukon ja komponentin 1 välille jää rengasmainen välys 4. Tätä välystä 4 ympäröi nauhan 2 osana tukirengas 5, jota puolestaan neljältä puolelta ympäröi neljä pitkänomaista aukkoa 3. Johtimet 7 yhdistävät komponentin 1 (välyksen 4 ja aukot 3 ylittäen) aukkojen ulkopuolella oleviin testausalueisiin 6. Edellä selostettu rakenne on lähtökohtana seu-raavassa selostettavassa viisivaiheisessa suojausmenetelmässä .
VAIHE 1
Polyimidikalvoon 8 (paksuus n. 50 v>m), jonka pinnassa on esikovetettu liimakalvo, muovataan työkaluilla 12, 13 puristamalla loivareunainen kuppi 9-11. Kuppi 9-11 leikataan kalvosta 8 siten, että siinä on halutun levyinen reunus 9 (kuvio 4). Kupin syvyys mitoitetaan siten, että puolijohde-palan 1 pohjan ja kupin pohjan 10 väliin jää 100...200 nm. Kupin 9-11 reunus 9 mitoitetaan tukirenkaan 5 dimensioiden mukaan. Kupin 9-11 reunuksen 9 ulkomitat ovat 100...200 nm pienemmät kuin kantonauhassa 2 olevan tukirenkaan 5 ulkomitat. Tällä ja tarkalla kupin 9-11 kohdistuksella liimauksessa varmistetaan, etteivät johtimet 7 OLB-liitosalueella tai-vutusvaiheessa leikkaudu kupin 9-11 reunaa vasten.
VAIHE 2
Muovattuun kuppiin 9-11 annostellaan polymeeriä 15 pohjalle 10 (kuvio 6). Tämä varmistaa yhtenäisen suojapolymeeriker-roksen muodostumisen komponentin 1 alle. Polymeeriä 15 4 76220 annostellaan vain sen verran, että se täyttää komponentin 1 ja kupin 9-11 välisen tilan, mutta niin, ettei se nosta komponenttia 1 ylöspäin.
VAIHE 3
Kuppi 9-11 liimataan kuppimateriaalina käytetyn kalvon 8 päällä olevalla esikovetetulla liimalla kantonauhan 2 alle (kuvio 7). Esikovetettu liima vaatii lämmityksen (n. 200°C) tarttuakseen kantonauhaan 2.
Kuppi 9-11 asetetaan puristuspäähän 17, joka on muotoiltu siten, että se kohdistaa kupin 9-11. Puristuspää 17 kuumennetaan ja sillä puristetaan kuppi 9-11 kantonauhaan 2 kiinni. Liitoskohtaa 5 jäähdytetään, ennen kuin puristus lopetetaan, kupin 9-11 kiinnipysymisen varmistamiseksi. Lii-mausvaiheessa liiman tulee täyttää johtimien 7 välissä oleva tila ja muodostaa eristävä polymeerikerros johtimien 7 väliin. Tämän vuoksi liimakerroksen paksuus on 25...35 pm.
VAIHE 4
Komponentin 1 päälle levitetään suojapolymeeria 15' (kuvio 8). Annostelijän 14 kärkeä kuljetetaan komponentin 1 päällä kierukkamaisesti niin, että se kertaalleen kulkee koko päällystettävän alueen yli (kuvio 9). Annostelija 14 ja sen kärjen liikutus on siten konstruoitu, että polymeeriä 15' tulee tasaisesti koko siirtoreitille. Polymeerin 15' määrä on mitoitettu täyttämään komponentin 1 laidan ja kupin 9-11 reunan 9 välinen tila 4 ja komponentin 1 pinta kanto-nauhan 2 pinnan tasoa hieman korkeammaksi. Käytettävien suojapolymeer ien viskositeetit ovat 5.000...40.000 cps. Suoja-polymeerin valinnan määräävät suojausominaisuudet, kovetus-aika ja -lämpötila ja polymeerin kostutusominaisuudet.
Suojapolymeerin 15' kostutusominaisuutta voidaan parantaa lämmittämällä kuppia 9-11, sillä suojapolymeerin viskositeetti laskee lämpötilan noustessa. Tällaisessa tapauksessa vaiheet 3 ja 4 tehdään samanaikaisesti (kuvio 10). Myös suo- 5 76220 japolymeerin esikovetus voidaan suorittaa tässä vaiheessa, kun pidetään suojattua komponenttia 1 puristusasennossa sekä säädetään puristuspään 17 lämpötila ja lämmitysaika polymeerille sopivaksi. Puristuspäässä 17 on jäähdytyskana-vat 18, joilla voidaan puristuspään 17 lämpötilaa alentaa, sekä irroituskanava 19, johon ohjattu paineilma irroittaa suojatun komponentin 1 puristuspäästä 17. Käytettäessä suo-japolymeerin 15' levitysvaiheessa tyhjöä, se yhdessä lämmityksen kanssa nopeuttaa haihtuvien osien poistumista ja vähentää huokosia kapseloinnissa.
VAIHE 5
Kantonauha 2, jossa olevat komponentit 1 on suojattu, ohjataan (ei-esitetyn) esikovetusuunin läpi. Suojapolymeeri 15' esikovetetaan ja kantonauha 2 pannaan spacer-nauhan kanssa kelalle. Tämän jälkeen kela pannaan suojapolymeerin vaatimaan loppukovetukseen.
Suojattu komponentti voidaan nyt leikata irti kantonauhasta 2 esim. aukkojen 3 ulkoreunojen kohdalta, ja johtimet 7, joista komponentti 1 juotetaan piirilevyyn, taivutetaan (kuvio 13). Komponentit voidaan latoa ja liimata pohjasta piirilevylle ja juottaa kaikki komponentit samanaikaisesti tai juottaa kukin komponentti yksitellen.
Käytetty kapselointipolymeeri 15, 15' voi olla epoksi-, silikoni- tai fenolityyppistä (esim. CASTAL 3^1 FR tai SUMITOMO CR 2000). Tärkeää on, ettei komponentin 1 ja kupin 9-11 väliin jää onkalolta.
Kuppien 9-11 raaka-aineena 8 voidaan polyimidin (esim. NITTO JR 2250) asemesta käyttää myös polyesteriä.
Kuppikalvon 8 päällä oleva liimakerros voi olla sinänsä tunnettua silikoni-, akryyli- tai epoksipohjäistä liima-ainetta. Liimakerros ei kylmänä ollessaan tartu, ja se on muovattavissa.
6 76220
Kantonauha 2 voi polyimidin asemesta olla esim. polyesteriä. Tällöin myös kuppikalvo 8 on mieluimmin polyesteriä.

