CN102969429A - 发光二极管装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供发光二极管装置的制造方法，该制造方法包括以下工序：准备层叠体的工序，所述层叠体具备支撑层、形成在支撑层的厚度方向一侧的约束层、和形成在约束层的厚度方向一侧的、由封装树脂制成的封装树脂层；对层叠体中的封装树脂层和约束层切入与发光二极管元件对应的图案的工序；在切入了图案的封装树脂层和约束层中，将与发光二极管元件不对应的部分除去的工序；使与发光二极管元件对应的封装树脂层和发光二极管元件相对，将它们朝彼此接近的方向按压，通过封装树脂层将发光二极管元件封装的工序；以及，将支撑层和约束层从层叠体上除去的工序。

Description

发光二极管装置的制造方法

技术领域

本发明涉及发光二极管装置的制造方法，详细而言，涉及发光二极管元件通过封装树脂层封装的发光二极管装置的制造方法。

背景技术

迄今，已知有发光二极管元件（LED）被封装树脂层封装的发光二极管装置。

例如，提出了如下的发光二极管装置的制造方法：将安装在基板上的LED与具有凹部的模具相对配置并使树脂层夹在它们之间，接着，相对于基板按压模具，从而通过树脂层封装LED（例如参照日本特开2010-123802号公报。）。

通过该方法，能够将树脂层形成为与模具的凹部对应的形状，并且形成为与各LED对应的图案。

发明内容

然而，在日本特开2010-123802号公报所记载的方法中，需要将模具的凹部以在沿厚度方向投影时与LED重合的方式进行配置。因此，需要相对于LED精确定位模具。如此一来，同时需要进行模具定位和利用模具的按压这两方，因此，制造工序变繁杂。

本发明的目的在于提供一种发光二极管装置的制造方法，该制造方法能够确实地将发光二极管元件封装、简便且高效地制造可靠性优异的发光二极管装置。

本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于，其是发光二极管元件通过封装树脂层封装的发光二极管装置的制造方法，该制造方法包括以下工序：准备层叠体的工序，所述层叠体具备支撑层、形成在前述支撑层的厚度方向一侧的约束层、和形成在前述约束层的厚度方向一侧的、由封装树脂制成的前述封装树脂层；对前述层叠体中的前述封装树脂层和前述约束层切入与前述发光二极管元件对应的图案的工序；在切入了前述图案的前述封装树脂层和前述约束层中，将与前述发光二极管元件不对应的部分除去的工序；使与前述发光二极管元件对应的前述封装树脂层和前述发光二极管元件相对，将它们朝彼此接近的方向按压，通过前述封装树脂层将前述发光二极管元件封装的工序；以及，将前述支撑层和前述约束层从前述层叠体上除去的工序。

此外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，优选的是，封装树脂为热固性树脂，前述封装树脂层由热固性树脂的B阶树脂形成。

此外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，优选的是，在前述准备层叠体的工序中，使荧光体层夹在前述约束层与前述封装树脂层之间，并且将前述封装树脂层形成在前述荧光体层的厚度方向一侧。

在本发明的发光二极管装置的制造方法中，对层叠体中的封装树脂层和约束层切入与发光二极管元件对应的图案，然后，使与发光二极管元件对应的封装树脂层和发光二极管元件相对，将它们朝彼此接近的方向按压，通过封装树脂层将发光二极管元件封装。

