KR940002440B1 - 반도체장치의 수지봉지장치 - Google Patents

반도체장치의 수지봉지장치 Download PDF

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스에요시 다나카
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
시키모리야
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치의 수지봉지장치
제1도는 본 발명의 한 실시예에 관한 반도체장치의 수지봉지(樹脂封止) 장치의 밑형(下型)을 나타내는 단면도.
제2도 및 제3도는 각각 다른 실시예를 나타내는 단면도.
제4도는 종래예에 관한 반도체장치의 수지봉지장치의 밑형을 나타내는 단면도.
제5도는 가열된 상태의 종래예를 나타내는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11,31 : 정반(定盤) 13,33 : 이젝터핀(Ejector pin)
14,34,54 : 이젝터플레이트(Plate) 19,39,49,59 : 탄성핀
21,41,51 : 캐버티리테이너(Cavity retainer)
22,42,52 : 캐버티인서트(Cavity insert) 22a,42a : 캐버티
23,45 : 공간부
43,53 : 러너인서트(Runner insert)
43a : 러너 43b : 게이트
44 : 연결플레이트
본 발명은, 반도체장치를 수지봉지하는 장치에 관한 것이다.
제4도는, 예를들어 일본국 특개소 62-269328호 공보에 개시된 종래의 수지봉지장치의 밑형을 나타내는 단면도이다. 정반(1)에는 오목부(1b)가 형성되고, 이 오목부(1b)내에 캐버티블록(2)가 조합결합되어 있다. 캐버티블록(2)의 윗면에는 복수의 캐버티(2a)가 형성되어 있음과 동시에 각 캐버티(2a)와 캐버티블록(2)의 밑면과를 연결하는 복수의 관통공(2c)가 형성되어 있다. 이들 관통공(2c)내에는 각각 이젝터핀(3)이 이동동작이 가능하게 삽입되고, 이젝터틴(3)의 하단은 누름판(5)에 의해 이젝터플레이트(4) 위에 고정되어 있다. 이젝터플레이트(4)의 밑면에는 이젝터로드(8)의 상단부가 맞닿아 있고, 이젝터로드(8)은 정반(1)을 관통하여 아래쪽으로 뻗어 있다. 또, 캐버티블록(2)의 중앙부에는 수지가 담기게 되는 종지(7)이 형성되어 있고, 이 종지(7)내에 플런저(6)의 선단부가 삽입되어 있다. 또, 정반(1) 및 캐버티블록(2)에는 각각 히터(1a), (2b)가 매설되어 있다.
캐버티블록(2)와, 이젝터핀(3), 이젝터플레이트(4) 및 누름판(5)로 이루어진 이젝터블록부는 정반(1)에 착탈 가능하게 일체적으로 결합되어 있고, 수지봉지(樹脂封止)하는 리드프레임 및 반도체칩의 종류에 따라 교환 가능하게 되어 있다. 또, 제4도는 밑형을 나타내고 있으나, 이 밑형과 거의 같은 구조인 윗형가 함께 쌍을 이루어 사용되고 있다.
수지봉지를 할 경우에는, 반도체칩(도시 생략)이 캐버티(2a) 내에 수용될 수 있도록 밑형의 맞춤면(50)위에 리드프레임(도시 생략)을 올려놓음과 동시에 종지(7) 내에 수지(도시 생략)를 투입하고, 이 상태로 프레스장치(도시 생략)에 의해 밑형과 윗형(도시 생략)이 함께 형조임된다. 그리하여, 플런저(6)을 위쪽으로 구동시킴으로써 종지(7) 내의 가압되고, 윗형에 형성된 러너 및 게이트를 통해서 각 캐버티(2a) 내로 주입된다.
수지가 경화한 다음, 윗형과 밑형을 차례로 분리시키고, 이젝터로드(8)을 사용하여 이젝터플레이트(4)를 위쪽으로 밀어 올린다. 이와 같이하여, 캐버티(2a)내에 이젝터핀(3)의 상단이 튀어나오고, 각 캐버티(2a)로부터 수지봉지된 리드프레임이 형성되어 나오게 된다.
