JPH03217032A - 半導体装置の樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH03217032A JPH03217032A JP2011931A JP1193190A JPH03217032A JP H03217032 A JPH03217032 A JP H03217032A JP 2011931 A JP2011931 A JP 2011931A JP 1193190 A JP1193190 A JP 1193190A JP H03217032 A JPH03217032 A JP H03217032A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/37—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置を樹脂封止する装置に関する。
第４図は例えば特開昭６２−２６９３２８号公報に開示
された従来の樹脂封止装置の下型を示す断面図である。
された従来の樹脂封止装置の下型を示す断面図である。
定盤（１）には凹部（１ｂ）が形成され、この凹部（１
ｂ）内にキャビティブロック（２）が組み込まれている
。キャビティブロック（２）の上面には複数のキャビテ
ィ（２ａ）が形成されると共に各キャビティ（２ａ）と
キャビティブロック（２）の下面とを結ぶ複数′の貫通
孔（２ｃ）が形成されている。これら貫通孔（２ｃ）内
にはそれぞれエジェクトピン（３）が移動自在に挿入さ
れ、エジェクトピン（３）の下端は押さえ板（５）によ
りエジェクタプレート（４）上に固定されている。エジ
ェクタプレート（４）の下面にはエジェクトロツド（８
）の上端部が当接し、エジェクトロツド（８》は定盤（
１）を貫通して下方に延出している。味な、キャビティ
ブロック（２）の中央部には樹脂を収容するボッｌ−（
７）が形成されており、このボット（７）内にプランジ
ャ（６）の先端部が挿入・されている。さらに、定盤（
１）及びキャビティブロック（２）にはそれぞれヒータ
（１ａ）及び（２ｂ）が埋設されている。
ｂ）内にキャビティブロック（２）が組み込まれている
。キャビティブロック（２）の上面には複数のキャビテ
ィ（２ａ）が形成されると共に各キャビティ（２ａ）と
キャビティブロック（２）の下面とを結ぶ複数′の貫通
孔（２ｃ）が形成されている。これら貫通孔（２ｃ）内
にはそれぞれエジェクトピン（３）が移動自在に挿入さ
れ、エジェクトピン（３）の下端は押さえ板（５）によ
りエジェクタプレート（４）上に固定されている。エジ
ェクタプレート（４）の下面にはエジェクトロツド（８
）の上端部が当接し、エジェクトロツド（８》は定盤（
１）を貫通して下方に延出している。味な、キャビティ
ブロック（２）の中央部には樹脂を収容するボッｌ−（
７）が形成されており、このボット（７）内にプランジ
ャ（６）の先端部が挿入・されている。さらに、定盤（
１）及びキャビティブロック（２）にはそれぞれヒータ
（１ａ）及び（２ｂ）が埋設されている。
キャビティブロック（２）と、エジェクトピン（３）、
エジェクタプレート（４）及び押さえ板（５）からなる
エジエクタブロック部とは一体的に定盤（１）に着脱自
在に組み込まれており、樹脂封止するリードフレーム及
び半導体チップの品種に対応して交換できるようになっ
ている。また、第４図は下型を示しているが、この下型
とほぼ同様の構造を有する上型と対になって用いられる
。
エジェクタプレート（４）及び押さえ板（５）からなる
エジエクタブロック部とは一体的に定盤（１）に着脱自
在に組み込まれており、樹脂封止するリードフレーム及
び半導体チップの品種に対応して交換できるようになっ
ている。また、第４図は下型を示しているが、この下型
とほぼ同様の構造を有する上型と対になって用いられる
。
樹脂封止を行う際には、半導体チップ（図示せず）がキ
ャビティ（２ａ）内に収容されるように下型のパーティ
ング面（５０）上にリードフレーム（図示せず）を載置
すると共にポット〈７）内に樹脂（図示せず）を投入し
、この状態でフ゜レス装置（図示ぜず）により下型と図
示しない上型とが型締めされる。
ャビティ（２ａ）内に収容されるように下型のパーティ
ング面（５０）上にリードフレーム（図示せず）を載置
すると共にポット〈７）内に樹脂（図示せず）を投入し
、この状態でフ゜レス装置（図示ぜず）により下型と図
示しない上型とが型締めされる。
３
そして、ブランジャ（６）を上方に駆動することにより
ボット（７）内の樹脂が加圧され、上型に形成されなラ
ンナ及びゲートを通って各キャビティ（２ａ）に注入さ
れる。
ボット（７）内の樹脂が加圧され、上型に形成されなラ
ンナ及びゲートを通って各キャビティ（２ａ）に注入さ
れる。
樹脂の硬化後、上型と下型とを互いに離し、エジェクト
ロツド（８）を用いてエジェクタプレート（４〉を上方
へ持ち上げる。これにより、キャビティ（２ａ）内にエ
ジェクトピン（３）の上端が突き出し、各キャビティ（
２ａ）から樹脂封止されたリードフレームが取り出され
る。
ロツド（８）を用いてエジェクタプレート（４〉を上方
へ持ち上げる。これにより、キャビティ（２ａ）内にエ
ジェクトピン（３）の上端が突き出し、各キャビティ（
２ａ）から樹脂封止されたリードフレームが取り出され
る。
しかしながら、定盤（１）に形成された凹部（１ｂ）内
の上部にキャビティブロック（２）が組み込肱れな構造
を有しているので、パーティング面（５０）においてそ
の周辺部に位置する定盤（１）の剛性と中央部に位置す
