JP2002368176A - 半導体電子部品のリードフレーム - Google Patents

半導体電子部品のリードフレーム

Info

Publication number
JP2002368176A
JP2002368176A JP2001176041A JP2001176041A JP2002368176A JP 2002368176 A JP2002368176 A JP 2002368176A JP 2001176041 A JP2001176041 A JP 2001176041A JP 2001176041 A JP2001176041 A JP 2001176041A JP 2002368176 A JP2002368176 A JP 2002368176A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
leads
semiconductor chip
mold
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001176041A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuya Nakae
勝也 中江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2001176041A priority Critical patent/JP2002368176A/ja
Priority to US10/164,529 priority patent/US6849931B2/en
Publication of JP2002368176A publication Critical patent/JP2002368176A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップを着設して半導体電子部品とす
るリードフレームであって、アイランドに半導体チップ
を着設し、同半導体チップの電極パッドとリードとを導
通手段で接続し、モールド樹脂で半導体チップを密封封
止することによりモールド樹脂による本体部を形成する
とともに、同本体部の下面にリードの下面を露出させて
実装基板への接合部としている半導体電子部品のリード
フレームにおいて、リード部分に樹脂バリが生起される
ことのないリードフレームを提供する。 【解決手段】 リードの側面にそれぞれモールド樹脂係
合溝を凹設し、リードの断面形状を横倒し略H字状とす
る。または、リードの断面形状を逆台形状として、リー
ドの上面を下面よりも幅広とする。さらに、リードの先
端に、リードの下面をリードの伸延方向に伸延させると
ともに、リードより薄肉とした押圧用伸延片を突設す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体電子部品のリ
ードフレーム形状に関するものであり、特に、QFN
(Quad Flatpack Non-leaded package)と呼ばれる半導
体電子部品に用いるリードフレームの形状に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、一方向に伸延した薄肉の金属板に
打抜き成形加工及びエッチング成形加工を施すことによ
り、半導体チップを着設するアイランドと、同アイラン
ドに着設される半導体チップの電極パッドと導通手段で
ある金属線によって接続されるリードとを形成してリー
ドフレームとしており、形成されたリードフレームのア
イランドにダイボンディング剤等を用いて半導体チップ
を着設し、同半導体チップの電極パッドと所用のリード
とを金やアルミなどの金属線を用いて電気的に接続し、
モールド樹脂によって半導体チップを密封封止するよう
にモールディングを行った後、同モールド樹脂により封
止された半導体チップ部分をリードフレームから分離す
べく、モールド樹脂からなる本体部から伸延しているリ
ードを所用の長さで切断し、半導体電子部品とするよう
にしている。
【0003】リードフレームからの分離後には、必要に
応じてリードの成形加工が行われ、また、実装基板に設
けられた接続端子に接続されるリードの接続面の部分に
所用のメッキ皮膜を配設するようにしている。
【0004】このようなリードフレームを用いて製造さ
れる半導体電子部品の中には、QFN(Quad Flatpack
Non-leaded package)と呼ばれる形態の半導体電子部品
が存在している。
【0005】このQFN半導体電子部品では、モールド
樹脂からなる略矩形状の本体部の下面側に、同下面と略
同一平面内にリードの下面を露出させるようにするとと
もに、本体部の外周に沿ってリードの切断を行うことに
より、本体部からリードが延出されないようにしてい
る。
【0006】これにより、QFN半導体電子部品の製品
寸法を、リードを本体部から延出させない分だけ小さく
することができ、実装基板の実装効率を高めることがで
きるようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなQ
FN半導体電子部品においては次のような問題があっ
た。すなわち、図4に模式的に示すように、半導体チッ
プcをモールド樹脂によって密封封止するモールディン
グ工程において、上金型10と下金型20とでリードフレー
ムを挟持しながらモールド樹脂の注入されるモールド空
間30を形成した際に、同モールド空間30内に挿入された
リード40の先端部分を下金型20の上面に当接させるよう
に押圧する押圧手段を設けることができず、かつ、上金
型10と下金型20とにより挟持されたリード40部分に作用
する挟持のための押圧力に起因する応力によってリード
40の先端部分が反り上がりやすくなり、リード40の下面
と下金型20の上面との間に隙間が生起され、生起された
隙間部分にもモールド空間内に注入されたモールド樹脂
