JP2002237550A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームに着設した半導体チップをモ
ールド樹脂でモールディングすることにより密封封止さ
れて形成される半導体装置であって、リードフレームの
一部をモールド樹脂より露出させながらモールドすべ
く、露出されるリードフレームの露出面をモールド金型
に当接させながらモールド樹脂のモールディングを行う
半導体装置のリードフレームにおいて、モールド樹脂よ
り露出した露出面部分に、樹脂バリが生起されることの
少ない半導体装置を提供する。 【解決手段】 露出面の周縁に段差部5を設けることに
より露出面部分を突出させ、同段差部5部分にモールド
樹脂4を重合させるようにする。
ールド樹脂でモールディングすることにより密封封止さ
れて形成される半導体装置であって、リードフレームの
一部をモールド樹脂より露出させながらモールドすべ
く、露出されるリードフレームの露出面をモールド金型
に当接させながらモールド樹脂のモールディングを行う
半導体装置のリードフレームにおいて、モールド樹脂よ
り露出した露出面部分に、樹脂バリが生起されることの
少ない半導体装置を提供する。 【解決手段】 露出面の周縁に段差部5を設けることに
より露出面部分を突出させ、同段差部5部分にモールド
樹脂4を重合させるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アイランドを設け
たリードフレームに半導体チップを配設し、モールド樹
脂によってモールディングを行うことによって同半導体
チップを密封封止して製造される半導体装置に関するも
のである。
たリードフレームに半導体チップを配設し、モールド樹
脂によってモールディングを行うことによって同半導体
チップを密封封止して製造される半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＱＦＰ(Quad Flatpack Package)
あるいはＳＯＰ(Small Outline Package)などのような
半導体装置では、リードフレームの略中央に半導体チッ
プを取着するアイランドを設け、同アイランドの上面に
半導体チップを着設し、半導体チップの各電極とリード
フレームの各リードとを金属製のワイヤなどでそれぞれ
電気的に接続した後、モールド樹脂によって半導体チッ
プを密封封止するようにしている。
あるいはＳＯＰ(Small Outline Package)などのような
半導体装置では、リードフレームの略中央に半導体チッ
プを取着するアイランドを設け、同アイランドの上面に
半導体チップを着設し、半導体チップの各電極とリード
フレームの各リードとを金属製のワイヤなどでそれぞれ
電気的に接続した後、モールド樹脂によって半導体チッ
プを密封封止するようにしている。
【０００３】このような半導体装置のうち、密封封止さ
れる半導体チップの発熱量が多い場合には、アイランド
を放熱板とみなし、同アイランドの下面をモールド樹脂
から露出させながらモールディングを行い、放熱性を高
めることができるようにしている。
れる半導体チップの発熱量が多い場合には、アイランド
を放熱板とみなし、同アイランドの下面をモールド樹脂
から露出させながらモールディングを行い、放熱性を高
めることができるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アイランドの
下面を露出させてモールディングを行う場合、図９に示
すようにアイランド11の下面を下部モールド金型12に当
接させてモールディングが行われるが、このときにアイ
ランド11の下面全体を隙間なく下部モールド金型12に当
接させることは困難であるため、アイランド11の下面と
下部モールド金型12との間には僅かながらの隙間が生じ
ており、半導体チップC'をモールディングするためにモ
ールド樹脂13を圧入した際に、その隙間部分にモールド
樹脂13が浸入し、図１０に示すように、アイランド11の
下面に樹脂バリ14が生起されるという問題があった。従
って、生起された樹脂バリ14の除去という新たな作業が
必要であった。ちなみに、図９中の符号15は上部モール
ド金型、符号16は半導体チップC'の電極とリード17とを
接続する金属製ワイヤである。
下面を露出させてモールディングを行う場合、図９に示
すようにアイランド11の下面を下部モールド金型12に当
接させてモールディングが行われるが、このときにアイ
ランド11の下面全体を隙間なく下部モールド金型12に当
接させることは困難であるため、アイランド11の下面と
下部モールド金型12との間には僅かながらの隙間が生じ
ており、半導体チップC'をモールディングするためにモ
ールド樹脂13を圧入した際に、その隙間部分にモールド
樹脂13が浸入し、図１０に示すように、アイランド11の
下面に樹脂バリ14が生起されるという問題があった。従