るキャビティブロック（２）の剛性とでは大きく異なっ
てしまう。このため、上型と下型を型締めしてリードフ
レームに型締め力が作用したときには、第５図に示すよ
うにバーティング面（５０）が変形し、リードフ１／−
ムを均等に加圧す４ ることかできなくなる。従って、パーティング面（５０
）の変形量Ｂに応じてリードフレームの表面にフラッシ
ュバリが発生するという問題があった。
の上部にキャビティブロック（２）が組み込肱れな構造
を有しているので、パーティング面（５０）においてそ
の周辺部に位置する定盤（１）の剛性と中央部に位置す
るキャビティブロック（２）の剛性とでは大きく異なっ
てしまう。このため、上型と下型を型締めしてリードフ
レームに型締め力が作用したときには、第５図に示すよ
うにバーティング面（５０）が変形し、リードフ１／−
ムを均等に加圧す４ ることかできなくなる。従って、パーティング面（５０
）の変形量Ｂに応じてリードフレームの表面にフラッシ
ュバリが発生するという問題があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、リードフレームを均等に加圧してリードフレー
ムの表面にフラッシュバリを生じることなく半導体装置
を樹脂封止することができる半導体装置の樹脂封止装置
を提供することを目的とする。
もので、リードフレームを均等に加圧してリードフレー
ムの表面にフラッシュバリを生じることなく半導体装置
を樹脂封止することができる半導体装置の樹脂封止装置
を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体装置の樹脂封止装置は、定盤と、
この定盤上に固定されると共に定盤との間に空間部を有
するキャビティリテーナと、それぞれ表面が露出するよ
うにキャビティリテーナに埋設されると共にその表面に
キャビティが形成された複数のキャビティインサートと
、それぞれキャビティインサート及びキャビティリテー
ナを貫通して一端がキャビティリテーナの空間部内に突
出すると共に他端がキャビティインサートのキャビティ
内に突出し得るように移動自在に設けられた複数のエジ
ェクトピンと、キャビティリテーナの空間部内に位置す
ると共に複数のエジェクトピンの一端が固定されるエジ
ェクタプレートと、それぞれエジェクタプレートを貫通
して定盤上に複数のキャビティインサートを弾性支持す
る第１の弾性手段とを備えたものである。
この定盤上に固定されると共に定盤との間に空間部を有
するキャビティリテーナと、それぞれ表面が露出するよ
うにキャビティリテーナに埋設されると共にその表面に
キャビティが形成された複数のキャビティインサートと
、それぞれキャビティインサート及びキャビティリテー
ナを貫通して一端がキャビティリテーナの空間部内に突
出すると共に他端がキャビティインサートのキャビティ
内に突出し得るように移動自在に設けられた複数のエジ
ェクトピンと、キャビティリテーナの空間部内に位置す
ると共に複数のエジェクトピンの一端が固定されるエジ
ェクタプレートと、それぞれエジェクタプレートを貫通
して定盤上に複数のキャビティインサートを弾性支持す
る第１の弾性手段とを備えたものである。
複数のキャビティインサートは、互いに独立して第１の
弾性手段により支持されるように構成することができる
。
弾性手段により支持されるように構成することができる
。
また、複数のキャビティインサートに隣接するようにキ
ャビティリテーナに埋設されると共にその表面にランナ
及び複数のキャビティインサートのキャビティにそれぞ
れ接続される複数のゲートが形成されたランナインサー
トと、複数のキャビティインサートとランナインサート
とを連結すると共に第１の弾性手段により支持される連
結プレートとを備えてもよい。
ャビティリテーナに埋設されると共にその表面にランナ
及び複数のキャビティインサートのキャビティにそれぞ
れ接続される複数のゲートが形成されたランナインサー
トと、複数のキャビティインサートとランナインサート
とを連結すると共に第１の弾性手段により支持される連
結プレートとを備えてもよい。
さらに、エジェクタプレートを貫通し且つ連結プレート
を介してランナインサートを定盤上に弾性支持すると共
に第１の弾性手段より短い第２の７ 弾性手段を備えることもできる。
を介してランナインサートを定盤上に弾性支持すると共
に第１の弾性手段より短い第２の７ 弾性手段を備えることもできる。
この発明においては、エジエクタプレートを貫通して配
置された第１の弾性手段が定盤上に複数のキャビティイ
ンサートを弾性的に支持する。
置された第１の弾性手段が定盤上に複数のキャビティイ
ンサートを弾性的に支持する。
複数のキャビティインサートを互いに独立に第１の弾性
手段により支持すれば、加圧時に各キャビティインサー
トがそれぞれ独立して弾性的に微動し、プレス変形及び
熱変形を吸収する。
手段により支持すれば、加圧時に各キャビティインサー
トがそれぞれ独立して弾性的に微動し、プレス変形及び
熱変形を吸収する。
また、ランナインサートを設けると共に複数のキャビテ
ィインサートとランナインサートとを連結プレートによ
り連結すれば、連結プレートを介してキャビティインサ
ート及びランナインサー１〜が弾性的に支持される。
ィインサートとランナインサートとを連結プレートによ
り連結すれば、連結プレートを介してキャビティインサ
ート及びランナインサー１〜が弾性的に支持される。
さらに、エジェクタプレートを貫通し且つ連結プレート