因此，能够省去上述的模具定位，因而能够简便且高效地通过封装树脂层将发光二极管元件封装。

进而，在层叠体中，封装树脂层形成在约束层的厚度方向一侧，因而能够通过所述约束层约束封装树脂层。

因此，能够通过约束层约束封装树脂层，并且以优异的精度切入与发光二极管元件对应的图案。

进而，然后，能够一边利用约束层进行约束一边确实地将与发光二极管元件不对应的部分的封装树脂层除去。

进而，能够通过约束层约束残留的封装树脂层的形状以实现形状的维持。

再者，能够通过与发光二极管元件对应的部分的封装树脂层确实地将发光二极管元件封装。

因此，能够通过实现了形状的维持的封装树脂层确实地将发光二极管元件封装。

其结果，能够简便且高效地制造可靠性优异的发光二极管装置。

附图说明

图1为表示本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式中所准备的层叠体的剖视图。

图2为表示用于说明图1所示的层叠体的制造方法的工序图，

（a）表示准备约束层的工序，

（b）表示形成荧光体层的工序，

（c）表示形成封装树脂层的工序，

（d）表示形成脱模层的工序，

（e）表示形成支撑层的工序。

图3表示切入层叠体的工序，

（a）为剖视图，

（b）为俯视图。

图4表示将外框部的脱模层、封装树脂层、荧光体层和约束层剥离的工序。

图5为表示将脱模层从层叠体上剥离并通过封装树脂层将发光二极管元件封装的工序图，

（a）表示配置粘合薄膜的工序，

（b）表示将粘合薄膜贴附在脱模层上的工序，

（c）表示将脱模层剥离的工序，

（d）表示配置发光二极管元件的工序，

（e）表示将安装基板压接在封装树脂层上的工序，

（f）表示将约束层剥离的工序。

图6表示在本发明的发光二极管装置的制造方法的另一实施方式中对层叠体切入图案并将各个单元切开的工序，

（a）为剖视图，

（b）为俯视图。

图7为表示接着图6用于说明发光二极管装置的制造方法的工序图，

（a）表示将脱模层从层叠体上剥离的工序，

（b）表示使发光二极管元件与封装树脂层相对的工序，

（c）表示将发光二极管元件埋设在封装树脂层中的工序，

（d）表示将约束层从层叠体上剥离的工序。

图8为表示用于说明在图7的（b）所示的工序中将多个单元排列在工作台的上表面的工序的立体图。

图9为表示用于说明在图7的（c）所示的工序中对单元集合体进行按压的工序的局部剖切立体图。

具体实施方式

图1是表示本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式中所准备的层叠体的剖视图，图2是表示用于说明图1所示的层叠体的制造方法的工序图，图3表示切入层叠体的工序，图4表示将外框部的脱模层、封装树脂层、荧光体层和约束层剥离的工序，图5是表示将脱模层从层叠体上剥离并通过封装树脂层将发光二极管元件封装的工序图。

该方法如图5所示，是制造发光二极管元件21被封装树脂层5封装的发光二极管装置22的方法。

该方法通过辊对辊方式实施接下来说明的图2~图5的各工序，所述辊对辊方式通过未图示的辊一边将各构件连续输送一边进行处理。需要说明的是，在图2~图5中，为了方便起见，将各构件的输送方向设定为自纸面左侧朝向纸面右侧的方向来进行说明。

在该方法中，首先，准备图1所示的层叠体1。

层叠体1形成为沿输送方向（参照图4和图5）的纵长的平带薄膜形状。层叠体1具备支撑层2、形成在支撑层2上（厚度方向一侧）的约束层3、形成在约束层3上（厚度方向一侧）的荧光体层4、形成在荧光体层4上（厚度方向一侧）的封装树脂层5、和形成在封装树脂层5上的脱模层6。

支撑层2形成为与层叠体1的外形形状对应的平带薄膜形状，作为用于支撑整个层叠体1的支撑胶带（支撑薄膜），并且作为辊对辊方式中的载带（载体薄膜）。

支撑层2例如由树脂薄膜、金属箔等形成。作为形成树脂薄膜的树脂材料，例如可列举出丙烯酸类树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂（silicone resin）等弱粘合树脂。作为形成金属箔的金属材料，例如可列举出铁、铜、不锈钢等。优选列举出由弱粘合树脂形成的树脂薄膜。

支撑层2的厚度例如为20~200μm，优选为50~90μm。

其中，在支撑层2由金属箔形成的情况下，也可以层叠未图示的粘合层（弱粘合层、粘性层），实施粘合处理（弱粘合处理、粘性处理）。

约束层3形成为与支撑层2大致相同的形状（纵长的平带薄膜状）。约束层3作为维持形成在其上的荧光体层4和封装树脂层5的形状的约束薄膜（基材薄膜）。

约束层3例如由树脂薄膜、金属箔等形成。作为形成树脂薄膜的树脂材料，例如可列举出丙烯酸类树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂（例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等）等。作为形成金属箔的金属材料，例如可列举出铁、铜、不锈钢等。约束层3优选由树脂薄膜形成。

约束层3的厚度例如为12~250μm，优选为25~75μm。

另外，可以在约束层3的上表面实施脱模处理。

荧光体层4形成在约束层3的整个上表面。

荧光体层4例如由含有荧光体和树脂的荧光体组合物形成。

作为荧光体，例如可列举出能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体。作为这种荧光体，例如可列举出Y₃Al₅O₁₂:Ce（YAG（钇·铝·石榴石）:Ce）等石榴石型荧光体等。

此外，荧光体例如呈颗粒状，平均粒径例如为0.1~30μm，优选为0.2~10μm。

树脂是使荧光体分散的基质，可列举出例如热固性有机硅树脂、环氧树脂、热固性聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、热固性聚氨酯树脂等热固性树脂，例如丙烯酸类树脂等热塑性树脂。从耐久性的角度出发，优选列举出热固性树脂，进一步优选列举出热固性有机硅树脂。

