CN106449945B - 制作csp芯片的模注方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开制作CSP芯片的模注方法，依次包括：在两面具有粘性的柔性过渡基膜的第一个面上，将倒装LED芯片按预设芯片间隔要求规则等间距排列，形成倒装LED芯片阵列；将过渡基膜的第二面粘贴在注胶模具的下基板的一个平面上；将上腔板按照对位要求扣在下基板上的倒装LED芯片阵列上方；从上腔板的注胶孔向空腔内注入封装胶；对封装胶进行烘烤、固化，将固化后的封装胶作为倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片；将上腔板从下基板上分离，并从下基板的柔性过渡基膜上取下封装胶载体基片；对封装胶载体基片进行划切，形成划切分离后的阵列CSP芯片；将划切分离后的阵列CSP芯片翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜上。

Description

制作CSP芯片的模注方法

技术领域

本申请涉及LED光源的光电技术领域，具体地说，涉及一种制作CSP芯片的模注方法。

背景技术

倒装结构LED(Light Emitting Diode，发光二极管)在热传导中避开了蓝宝石衬底引起的热阻，因此，与正装芯片相比，倒装芯片在对大电流的承载能力大大提高。倒装结构LED无基板芯片级封装(CSP)芯片的出现，又省去了光源支架进一步降低了系统热阻，降低了成本。因此，被认为是一种有更大潜在市场价值的新的封装技术。

上述无基板倒装LED的芯片级封装方法，一般分晶圆级CSP封装方法和分离芯片阵列的CSP封装方法。就目前的封装产品的品质情况来看，如何保证批量化CSP芯片的色温的一致性和厚度的一致性，甚至免去后续的CSP芯片的分光分色是目前CSP制程中的一个关键性问题。

晶圆级封装方法是指在一片晶圆上，芯片工艺制程完成之后尚未对各芯片进行点测，整体通过喷凃或荧光胶膜贴敷的封装方法。其主要的问题是，由于一片晶圆上的芯片波长和性能差异较大，不可能用一种荧光胶来匹配数多芯片都得到光、色最佳的光源。其次，贴膜封装所用荧光胶膜在滚压成膜时，膜内荧光粉的分布受荧光胶低温流动，尤其是基板的平整度、压膜工艺、膜与芯片共型后的荧光粉的再分布等因素，影响了CSP芯片的色度均匀性等。

发明内容

有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种制作CSP芯片的模注方法，将倒装LED芯片阵列按设计要求排列粘贴在注胶模具的硬质下基板上，再将注胶模具的上腔板扣在下基板的上方，使得倒装LED芯片位于上腔板的空腔内，然后通过注胶的方式向空腔内注入封装胶，使封装胶与倒装LED芯片共型成膜，此种方式有利于提高CSP芯片色度的均匀性、厚度的可控性、重复性和一致性，改善了产品品质，提高了出货率，降低了成本。

为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：

一种制作CSP芯片的模注方法，其特征在于，依次包括：

在两面具有粘性的柔性过渡基膜的第一个面上，将倒装LED芯片按预先设计的芯片间隔要求规则等间距排列，使每个所述倒装LED芯片的P接触电极和N接触电极面粘贴在所述柔性过渡基膜的第一面上，形成倒装LED芯片阵列；

将粘贴有所述倒装LED芯片阵列的所述柔性过渡基膜的第二面粘贴在注胶模具的下基板的一个平面上；

将注胶模具的上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方，使得所述上腔板位于所述下基板的上方，并与所述下基板紧密粘贴，且使得所述倒装LED芯片阵列位于所述上腔板的空腔内的中心区域；

从所述上腔板的注胶孔向所述空腔内注入封装胶，待所述上腔板上的出胶孔内有封装胶且封装胶的高度高于所述空腔的高度或出胶孔中有封装胶溢出时停止注胶；

将载有所述倒装LED芯片阵列的注胶模具放入烤箱内，对所述封装胶进行烘烤、固化，将固化后的封装胶作为所述倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片；