を介してランナインサートを定盤上に弾性支持すると共
に第１の弾性手段より短い第２の弾性手段を備えれば、
キャビティインサートがランナインサートより強く加圧
される。
を介してランナインサートを定盤上に弾性支持すると共
に第１の弾性手段より短い第２の弾性手段を備えれば、
キャビティインサートがランナインサートより強く加圧
される。
一８
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置の樹脂封
止装置の下型を示す断面図である。定盤（１１）上にパ
ッキングプレート（２０）を介してキャビティブロック
（１２）が配置されている。キャビティブロック（１２
）は、パッキングプレート（２０）上に固定されたキャ
ビティリテーナ（２１）とキャビティリテーナ（２１）
の上面に埋設された複数のキャビティインサート（２２
）とから形成されている。
止装置の下型を示す断面図である。定盤（１１）上にパ
ッキングプレート（２０）を介してキャビティブロック
（１２）が配置されている。キャビティブロック（１２
）は、パッキングプレート（２０）上に固定されたキャ
ビティリテーナ（２１）とキャビティリテーナ（２１）
の上面に埋設された複数のキャビティインサート（２２
）とから形成されている。
キャビティリテーナ（２１）は下方に向かって開いてい
る一つの凹部（２１ａ）を有しており、この四部（２１
ａ）によりパッキングプレート（２０）との間に空間部
（２３）が形成されている。空間部（２３）内にはエジ
ェクタプレート（１４）及び押さえ板（１５）が載置さ
れている。また、キャビティリテーナ（２１）の上面に
は複数の凹部（２ｌｂ）が形成され、これら凹部（２ｌ
ｂ）内にそれぞれキャビティインサート（２２）が摺動
自在に挿入されている。各キャビティインサート（２２
）の上面はパーティング面（２４）として露出しており
、ここにキャビティ（２２ａ）が形成されている。各キ
ャビティインサート（２２）にはキャビティ（２２ａ）
とキャビティインサー｝ （２２）の下面とを結ぶ貫通
孔（２２ｂ）が形成され、この貫通孔（２２ｂ）内にエ
ジェクトピン（１３）が移動自在に挿入されている。
る一つの凹部（２１ａ）を有しており、この四部（２１
ａ）によりパッキングプレート（２０）との間に空間部
（２３）が形成されている。空間部（２３）内にはエジ
ェクタプレート（１４）及び押さえ板（１５）が載置さ
れている。また、キャビティリテーナ（２１）の上面に
は複数の凹部（２ｌｂ）が形成され、これら凹部（２ｌ
ｂ）内にそれぞれキャビティインサート（２２）が摺動
自在に挿入されている。各キャビティインサート（２２
）の上面はパーティング面（２４）として露出しており
、ここにキャビティ（２２ａ）が形成されている。各キ
ャビティインサート（２２）にはキャビティ（２２ａ）
とキャビティインサー｝ （２２）の下面とを結ぶ貫通
孔（２２ｂ）が形成され、この貫通孔（２２ｂ）内にエ
ジェクトピン（１３）が移動自在に挿入されている。
これらのエジェクトピン（１３）の下端部はキャビティ
リテーナ（２１）を貫通して空間部（２３）に至り、押
さえ板（１５）によりエジェクタプレー｝ （１４）上
に固定されている。エジェクタプレート（１４）の下面
にはエジェクトロツド（１８）の上端部が当接し、エジ
ェクトロツド（１８）はパッキングプレ−１−（２０）
及び定盤（１１）を貫通して下方に延出している。
リテーナ（２１）を貫通して空間部（２３）に至り、押
さえ板（１５）によりエジェクタプレー｝ （１４）上
に固定されている。エジェクタプレート（１４）の下面
にはエジェクトロツド（１８）の上端部が当接し、エジ
ェクトロツド（１８）はパッキングプレ−１−（２０）
及び定盤（１１）を貫通して下方に延出している。
キャビティリテーナ（２１）には各凹部（２ｌｂ）と空
間部（２３）とを結ぶ複数の貫通孔（２１ｃ）が形成さ
れ、一方エジェクタプレート（１４）及び押さえ板ク１
５）にもキャビティリテーナ（２１）の貫通孔（２１ｃ
）に対応する位置にそれぞれ貫通孔（１４ａ）及び（１
５ａ）が形成されている。互いに対応する貫通孔（１４
ａ）、（１５ａ）及び（２１ｃ）に第１の弾性手段とな
る弾性ピン（１９）が挿入され、この弾性ピン（１９）
の両端部がキャビティインサート（２２）の下面及びパ
ッキングプレート（２０）の上面にそれぞれ当接してい
る。弾性ピン（１９）の材質としては各種の弾性体を用
いることができる。
間部（２３）とを結ぶ複数の貫通孔（２１ｃ）が形成さ
れ、一方エジェクタプレート（１４）及び押さえ板ク１
５）にもキャビティリテーナ（２１）の貫通孔（２１ｃ
）に対応する位置にそれぞれ貫通孔（１４ａ）及び（１
５ａ）が形成されている。互いに対応する貫通孔（１４
ａ）、（１５ａ）及び（２１ｃ）に第１の弾性手段とな
る弾性ピン（１９）が挿入され、この弾性ピン（１９）
の両端部がキャビティインサート（２２）の下面及びパ
ッキングプレート（２０）の上面にそれぞれ当接してい
る。弾性ピン（１９）の材質としては各種の弾性体を用
いることができる。
さらに、定盤（１１）にはヒータ（ｌｌａ）が埋設され
ている。
ている。
図示されていないが、キャビティリテーナ（２１）には
樹脂を投入するためのポットが形成されると共にポット
内の樹脂を加圧するプランジャが設けられている。また
、この下型には第４図に示したような従来構造の上型が
対向し、上型と下型とが対になって用いられる。
樹脂を投入するためのポットが形成されると共にポット
内の樹脂を加圧するプランジャが設けられている。また