って、生起された樹脂バリ14の除去という新たな作業が
必要であった。ちなみに、図９中の符号15は上部モール
ド金型、符号16は半導体チップC'の電極とリード17とを
接続する金属製ワイヤである。
【０００５】特に、この樹脂バリ14の除去処理は困難な
作業であり、除去作業中にアイランド11の裏面を傷つけ
るなどして後工程でのメッキ処理における処理不良の原
因を生起したり、製品の信頼性を低下させる要因となっ
たりするという問題があった。
作業であり、除去作業中にアイランド11の裏面を傷つけ
るなどして後工程でのメッキ処理における処理不良の原
因を生起したり、製品の信頼性を低下させる要因となっ
たりするという問題があった。
【０００６】さらに、アイランド11とモールド樹脂13と
の密着性がよくない場合に、樹脂バリ14の除去作業中に
生起される応力によって、アイランド11に密着していた
モールド樹脂13がアイランド11から剥離しやすくなり、
アイランド11とモールド樹脂13との界面に沿って隙間が
生じるという問題があった。特に、アイランドの断面形
状は、通常、図１０に示すように略矩形状あるいは略台
形状となっているために、アイランド11の側面11bから
アイランド11の上面の半導体チップC'までの経路が短
く、アイランド11とモールド樹脂13との界面に生起され
た隙間に沿って後工程でのメッキ処理における水分が半
導体チップC'にまで達し、半導体装置の電気特性及び信
頼性が低下するという問題があった。
の密着性がよくない場合に、樹脂バリ14の除去作業中に
生起される応力によって、アイランド11に密着していた
モールド樹脂13がアイランド11から剥離しやすくなり、
アイランド11とモールド樹脂13との界面に沿って隙間が
生じるという問題があった。特に、アイランドの断面形
状は、通常、図１０に示すように略矩形状あるいは略台
形状となっているために、アイランド11の側面11bから
アイランド11の上面の半導体チップC'までの経路が短
く、アイランド11とモールド樹脂13との界面に生起され
た隙間に沿って後工程でのメッキ処理における水分が半
導体チップC'にまで達し、半導体装置の電気特性及び信
頼性が低下するという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明では、リードフレームに着設した半導体チ
ップをモールド樹脂でモールディングすることにより密
封封止されて形成される半導体装置であって、リードフ
レームの一部をモールド樹脂より露出させながらモール
ドすべく、露出されるリードフレームの露出面をモール
ド金型に当接させながらモールド樹脂のモールディング
を行う半導体装置のリードフレームにおいて、露出面の
周縁に段差部を設けることにより露出面部分を突出さ
せ、同段差部部分にモールド樹脂を重合させるようにし
た。
めに、本発明では、リードフレームに着設した半導体チ
ップをモールド樹脂でモールディングすることにより密
封封止されて形成される半導体装置であって、リードフ
レームの一部をモールド樹脂より露出させながらモール
ドすべく、露出されるリードフレームの露出面をモール
ド金型に当接させながらモールド樹脂のモールディング
を行う半導体装置のリードフレームにおいて、露出面の
周縁に段差部を設けることにより露出面部分を突出さ
せ、同段差部部分にモールド樹脂を重合させるようにし
た。
【０００８】さらに、段差部は底面壁と側面壁とによっ
て構成し、底面壁にモールド樹脂溜まり溝を刻設するよ
うにした。
て構成し、底面壁にモールド樹脂溜まり溝を刻設するよ
うにした。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のリードフレームは、半導
体チップを着設するアイランドの下面をモールド樹脂か
ら露出させながらモールディングしたり、あるいは、Ｓ
ＯＮ(Small Outline Non-leaded package)やＱＦＮ(Qua
d Flatpack Non-leaded package)などのように外部接続
端子となるリードの下面をモールド樹脂の下面と略同一
となるように露出させながらモールディングしたりする
半導体装置において、アイランド下面あるいはリード下
面の露出面の周縁に底面壁と側面壁とからなる段差部を
設けることによって、露出面部分を突出させているもの
である。
体チップを着設するアイランドの下面をモールド樹脂か
ら露出させながらモールディングしたり、あるいは、Ｓ
ＯＮ(Small Outline Non-leaded package)やＱＦＮ(Qua
d Flatpack Non-leaded package)などのように外部接続
端子となるリードの下面をモールド樹脂の下面と略同一
となるように露出させながらモールディングしたりする
半導体装置において、アイランド下面あるいはリード下
面の露出面の周縁に底面壁と側面壁とからなる段差部を
設けることによって、露出面部分を突出させているもの
である。