Claims (6)

  1. 76220
  2. 1. Menetelmä sellaisten kantonauhalla (2) olevien komponenttien (1), varsinkin puolijohdekomponenttien, kapseloi-miseksi polymeerillä (15, 15') tai sentapaisella, jotka on johtimiensa (7) varassa ripustettu kantonauhassa (2) olevaan aukkoon (4), jonka menetelmän mukaan - muovataan kuppimainen rakenne (9-11), joka sovitetaan aukon (4) kohdalle niin, että sen reunat (9) ulottuvat aukon (4) reunojen yli ja komponentti (1) joutuu kosketukseen kuppimaisen rakenteen (9-11) pohjalle levitetyn täytekerroksen (15), sopivimmin polymeerikerroksen, kanssa, - komponentin (1) toiselle puolelle levitetään suoja-kerros (15'), sopivimmin polymeerikerros, joka ulottuu komponentin (1) reunojen yli kosketukseen täytekerroksen (15) kanssa, ja - täytekerros (15) ja suojakerros (15') saatetaan lämpökäsittelyn alaisiksi niin, että ne kovettues-saan sulkevat komponentin (1) sisäänsä, tunnettu siitä, että - käytetään sellaista kantonauhaa (2), jossa kutakin aukkoa (4) ympäröi tukirengas (5), - kuppimainen rakenne (9-11) muovataan liimapäällys-teisestä kalvomateriaalista (8) niin, että liima-kerros tulee rakenteen (9-11) sisäpuolelle, - kuppimaisen rakenteen reunat (9) sovitetaan ulottumaan tukirenkaan (5) alle, ja e 76220 - kuppimainen rakenne (9-11) kiinnitetään reunoistaan (9) puristamalla ja kuumentamalla kantonauhan (2) tukirenkaaseen (5).
  3. 2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että täytekerroksena (15) ja suojakerroksena (15') käytetään samaa ainetta, esim. jotain polymeeriä.
  4. 3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että täytekerroksen (15) levitys, kuppimaisen rakenteen (9-11) kiinnitys ja suojakerroksen (15') levitys suoritetaan erillisinä toimenpiteinä (kuviot 6 - 9).
  5. 4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että puristus ja kuumennus suoritetaan samalla puristuskuumennuslaitteella (16-19). 9 76220
  6. 1. Förfarande för inkapsling av sadana pa ett bärar-band (2) befintliga komponenter (1), isynnerhet halvledar-komponenter, med en polymer (15, 15') eller liknande, vilka frSn sinä ledare (7) är upphängda i en pä bärarbandet (2) belägen öppning, enligt vilket förfarande - en skalformig konstruktion (9-11) formas, som anordnas vid öppningen (4) sä, att dess kanter (9) sträcker sig över öppningens (4) kanter och komponenten (1) hamnar i beröring med ett pa den skSlformiga konstruktionens (9-11) botten utbrett fyllmaterialskikt (15), företrädesvis ett poly-merskikt, - pa komponentens (1) andra sida utbredes ett skydds-skikt (15'), lämpligen ett polymerskikt, som sträcker sig över komponentens (1) kanter i beröring med fyllmaterialskiktet (15) och fyllmaterialskiktet (15) och skyddsskiktet (15') underkastas en värmebehandling sa, att de vid sin härdning i sig inkapslar komponenten (1), kännetecknat därav, att - ett sadant bärarband (2) användes, där varje öppning (4) är omgiven av en stödring (5), - den skalformiga konstruktionen (9-11) formas av ett limbelagt filmmaterial (8) sa, att limskiktet hamnar pt insidan av konstruktionen (9-11),
FI843631A 1984-09-17 1984-09-17 Foerfarande foer inkapsling av pao ett baerarband anordnade halvledarkomponenter. FI76220C (fi)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI843631A FI76220C (fi) 1984-09-17 1984-09-17 Foerfarande foer inkapsling av pao ett baerarband anordnade halvledarkomponenter.
GB08522166A GB2164794B (en) 1984-09-17 1985-09-06 Method for encapsulating semiconductor components mounted on a carrier tape
CH4004/85A CH669477A5 (fi) 1984-09-17 1985-09-16
BE0/215586A BE903242A (fr) 1984-09-17 1985-09-16 Procede d'encapsulage d'elements semi-conducteurs montes sur un ruban porteur
FR858513669A FR2570544B1 (fr) 1984-09-17 1985-09-16 Procede d'encapsulage de composants semi-conducteurs montes sur une bande porteuse
SE8504295A SE8504295L (sv) 1984-09-17 1985-09-16 Sett att inkapsla pa ett berarband monterade halvledarekomponenter
DE19853533159 DE3533159A1 (de) 1984-09-17 1985-09-17 Verfahren zum verkapseln von auf einem traegerband montierten bauelementen, insbesondere von halbleiterbauelementen
CA000490925A CA1232372A (en) 1984-09-17 1985-09-17 Method for encapsulating semiconductor components mounted on a carrier tape