、この下型には第４図に示したような従来構造の上型が
対向し、上型と下型とが対になって用いられる。
次に、半導体チップが搭載されたリードフレームの樹脂
封止を行う際の実施例の動作を述べる。
封止を行う際の実施例の動作を述べる。
まず、半導体チップ（図示せず）がキャビティインザー
ト（２２）のキャビティ（２２ａ）内に収容されるよう
に下型のパーティング面（２４）上にリードフレーム（
２５）を載置すると共にボット（図示せず）内に樹脂を
投入し、この状態でプレス装置（図示せず）により下型
と図示しない上型とが型締めされる。リ１１ ードフレーム（２５）は上型と下型とにより挟み込まれ
て加圧されるが、このとき加圧力に応じて弾性ピン（１
９）が圧縮変形し、第１図においてキャビティインサー
ト（２２）はそれぞれキャビティリテーナ（２１）に対
しわずかに下方に移動する。従って、加圧力により従来
構造の上型のパーティング面が変形しても、その変形に
対応して各キャビティインサート（２２）が移動し、リ
ードフレーム（２５）を均等に加圧することとなる。
ト（２２）のキャビティ（２２ａ）内に収容されるよう
に下型のパーティング面（２４）上にリードフレーム（
２５）を載置すると共にボット（図示せず）内に樹脂を
投入し、この状態でプレス装置（図示せず）により下型
と図示しない上型とが型締めされる。リ１１ ードフレーム（２５）は上型と下型とにより挟み込まれ
て加圧されるが、このとき加圧力に応じて弾性ピン（１
９）が圧縮変形し、第１図においてキャビティインサー
ト（２２）はそれぞれキャビティリテーナ（２１）に対
しわずかに下方に移動する。従って、加圧力により従来
構造の上型のパーティング面が変形しても、その変形に
対応して各キャビティインサート（２２）が移動し、リ
ードフレーム（２５）を均等に加圧することとなる。
この状態で、図示しないプランジャによりポット内の樹
脂が加圧され、上型に形成されたランナ及びゲートを通
って各キャビティ（２２ａ）に注入される。このとき、
リードフレーム（２５）は均等に加圧されているので、
樹脂はキャビティ（２２ａ）がらはみ出さず、従ってフ
ラッシュバリの発生が防止される。
脂が加圧され、上型に形成されたランナ及びゲートを通
って各キャビティ（２２ａ）に注入される。このとき、
リードフレーム（２５）は均等に加圧されているので、
樹脂はキャビティ（２２ａ）がらはみ出さず、従ってフ
ラッシュバリの発生が防止される。
樹脂の硬化後、上型と下型とを互いに離し、エジェクト
ロッド（１８）を用いてエジェクタプレート（１４）を
上方へ持ち上げる。これにより、キャビティ（２２ａ）
内にエジェクトピン（１３）の上端が突き出し、１２ 各キャビティ（２２ａ）から樹脂封止されたリードフレ
ームが取り出される。
ロッド（１８）を用いてエジェクタプレート（１４）を
上方へ持ち上げる。これにより、キャビティ（２２ａ）
内にエジェクトピン（１３）の上端が突き出し、１２ 各キャビティ（２２ａ）から樹脂封止されたリードフレ
ームが取り出される。
第１図に示すように、弾性ピン（１９）は空間部（２３
）内のエジェクタプレー｝ （１４）及び押さえ板（１
５）を貫通して配置され、パッキングプレートク２０）
上にキャビティインサー１〜（２２）を支持している。
）内のエジェクタプレー｝ （１４）及び押さえ板（１
５）を貫通して配置され、パッキングプレートク２０）
上にキャビティインサー１〜（２２）を支持している。
このなめ、弾性ピン（１９）の長さを大きくとることが
でき、加圧時の弾性ピン（１９）の弾性変形量が大きく
なるように設計されている。従って、リードフレーム（
２５）の加圧力に対して弾性ピン（１９）の圧縮変形に
よる反力が確実に生じ、リードフレーム（２５）を均等
に加圧することができる。
でき、加圧時の弾性ピン（１９）の弾性変形量が大きく
なるように設計されている。従って、リードフレーム（
２５）の加圧力に対して弾性ピン（１９）の圧縮変形に
よる反力が確実に生じ、リードフレーム（２５）を均等
に加圧することができる。
尚、弾性ピン（１９）の長さは、加圧時にリードフレー
ム（２５）の上面とキャビティリテーナ（２１）のセン
タ部（２１ｄ）の上面とがほぼ同一高さとなるように設
定することが好ましい。
ム（２５）の上面とキャビティリテーナ（２１）のセン
タ部（２１ｄ）の上面とがほぼ同一高さとなるように設
定することが好ましい。
また、この実施例では、複数のキャビティインサート（
２２）が互いに独立に弾性ピン（１９）により支持され
ているので、プレス変形及び熱変形を吸収できるだけで
なく、リードフレーム（２５）の板厚のバラツキを各キ
ャビティインザー｝ （２２）で吸収することができる
。
２２）が互いに独立に弾性ピン（１９）により支持され
ているので、プレス変形及び熱変形を吸収できるだけで
なく、リードフレーム（２５）の板厚のバラツキを各キ
ャビティインザー｝ （２２）で吸収することができる
。
さらに、キャビティリテーナ（２１）の周縁部がパッキ
ングプレート（２０）を介して定盤（１１）に接続され
ているので、ヒータ（ｌｌａ）からの熱は定盤（１１）
、パッキングプレート（２０）及びキャビティリテーナ
（２１冫を介して効率良くキャビティインサート（２２
）に伝導する。このため、エボキシ等の熱硬化性樹脂を
用いた場合にキャビティ（２２ａ）内での樹脂硬化は容
易に行われる。
ングプレート（２０）を介して定盤（１１）に接続され
ているので、ヒータ（ｌｌａ）からの熱は定盤（１１）
、パッキングプレート（２０）及びキャビティリテーナ