【００１０】従って、モールド樹脂で半導体チップをモ
ールディングすべくリードフレームを上部モールド金型
と下部モールド金型とで挟持した際に、露出面は下部モ
ールド金型の上面と当接する一方で段差部部分には空間
が形成され、モールド樹脂の注入にともなってその空間
部分にまでモールド樹脂が注入されることにより、アイ
ランド下面あるいはリード下面に設けた段差部部分に、
モールド樹脂が重合されるようにしている。
ールディングすべくリードフレームを上部モールド金型
と下部モールド金型とで挟持した際に、露出面は下部モ
ールド金型の上面と当接する一方で段差部部分には空間
が形成され、モールド樹脂の注入にともなってその空間
部分にまでモールド樹脂が注入されることにより、アイ
ランド下面あるいはリード下面に設けた段差部部分に、
モールド樹脂が重合されるようにしている。
【００１１】露出面の周縁にモールド樹脂が重合される
段差部を設けたことにより、モールド樹脂の注入を行っ
た際に段差部部分にモールド樹脂が注入されると、モー
ルド樹脂の粘性が高く、かつ、狭小な空間に同モールド
樹脂が入り込むこととなるので、段差部部分に注入され
たモールド樹脂自体が、注入時にモールド樹脂に加えら
れている圧力の緩衝材として作用するようになり、下部
モールド金型と露出面との隙間にモールド樹脂が浸入す
る作用を抑制することができる。従って、樹脂バリの発
生を抑制することができる。
段差部を設けたことにより、モールド樹脂の注入を行っ
た際に段差部部分にモールド樹脂が注入されると、モー
ルド樹脂の粘性が高く、かつ、狭小な空間に同モールド
樹脂が入り込むこととなるので、段差部部分に注入され
たモールド樹脂自体が、注入時にモールド樹脂に加えら
れている圧力の緩衝材として作用するようになり、下部
モールド金型と露出面との隙間にモールド樹脂が浸入す
る作用を抑制することができる。従って、樹脂バリの発
生を抑制することができる。
【００１２】また、露出面の周縁に段差部を設けたこと
により、下部モールド金型と当接するアイランドあるい
はリードの下部モールド金型との接触面となる露出面の
面積を小さくすることができるので、アイランドあるい
はリードが露出面によって下部モールド金型の上面を押
下する単位面積当たりの力を相対的に大きくすることが
でき、露出面と下部モールド金型間に生じる隙間を小さ
くすることもできる。
により、下部モールド金型と当接するアイランドあるい
はリードの下部モールド金型との接触面となる露出面の
面積を小さくすることができるので、アイランドあるい
はリードが露出面によって下部モールド金型の上面を押
下する単位面積当たりの力を相対的に大きくすることが
でき、露出面と下部モールド金型間に生じる隙間を小さ
くすることもできる。
【００１３】さらに、リードフレームは、通常、剪断加
工用金型による剪断によって成形されているため、剪断
の際にリードフレームには剪断応力にともなうリードフ
レームの厚み方向の変形が生じ、この変形が下部モール
ド金型に露出面を当接させた際の隙間の一因となってい
るが、露出面の周縁に段差部が形成されることによっ
て、アイランドあるいはリードの変形の大きい周縁部分
が下部モールド金型に当接することがなく、下部モール
ド金型に当接することになる露出面の相対的な扁平度を
高めることができる。従って、露出面と下部モールド金
型間に生じる隙間を小さくすることができる。
工用金型による剪断によって成形されているため、剪断
の際にリードフレームには剪断応力にともなうリードフ
レームの厚み方向の変形が生じ、この変形が下部モール
ド金型に露出面を当接させた際の隙間の一因となってい
るが、露出面の周縁に段差部が形成されることによっ
て、アイランドあるいはリードの変形の大きい周縁部分
が下部モールド金型に当接することがなく、下部モール
ド金型に当接することになる露出面の相対的な扁平度を
高めることができる。従って、露出面と下部モールド金
型間に生じる隙間を小さくすることができる。
【００１４】すなわち、以上のような複数の効果の相乗
効果によって、下部モールド金型と露出面との隙間にモ
ールド樹脂が浸入する作用を抑制することができ、樹脂
バリの発生を抑制することができる。
効果によって、下部モールド金型と露出面との隙間にモ
ールド樹脂が浸入する作用を抑制することができ、樹脂
バリの発生を抑制することができる。
【００１５】また、露出面の周縁に設けた段差部の底面
壁に、モールド樹脂溜まり溝を刻設している。モールド
樹脂溜まり溝を設けることによって段差部において重合
状態となるモールド樹脂の量を多くすることができ、モ
ールド樹脂に加えられた注入の圧力の緩衝作用を高める
ことができるので、下部モールド金型と露出面との隙間
にモールド樹脂が浸入する作用を抑制することができ、
樹脂バリの発生を抑制することができる。
壁に、モールド樹脂溜まり溝を刻設している。モールド
樹脂溜まり溝を設けることによって段差部において重合
状態となるモールド樹脂の量を多くすることができ、モ