그러나, 정반(1)에 형성된 오목부(1b) 내의 상부에 캐버티블록(2)가 결합되어 있는 구조로 되어 있기 때문에, 맞춤면(50)에 있어서 그 주변부에 위치하는 정바(1)의 강성(강성剛性)과 중앙부에 위치한 캐버티블록(2)의 강성과는 큰 차이를 나타낸다. 이 때문에 윗형과 밑형을 형조임할 경우 리드프레임에 대해 형조임하는 힘이 작용하게 되면, 제5도에 나타나 있는 바와 같이 맞춤면(50)이 변형하고, 리드프레임을 균등하게 가압할 수 없게 된다. 따라서, 맞춤면(50)의 변형량(B)에 따라 리드프레임의 표면에 플레시버르(Flash Burr)가 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해소시키기 위해 이루어진 것이고, 리드프레임을 균일하게 가압하여 리드프레임의 표면에 플래시버르를 생기지 못하도록 하여 반도체장치를 수지봉지할 수 있는 반도체장치의 수지봉지장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명에 관한 반도체장치의 수지봉지장치는, 정반과, 이 정반위에 고정되어 있으며 정반과의 사이에 공간부를 갖는 캐커티리테이너와, 각각 표면이 노출되도록 캐버티리테이너에 매설됨과 동시에 그 표면에 캐버티가 형성된 복수의 캐버티인서트와, 각각 캐버티인서트 및 캐버티리테이너를 관통시켜 일단이 캐버티리테이터의 공간부내에 돌출되고 타단이 캐터비인서트의 캐버티내에 돌출될 수 있도록 이동동작이 가능하게 부착된 복수의 이젝터핀과, 캐버티리테이너의 공간부 내에 위치함과 동시에 복수의 이젝터핀의 일단이 고정되는 이젝터플레이트와, 각각 이젝터플레이트를 관통하여 정반 위에 복수의 캐버티인서트를 탄성지지하는 제1의 탄성수단을 갖춘 것이다.
복수의 캐버티인서트는, 서로 독립적으로 제1의 탄성수단에 의해 지지되도록 구성할 수 있다.
또, 복수의 캐버티인서트에 인접하도록 캐버티리테이너에 매설됨과 동시에 그 표면에 러너 및 복수의 캐버티인서트의 캐버티에 각각 접속되는 복수의 게이트가 형성된 러너인서트와, 복수의 캐버티인서트와 러너인서트를 연결함과 동시에 제1의 탄성수단에 의해 지지되는 연결플레이트를 갖추어도 좋다.
또, 이젝터플레이트를 관통하고, 또 연결플레이트를 사이에 두고 러너인서트를 정반 위에 탄성지지함과 동시에 제1의 탄성수단보다 짧은 제2의 탄성수단을 갖춘 것으로 할 수도 있다.
본 발명에 있어서는, 이젝터플레이트를 관통해서 배치된 제1의 탄성수단이 정반 위에 복수의 캐버티인서트를 탄성적으로 지지한다.
복수의 캐버티인서트를 서로 독립적으로 제1의 탄성수단에 의해 지지되면, 가압시에 각 캐버티인서트가 각각 독립해서 탄성적으로 미동(微動)하고, 프레스변형 및 열변형을 흡수한다.
또, 러너인서트를 설치함과 동시에 복수의 캐버티인서트와 러너인서트를 연결플레이트에 의해 연결하면, 연결플레이트를 통해서 캐버티인서트와 러너인서트가 탄성적으로 지지된다.
또, 이젝터플레이트를 관통하고 또 연결플레이트를 통해서 러너인서트를 정반위에 탄성지지함과 동시에 제1의 탄성수단보다 짧은 제2의 탄성수단을 설치하면 캐버티인서트가 러너인서트보다 강하게 가압된다.
다음에는, 본 발명의 실시예를 첨부도면과 같이 설명한다.
제1도는 본 발명의 한 실시예에 관한 반도체장치의 수지봉지장치의 밑형을 나타내는 단면도이다. 정반(11) 위에 패킹플레이트(20)을 깔고 캐버티블록(12)가 배치되고 있고, 캐버티블록(12)는 패킹플레이트(20)위에 고정된 캐버티리테이너(21)과 캐버티리테이너(21)의 윗면에 매설된 복수의 캐버티인서트(22)로 형성되어 있다.
