JPH0430563A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 口産業上の利用分野］ 本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に
複数の半導体チップがリードフレームに搭載されるハイ
ブリッド構造の半導体集積回路装置に適用して有効な技
術に関する。

［従来の技術］ 従来、ハイブリッド構造の半導体集積回路装置として、
たとえばプラスチックパッケージの半導体集積回路装置
においては、日経ＢＰ社、平成１年１２月１日発行、「
日経マイクロデバイス・１９８９年１２月号ＪＰ３２〜
Ｐ４０なトノ文献ニ記載されるように、チップがポリイ
ミド樹脂などの基板上にベレット付けされ、この基板が
リードフレームのグイパッド上に接合される。さらに、
チップとリードフレームとが金属線によりワイヤボンデ
ィングされ、トランスファー成形によりレジンモールド
されてプラスチックパッケージに形成されるものがある
。

また、近年の実装密度の向上に伴う半導体集積回路装置
においては、チップの集積度を上げるために１つのパッ
ケージに複数のチップが収納され、基板に代えてポリイ
ミド樹脂系の接合用テープが用いられ、このテープ上に
複数のチップが接着され、さらにリードフレームのイン
ナーリードに接着される半導体集積回路装置が提案され
ている。

［発明が解決しようとする課題］ ところが、前記のテープを使用した従来技術においては
、パッケージ当りの集積度の向上によりテープの面積が
増大され、これに伴ってリードフレームのインナーリー
ドとテープとの接着強度が得られず、テープのたるみお
よびインナーリードからの剥離などが生じ易く、テープ
上からインナーリードにボンディングされる金属線に変
形などが発生されるという欠点がある。

従って、金属線の断線などによってチップとインナーリ
ードとの接続不良が発生し易いという問題がある。

そこで、本発明の目的は、リードフレームのインナーリ
ードとテープとの充分な接着強度が得られ、金属線の接
続不良の防止が可能とされるハイブリッド構造の半導体
集積回路装置を提供することにある。

本発明の前８己ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述右よび添付図面から明らかになるであろ
う。

口課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明の半導体集積回路装置は、複数の半導
体チップがリードフレームに搭載されるハイブリッド構
造の半導体集積回路装置であって、複数の半導体チップ
とリードフレームとが接着され、かつこれらの複数の半
導体チップのチップ電極およびリードフレームのインナ
ーリードに接続される接続配線が形成された接合用テー
プを備え、この接合用テープを介して複数の半導体チッ
プがリードフレームに搭載され、リードフレームのイン
ナーリードが半導体チップの搭載側に延長して形成され
るものである。

［作用コ 前記した半導体集積回路装置によれば、複数の半導体チ
ップが接合用テープにより接着されてリードフレームに
搭載される場合に、リードフレームのインナーリードが
半導体チップの搭載側に延長して形成されることにより
、接合用テープとリードフレームとの接着面積を大きく
することができるので、充分な接着強度を得ることがで
きる。

これにより、接合用テープとリードフレームとの確実な
接着が可能となり、接合用テープのたるみおよびインナ
ーリードからの剥離などを低減することができる。

口実絶倒］ 第１図は本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
要部を示す斜視図、第２図は本実施例の半導体集積回路
装置に用いられる接合用テープを示す詳細図、第３図は
本実施例の半導体集積回路装置の製造工程を示す断面図
である。

まず、第１図により本実施例の半導体集積回路装置の構
成を説明する。

本実施例の半導体集積回路装置は、たとえば複数のチッ
プが搭載されるハイブリッド構造の半導体集積回路装置
１とされ、集積回路が形成されたチップ２と、このチッ
プ２が搭載されるリードフレーム３と、チップ２および
リードフレーム３が接着されるテープ４とから構成され
ている。そして、チップ２およびリードフレーム３とテ
ープ４の接続配線とが金属線５によって接続されている
。

チップ２は、その主面に複数のチップ電極２ａが形成さ
れ、ワイヤボンディングによって接続される構造となっ
ている。

リードフレーム３は、チップ２と接続されるインナーリ
ード３ａと、外部との接続のためのアウターリード３ｂ
とを備えている。そして、一部のインナーリード３ａが
チップ２の搭載側に延長して形成され、インナーリード
３ａとテープ４との接着面積が大きくできる構造となっ
ている。

テープ４は、たとえばポリイミド樹脂系のテープ４とさ
れ、その表面に第２図に示すようにチップ２およびリー
ドフレーム３と接着される接着材６が被着されている。

また、テープ４の表面には接続配線４ａが形成され、金
属線５によってチツブ２およびインナーリード３ａと接
続される構造となっている。

そして、以上のように形成されるチップ２およびリード
フレーム３は、チップ２がテープ４を介してリードフレ
ーム３に搭載され、さらに封止材７によってレジンモー
ルドされ、パッケージ構造の半導体集積回路装置１に形
成される。