が侵入して樹脂バリが生起されやすくなるという問題が
あった。
【0008】樹脂バリが生起されると、後工程のメッキ
工程において樹脂バリとリードの隙間にメッキ液や洗浄
液が残留しやすくなって、メッキ後にシミが生起される
原因となったり、あるいは、実装基板への実装時の実装
不良の原因となったりすることがあるため、樹脂バリの
除去作業を行わなければならず、製造コストが高騰する
原因ともなっていた。
【0009】なお、図4において、符号50は半導体チッ
プcの着設されるアイランド、符号60は半導体チップc
の電極パッドとリード40とを電気的に接続する金属線で
ある。
【0010】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、モ
ールディング工程において、モールド空間に圧入される
モールド樹脂の圧力を利用してリードの先端を下金型の
上面に当接させるようにした。
【0011】すなわち、半導体チップを着設するアイラ
ンドを設けるとともに、同アイランドに着設された半導
体チップの電極パッドと導通手段を介して接続されるリ
ードをアイランドの周縁に設けているリードフレームで
あって、アイランドに半導体チップを着設し、同半導体
チップの電極パッドとリードとを導通手段で接続し、モ
ールド樹脂で半導体チップを密封封止することによりモ
ールド樹脂による本体部を形成するとともに、同本体部
の下面にリードの下面を露出させて実装基板への接合部
としている半導体電子部品のリードフレームにおいて、
リードの側面にそれぞれモールド樹脂係合溝を凹設し、
リードの断面形状を横倒し略H字状とするようにした。
【0012】または、リードの断面形状を逆台形状とし
て、リードの上面を下面よりも幅広とするようにした。
【0013】さらに、リードの先端に、リードの下面を
リードの伸延方向に伸延させるとともに、リードより薄
肉とした押圧用伸延片を突設するようにした。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明のリードフレームでは、ア
イランドの周辺に配設され、下面を露出させながらモー
ルド樹脂に埋設されることとなるリードの側面にそれぞ
れモールド樹脂係合溝を凹設しておくようにしている。
同モールド樹脂係合溝を凹設することにより、リードの
断面形状は90°回転した横倒しの略H字状となるよう
にしている。
【0015】そして、モールド樹脂係合溝を設けたこと
により、モールド樹脂による半導体チップの密封封止を
行うモールディング工程において、上金型と下金型とに
より形成したモールド空間内に溶融したモールド樹脂を
圧入した際に、モールド樹脂係合溝部分にもモールド樹
脂が圧入されるとともに、圧入されたモールド樹脂がリ
ードを下方に押下するように作用して、リードの下面と
下金型の上面との間に隙間ができることを抑制し、樹脂
バリが生起されることを防止することができる。
【0016】すなわち、溶融したモールド樹脂を圧入す
べく加圧した際に、その圧力は静水圧となっているので
全ての方向に均等に圧力が作用する状態となる一方で、
厚肉のリード部分ではリード自体の塑性に起因する弾力
性が作用することにより、圧入にともなう圧力が圧肉の
リード部分においては相殺されやすくなっている。しか
し、モールド樹脂係合溝を設けてリードの下面側に薄肉
部分を形成していることにより、同薄肉部分においては
リードの下面を上方に押し上げる力が存在せず、かつ、
モールド樹脂に加えられた圧力を相殺する要因もないこ
とによって、モールド樹脂係合溝部分に注入されたモー
ルド樹脂の圧力によりリードを押下する力を生起するこ
とができる。
【0017】さらに、モールド樹脂係合溝をリード側面
に凹設していることにより、モールド樹脂の硬化後、モ
ールド樹脂とリードとを係合状態とすることができ、リ
ードとモールド樹脂との密着性を向上させることができ
る。
【0018】また、本発明のリードフレームでは、リー
ドの断面形状を横倒し略H字状とするのではなく逆台形
状として、リードの上面を下面よりも幅広とするように
してもよい。
【0019】リードの上面側を下面よりも幅広とするこ
とにより、モールド樹脂による半導体チップの密封封止
を行うモールディング工程において、上金型と下金型と
により形成されるモールド空間内に溶融したモールド樹
脂を圧入した際に、モールド樹脂自体が抵抗流体となっ
て大面積としたリードの上面の上方への移動を阻害する
ことにより、結果的にリードは確実に押下されてリード
の下面と下金型の上面との間に隙間ができることを抑制
し、樹脂バリが生起されることを防止することができ
る。
【0020】また、リードの断面形状を逆台形状として
リードの上面を下面よりも幅広としていることによっ
て、モールド樹脂の硬化後、リードがあたかもモールド
樹脂により形成された臍孔に嵌合された臍のような状態
となり、リードとモールド樹脂との密着性を向上させる
ことができる。
【0021】なお、リードの断面形状を逆台形状とする
加工は、断面形状を横倒し略H字状とする加工よりも行
いやすく、特に、挟ピッチでリードを配設した場合であ
っても確実に断面形状を逆台形状とすることができの
で、リードの配設間隔を挟ピッチとするQFN半導体電
子部品ではリードの断面形状を逆台形状とするほうが望
ましい。
【0022】上述した断面形状を横倒し略H字状とした
リード、及び、断面形状を逆台形状としたリードの先端
には、リードの下面をリードの伸延方向に伸延させると
ともに、リードより薄肉とした押圧用伸延片を突設する
ようにしている。
【0023】同押圧用伸延片を設けることによって、モ
ールド樹脂による半導体チップの密封封止を行うモール
ディング工程においてモールド樹脂を圧入した際に、同
押圧用伸延片が下金型表面と確実に密着して、樹脂バリ
が生起されることを防止することができる。
【0024】すなわち、通常、図4に示したように、リ