将所述上腔板从所述下基板上分离，并从所述下基板的柔性过渡基膜上取下所述封装胶载体基片；

去除所述封装胶载体基片上的注胶柱和非规则的胶片边，然后对所述封装胶载体基片进行划切，形成划切分离后的阵列CSP芯片；

将划切分离后的阵列CSP芯片翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜上，形成倒膜后的CSP芯片阵列。

优选地，其中：

进一步包括：

将所述上腔板的空腔内壁、注胶孔的内壁和出胶孔的内壁抛光后进行纳米处理或异质化处理。

优选地，其中：

对所述封装胶进行烘烤、固化时，烘烤的温度为50℃-80℃，烘烤的时间为1h，固化的温度为150℃，固化的时间为4h。

优选地，其中：

所述注胶模具的材质为耐高温材料，

所述注胶孔、所述空腔和所述出胶孔三者连通，将注胶模具的上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方后，所述LED芯片阵列位于所述上腔板的空腔内的中心区域；

所述空腔的面积大于所述倒装LED芯片阵列的面积，所述空腔的深度为预定的封装胶的高度。

优选地，其中：

所述封装胶，包括：LED荧光胶，注胶时下基板，温度为50℃-80℃。

与现有技术相比，本申请所述的方法，达到了如下效果：

第一、本发明所述的制作CSP芯片的模注方法，对LED芯片的注胶、烘烤、固化等过程是在一个硬质模具腔室内完成的，然后将倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片从上腔板和下基板脱离，完成脱模、划切。采用这种方法制得的CSP芯片的色度和厚度一致性更好，批次生产的重复性和可控性更好，封装制程更加简单。

第二、本发明所述的制作CSP芯片的模注方法，由于倒装LED芯片粘贴在柔性过渡基膜上后，再将柔性过渡基膜粘贴在硬质下基板上，因此不存在柔性过渡基膜在升温过程中起皱形变而导致的荧光粉在封装胶中的再分布，而导致的色度的不均匀。

第三、本发明所述的制作CSP芯片的模注方法，注胶模具的上腔板中的内槽的深度决定了CSP芯片的最终厚度，因此，由于槽深不受温度的影响，CSP芯片的厚度的一致性也得到了保证。

第四、本发明所述的制作CSP芯片的模注方法，注胶模具上腔板中的空腔内壁、注胶孔内壁和出胶孔内壁进行了纳米处理或异质化处理，有效保证了封装胶载体基片从上腔板空腔脱离的过程更加顺利，也使得整个制程能够顺利进行。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本发明制作CSP芯片的模注方法的流程图；

图2为本发明倒装LED CSP芯片的结构图；

图3为本发明将倒装LED芯片排列再柔性过渡基膜上形成倒装LED芯片阵列的示意图；

图4为本发明将粘贴有倒装LED芯片阵列的所述柔性过渡基膜的第二面粘贴在注胶模具的下基板的一个平面上的示意图；

图5为本发明将注胶模具的上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方的示意图；

图6为本发明从上腔板的注胶孔内注入封装胶的示意图；

图7为本发明将封装胶载体基片脱模和划切的示意图；

图8为本发明将划切分离后的阵列CSP芯片翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜上的示意图；

图9-1为本发明注胶模具中上腔板的主视图；

图9-2为本发明注胶模具中上腔板的俯视图；

图10-1为本发明注胶模具中下基板的主视图；

图10-2为本发明注胶模具中下基板的俯视图。

具体实施方式

如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

实施例1

如图2所示为本发明公开的一种CSP芯片10的结构图，图1为本实施例中制作CSP芯片10的模注方法，依次包括以下步骤：

步骤101、在两面具有粘性的柔性过渡基膜40的第一个面上，将倒装LED芯片30按预先设计的芯片间隔要求规则等间距排列，使每个所述倒装LED芯片30的P接触电极和N接触电极面粘贴在所述柔性过渡基膜40的第一面上，形成倒装LED芯片阵列31，参见图3；