（２１冫を介して効率良くキャビティインサート（２２
）に伝導する。このため、エボキシ等の熱硬化性樹脂を
用いた場合にキャビティ（２２ａ）内での樹脂硬化は容
易に行われる。
第２図はこの発明を適用した上型の断面図である。第１
図に示した下型と同様に、定盤（３１）上にパッキング
プレート（３０）を介してキャビティリテーナ（４１）
が配置されている。キャビティリテーナ（４１）には凹
部（４ｌｂ＞が形成されており、この凹部（４１ｂ）内
に連結プレート（４４）が載置され、連結プレート（４
４）上にランナインサート（４３）と複数のキャビティ
インサート（４２）とが配置されている。キャビティイ
ンサート（４２）はそれぞれキャビティ（４２ａ）を有
している。一方、ランナインサート（４３）は各キャビ
ティインサート（４２）に隣接すると共にランナ（４３
ａ）及びランナ（４３ａ）に接続される複数のゲー１−
（４３ｂ）を有し、これらのゲー｝ （４３ｂ）がキ
ャビティインサート（４２）のキャビティ（４２ａ）に
それぞれ接続されている。
図に示した下型と同様に、定盤（３１）上にパッキング
プレート（３０）を介してキャビティリテーナ（４１）
が配置されている。キャビティリテーナ（４１）には凹
部（４ｌｂ＞が形成されており、この凹部（４１ｂ）内
に連結プレート（４４）が載置され、連結プレート（４
４）上にランナインサート（４３）と複数のキャビティ
インサート（４２）とが配置されている。キャビティイ
ンサート（４２）はそれぞれキャビティ（４２ａ）を有
している。一方、ランナインサート（４３）は各キャビ
ティインサート（４２）に隣接すると共にランナ（４３
ａ）及びランナ（４３ａ）に接続される複数のゲー１−
（４３ｂ）を有し、これらのゲー｝ （４３ｂ）がキ
ャビティインサート（４２）のキャビティ（４２ａ）に
それぞれ接続されている。
各キャビティインサート（４２）には、一端がキャビテ
ィ（４２ａ）を臨むエジェクトピン（３３）が貫通し、
その他端が連結プレー１〜（４４）及びキャビティリテ
ーナ（４１）を貫通してキャビティリテーナ（４１）と
パッキングプレート（３０）との間に形成された空間部
（４５）に至り、押さえ板（３５）によりエジェクタプ
レート（３４）に固定されている。また、ランナインサ
ート（４３）には一端がランナ（４３ａ）を臨み、他端
が連結プレート（４４）及びキャビティリテーナ（４１
）を貫通してエジェクタプレート（３４）に固定される
エジェクトピン（４６）が移動自在に設けられている。
ィ（４２ａ）を臨むエジェクトピン（３３）が貫通し、
その他端が連結プレー１〜（４４）及びキャビティリテ
ーナ（４１）を貫通してキャビティリテーナ（４１）と
パッキングプレート（３０）との間に形成された空間部
（４５）に至り、押さえ板（３５）によりエジェクタプ
レート（３４）に固定されている。また、ランナインサ
ート（４３）には一端がランナ（４３ａ）を臨み、他端
が連結プレート（４４）及びキャビティリテーナ（４１
）を貫通してエジェクタプレート（３４）に固定される
エジェクトピン（４６）が移動自在に設けられている。
このエジェクトピン（４６）は、樹脂硬化後にランナ（
４３ａ）内に残留した樹脂を除去するためのものである
。
４３ａ）内に残留した樹脂を除去するためのものである
。
また、キャビティリテーナ（４１）、押さえ板（３５）
１５ 及びエジェクタプレート（３４）をそれぞれ貫通ずる複
数の弾性ピン（３９）が設けられている。すなわち、キ
ャビティインサー｝ （４２）及びランナインサー１〜
（４３）が連結プレート（４４）及びパッキングプレー
ト（３０）を介して弾性ピン（３９）により定盤（３１
）上に支持されている。
１５ 及びエジェクタプレート（３４）をそれぞれ貫通ずる複
数の弾性ピン（３９）が設けられている。すなわち、キ
ャビティインサー｝ （４２）及びランナインサー１〜
（４３）が連結プレート（４４）及びパッキングプレー
ト（３０）を介して弾性ピン（３９）により定盤（３１
）上に支持されている。
このような上型を第４図に示した従来構造の下型に対向
させて使用した場合、連結プレート（４４）が弾性ピン
（３９）で支持されているので、加圧時に下型のパーテ
ィング面が変形しても、そのパーティング面の変形に合
わせて同様に連結プレート（４４）が変形する。このた
め、連結プレート（４４）上に配置されたキャビティイ
ンサート（４２）及びランナインサート（４３）は互い
にわずかに移動する。これにより、上型と下型との間に
挟まれたリードフレームは均等に加圧されることとなる
。
させて使用した場合、連結プレート（４４）が弾性ピン
（３９）で支持されているので、加圧時に下型のパーテ
ィング面が変形しても、そのパーティング面の変形に合
わせて同様に連結プレート（４４）が変形する。このた
め、連結プレート（４４）上に配置されたキャビティイ
ンサート（４２）及びランナインサート（４３）は互い
にわずかに移動する。これにより、上型と下型との間に
挟まれたリードフレームは均等に加圧されることとなる
。
尚、第３図に示すように、キャビティインサート（５２
）を支持するための第１の弾性ピン（４９）とランナイ
ンサート（５３）を支持するための第２の弾性ピン（第
２の弾性手段）（５９）とをそれぞれキャビティ１６ー リテーナ（５１）、押さえ板（５５）及びエジェクタプ
レート（５４）を貫通させて別々に設けてもよい。この
場合、第２の弾性ピン（５９）を第１の弾性ピン（４９
）より所定長さＡだけ短くすることが望ましい。このよ
うにすれば、キャビティインサー｝ （５２）の部分を