ールド樹脂に加えられた注入の圧力の緩衝作用を高める
ことができるので、下部モールド金型と露出面との隙間
にモールド樹脂が浸入する作用を抑制することができ、
樹脂バリの発生を抑制することができる。
【００１６】特に、モールド樹脂溜まり溝を側面壁近傍
に、側面壁に沿って設けることにより、側面壁近傍での
緩衝作用を高めることができ、下部モールド金型と露出
面との隙間へのモールド樹脂の浸入を抑制する効果をさ
らに高めることができる。
に、側面壁に沿って設けることにより、側面壁近傍での
緩衝作用を高めることができ、下部モールド金型と露出
面との隙間へのモールド樹脂の浸入を抑制する効果をさ
らに高めることができる。
【００１７】以下において、図面に基づいて実施例を示
しながらさらに詳説する。
しながらさらに詳説する。
【００１８】
【実施例】図１は、第１実施例のリードフレームR1を用
いた半導体装置A1の縦断面図であり、図２は、同半導体
装置A1の底面図である。符号１は半導体チップＣが着設
されるアイランドであり、符号２はリードである。アイ
ランド１は、通常、図２に示すように、半導体チップＣ
の外形に合わせて略矩形状としている。また、符号３
は、半導体チップＣの電極とリードとを電気的に接続す
るための金属製ワイヤであり、通常、金ワイヤまたはア
ルミワイヤが使用されている。そしてアイランド１の上
面にダイ付け剤などを用いて半導体チップＣをダイ付け
し、金属製ワイヤ３によるワイヤボンディングを行った
後、モールド樹脂４によりモールディングを行うことに
よって、半導体チップＣを密封封止するようにしてい
る。その後、モールド樹脂より露出したリード２あるい
はアイランド１の下面の露出面1aに所用のメッキを施
し、次いで、リード２を所用の長さに切りそろえ、か
つ、所用の形状に折り曲げ加工を行うことによって半導
体装置となるようにしている。
いた半導体装置A1の縦断面図であり、図２は、同半導体
装置A1の底面図である。符号１は半導体チップＣが着設
されるアイランドであり、符号２はリードである。アイ
ランド１は、通常、図２に示すように、半導体チップＣ
の外形に合わせて略矩形状としている。また、符号３
は、半導体チップＣの電極とリードとを電気的に接続す
るための金属製ワイヤであり、通常、金ワイヤまたはア
ルミワイヤが使用されている。そしてアイランド１の上
面にダイ付け剤などを用いて半導体チップＣをダイ付け
し、金属製ワイヤ３によるワイヤボンディングを行った
後、モールド樹脂４によりモールディングを行うことに
よって、半導体チップＣを密封封止するようにしてい
る。その後、モールド樹脂より露出したリード２あるい
はアイランド１の下面の露出面1aに所用のメッキを施
し、次いで、リード２を所用の長さに切りそろえ、か
つ、所用の形状に折り曲げ加工を行うことによって半導
体装置となるようにしている。
【００１９】アイランド１の下面には、アイランド１の
周縁に沿って段差部５を設け、モールド樹脂から露出す
るアイランド１下面の露出面1a部分が突出状となるよう
にしている。すなわち、アイランド１の下面と略平行と
なるように、アイランド１の周縁に沿って底面壁5aを設
けるとともに、アイランド１の側面1bと略平行となる側
面壁5bを設けることにより、段差部５を構成するように
している。従って、露出面1aの周縁に段差部５が形成さ
れることとなっている。
周縁に沿って段差部５を設け、モールド樹脂から露出す
るアイランド１下面の露出面1a部分が突出状となるよう
にしている。すなわち、アイランド１の下面と略平行と
なるように、アイランド１の周縁に沿って底面壁5aを設
けるとともに、アイランド１の側面1bと略平行となる側
面壁5bを設けることにより、段差部５を構成するように
している。従って、露出面1aの周縁に段差部５が形成さ
れることとなっている。
【００２０】なお、本実施例では、底面壁5aと下部モー
ルド金型の上面との間隔が、0.04〜0.1mmとなるように
している。段差部５は、切削加工によって形成したり、
薬品によるエッチング処理によって形成したりすること
ができ、あるいは、段差部５部分のみを圧延することに
よって形成することもできる。または、段差部５を凹設
するのではなく、逆に、アイランド１の下面に露出面1a
となる金属板を着設することによって相対的に段差部５
を設けるようにしてもよい。
ルド金型の上面との間隔が、0.04〜0.1mmとなるように
している。段差部５は、切削加工によって形成したり、
薬品によるエッチング処理によって形成したりすること
ができ、あるいは、段差部５部分のみを圧延することに
よって形成することもできる。または、段差部５を凹設
するのではなく、逆に、アイランド１の下面に露出面1a
となる金属板を着設することによって相対的に段差部５
を設けるようにしてもよい。
【００２１】アイランド１の周縁に沿って段差部５を設
けたことによって、同アイランド１に着設した半導体チ
ップＣをモールド樹脂４でモールディングするために、