步骤102、将粘贴有所述倒装LED芯片阵列31的所述柔性过渡基膜40的第二面粘贴在注胶模具的下基板50的一个平面上，参见图4；

步骤103、将注胶模具的上腔板60按照对位要求扣在所述下基板50上的所述倒装LED芯片阵列31上方，使得所述上腔板60位于所述下基板50的上方，并与所述下基板50紧密粘贴，不允许粘贴界面有气泡或贴膜起皱，且使得所述倒装LED芯片阵列31位于所述上腔板60的空腔63内的中心区域，参见图5；

步骤104、从所述上腔板60的注胶孔61向所述空腔63内注入封装胶20，待所述上腔板60上的出胶孔62内有封装胶20且封装胶20的高度高于所述空腔63的高度或出胶孔62中有封装胶20溢出时停止注胶，参见图6；

步骤105、将载有所述倒装LED芯片阵列31的注胶模具放入烤箱内，对所述封装胶20进行烘烤、固化，将固化后的封装胶20作为所述倒装LED芯片阵列31的封装胶载体基片70；

步骤106、将所述上腔板60从所述下基板50上分离，并从所述下基板50的柔性过渡基膜40上取下所述封装胶载体基片70，参见图7，以保证封装胶固化后顺利脱模；

步骤107、去除所述封装胶载体基片70上的注胶柱和非规则的胶片边，然后对所述封装胶载体基片70进行划切，形成划切分离后的阵列CSP芯片10，参见图7和图8；

步骤108、将划切分离后的阵列CSP芯片10翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜41上，形成倒膜后的CSP芯片阵列11，参见图8。

上述步骤101中，将倒装LED芯片30按一定间距等距离排列在两面带有粘性的柔性过渡基膜40的某一面上，并且倒装LED芯片30的P、N电极面应粘贴在柔性过渡基膜40的带胶面上，蓝宝石衬底的主出光面背离柔性过渡基膜40，形成倒装LED芯片阵列31。此处的柔性过渡基膜40耐高温，并可粘附在倒装LED芯片30上且不易错位。

上述步骤102中，将粘贴有倒装LED芯片阵列31的双面胶膜的另一面粘贴在注胶模具下基板50的中心区域，其粘接界面不允许有气泡，以保证双面胶膜粘贴后能保持平整。

在执行上述步骤103之前，本发明所述的CSP芯片10的模注方法进一步包括：将所述上腔板60的空腔63内壁、注胶孔61的内壁和出胶孔62的内壁抛光后进行纳米处理或异质化处理。对上腔板60的空腔63、注胶孔61和出胶孔62进行上述脱模处理后，在执行步骤106时，封装胶载体基片70能够顺利地完成脱模，即从上腔板60的空腔63中脱离出来，从而使得CSP芯片10的整个制程更加顺利。

上述步骤103中，将注胶模具的上腔板60压贴在注胶模具的下基板50上，倒装LED芯片阵列31位于注胶模具上腔板60的空腔63内的中心区域。

上述步骤104中，通过注胶模具上腔板60上的注胶孔61向注胶模具上腔板60内的空腔63内注入一定量的封装胶20，直到其他注胶孔61和出胶孔62中有了封装胶20且封装胶20的胶面高于空腔63的高度、或出胶孔62中有封装胶20溢出时停止注胶，这样就能确保倒装LED芯片30能够完全被封装胶20覆盖。