ードは先端部分において下金型上面から最も離隔しやす
いため、樹脂バリはリード先端部分において最も生起さ
れやすくなっているが、リードの先端部分を薄肉の押圧
用伸延片としていることにより同押圧用伸延片が撓みや
すく、モールド樹脂の圧入にともなって押圧用伸延片は
モールド樹脂に押下されて容易に撓みながら下金型の上
面と隙間なく密着することになる。従って、樹脂バリが
生起されることを防止することができるようになってい
る。
【0025】以下において、図面に基づいて実施例を示
しながらさらに詳説する。
【0026】
【実施例】図1は、本発明に係るリードフレームを用い
たQFN半導体電子部品Aの一部切欠斜視図であり、同
QFN半導体電子部品Aは、アイランド1と、リード2
とを配設したリードフレームにおいて、アイランド1に
半導体チップCを着設し、同半導体チップCの電極パッ
ドPと所用のリード2とを金属線、本実施例の場合には
金線3を用いてワイヤーボンディングし、その後、モー
ルド樹脂4で半導体チップC部分を密封封止して形成す
るようにしている。ここで、金線3を使用したワイヤー
ボンディングが、導通手段となるものである。
【0027】モールド樹脂4で半導体チップC部分を密
封封止する際に、半導体チップCを着設したリードフレ
ームを、本体部5を形成するためにモールド空間形成凹
部を設けた上金型と、リード2の下面が当接される下金
型とで挟持し、リード2の下面を下金型の上面に当接さ
せた状態でモールド樹脂4を上金型と下金型とで形成し
たモールド空間に圧入して本体部5の形成を行ってい
る。従って、本体部の下面側には、同下面と同一平面内
にリードの下面が露出された状態となる。
【0028】モールド樹脂4による本体部5の形成後、
本体部5より延出しているリード2を本体部5の側縁に
沿って切断することによりリードフレームから分離し、
次いで、リード2の下面側に実装基板の接続端子に接続
させるための半田メッキなどの接続用メッキ皮膜を形成
して、QFN半導体電子部品Aが完成する。なお、リー
ドフレームからの分離と、メッキ工程の順序が逆であっ
てもよい。なお、図1は、メッキ工程前のQFN半導体
電子部品Aを示している。
【0029】リード2は、図2に側面図と正面図で示す
ように、側面にそれぞれモールド樹脂係合溝2a,2aを凹
設し、リードの縦断面形状を、図2(b)に示すよう
に、横倒しとした略H字状とするようにしている。モー
ルド樹脂係合溝2a,2aを設けることによって、モールド
樹脂4で半導体チップC部分を密封封止する際に、圧入
したモールド樹脂4がモールド樹脂係合溝2a,2aにも圧
入されることによってリード2を下金型の方向に押下す
る力を生起することができ、リード2の下面と下金型の
上面との間に隙間が生起されることを抑制することがで
きる。
【0030】また、リード2の側面にそれぞれモールド
樹脂係合溝2a,2aを凹設したことにより、硬化したモー
ルド樹脂4とリード2とがモールド樹脂係合溝2a,2a部
分で係合状態となることにより、リード2とモールド樹
脂4との密着性を高めることができる。
【0031】さらに、リード2の先端に、リード2の下
面をリード2の伸延方向に伸延させるとともに、リード
2より薄肉とした押圧用伸延片2bを突設している。同押
圧用伸延片2bは、リード2と比較して薄肉としているこ
とにより撓みやすく、モールド樹脂4で半導体チップC
部分を密封封止する際に、モールド樹脂4の圧入にとも
なって押圧用伸延片2bは圧入されたモールド樹脂4に押
下されて容易に撓み、下金型の上面と隙間なく密着する
ことができる。従って、リード2の先端部分において樹
脂バリが生起されることを防止することができる。
【0032】また、リード2の先端部分が、圧入された
モールド樹脂4によって容易に下金型の上面に当接させ
られることにより、リード2全体の下面を下金型の上面
に当接させやすくすることができるので、リード2の先
端部分以外の部分においても樹脂バリが生起されること
を防止することができる。
【0033】さらに、押圧用伸延片2bを設けることによ
り、金線3によるワイヤーボンディング工程において、
リード2を支持する基台とリード2の下面との当接面積
を増やすことができるので、金線3とリード2との接合
時にリード2が変異したり、あるいは、捻れたりするこ
とがなく安定化させることができ、金線3とリード2と
の接合を確実に行うことができる。
【0034】なお、本実施例のリード2では、図2
(a)に示すように、リード2先端の押圧用伸延片2bと
の接続部分において、リード2先端を湾曲状に凹設して
先端凹設部2cを設けるようにしている。先端凹設部2cを
設けることによって、モールド樹脂係合溝2a,2aの部分
だけでなく、先端凹設部2c部分においてもモールド樹脂
4とリード2とを係合状態とすることができる。
【0035】図3は、他の実施例のリード2'の側面図と
正面図を示しているものであり、リード2'の断面形状を
逆台形状として、リード2'の上面を下面よりも幅広とし
ているものである。さらに、リード2 'の先端に、リー
ド2'の下面をリード2'の伸延方向に伸延させるととも
に、リード2'より薄肉とした押圧用伸延片2b'を突設し
ている。同押圧用伸延片2b'は、リード2'と比較して薄
肉としていることにより、上述したように、モールド樹
脂4で半導体チップC部分を密封封止する際に、モール
ド樹脂4の圧入にともなって押圧用伸延片2bは圧入され
たモールド樹脂4に押下されて容易に撓み、下金型の上
面と隙間なく密着することができる。従って、リード2
の先端部分において樹脂バリが生起されることを防止す
ることができる。
【0036】また、リード2 'の断面形状を逆台形状と
して、リード2'の上面を下面よりも幅広としていること
によって、モールド樹脂4で半導体チップC部分を密封
封止する際にモールド樹脂4で押下されやすくなってお
り、さらに、モールド樹脂の硬化後、リード2'があたか