アイランド１下面の露出面1aを下部モールド金型の上面
に当接させた際に、段差部５部分に側面壁5b分の高さを
有する扁平な空間を形成することができる。
けたことによって、同アイランド１に着設した半導体チ
ップＣをモールド樹脂４でモールディングするために、
アイランド１下面の露出面1aを下部モールド金型の上面
に当接させた際に、段差部５部分に側面壁5b分の高さを
有する扁平な空間を形成することができる。
【００２２】そして、上部モールド金型と下部モールド
金型とによって構成されるモールド空間内にモールド樹
脂４を注入することによって、段差部５によって形成さ
れている空間部分にまでモールド樹脂４が注入され、段
差部５に重合したモールド樹脂重合部６を形成すること
ができるようにしている。
金型とによって構成されるモールド空間内にモールド樹
脂４を注入することによって、段差部５によって形成さ
れている空間部分にまでモールド樹脂４が注入され、段
差部５に重合したモールド樹脂重合部６を形成すること
ができるようにしている。
【００２３】特に、段差部５部分によって下部モールド
金型との間に形成される空間は、薄い扁平な空間となっ
ているので、上述したように、モールド樹脂重合部６と
なるべく同空間内に注入されているモールド樹脂４自体
が、注入の際に加えられている圧力に対する緩衝材とし
て作用することとなり、下部モールド金型と露出面1aと
の隙間にまでモールド樹脂４が浸入する作用を抑制する
ことができる。
金型との間に形成される空間は、薄い扁平な空間となっ
ているので、上述したように、モールド樹脂重合部６と
なるべく同空間内に注入されているモールド樹脂４自体
が、注入の際に加えられている圧力に対する緩衝材とし
て作用することとなり、下部モールド金型と露出面1aと
の隙間にまでモールド樹脂４が浸入する作用を抑制する
ことができる。
【００２４】また、モールド樹脂重合部６が形成される
ことによって、同モールド樹脂重合部６がアイランド１
を係止する係止爪としても機能することとなり、アイラ
ンド１とモールド樹脂４との密着性を高めることができ
る。
ことによって、同モールド樹脂重合部６がアイランド１
を係止する係止爪としても機能することとなり、アイラ
ンド１とモールド樹脂４との密着性を高めることができ
る。
【００２５】さらに、モールド樹脂重合部６が形成され
ることにより、モールド樹脂４がアイランド１側縁を巻
き包むように配設されて、アイランド１下面側の底面壁
5a部分にも新たなモールド樹脂４との界面が形成される
ため、界面に沿って生起される剥離の伸延方向が途中で
数回も折曲されることになっているので、剥離が生起さ
れたとしても半導体チップＣにまで達することを防止す
ることができる。従って、後工程でのメッキ処理におけ
る水分が半導体チップＣまで達することを防止すること
ができ、半導体装置の電気特性及び信頼性が低下するこ
とを防止することができる。
ることにより、モールド樹脂４がアイランド１側縁を巻
き包むように配設されて、アイランド１下面側の底面壁
5a部分にも新たなモールド樹脂４との界面が形成される
ため、界面に沿って生起される剥離の伸延方向が途中で
数回も折曲されることになっているので、剥離が生起さ
れたとしても半導体チップＣにまで達することを防止す
ることができる。従って、後工程でのメッキ処理におけ
る水分が半導体チップＣまで達することを防止すること
ができ、半導体装置の電気特性及び信頼性が低下するこ
とを防止することができる。
【００２６】本実施例では、図２に示すように、露出面
1aはアイランド１の形状に相似した略矩形状となるよう
に段差部５を形成しているが、略矩形状に限定するもの
ではなく、略円形状や略多角形状となるようにしてもよ
い。
1aはアイランド１の形状に相似した略矩形状となるよう
に段差部５を形成しているが、略矩形状に限定するもの
ではなく、略円形状や略多角形状となるようにしてもよ
い。
【００２７】図３は、第２実施例のリードフレームR2を
用いた半導体装置A2の縦断面図であり、図４は、同半導
体装置A2の底面図である。第２実施例のリードフレーム
R2では、第１実施例のリードフレームR1において、底面
壁5aに、側面壁5bに沿ってモールド樹脂溜まり溝７を設
けているものである。
用いた半導体装置A2の縦断面図であり、図４は、同半導
体装置A2の底面図である。第２実施例のリードフレーム
R2では、第１実施例のリードフレームR1において、底面
壁5aに、側面壁5bに沿ってモールド樹脂溜まり溝７を設
けているものである。
【００２８】底面壁5aにモールド樹脂溜まり溝７を刻設
することによって、段差部５により形成される空間に注
入されるモールド樹脂４の量を増量することができる。
特に、側面壁5b寄りにモールド樹脂溜まり溝７を設ける
ことにより、モールド樹脂４は、底面壁5aと下部モール
ド金型の上面とで挟まれた厚みの薄い空間の間を通った
後、モールド樹脂溜まり溝７の分だけ広くなった空間に
達することとなり、同空間に注入されたモールド樹脂４