次に、本実施例の作用について、第３図（ａ）〜（社）
に基づいて説明する。

始めに、あらかじめ単体に分割されたチップ２をそれぞ
れテープ４上の所定の位置に位置合わせし、チップ２を
テープ４に押し付けて第３図（ａ）のようにチップ２と
テープ４との接着を行う。

さらに、チップ２が接着されたテープ４とリードフレー
ム３との位置決めを行い、テープ４にリードフレーム３
のインナーリード３ａを押し付けて第３図的のようにイ
ンナーリード３ａとテープ４との接着を行う。この場合
に、チップ２の搭載側に一部のインナーリード３ａが延
長して形成されるので、インナーリード３ａとテープ４
との接着面積を大きくすることができる。

続いて、チップ２およびインナーリード３ａがテープ４
を介して接着された状態において、チップ２のチップ電
極２ａとテープ４上の接続配線４ａ１およびインナーリ
ード３ａとテープ４上の接続配線４ａとの間を金属線５
によって第３図（Ｃ）のようにワイヤボンディングする
。

さらに、組み立てられた半導体集積回路装置１を実装可
能とするために、プラスチックなどの封止材７によって
トランスファーモールド成形を行った後に、アウターリ
ード３ｂの曲げ成形を行い、第３図（６）のようなプラ
スチックによって封止されたパッケージ構造の半導体集
積回路装置１１を形成する。

以上のように、本実施例の半導体集積回路装置１によれ
ば、リードフレーム３の一部のインナーリード３ａがチ
ップ２の搭載側に延長して形成されることにより、イン
ナーリード３ａとテープ４との接着面積を大きくするこ
とができ、充分な接着強度を得ることができるので確実
な接着が可能となる。

これにより、従来のようなテープ４のたるみ右よびイン
ナーリード３ａからの剥離などが低減され、テープ４上
からインナーリード３ａにボンディングされる金属［５
に変形などを発生することがないので、金属線５の接続
不良の防止が可能となる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

たとえば、本実施例の半導体集積回路装置ｌについては
、プラスチックの封止材７によってレジンモールドされ
る半導体集積回路装置１である場合について説明したが
、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、たと
えばキャップにより気密封止される半導体集積回路装置
１についても広く適用可能である。

また、本実施例におけるリードフレーム３については、
一部のインナーリード３ａのみが延長して形成される場
合について説明したが、配置およびスペース的な制限を
考慮してより多くのインナーリード３ａを延長して形成
することが望ましい。

さらに、本実施例のテープ４はポリイミド樹脂系の材料
に限定されるものではなく、他の樹脂材料で形成される
テープ４についても適用可能である。

［発明の効果］ 本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。

（１）、複数の半導体チップがリードフレームに搭載さ
れるハイブリッド構造の半導体集積回路装置において、
複数の半導体チップとリードフレームとが接着され、か
つこれらの複数の半導体チップのチップ電極およびリー
ドフレームのインナーリードに接続される接続配線が形
成された接合用テープを備え、この接合用テープを介し
て複数の半導体チップがリードフレームに搭載され、リ
ードフレームのインナーリードが半導体チップの搭載側
に延長して形成されることにより、接合用テープとリー
ドフレームとの接着面積を大きくすることができ、充分
な接着強度を得ることができるので、接合用テープとリ
ードフレームとの確実な接着が可能となる。この結果、
従来のような接合用テープのたるみおよびインナーリー
ドからの剥離などが低減され、接合用テープの変形の防
止が可能となる。

（２）、前記（１）により、リードフレームのインナー
リードと接合用テープとの接続において、金属線の変形
などを発生することがないので、接続不良の防止が可能
とされるハイブリッド構造の半導体集積回路装置を得る
ことができる。

（３）、前記（１）および（２）により、ワイヤボンデ
ィングなどの製造の容易化と、製造工程における歩留り
の向上が可能とされる半導体集積回路装置を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
要部を示す斜視図、 第２図は本実施例の半導体集積回路装置に用いられる接
合用テープを示す詳細図、 第３図（ａ）〜（６）はそれぞれ本実施例の半導体集積
回路装置の製造工程を順次示す断面図である。 ｌ・・・半導体集積回路装置、２・・・チップ、２ａ・
・・チップ電極、３・・・リードフレーム、３ａ・・・
インナーリード、３ｂ・・・アウターリード、４・・・
テープ、４ａ・・・接続配線、５・・・金属線、６・・
・接着材、７・・・封止材。 代理人　弁理士　　筒　井　大　和 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、複数の半導体チップがリードフレームに搭載される
   ハイブリッド構造の半導体集積回路装置であって、前記
   複数の半導体チップと前記リードフレームとが接着され
   、かつ該複数の半導体チップのチップ電極および該リー
   ドフレームのインナーリードに接続される接続配線が形
   成された接合用テープを備え、該接合用テープを介して
   前記複数の半導体チップが前記リードフレームに搭載さ
   れ、前記リードフレームのインナーリードが前記半導体
   チップの搭載側に延長して形成され、前記接合用テープ
   と前記リードフレームとの接着面積が大きくされている
   ことを特徴とする半導体集積回路装置。