もモールド樹脂により形成された臍孔に嵌合された臍の
ような状態となり、リード2'とモールド樹脂との密着性
を向上させることができる。
【0037】なお、本実施例のリード2'では、図3
(a)に示すように、リード2'先端の押圧用伸延片2b'
との接続部分において、リード2'先端を略円弧状状に凹
設して先端湾曲部2c'を設けるようにしている。先端湾
曲部2c'を設けることによって、モールド樹脂4で半導
体チップC部分を密封封止する際に、圧入されたモール
ド樹脂4によって速やかに押圧用伸延片2b'を押圧する
ことができ、押圧用伸延片2b'の下面と下金型の上面と
の間にモールド樹脂が侵入する前に押圧用伸延片2b'の
下面を下金型の上面に当接させることができる。従っ
て、樹脂バリの生起を抑制することができる。
【0038】
【発明の効果】請求項1記載の本発明によれば、リード
の側面にそれぞれモールド樹脂係合溝を凹設し、リード
の断面形状を横倒し略H字状としていることによって、
モールド樹脂で半導体チップ部分を密封封止する際に、
圧入したモールド樹脂がモールド樹脂係合溝にも圧入さ
れることによってリードを下金型の方向に押下する力を
生起することができ、リードの下面と下金型の上面との
間に隙間が生起されることを抑制することができる。従
って、樹脂バリの生起を防止することができる。さら
に、モールド樹脂の硬化後、硬化したモールド樹脂とリ
ードとがモールド樹脂係合溝部分で係合状態となること
によって、モールド樹脂とリードとの密着性を向上させ
ることができる。
【0039】請求項2記載の本発明によれば、リードの
断面形状を逆台形状として、リードの上面を下面よりも
幅広としていることによって、モールド樹脂で半導体チ
ップ部分を密封封止する際に、圧入したモールド樹脂自
体が抵抗流体となって大面積としたリードの上面の上方
への移動を阻害することにより、結果的にリードは確実
に押下されてリードの下面と下金型の上面との間に隙間
ができることを抑制することができる。従って、樹脂バ
リの生起を防止することができる。さらに、モールド樹
脂の硬化後、リードがあたかもモールド樹脂により形成
された臍孔に嵌合された臍のような状態となり、リード
とモールド樹脂との密着性を向上させることができる。
【0040】請求項3記載の本発明によれば、リードの
先端に、リードの下面をリードの伸延方向に伸延させる
とともに、リードより薄肉とした押圧用伸延片を突設し
ていることによって、モールド樹脂で半導体チップ部分
を密封封止する際に、モールド樹脂の圧入にともなって
押圧用伸延片は圧入されたモールド樹脂に押下されて容
易に撓み、下金型の上面と隙間なく密着することができ
る。従って、リードの先端部分において樹脂バリが生起
されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るリードフレームを用いたQFN半
導体電子部品の一部切欠斜視図である。
【図2】(a)本発明に係るリードフレームの側面図、
(b)同リードフレームの正面図である。
【図3】(a)本発明に係るリードフレームの側面図、
(b)同リードフレームの正面図である。
【図4】従来のモールド樹脂の圧入状態を説明する説明
図である。
【符号の説明】
A QFN半導体電子部品 C 半導体チップ P 電極パッド 1 アイランド 2 リード 2a モールド樹脂係合溝 2b 押圧用伸延片 2c 先端凹設部 3 金線 4 モールド樹脂 5 本体部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを着設するアイランドを設
    けるとともに、同アイランドに着設された半導体チップ
    の電極パッドと導通手段を介して接続されるリードをア
    イランドの周縁に設けているリードフレームであって、 アイランドに半導体チップを着設し、同半導体チップの
    電極パッドとリードとを導通手段で接続し、モールド樹
    脂で半導体チップを密封封止することによりモールド樹
    脂による本体部を形成するとともに、同本体部の下面に
    リードの下面を露出させて実装基板への接合部としてい
    る半導体電子部品のリードフレームにおいて、 リードの側面にそれぞれモールド樹脂係合溝を凹設し、
    リードの断面形状を横倒し略H字状としていることを特
    徴とする半導体電子部品のリードフレーム。
  2. 【請求項2】 半導体チップを着設するアイランドを設
    けるとともに、同アイランドに着設された半導体チップ
    の電極パッドと導通手段を介して接続されるリードをア
    イランドの周縁に設けているリードフレームであって、 アイランドに半導体チップを着設し、同半導体チップの
    電極パッドとリードとを導通手段で接続し、モールド樹
    脂で半導体チップを密封封止することによりモールド樹
    脂による本体部を形成するとともに、本体部の下面にリ
    ードの下面を露出させて実装基板への接合部としている
    半導体電子部品のリードフレームにおいて、 リードの断面形状を逆台形状として、リードの上面を下
    面よりも幅広としていることを特徴とする半導体電子部
    品のリードフレーム。
  3. 【請求項3】 リードの先端に、リードの下面をリード
    の伸延方向に伸延させるとともに、リードより薄肉とし
    た押圧用伸延片を突設していることを特徴とする請求項
    1または請求項2記載の半導体電子部品のリードフレー
    ム。
JP2001176041A 2001-06-11 2001-06-11 半導体電子部品のリードフレーム Pending JP2002368176A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001176041A JP2002368176A (ja) 2001-06-11 2001-06-11 半導体電子部品のリードフレーム