より強く加圧することができ、リードフレームを確実に
均等に加圧することが可能となる。
）を支持するための第１の弾性ピン（４９）とランナイ
ンサート（５３）を支持するための第２の弾性ピン（第
２の弾性手段）（５９）とをそれぞれキャビティ１６ー リテーナ（５１）、押さえ板（５５）及びエジェクタプ
レート（５４）を貫通させて別々に設けてもよい。この
場合、第２の弾性ピン（５９）を第１の弾性ピン（４９
）より所定長さＡだけ短くすることが望ましい。このよ
うにすれば、キャビティインサー｝ （５２）の部分を
より強く加圧することができ、リードフレームを確実に
均等に加圧することが可能となる。
キャビティインサ−１・とランナインサートとの接続面
は、第２図に示すようにテーパ状でもよく、あるいは第
３図に示すように平行平面状でもよい。
は、第２図に示すようにテーパ状でもよく、あるいは第
３図に示すように平行平面状でもよい。
また、上型及び下型共にこの発明を適用したものを組み
合わせて用いてもよい。例えば、第１図の下型に第２図
あるいは第３図の上型を対として使用することができる
。
合わせて用いてもよい。例えば、第１図の下型に第２図
あるいは第３図の上型を対として使用することができる
。
以上説明したように、定盤と、この定盤上に固定される
と共に定盤との間に空間部を有するキャビティリテーナ
と、それぞれ表面が露出するようにキャビティリテーナ
に埋設されると共にその表面にキャビティが形成された
複数のキャビティインサートと、それぞれキャビティイ
ンサート及びキャビティリテーナを貫通して一端がキャ
ビティリテーナの空間部内に突出すると共に他端がキャ
ビティインサートのキャビティ内に突出し得るように移
動自在に設けられた複数のエジエクトピンと、キャビテ
ィリテーナの空間部内に位置すると共に複数のエジェク
トピンの一端が固定されるエジェクタプレートと、それ
ぞれエジェクタプレートを貫通して定盤上に複数のキャ
ビティインサートを弾性支持する第１の弾性手段とを備
えているので、リードフレームを均等に加圧してフラッ
シュバリを生ずることなく半導体装置を樹脂封止するこ
とができる。
と共に定盤との間に空間部を有するキャビティリテーナ
と、それぞれ表面が露出するようにキャビティリテーナ
に埋設されると共にその表面にキャビティが形成された
複数のキャビティインサートと、それぞれキャビティイ
ンサート及びキャビティリテーナを貫通して一端がキャ
ビティリテーナの空間部内に突出すると共に他端がキャ
ビティインサートのキャビティ内に突出し得るように移
動自在に設けられた複数のエジエクトピンと、キャビテ
ィリテーナの空間部内に位置すると共に複数のエジェク
トピンの一端が固定されるエジェクタプレートと、それ
ぞれエジェクタプレートを貫通して定盤上に複数のキャ
ビティインサートを弾性支持する第１の弾性手段とを備
えているので、リードフレームを均等に加圧してフラッ
シュバリを生ずることなく半導体装置を樹脂封止するこ
とができる。
複数のキャビティインサートを互いに独立して第１の弾
性手段により支持すれば、加圧時に各キャビティインサ
ーｌ・がそれぞれ独立して微動し得るので、リードフレ
ームの加圧の均等性が向上する。
性手段により支持すれば、加圧時に各キャビティインサ
ーｌ・がそれぞれ独立して微動し得るので、リードフレ
ームの加圧の均等性が向上する。
また、複数のキャビティインサ−１〜に隣接するように
キャビティリテーナに埋設されると共にその表面にラン
ナ及び複数のキャビティインサートのキャビティにそれ
ぞれ接続される複数のゲートが形成されたランナインサ
ートと、複数のキャビティインサートとランナインサー
トとを連結すると共に第１の弾性手段により支持される
連結プレートとを備えれば、連結プレートを介して複数
のキャビティインサート及びランナインサートが弾性的
に支持され、ランナ及びゲートを備えながらもリードフ
レームを均等に加圧することが可能となる。
キャビティリテーナに埋設されると共にその表面にラン
ナ及び複数のキャビティインサートのキャビティにそれ
ぞれ接続される複数のゲートが形成されたランナインサ
ートと、複数のキャビティインサートとランナインサー
トとを連結すると共に第１の弾性手段により支持される
連結プレートとを備えれば、連結プレートを介して複数
のキャビティインサート及びランナインサートが弾性的
に支持され、ランナ及びゲートを備えながらもリードフ
レームを均等に加圧することが可能となる。
さらに、エジェクタプレートを貫通し且つ連結プレート
を介してランナインサートを定盤上に弾性支持すると共
に第１の弾性手段より短い第２の弾性手段を備えれば、
キャビティインサートをランナインサートより強く加圧
することができ、リードフレームの加圧力が向上する。
を介してランナインサートを定盤上に弾性支持すると共
に第１の弾性手段より短い第２の弾性手段を備えれば、
キャビティインサートをランナインサートより強く加圧
することができ、リードフレームの加圧力が向上する。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置の樹脂封
止装置の下型を示す断面図、第２図及び第３図はそれぞ
れ他の実施例を示す断面図、第４図は従来例に係る半導
体装置の樹脂封止装置の下型を示す断面図、第５図は加
圧された状態の従来例を示す断面図である。 図において、（１１）及び（３１）は定盤、（１３）及
び（３３）はエジェクトピン、（１４） 、（３４）及
び（５４）はエジェクタプレート、（１９）、（３９Ｌ