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI843631 1984-09-17
FI843631A FI76220C (fi) 1984-09-17 1984-09-17 Foerfarande foer inkapsling av pao ett baerarband anordnade halvledarkomponenter.

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI843631A0 FI843631A0 (fi) 1984-09-17
FI843631L FI843631L (fi) 1986-03-18
FI76220B FI76220B (fi) 1988-05-31
FI76220C true FI76220C (fi) 1988-09-09

Family

ID=8519611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI843631A FI76220C (fi) 1984-09-17 1984-09-17 Foerfarande foer inkapsling av pao ett baerarband anordnade halvledarkomponenter.

Country Status (8)

Country Link
BE (1) BE903242A (fi)
CA (1) CA1232372A (fi)
CH (1) CH669477A5 (fi)
DE (1) DE3533159A1 (fi)
FI (1) FI76220C (fi)
FR (1) FR2570544B1 (fi)
GB (1) GB2164794B (fi)
SE (1) SE8504295L (fi)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3338597A1 (de) * 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
GB2202372B (en) * 1984-07-05 1991-02-13 Nat Semiconductor Corp Pre-testable semiconductor die package and fabrication method
FR2598258B1 (fr) * 1986-04-30 1988-10-07 Aix Les Bains Composants Procede d'encapsulation de circuits integres.
DE3623419A1 (de) * 1986-07-11 1988-01-21 Junghans Uhren Gmbh Verfahren zum bestuecken eines leiterbahnen-netzwerkes fuer den schaltungstraeger eines elektromechanischen uhrwerks und teilbestuecktes leiterbahnen-netzwerk eines uhrwerks-schaltungstraegers
JPH02155256A (ja) * 1988-12-08 1990-06-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2751450B2 (ja) * 1989-08-28 1998-05-18 セイコーエプソン株式会社 テープキャリアの実装構造及びその実装方法
US5156983A (en) * 1989-10-26 1992-10-20 Digtial Equipment Corporation Method of manufacturing tape automated bonding semiconductor package
IT1243817B (it) * 1990-10-09 1994-06-28 Sgs Thomson Microelectronics Metodo per la fabbricazione di contenitori in plastica, per circuiti integrati, con dissipatore termico incorporato
KR930010072B1 (ko) * 1990-10-13 1993-10-14 금성일렉트론 주식회사 Ccd패키지 및 그 제조방법
JP2531382B2 (ja) * 1994-05-26 1996-09-04 日本電気株式会社 ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法
AT402617B (de) * 1995-07-11 1997-07-25 Datacon Schweitzer & Zeindl Gm Anlage zum automatisierten, hermetischen anlage zum automatisierten, hermetischen verschliessen von gehäusen verschliessen von gehäusen
DE19650318C2 (de) * 1996-09-23 1999-05-06 Tech Gmbh Antriebstechnik Und Gehäuse aus Metallblech für eine Schaltung der Leistungselektronik
DE10117797C2 (de) * 2001-04-10 2003-04-17 Bosch Gmbh Robert Montagevorrichtung und Verfahren zum Aufbau eines elektronischen Bauteils
US6692610B2 (en) * 2001-07-26 2004-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oled packaging
DE10151657C1 (de) * 2001-08-02 2003-02-06 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Montage eines Chips auf einem Substrat
TW582078B (en) * 2002-11-29 2004-04-01 Chipmos Technologies Bermuda Packaging process for improving effective die-bonding area
FR2919756B1 (fr) * 2007-07-31 2009-11-20 Tacchini Ets Procede de protection d'un composant electronique.
DE102013022388B3 (de) 2013-08-19 2024-01-04 Oechsler Aktiengesellschaft Chipmontage-Verfahren
CN113602557B (zh) * 2021-08-04 2022-09-09 深圳市辉悦科技有限公司 具有定位二次修正功能的芯片编带机