US10/164,529 US6849931B2 (en) 2001-06-11 2002-06-07 Lead frame

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001176041A JP2002368176A (ja) 2001-06-11 2001-06-11 半導体電子部品のリードフレーム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002368176A true JP2002368176A (ja) 2002-12-20

Family

ID=19017086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001176041A Pending JP2002368176A (ja) 2001-06-11 2001-06-11 半導体電子部品のリードフレーム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6849931B2 (ja)
JP (1) JP2002368176A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821820B2 (en) 2002-03-04 2004-11-23 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame manufacturing method
JP2011222598A (ja) * 2010-04-05 2011-11-04 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 磁性体基板の製造方法、磁性体基板、及び、電子回路モジュール

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030178707A1 (en) * 2002-03-21 2003-09-25 Abbott Donald C. Preplated stamped small outline no-lead leadframes having etched profiles
US6683370B1 (en) * 2003-04-15 2004-01-27 Motorola, Inc. Semiconductor component and method of manufacturing same
DE112004002603B4 (de) * 2004-01-07 2010-06-17 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Löten von Bauteilen auf Leiterplatten mittels Lotformteilen
TWI227051B (en) * 2004-04-09 2005-01-21 Airoha Tech Corp Exposed pad module integrated a passive device therein
CN100361293C (zh) * 2004-04-28 2008-01-09 络达科技股份有限公司 内含无源元件的外露式有源元件基座模块
JP4525277B2 (ja) * 2004-09-30 2010-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2006053277A2 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Chippac, Inc. Wire bond interconnection
US7868468B2 (en) * 2004-11-12 2011-01-11 Stats Chippac Ltd. Wire bonding structure and method that eliminates special wire bondable finish and reduces bonding pitch on substrates
US7731078B2 (en) * 2004-11-13 2010-06-08 Stats Chippac Ltd. Semiconductor system with fine pitch lead fingers
US8519517B2 (en) 2004-11-13 2013-08-27 Stats Chippac Ltd. Semiconductor system with fine pitch lead fingers and method of manufacturing thereof
US7507603B1 (en) * 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7701049B2 (en) * 2007-08-03 2010-04-20 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system for fine pitch substrates
US7973394B2 (en) * 2009-06-10 2011-07-05 Blondwich Limited Enhanced integrated circuit package
US8647966B2 (en) * 2011-06-09 2014-02-11 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for dicing die attach film on a semiconductor wafer
US11325828B2 (en) * 2013-02-22 2022-05-10 Vibrant Composites Inc. High-volume millimeter scale manufacturing