캐버티리테이너(21)은 아래쪽을 향해서 버러져 있는 하나의 오목부(21a)를 형성하고 있고, 이 오목부(21a)에 의해 패킹플레이트(20)과의 사이에 공간부(23)이 형성되어 있다. 공간부(23) 내에는 이젝터플레이트(14) 및 누름판(15)가 올려 놓여 있다. 또, 캐버티리테이너(21)의 윗면에는 복수의 오목부(21b)가 형성되어 있고, 이들 오목부(21b) 내에 각각 캐버티인서트(22)가 미끄럼동작 가능하게 삽입되어 있다. 각 캐버티인서트(22)의 윗면은 맞춤면(24)으로서 노출되어 있고, 여기에 캐버티(22a)가 형성되어 있다. 각 캐버티인서트(22)에는 캐버티(22a)와 캐버티인서트(22)의 밑면을 연결하는 관통공(22b)가 형성되어 있고, 이 관통공(22b) 내에 이젝터핀(13)이 이동동작 가능하게 삽입되어 있다. 이들의 이젝터핀(13)의 하단부는 캐버티리테이너(21)을 관통해서 공간부(23)에 이르고, 누름판(15)에 의해 이젝터플레이트(14) 위에 고정되어 있다. 이젝터플레이트(14)의 밑면에는 이젝터로드(18)의 상단부가 맞닿아 있고, 이젝터로드(18)은 패킹플레이트(20) 및 정반(11)을 관통해서 아래쪽으로 뻗어 있다.
캐버티리테이너(21)에는 각 오목부(21b)와 공간부(23)을 연결하는 복수의 관통구멍(21c)가 형성되고, 한편 이젝터플레이트(14) 및 누름판(15)에도 캐버티리테이너(21)의 관통구멍(21c)에 대응한 위치에 각각 관통구멍(14a),(15a)가 형성되어 있다. 서로 대응하는 관통구멍(14a),(15a),(21c)에 제1의 탄성수단이 되는 탄성핀(19)가 삽입되고, 이 탄성핀(19)의 양단부가 캐버티인서트(22)의 밑면 및 패킹플레이트(20)의 윗면에 각각 맞닿아 있다. 탄성핀(19)의 재질로서는 각종 탄성체를 사용할 수 있다.
또, 정반(11)에는 히터(11a)가 매설되어 있다.
캐버티리테이너(21)에는 수지를 투입하기 위한 종지(도시 생략)가 형성되어 있음과 동시에 종지 내의 수지를 가입하는 플런저가 부착되어 있다. 또, 이 밑형에는 제4도에 나타내어져 있는 바와 같은 종래구조의 윗형이 대향하고 있고, 윗형과 밑형의 한쌍이 되어 사용되고 있다.
다음에는, 반도체칩이 탑재된 리드프레임의 수지봉지를 행할 경우의 실시예의 동작을 설명한다. 먼저, 반도체칩(도시 생략)이 캐버티인서트(22)의 캐버티(22a)내에 수용되도록 밑형의 맞춤면(24) 위체 리드프레임(25)를 올려놓음과 동시에 종지(도시 생략) 내에 수지를 투입하고, 이 상태에서 프레스장치(도시 생략)에 의해 밑형과 윗형(도시 생략)이 함께 가압한다. 리드프레임(25)는 윗형과 밑형에 의해 사이에 끼워져 가압되나, 이때 가압력에 따라 탄성핀(19)가 압축 변형되고, 제1도에 있어서 캐비티인서트(22)는 각각 캐버티리테이너(21)에 대해 약간 아래쪽으로 이동한다. 따라서, 가압력에 의해 종래구조의 윗형의 맞춤면이 변형되더라도 그 변형에 대응하여 각 캐버티인서트(22)가 이동하고, 리드프레임(25)를 균일하게 가압하게 된다.
이 상태에서, 플런저(도시 생략)에 의해 종지 내의 수지가 가압되고, 윗형에 형성된 러너 및 게이트를 통해서 각 배버티(22a)에 주입된다. 이때, 리드프레임(25)는 균일하게 가압되고 있으므로 수지는 캐버티(22a)로부터 삐져나오지 않고, 따라서 플래시버르의 발생은 방지된다.
수지가 경화된 다음, 윗형과 밑형을 분리시키고, 이젝터로드(18)을 사용해서 이젝터플레이트(14)를 위쪽으로 들어 올린다. 이렇게 하여 캐버티(22a) 내로 이젝터핀(13)의 상단이 튀어나오고, 각 캐버티(22a)로부터 수지봉지된 리드프레임을 빼낼 수 있다.
제1도에 나타나 있는 바와 같이, 탄성핀(19)는 공간부(23) 내의 이젝터플레이트(14) 및 누름판(15)를 관통해서 배치되고, 패킹플레이트(20) 위에 캐버티인서트(22)를 지지하고 있다. 이 때문에, 탄성핀(19)의 길이를 크게할 수 있고, 가압시의 탄성핀(19)의 탄성변형량이 크게 되도록 설계되어 있다. 따라서, 리드프레임(25)의 가압력에 대해서 탄성핀(19)의 압축변형에 의한 반력(反力)이 확실하게 생기고, 리드프레임(25)를 균일하게 가압할 수 있다.