上述步骤105中，对所述封装胶20进行烘烤、固化时，烘烤的温度为50℃-80℃，烘烤的时间为1h，固化的温度为150℃，固化的时间为4h。

上述步骤106是脱模的过程，封装胶20固化后，将封装胶载体基片70脱开注胶模具的上腔板60，并从注胶模具的下基板50的粘性膜上取下封装胶载体基片70。

本发明中注胶模具的材质选为耐高温材料，例如不锈钢材料等。

本发明注胶模具中的所述注胶孔61、所述空腔63和所述出胶孔62三者连通，参见图9-1和图9-2，上述步骤103将注胶模具的上腔板60按照对位要求扣在所述下基板50上的所述倒装LED芯片阵列31上方后，所述注胶孔61和所述出胶孔62的水平位置高于所述空腔63的水平位置；本发明上腔板60中空腔63的面积大于所述倒装LED芯片阵列31的面积，所述空腔63的深度为预定的封装胶20的高度。这样就能确保注入的封装胶20能够将倒装LED芯片阵列31整个包裹。本发明下基板50的结构示意图参见图10-1和图10-2。

从图9-1和9-2可看出，该实施例中，注胶模具的上腔板60的一侧有一个尺寸大于倒装LED芯片阵列31面积、深度为拟定的CSP芯片10封装胶高度的凹槽(即空腔63)，注胶孔61和出胶孔62与该凹槽连通。

上述注胶孔61和出胶孔62在上腔板60上的位置可以是竖直的、水平的或其他方位的，只要能够确保封装胶20能将倒装LED芯片阵列31完全包裹即可。本发明注胶模具中，注胶孔61和出胶孔62分别至少有一个，从图9-2所示的上腔板60的俯视图可看出，本实施例中的上腔板60中包括1个注胶孔61和3个出胶孔62，从图9-1所示的上腔板60的主视图可看出，注胶孔61和出胶孔62为竖直分布的，注胶孔61和出胶孔62的底部和空腔63的顶部连通，当从注胶孔61注入封装胶20时，封装胶20从注胶孔61进入空腔63中，当有封装胶20从出胶孔62中溢出时或者出胶孔62中有了封装胶20且封装胶20的高度高于空腔63中封装胶20的高度时，说明空腔63中已经注满了封装胶20，非常容易判断。

本发明中的封装胶20，包括：LED荧光胶，注胶时下基板，温度为50℃-80℃。

本发明所提供的上述方法，对晶元分离后的芯片完成色光电性能分档之后，将不同档次的倒装LED芯片30分别在带有粘性的高温柔性基膜上排列成阵列，然后针对不同的波长的芯片，选择不同激发波长的荧光粉配置荧光胶，再对阵列芯片进行喷涂或压膜封装，避免了用一种荧光胶来匹配不同长芯片的弊病，CSP芯片10的光、色性得到了改善。

本发明所提供的CSP芯片10的模注方法，在其实施的过程中，将倒装LED芯片阵列31按设计要求排列在注胶膜组的下基板50上形成阵列，再将上腔板60压扣在下基板50上，再进行烘烤、固化。注胶模具上腔板60的槽腔内壁进行纳米处理或异质化处理，可方便地实现对固化后封装胶载体基片70的分离，槽的深度即是CSP芯片10的高度，通过此种方法，进一步提高了CSP芯片10色度的均匀性、厚度的可控性、重复性和一致性，改进了芯片品质，提高了出货率，降低了成本。

实施例2

如图2所示为本发明CSP芯片10的结构示意图，本发明CSP芯片10结构包括：倒装LED芯片30、倒装LED芯片阵列31的封装胶载体基片70、划切分离后的阵列CSP芯片10和倒膜后的CSP芯片阵列11，其中，