の緩衝材としての作用を高めることができる。
することによって、段差部５により形成される空間に注
入されるモールド樹脂４の量を増量することができる。
特に、側面壁5b寄りにモールド樹脂溜まり溝７を設ける
ことにより、モールド樹脂４は、底面壁5aと下部モール
ド金型の上面とで挟まれた厚みの薄い空間の間を通った
後、モールド樹脂溜まり溝７の分だけ広くなった空間に
達することとなり、同空間に注入されたモールド樹脂４
の緩衝材としての作用を高めることができる。
【００２９】すなわち、注入の圧力によって、モールド
樹脂溜まり溝７部分のモールド樹脂４を収縮させること
による緩衝作用を利用することにより、下部モールド金
型と露出面1aとの隙間にモールド樹脂４が浸入する作用
を抑制することができる。なお、本実施例では、モール
ド樹脂溜まり溝７の溝の深さは、0.04〜0.1mmとしてい
る。
樹脂溜まり溝７部分のモールド樹脂４を収縮させること
による緩衝作用を利用することにより、下部モールド金
型と露出面1aとの隙間にモールド樹脂４が浸入する作用
を抑制することができる。なお、本実施例では、モール
ド樹脂溜まり溝７の溝の深さは、0.04〜0.1mmとしてい
る。
【００３０】また、モールド樹脂溜まり溝７を設けたこ
とにより、同モールド樹脂溜まり溝７で硬化したモール
ド樹脂４がモールド樹脂溜まり溝７に係合した係止爪と
して機能することとなり、アイランド１とモールド樹脂
４との密着性をさらに高めることができる。
とにより、同モールド樹脂溜まり溝７で硬化したモール
ド樹脂４がモールド樹脂溜まり溝７に係合した係止爪と
して機能することとなり、アイランド１とモールド樹脂
４との密着性をさらに高めることができる。
【００３１】図５は、第３実施例のリードフレームR3を
用いたＱＦＮタイプの半導体装置A3の縦断面図であり、
図６は、同半導体装置A3の底面図である。第３実施例の
リードフレームR3では、図５に示すようにアイランド１
をモールド樹脂４より露出させず、リード２の下面側を
モールド樹脂と略同一に露出させ、露出した露出面2a部
分を外部接続端子としているものである。
用いたＱＦＮタイプの半導体装置A3の縦断面図であり、
図６は、同半導体装置A3の底面図である。第３実施例の
リードフレームR3では、図５に示すようにアイランド１
をモールド樹脂４より露出させず、リード２の下面側を
モールド樹脂と略同一に露出させ、露出した露出面2a部
分を外部接続端子としているものである。
【００３２】そして、露出面2aの側縁には、リード２の
伸延方向に沿って、図６及び図７に示すように底面壁5a
と側面壁5bとからなる段差部５を設けている。図７は、
リード２部分の縦断面図である。
伸延方向に沿って、図６及び図７に示すように底面壁5a
と側面壁5bとからなる段差部５を設けている。図７は、
リード２部分の縦断面図である。
【００３３】段差部５を設けたことにより、上述した第
１実施例の場合と同様に、モールド樹脂４によるモール
ディングの際に、段差部５部分によって底面壁5aと下部
モールド金型との間に形成される空間に注入されるモー
ルド樹脂４自体が、注入の際にモールド樹脂４に加えら
れている圧力に対する緩衝材として作用することとな
り、下部モールド金型と露出面2aとの隙間にまでモール
ド樹脂４が浸入する作用を抑制し、樹脂バリの生起を抑
制することができる。
１実施例の場合と同様に、モールド樹脂４によるモール
ディングの際に、段差部５部分によって底面壁5aと下部
モールド金型との間に形成される空間に注入されるモー
ルド樹脂４自体が、注入の際にモールド樹脂４に加えら
れている圧力に対する緩衝材として作用することとな
り、下部モールド金型と露出面2aとの隙間にまでモール
ド樹脂４が浸入する作用を抑制し、樹脂バリの生起を抑
制することができる。
【００３４】また、段差部５の底面壁5aと下部モールド
金型との間に注入されて固化したモールド樹脂４からな
るモールド樹脂重合部６が、リード２を係止する係止爪
としても機能することとなり、リード２とモールド樹脂
４との密着性を高めることができる。
金型との間に注入されて固化したモールド樹脂４からな
るモールド樹脂重合部６が、リード２を係止する係止爪
としても機能することとなり、リード２とモールド樹脂
４との密着性を高めることができる。
【００３５】さらに、上述した第２実施例と同様に、図
８に示すように、側面壁5bに沿って底面壁5aにモールド
樹脂溜まり溝７を設けるようにしてもよい。同モールド
樹脂溜まり溝７を設けることによって、上述したよう
に、底面壁5aと下部モールド金型の上面との間に注入さ
れ、モールド樹脂溜まり溝７部分に達したモールド樹脂
４の緩衝材としての作用を高めることができ、樹脂バリ
の生起をさらに抑制することができる。
８に示すように、側面壁5bに沿って底面壁5aにモールド
樹脂溜まり溝７を設けるようにしてもよい。同モールド
樹脂溜まり溝７を設けることによって、上述したよう