（４９）及び（５９）は弾性ピン、（２１Ｌ（４１）及
び（５１）はキャビティリテーナ、（２２）、（４２）
及び（５２）はキャビティインサート、（２２ａ）及び
（４２ａ）はキャビティ、（２３）及び（４５）は空間
部、（４３）及び（５３）はランナインサート、（４３
ａ）はランナ、（４３ｂ）はゲート、（４４）は連結プ
レートである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
止装置の下型を示す断面図、第２図及び第３図はそれぞ
れ他の実施例を示す断面図、第４図は従来例に係る半導
体装置の樹脂封止装置の下型を示す断面図、第５図は加
圧された状態の従来例を示す断面図である。 図において、（１１）及び（３１）は定盤、（１３）及
び（３３）はエジェクトピン、（１４） 、（３４）及
び（５４）はエジェクタプレート、（１９）、（３９Ｌ
（４９）及び（５９）は弾性ピン、（２１Ｌ（４１）及
び（５１）はキャビティリテーナ、（２２）、（４２）
及び（５２）はキャビティインサート、（２２ａ）及び
（４２ａ）はキャビティ、（２３）及び（４５）は空間
部、（４３）及び（５３）はランナインサート、（４３
ａ）はランナ、（４３ｂ）はゲート、（４４）は連結プ
レートである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）定盤と、 前記定盤上に固定されると共に前記定盤との間に空間部
を有するキャビティリテーナと、 それぞれ表面が露出するように前記キャビティリテーナ
に埋設されると共に前記表面にキャビティが形成された
複数のキャビティインサートと、それぞれ前記キャビテ
ィインサート及び前記キャビティリテーナを貫通して一
端が前記キャビティリテーナの空間部内に突出すると共
に他端が前記キャビティインサートのキャビティ内に突
出し得るように移動自在に設けられた複数のエジェクト
ピンと、 前記キャビティリテーナの空間部内に位置すると共に前
記複数のエジェクトピンの一端が固定されるエジェクタ
プレートと、 それぞれ前記エジェクタプレートを貫通して前記定盤上
に前記複数のキャビティインサートを弾性支持する第１
の弾性手段と を備えたことを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。 - （２）前記複数のキャビティインサートは、互いに独立
して前記第１の弾性手段により支持される請求項１の装
置。 - （３）さらに、前記複数のキャビティインサートに隣接
するように前記キャビティリテーナに埋設されると共に
その表面にランナ及び前記複数のキャビティインサート
のキャビティにそれぞれ接続される複数のゲートが形成
されたランナインサートと、前記複数のキャビティイン
サートと前記ランナインサートとを連結すると共に前記
第１の弾性手段により支持される連結プレートとを備え
た請求項１の装置。 - （４）さらに、前記エジェクタプレートを貫通し且つ前
記連結プレートを介して前記ランナインサートを前記定
盤上に弾性支持すると共に前記第１の弾性手段より短い
第２の弾性手段を備えた請求項３の装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011931A JP2635193B2 (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体装置の樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂封止型半導体装置 |
| US07/612,628 US5074779A (en) | 1990-01-23 | 1990-11-14 | Mold for resin-sealing a semiconductor device |
| KR1019910000103A KR940002440B1 (ko) | 1990-01-23 | 1991-01-07 | 반도체장치의 수지봉지장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011931A JP2635193B2 (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体装置の樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217032A true JPH03217032A (ja) | 1991-09-24 |
| JP2635193B2 JP2635193B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=11791423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011931A Expired - Lifetime JP2635193B2 (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体装置の樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5074779A (ja) |
| JP (1) | JP2635193B2 (ja) |
| KR (1) | KR940002440B1 (ja) |
Families Citing this family (20)