또, 탄성핀(19)의 길이는, 가압시에 리드프레임(25)의 윗면과 캐버티리테이너(21)의 중앙부(21d) 윗면이 거의 같은 높이가 되도록 설정하는 것이 바람직스럽다.
또, 이 실시예에서는, 복수의 캐버티인서트(22)가 서로 독립적으로 탄성핀(19)에 의해 지지되고 있으므로, 프레스변형 및 열변형을 흡수할 뿐만아니라, 리드프레임(25)의 판두께가 균일치 못한 점을 각 캐버티인서트(22)로 흡수시킬 수 있다.
또, 캐버티리테이너(21)의 원주가장자리가 패킹플레이트(20)을 사이에 두고 정반(11)에 접속되어 있으므로, 히터(11a)에서 나오는 열은 정반(11), 패킹플레이트(20) 및 캐버티리테이너(21)을 통해서 효율 좋게 캐버티인서트(22)로 전도된다. 이 때문에 에폭시 등의 열경화성수지를 사용할 경우에 캐버티(22a) 내에서의 수지경화는 용이하게 이루어진다.
제2도는 본 발명을 적용한 윗형의 단면도이다. 제1도에 나타내어진 밑형과 같이 정반(31) 위에 패킹플레이트(30)을 사이에 두고 캐버티리테이너(41)에 배치되어 있다. 캐버티리테이너(41)에는 오목부(41b)가 형성되어 있고, 이 오목부(41b) 내에 연결플레이트(44)가 올려 놓여 있고, 연결플레이트(44) 위에 러너인서트(43)과 복수의 캐버티인서트(42)가 배치되어 있다. 캐버티인서트(42)는 각각 캐버티(42a)를 갖고 있다. 한편, 러너인서트(43)은 각 캐버티인서트(42)에 인접해 있고 러너(43a) 및 러너(43a)에 접속되는 복수의 게이트(43b)를 갖고 있고, 이들의 게이트(43b)가 캐버티인서트(42)의 캐버티(42a)에 각각 접속되어 있다.
각 캐버티인서트(42)에는, 한쪽 끝이 캐버티(42a)에 통해 있는 이젝터핀(33)이 관통되어 있고, 반대쪽은 연결플레이트(44) 및 캐버티리테이너(41)을 관통하여 캐버티리테이너(41)과 패킹플레이트(30) 사이에 형성된 공간부(45)에 이르고, 누름판(35)에 의해 이젝터플레이트(34)에 고정되어 있다. 또, 러너인서트(43)에는 한쪽 끝이 러너(43a)에 이르고 반대쪽이 연결플레이트(44) 및 캐버티리테이너(41)을 관통해서 이젝터플레이트(34)에 의해 고정되는 이젝터핀(46)이 이동동작 가능하게 설치되어 있다. 이 이젝터핀(46)은 수지경화후에 러너(43a) 내에 잔류한 수지를 제거하기 위한 것이다.
또, 캐버티리테이너(41), 누름판(35) 및 이젝터플레이트(34)를 각각 관통하는 복수의 탄성핀(39)가 설치되어 있다. 즉, 캐버티인서트(42) 및 러너인서트(43)이 연결플레이트(44) 및 패킹플레이트(30)을 사이에 두고 탄성핀(39)에 의해 정반(31) 위에 지지되어 있다.
이와같은 윗형을 제4도에 나타낸 종래구조의 밑형에 대향시켜 사용할 경우, 연결플레이트(44)가 탄성핀(39)에 의해 지지되고 있으므로, 가압시에 밑형의 맞춤면이 변형하더라도, 그 맞춤면의 변형에 따라 같은 식으로 연결플레이트(44)가 변형한다. 이때문에 연결플레이트(44) 위에 배치된 캐버티인서트(42) 및 러너인서트(43)은 서로 약간 이동한다. 이와 같이 되어, 윗형과 밑형 사이에 물려 있는 리드프레임은 균일하게 가압되게 한다.