に、底面壁5aと下部モールド金型の上面との間に注入さ
れ、モールド樹脂溜まり溝７部分に達したモールド樹脂
４の緩衝材としての作用を高めることができ、樹脂バリ
の生起をさらに抑制することができる。
【００３６】また、モールド樹脂溜まり溝７を設けたこ
とにより、同モールド樹脂溜まり溝７内で硬化したモー
ルド樹脂４がモールド樹脂溜まり溝７に係合した係止爪
として機能することとなり、リード２とモールド樹脂４
との密着性をさらに高めることができる。
とにより、同モールド樹脂溜まり溝７内で硬化したモー
ルド樹脂４がモールド樹脂溜まり溝７に係合した係止爪
として機能することとなり、リード２とモールド樹脂４
との密着性をさらに高めることができる。
【００３７】
【発明の効果】請求項１記載の本発明によれば、露出面
の周縁に段差部を設けることにより露出面部分を突出さ
せ、同段差部部分にモールド樹脂を重合させるようにし
ていることにより、モールド樹脂のモールディングの際
に、段差部による厚みの薄くなった空間に注入されたモ
ールド樹脂自体が、注入の圧力に対する緩衝材として作
用することとなり、露出面と下部モールド金型との間に
モールド樹脂が浸入することを抑制して、樹脂バリの生
起を抑制することができる。
の周縁に段差部を設けることにより露出面部分を突出さ
せ、同段差部部分にモールド樹脂を重合させるようにし
ていることにより、モールド樹脂のモールディングの際
に、段差部による厚みの薄くなった空間に注入されたモ
ールド樹脂自体が、注入の圧力に対する緩衝材として作
用することとなり、露出面と下部モールド金型との間に
モールド樹脂が浸入することを抑制して、樹脂バリの生
起を抑制することができる。
【００３８】従って、樹脂バリの除去作業を容易とする
ことができるとともに、露出面に不要な傷を付けること
を防止することができ、製品の信頼性及び実装性の低下
を防止することができる。
ことができるとともに、露出面に不要な傷を付けること
を防止することができ、製品の信頼性及び実装性の低下
を防止することができる。
【００３９】また、段差部部分に重合させたモールド樹
脂が係止爪としての機能を有することによって、リード
フレームとモールド樹脂との密着性を向上させることが
でき、リードフレームとモールド樹脂との界面に生起さ
れる剥離の生起を抑制することができるので、電気的信
頼性が低下することを防止することができる。
脂が係止爪としての機能を有することによって、リード
フレームとモールド樹脂との密着性を向上させることが
でき、リードフレームとモールド樹脂との界面に生起さ
れる剥離の生起を抑制することができるので、電気的信
頼性が低下することを防止することができる。
【００４０】請求項２記載の本発明によれば、底面壁に
モールド樹脂溜まり溝を刻設していることによって、段
差部部分に注入されたモールド樹脂の緩衝材としての作
用を高めることができるとともに、モールド樹脂溜まり
溝７内で硬化したモールド樹脂４部分がモールド樹脂溜
まり溝７に係合した係止爪として機能することにより、
リード２とモールド樹脂４との密着性をさらに高めるこ
とができる。
モールド樹脂溜まり溝を刻設していることによって、段
差部部分に注入されたモールド樹脂の緩衝材としての作
用を高めることができるとともに、モールド樹脂溜まり
溝７内で硬化したモールド樹脂４部分がモールド樹脂溜
まり溝７に係合した係止爪として機能することにより、
リード２とモールド樹脂４との密着性をさらに高めるこ
とができる。
【図１】第１実施例の半導体装置の縦断面図である。
【図２】第１実施例の半導体装置の底面図である。
【図３】第２実施例の半導体装置の縦断面図である。
【図４】第２実施例の半導体装置の底面図である。
【図５】第３実施例の半導体装置の縦断面図である。
【図６】第３実施例の半導体装置の底面図である。
【図７】第３実施例の半導体装置のリード部分の縦断面
図である。
図である。
【図８】他の実施例のリード断面を示した縦断面図であ
る。
る。
【図９】従来の半導体装置のモールド工程を示した断面
図である。
図である。
【図１０】従来の半導体装置の断面図である。
R1,R2,R3 リードフレーム A1,A2,A3 半導体装置 Ｃ 半導体チップ １ アイランド 1a,2a 露出面 ２ リード ３ 金属製ワイヤ ４ モールド樹脂 ５ 段差部 5a 底面壁 5b 側面壁 ６ モールド樹脂重合部 ７ モールド樹脂溜まり溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２９Ｌ 9:00 Ｂ２９Ｌ 9:00 31:34 31:34
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームに着設した半導体チップ
(C)をモールド樹脂(4)でモールディングすることにより
密封封止されて形成される半導体装置であって、リード
フレームの一部をモールド樹脂(4)より露出させながら
モールドすべく、露出されるリードフレームの露出面を