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3979659A (en) * 1975-01-30 1976-09-07 Texas Instruments Incorporated Automotive alternator rectifier bridges
US4300153A (en) * 1977-09-22 1981-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Flat shaped semiconductor encapsulation
US4330790A (en) * 1980-03-24 1982-05-18 National Semiconductor Corporation Tape operated semiconductor device packaging
FR2520541A1 (fr) * 1982-01-22 1983-07-29 Flonic Sa Procede d'insertion d'un circuit integre dans une carte a memoire et carte obtenue suivant ce procede
FI72409C (fi) * 1984-03-09 1987-05-11 Lohja Ab Oy Foerfarande foer inkapsling av pao en baerremsa anordnade halvledarkomponenter.

Also Published As

Publication number Publication date
CA1232372A (en) 1988-02-02
FR2570544B1 (fr) 1990-01-05
FI843631L (fi) 1986-03-18
GB2164794A (en) 1986-03-26
FR2570544A1 (fr) 1986-03-21
SE8504295D0 (sv) 1985-09-16
FI76220B (fi) 1988-05-31
GB8522166D0 (en) 1985-10-09
CH669477A5 (fi) 1989-03-15
DE3533159A1 (de) 1986-03-27
BE903242A (fr) 1986-01-16
FI843631A0 (fi) 1984-09-17
GB2164794B (en) 1988-03-23
SE8504295L (sv) 1986-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI76220C (fi) Foerfarande foer inkapsling av pao ett baerarband anordnade halvledarkomponenter.
US6340846B1 (en) Making semiconductor packages with stacked dies and reinforced wire bonds
US5943558A (en) Method of making an assembly package having an air tight cavity and a product made by the method
KR950704837A (ko) 다이와 칩 캐리어간의 인터페이스 형성방법 (method of forming interface between die and chip carrier)
US7829389B2 (en) Roll-on encapsulation method for semiconductor packages
CN104124216A (zh) 一种基板片式载体csp封装件及其制造方法
CN106876534A (zh) 一种倒装芯片级led光源的封装方法
JP2603543B2 (ja) 電子部品用接着テープ
US20040106233A1 (en) Integrated circuit packaging for improving effective chip-bonding area
JPH0528906B2 (fi)
US4881885A (en) Dam for lead encapsulation
CN108417673A (zh) 一种低光衰led灯的封装工艺
US5130781A (en) Dam for lead encapsulation
CN1149920A (zh) 智能卡形式的证件卡或类似物
JP2001176902A (ja) 樹脂封止方法
WO2010044771A1 (en) Roll-on encapsulation method for semiconductor packages
JPH0434958A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
WO1996013066A1 (en) Method of attaching integrated circuit dies by rolling adhesives onto semiconductor wafers
WO1998050216A1 (en) Method and apparatus for molding plastic packages
TWI529819B (zh) 用於半導體封裝之滾裝式囊封方法
JPS6258655B2 (fi)
JPH0314245A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法
JPH01133328A (ja) 半導体素子の封止方法
JP3309889B2 (ja) 半導体素子の樹脂封止方法
JP4521078B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed
MM Patent lapsed

Owner name: ELKOTRADE AG