所述倒装LED芯片阵列31的封装胶载体基片70，为在两面具有粘性的柔性过渡基膜40的第一个面上，将倒装LED芯片30按预先设计的芯片间隔要求规则等间距排列，使每个所述倒装LED芯片30的P接触电极和N接触电极面粘贴在所述柔性过渡基膜40的第一面上，形成倒装LED芯片阵列31；将粘贴有所述倒装LED芯片阵列31的所述柔性过渡基膜40的第二面粘贴在注胶模具的下基板50的一个平面上；将注胶模具的上腔板60按照对位要求扣在所述下基板50上的所述倒装LED芯片阵列31上方，使得所述上腔板60位于所述下基板50的上方，并与所述下基板50紧密粘贴，且使得所述倒装LED芯片阵列31位于所述上腔板60的空腔63内的中心区域；从所述上腔板60的注胶孔61内注入封装胶20，待所述上腔板60上的出胶孔62内有封装胶20且封装胶20的高度高于所述空腔63的高度或出胶孔62中有封装胶20溢出时停止注胶；将载有所述倒装LED芯片阵列31的注胶模具放入烤箱内，对所述封装胶20进行烘烤、固化，将固化后的封装胶20作为所述倒装LED芯片阵列31的封装胶载体基片70；

所述划切分离后的阵列CSP芯片10，为将所述上腔板60从所述下基板50上分离，并从所述下基板50的柔性过渡基膜40上取下所述封装胶载体基片70；去除所述封装胶载体基片70上的注胶柱和非规则的胶片边，然后对所述封装胶载体基片70进行划切，形成划切分离后的阵列CSP芯片10；

所述倒膜后的CSP芯片阵列11，为将划切分离后的阵列CSP芯片10翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜41上，形成倒膜后的CSP芯片阵列11。

本发明中上腔板60的空腔63内壁、注胶孔61的内壁和出胶孔62的内壁进行抛光并经过纳米处理或异质化处理。通过此种处理，使得封装胶载体基片70能够顺利地完成脱模，即从上腔板60的空腔63中脱离出来，从而使得CSP芯片10的整个制程更加顺利。

本发明对所述封装胶20进行烘烤、固化时，烘烤的温度为50℃-80℃，烘烤的时间为1h，固化的温度为150℃，固化的时间为4h。

本发明中所述注胶模具的材质为耐高温材料，例如不锈钢材料等。

本发明中注胶孔61、空腔63和出胶孔62三者连通，参见图9-1和图9-2，将注胶模具的上腔板60按照对位要求扣在所述下基板50上的所述倒装LED芯片阵列31上方后，所述注胶孔61和所述出胶孔62的水平位置高于所述空腔63的水平位置；所述空腔63的面积大于所述倒装LED芯片阵列31的面积，所述空腔63的深度为预定的封装胶20的高度。这样就能确保注入的封装胶20能够将倒装LED芯片阵列31整个包裹。

从图9-1和9-2可看出注胶模具的上腔板60的一侧有一个尺寸大于倒装LED芯片阵列31面积、深度为拟定的CSP芯片10封装胶20高度的凹槽(即空腔63)，注胶孔61和出胶孔62与该凹槽联通。

上述注胶孔61和出胶孔62在上腔板60上轴向可以是竖直方向，也可以是水平方向或二者兼用。

只要能够确保封装胶20能将倒装LED芯片阵列31完全包裹即可。从图9-2所示的上腔板60的俯视图可看出，本实施例中的上腔板60中包括1个注胶孔61和3个出胶孔62，从图9-1所示的上腔板60的主视图可看出，注胶孔61和出胶孔62为竖直分布的，注胶孔61和出胶孔62的底部和空腔63的顶部连通，当从注胶孔61注入封装胶20时，封装胶20从注胶孔61进入空腔63中，当有封装胶20从出胶孔62中溢出时或者出胶孔62中有了封装胶20且封装胶20的高度高于空腔63中封装胶20的高度时，说明空腔63中已经注满了封装胶20，非常容易判断。

本发明中的封装胶20，包括：LED荧光胶。

通过以上各实施例可知，本申请存在的有益效果是：

第一、本发明所述的制作CSP芯片的模注方法，对LED芯片的注胶、烘烤、固化等过程是在一个硬质模具腔室内完成的，然后将倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片从上腔板和下基板脱离，完成脱模、划切。采用这种方法制得的CSP芯片的色度和厚度一致性更好，批次生产的重复性和可控性更好，封装制程更加简单。