モールド金型に当接させながらモールド樹脂(4)のモー
ルディングを行う半導体装置のリードフレームにおい
て、 露出面の周縁に段差部(5)を設けることにより露出面部
分を突出させ、同段差部(5)部分にモールド樹脂(4)を重
合させるようにしていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 段差部(5)は底面壁(5a)と側面壁(5b)と
によって構成し、底面壁(5a)にモールド樹脂溜まり溝
(7)を刻設していることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001031125A JP4520056B2 (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001031125A JP4520056B2 (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237550A true JP2002237550A (ja) | 2002-08-23 |
| JP4520056B2 JP4520056B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=18895254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001031125A Expired - Fee Related JP4520056B2 (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4520056B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159876A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013080767A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Rhythm Kyoshin Co Ltd | ヒートシンク |
| US11244889B2 (en) | 2019-04-01 | 2022-02-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117082A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH11260985A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JP2000307045A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Matsushita Electronics Industry Corp | リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2001015668A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体パッケージ |
-
2001
- 2001-02-07 JP JP2001031125A patent/JP4520056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117082A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH11260985A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JP2000307045A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Matsushita Electronics Industry Corp | リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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| JP2013080767A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Rhythm Kyoshin Co Ltd | ヒートシンク |
| US11244889B2 (en) | 2019-04-01 | 2022-02-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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|---|---|
| JP4520056B2 (ja) | 2010-08-04 |
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