또, 제3도에 나타내어진 바와 같이, 캐버티인서트(52)를 지지하기 위한 제1의 탄성핀(49)와 러너인서트(53)을 지지하기 위한 제2의 탄성핀(제2의 탄성수단) (59)을 각각 캐버티리테이너(51), 누름판(55) 및 이젝터플레이트(54)를 관통시켜 따로따로 설치해도 좋다. 이 경우, 제2의 탄성핀(59)를 제1의 탄성핀(49)보다 소정의 길이 A만큼 짧게 하는 것이 바람직스럽다. 이와 같이하면, 캐버티인서트(52)의 부분을 보다 강하게 가압할 수 있고, 리드프레임을 확실하게 균일하게 가압할 수 있다.
캐버티인서트와 러너인서트와 접촉면은, 제2도에 나타나 있는 바와 같이 테이퍼형으로 해도 좋고, 또는 제3도에 나타나 있는 평행평면형으로 해도 좋다.
또, 윗형 및 밑형 다같이 본 발명을 적용시킨 것을 결합시켜 사용해도 좋다. 예를들면, 제1도의 밑형에 제2도 또는 제3도의 윗형을 쌍으로 하여 사용할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 정반과, 이 정반 위에 고정되어 있고 정반과의 사이에 공간부를 갖는 캐버티리테이너와, 각각 표면이 노출되도록 캐버티리테이너에 매설됨과 동시에 그 표면에 캐버티가 형성된 복수의 캐버티인서트와, 각각 캐버티인서트 및 캐버티리테이너를 관통해서 한쪽 끝이 캐버티리테이너의 공간부 내에 돌출함과 동시에 반대쪽 끝이 캐버티인서트의 캐버티 내에 돌출될 수 있도록 이동동작이 가능하게 설치된 복수의 이젝터핀과, 캐버티리테이너의 공간부 내에 위치함과 동시에 복수의 이젝터핀의 한쪽 끝이 고정되는 이젝터플레이트와, 각각 이젝터플레이트를 관통해서 정반 위에 복수의 캐버티인서트를 탄성지지하는 제1의 탄성수단을 갖추고 있으므로, 리드프레임을 균일하게 가압해서 플래시버르를 남기지 않고 반도체장치를 수지봉지할 수 있다.
복수의 캐버티인서트를 서로 독립적으로 제1의 탄성수단에 의해 지지하면, 가압시에 각 캐버티인서트가 각각 독립해서 약간 움직일 수 있으므로, 리드프레임에 대한 가압력의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또, 복수의 캐버티인서트에 인접되게 캐버티리테이너에 매설됨과 동시에 그 표면에 러너 및 복수의 캐버티인서트의 캐버티에 각각 접속되는 복수의 게이트가 형성된 러너인서트와, 복수의 캐버티인서트와 러너인서트를 연결함과 동시에 제1의 탄성수단에 의해 지지되는 연결플레이트를 갖추면, 연결플레이트를 사이에 두고 복수의 캐버티인서트 및 러너인서트가 탄성적으로 지지되고, 러너 및 게이트를 갖추면서도 리드프레임을 균일하게 가압시킬 수 있다.
또, 이젝터플레이트를 관통하고, 또 연결플레이트를 사이에 두고 러너인서트를 정반 위에 탄성지지함과 동시에 제1의 탄성수단보다 짧은 제2의 탄성수단을 갖추면 캐버티인서트를 러너인서트보다 강하게 가압할 수 있고, 리드프레임에 대한 가압력을 향상시킬 수 있다.