第二、本发明所述的制作CSP芯片的模注方法，由于倒装LED芯片粘贴在柔性过渡基膜上后，再将柔性过渡基膜粘贴在硬质下基板上，因此不存在柔性过渡基膜在升温过程中起皱形变而导致的荧光粉在封装胶中的再分布，而导致的色度的不均匀。

第三、本发明所述的制作CSP芯片的模注方法，注胶模具的上腔板中的内槽的深度决定了CSP芯片的最终厚度，因此，由于槽深不受温度的影响，CSP芯片的厚度的一致性也得到了保证。

第四、本发明所述的制作CSP芯片的模注方法，注胶模具上腔板中的空腔内壁、注胶孔内壁和出胶孔内壁进行了纳米处理或异质化处理，有效保证了封装胶载体基片从上腔板空腔脱离的过程更加顺利，也使得整个制程能够顺利进行。

本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。

Claims (3)

1.一种制作CSP芯片的模注方法，其特征在于，依次包括：

在两面具有粘性的柔性过渡基膜的第一个面上，将倒装LED芯片按预先设计的芯片间隔要求规则等间距排列，使每个所述倒装LED芯片的P接触电极和N接触电极面粘贴在所述柔性过渡基膜的第一面上，形成倒装LED芯片阵列；

将粘贴有所述倒装LED芯片阵列的所述柔性过渡基膜的第二面粘贴在注胶模具的下基板的一个平面上；

将注胶模具的上腔板的空腔内壁、注胶孔的内壁和出胶孔的内壁抛光后进行纳米处理或异质化处理，然后将上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方，使得所述上腔板位于所述下基板的上方，并与所述下基板紧密粘贴，且使得所述倒装LED芯片阵列位于所述上腔板的空腔内的中心区域；

从所述上腔板的注胶孔向所述空腔内注入封装胶，待所述上腔板上的出胶孔内有封装胶且封装胶的高度高于所述空腔的高度或出胶孔中有封装胶溢出时停止注胶，其中，所述注胶孔和所述出胶孔的水平位置均高于所述空腔的水平位置；

所述注胶模具的材质为耐高温材料；

所述注胶孔、所述空腔和所述出胶孔三者连通，将注胶模具的上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方后，所述LED芯片阵列位于所述上腔板的空腔内的中心区域；

所述空腔的面积大于所述倒装LED芯片阵列的面积，所述空腔的深度为预定的封装胶的高度；

所述注胶孔和所述出胶孔在所述上腔板上的位置包括，竖直、水平或竖直和水平方向兼有；

将载有所述倒装LED芯片阵列的注胶模具放入烤箱内，对所述封装胶进行烘烤、固化，将固化后的封装胶作为所述倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片；

将所述上腔板从所述下基板上分离，并从所述下基板的柔性过渡基膜上取下所述封装胶载体基片；

去除所述封装胶载体基片上的注胶柱和非规则的胶片边，然后对所述封装胶载体基片进行划切，形成划切分离后的阵列CSP芯片；

将划切分离后的阵列CSP芯片翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜上，形成倒膜后的CSP芯片阵列；

对所述划切分离后的阵列CSP芯片进行色光电性能分档，将不同档次的倒装LED芯片分别在带有粘性的高温柔性基膜上排列成阵列，形成分档芯片阵列；

根据所述分档芯片阵列中所含的不同波长的芯片，选择不同激发波长的荧光粉配置荧光胶，对所述分档芯片阵列进行喷涂或压膜封装。

2.根据权利要求1所述制作CSP芯片的模注方法，其特征在于，

对所述封装胶进行烘烤、固化时，烘烤的温度为50℃-80℃，烘烤的时间为1h，固化的温度为150℃，固化的时间为4h。

3.根据权利要求1所述制作CSP芯片的模注方法，其特征在于，

所述封装胶，包括：LED荧光胶，注胶时下基板，温度为50℃-80℃。