US9837359B1 (en) * 2016-09-30 2017-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated fan-out package and method of fabricating the same
JP6942615B2 (ja) * 2017-11-20 2021-09-29 株式会社Screenホールディングス 熱処理方法および熱処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575006A (ja) * 1991-09-18 1993-03-26 Fujitsu Ltd リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置
JPH08115989A (ja) * 1994-08-24 1996-05-07 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6548328B1 (en) * 2000-01-31 2003-04-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device and manufacturing method of circuit device
US6483178B1 (en) * 2000-07-14 2002-11-19 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor device package structure
US6734536B2 (en) * 2001-01-12 2004-05-11 Rohm Co., Ltd. Surface-mounting semiconductor device and method of making the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821820B2 (en) 2002-03-04 2004-11-23 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame manufacturing method
JP2011222598A (ja) * 2010-04-05 2011-11-04 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 磁性体基板の製造方法、磁性体基板、及び、電子回路モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US6849931B2 (en) 2005-02-01
US20020185713A1 (en) 2002-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002368176A (ja) 半導体電子部品のリードフレーム
JP3602453B2 (ja) 半導体装置
JP4066608B2 (ja) パッケージ成形体及びその製造方法
JP3793628B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2002223004A (ja) パッケージ成形体と発光装置
JP3046024B1 (ja) リ―ドフレ―ムおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2019121698A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2001298142A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2019102467A (ja) 半導体装置
JP5119092B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001257304A (ja) 半導体装置およびその実装方法
JP2002223002A (ja) パッケージ成形体と発光装置
KR20000035215A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JPS62198143A (ja) リ−ドフレ−ム
JP2002223003A (ja) パッケージ成形体とその製造方法及び発光装置
JP3153185B2 (ja) 半導体装置
JP2006229160A (ja) リードフレームおよび半導体パッケージ並びに半導体装置
JPH04276648A (ja) 電子部品製造用フレーム、およびこれを用いた電子部品製造方法、ならびにこの製造方法により製造された電子部品
JP2005158778A (ja) リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2002057265A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2012023204A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS61194861A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH11186447A (ja) 樹脂封止半導体装置、その製造方法及びその製造装置
JP2009004467A (ja) 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法
JP2924858B2 (ja) リードフレームとその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040826