Claims (4)

  1. 정반과, 상기 정반 위에 고정되고, 상기 정반과의 사이에 공간부를 갖는 캐버티리테이너와, 각각 표면이 노출되도록 상기 캐버티리테이너에 매설되고 상기 표면에 캐버티가 형성된 복수의 캐버티인서트와, 각각 상기 캐버티인서트 및 상기 캐버티리테이너를 관통해서 한쪽 끝이 상기 캐버티리테이너의 공간부 내에 돌출함과 동시에 반대쪽 끝이 상기 캐버티인서트의 캐버티 내에 돌출할 수 있도록 이동동작이 가능하게 설치된 복수의 이젝터핀과, 상기 캐버티리테이너의 공간부 내에 위치하고 상기 복수의 이젝터핀의 한쪽 끝이 고정되는 이젝터플레이트와, 각각 상기 이젝터플레이트를 관통해서 상기 정반 위에 상기 복수의 캐버티인서트를 탄성지지하는 제1의 탄성수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체장치의 수지봉지장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 캐버티인서트는, 서로 독립적으로 상기 제1의 탄성수단에 의해 지지되는 반도체장치의 수지봉지장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 캐버티인서트에 인접하도록 상기 캐버티리테이너에 매설되고 그 표면에 러너 및 상기 복수의 캐버티인서트의 캐버티에 각각 접속되는 복수의 게이트가 형성된 러너인서트와, 상기 복수의 캐버티인서트와 상기 러너인서트를 연결함과 동시에 상기 제1의 탄성수단에 의해 지지되는 연결플레이트를 갖춘 반도체장치의 수지봉지장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 이젝터플레이트를 관통하고, 또 상기 연결플레이트를 사이에 두고 상기 러너인서트를 상기 정반 위에 탄성지지함과 동시에 상기 제1의 탄성수단보다 짧은 제2의 탄성수단을 갖춘 반도체장치의 수지봉지장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012053757A2 (ko) * 2010-10-19 2012-04-26 신한다이아몬드공업(주) 봉지재 성형장치 및 방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2290048B (en) * 1990-06-29 1996-05-29 Seikosha Kk Injection molding machines
JP2603748B2 (ja) 1990-07-24 1997-04-23 三菱電機株式会社 半導体樹脂封止装置及び半導体樹脂封止方法
US5217728A (en) * 1991-06-21 1993-06-08 Amp Incorporated High density mold
US5439371A (en) * 1992-10-07 1995-08-08 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Locally pressurizing injection molding machine
JPH06124971A (ja) * 1992-10-14 1994-05-06 Nec Corp 樹脂封止金型
US5429492A (en) * 1992-12-23 1995-07-04 Taniyama; Yoshihiko Plastic molding apparatus
US6001672A (en) 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
US6206682B1 (en) * 1998-10-05 2001-03-27 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Molding accelerated stripper-ejector system
JP2002043343A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の樹脂封止金型及び半導体装置の樹脂封止方法、並びに樹脂封止半導体装置の離型方法
US6838319B1 (en) * 2000-08-31 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Transfer molding and underfilling method and apparatus including orienting the active surface of a semiconductor substrate substantially vertically
JP3394516B2 (ja) * 2000-10-06 2003-04-07 エヌイーシーセミコンダクターズ九州株式会社 樹脂封止金型
JP4549521B2 (ja) * 2000-12-14 2010-09-22 フィーサ株式会社 インサート成形方法及び金型
US7220615B2 (en) 2001-06-11 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Alternative method used to package multimedia card by transfer molding
US6444501B1 (en) * 2001-06-12 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module
US6617680B2 (en) * 2001-08-22 2003-09-09 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Chip carrier, semiconductor package and fabricating method thereof
US6837700B2 (en) * 2002-10-11 2005-01-04 Tung-Jung Chen Mold article ejecting device used for an injection molding apparatus
US9512863B2 (en) * 2012-04-26 2016-12-06 California Institute Of Technology Silicon alignment pins: an easy way to realize a wafer-to-wafer alignment
JP6985187B2 (ja) * 2018-03-15 2021-12-22 トヨタ自動車株式会社 樹脂体の金型
JP7102238B2 (ja) * 2018-06-08 2022-07-19 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置および樹脂成形品の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3645492A (en) * 1969-12-30 1972-02-29 Stefan T Edlis Ejection actuator for plastic injection mold
DE3243991C2 (de) * 1982-11-27 1985-01-10 Karl 7298 Loßburg Hehl Formschließeinheit mit einer Auswerfer-Antriebsvorrichtung
US4687434A (en) * 1983-04-06 1987-08-18 Phillips Plastics Corporation Apparatus for molding two-piece plastic fastener
JPS6265214A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Tohoku Metal Ind Ltd 磁気ヘツド用コアのギヤツプ部接合方法
JPH036410Y2 (ko) * 1985-10-16 1991-02-19
JP2609849B2 (ja) * 1986-07-31 1997-05-14 トーワ株式会社 多品種少量生産に適した半導体封止用のマルチプランジヤー型樹脂モールド装置
ATE66860T1 (de) * 1987-10-31 1991-09-15 Schoettli Ag Heisskanal-spritzwerkzeug zur herstellung von einmal-spritzenzylindern und dgl.
US4874308A (en) * 1988-04-04 1989-10-17 Atlas Gary N Vacuum assisted transfer mold and vent pin

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012053757A2 (ko) * 2010-10-19 2012-04-26 신한다이아몬드공업(주) 봉지재 성형장치 및 방법
WO2012053757A3 (ko) * 2010-10-19 2012-06-14 신한다이아몬드공업(주) 봉지재 성형장치 및 방법

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JPH03217032A (ja) 1991-09-24

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