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|---|---|---|---|---|
| GB2290048B (en) * | 1990-06-29 | 1996-05-29 | Seikosha Kk | Injection molding machines |
| JP2603748B2 (ja) | 1990-07-24 | 1997-04-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体樹脂封止装置及び半導体樹脂封止方法 |
| US5217728A (en) * | 1991-06-21 | 1993-06-08 | Amp Incorporated | High density mold |
| US5439371A (en) * | 1992-10-07 | 1995-08-08 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Locally pressurizing injection molding machine |
| JPH06124971A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Nec Corp | 樹脂封止金型 |
| US5429492A (en) * | 1992-12-23 | 1995-07-04 | Taniyama; Yoshihiko | Plastic molding apparatus |
| US6001672A (en) | 1997-02-25 | 1999-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink |
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| JP2002043343A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の樹脂封止金型及び半導体装置の樹脂封止方法、並びに樹脂封止半導体装置の離型方法 |
| US6838319B1 (en) * | 2000-08-31 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Transfer molding and underfilling method and apparatus including orienting the active surface of a semiconductor substrate substantially vertically |
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| JP4549521B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2010-09-22 | フィーサ株式会社 | インサート成形方法及び金型 |
| US7220615B2 (en) | 2001-06-11 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Alternative method used to package multimedia card by transfer molding |
| US6444501B1 (en) | 2001-06-12 | 2002-09-03 | Micron Technology, Inc. | Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module |
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| JPS6265214U (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 |
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| JP2609849B2 (ja) * | 1986-07-31 | 1997-05-14 | トーワ株式会社 | 多品種少量生産に適した半導体封止用のマルチプランジヤー型樹脂モールド装置 |
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-
1990
- 1990-01-23 JP JP2011931A patent/JP2635193B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-14 US US07/612,628 patent/US5074779A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-07 KR KR1019910000103A patent/KR940002440B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2635193B2 (ja) | 1997-07-30 |
| US5074779A (en) | 1991-12-24 |
| KR910015034A (ko) | 1991-08-31 |
| KR940002440B1 (ko) | 1994-03-24 |
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