荧光体的配混比例例如相对于100质量份树脂为例如5~50质量份。

荧光体层4的厚度例如为10~1000μm，优选为50~600μm。

封装树脂层5形成在荧光体层4的整个上表面。此外，封装树脂层5在厚度方向上与约束层3一起夹持荧光体层4。即，荧光体层4夹在约束层3与封装树脂层5之间。

作为用于形成封装树脂层5的封装树脂，可列举出与在荧光体组合物中例示的树脂同样的树脂，优选列举出热固性树脂，进一步优选列举出热固性有机硅树脂。

如果封装树脂为热固性树脂，则将其制成B阶树脂来形成封装树脂层5，由此能够以较小的按压力埋设发光二极管元件21（参照图5），能够通过之后的加热固化将发光二极管元件21封装并赋予封装树脂层5耐热性。

此外，在封装树脂中，根据需要，还可以以适当的比例添加上述的荧光体、填充剂（硅石等）来将封装树脂制备成封装树脂组合物。

封装树脂层5的厚度例如为50~5000μm，优选为100~1000μm。

脱模层6层叠在封装树脂层5的整个上表面。

脱模层6形成为与支撑层2大致相同的形状（纵长的平带薄膜形状），由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜等聚酯树脂薄膜、例如乙烯-四氟乙烯共聚树脂薄膜等氟系树脂薄膜形成。优选由聚酯树脂薄膜形成。

此外，还可以对脱模层6的下表面实施脱模处理。

脱模层6的厚度例如为12~250μm，优选为25~75μm。

接着，参照图2说明该层叠体1的制造方法。

首先，如图2的（a）所示，准备约束层3。

接着，如图2的（b）所示，将荧光体层4形成在约束层3上。

为了形成荧光体层4，首先，制备上述的荧光体组合物。其中，荧光体组合物制备成液态物质。为了将荧光体组合物制备成液态物质，使用常温下为液态的树脂或配混公知的溶剂。

接着，将液态的荧光体组合物涂布在约束层3的整个上表面。

作为将荧光体组合物涂布在约束层3的整个上表面的方法，例如可列举出刮刀法、凹版涂布法、喷注涂布法等方法。

接着，将涂布在约束层3的上表面的荧光体组合物例如在100~300℃下加热5~30分钟。

由此，在树脂为热固性树脂的情况下，使树脂完全固化（使其为C阶状态）。

此外，在荧光体组合物中配混有溶剂时，将溶剂蒸馏除去。

由此，将荧光体层4形成在约束层3上。

接着，如图2的（c）所示，将封装树脂层5形成在荧光体层4上。

为了形成封装树脂层5，首先，制备上述的封装树脂。其中，封装树脂制备成液态物质。为了将封装树脂制备成液态物质，使用常温下为液态的封装树脂或配混公知的溶剂。

接着，将液态的封装树脂涂布在荧光体层4的整个上表面。

作为将封装树脂涂布在荧光体层4的整个上表面的方法，例如可列举出刮刀法、凹版涂布法、喷注涂布法等方法。

接着，将涂布在荧光体层4的上表面的封装树脂例如在40~150℃下加热1~60分钟。

由此，在封装树脂为热固性树脂的情况下，使封装树脂半固化（使其为B阶状态）。此外，在封装树脂中配混有溶剂时，将溶剂蒸馏除去。

由此，将由B阶树脂形成的封装树脂层5形成在荧光体层4上。

接着，如图2的（d）所示，将脱模层6形成在封装树脂层5上。

具体而言，将脱模层6贴附在封装树脂层5的整个上表面。由此，封装树脂层5被脱模层6保护。

然后，如图2的（e）所示，将支撑层2形成在约束层3下。

具体而言，将支撑层2贴附在约束层3的下表面。

由此，得到图1所示的层叠体1。

接着，在该方法中，如图3的（a）和图3的（b）所示，对层叠体1中的约束层3、荧光体层4、封装树脂层5和脱模层6切入与发光二极管元件21（参照图5）对应的图案（划分发光二极管元件21的埋设区域（部分）的图案）（形成切口7）。

具体而言，对于约束层3、荧光体层4、封装树脂层5和脱模层6，使用大致圆环形的刀模，自上侧向下侧沿纵长方向彼此隔开间隔地形成多个俯视呈大致圆环形的切口7（图3的（a）的单点虚线）。

切口7以在厚度方向上支撑层2不被切断、且支撑层2上的各层、即约束层3、荧光体层4、封装树脂层5和脱模层6被切断的方式形成。

由此，切口7形成为：在俯视下，在层叠体1中，将在切口7的内侧作为与发光二极管元件21对应的部分的埋设部分10、和在切口7的外侧作为与发光二极管元件21不对应的部分的外框部12隔开。

外框部12形成为如下图案：在层叠体1的宽度方向（与厚度方向和纵长方向正交的方向）的两端部沿纵长方向连续，且在各埋设部分10之间配置并将宽度方向上的两端部连接。

埋设部分10的直径（最大长度）例如为5~300mm，优选为7~200mm。此外，各埋设部分10的间隔（纵长方向上的间隔）例如为20~1000mm，优选为50~200mm。

接着，在该方法中，如图4所示，将与发光二极管元件21（参照图5）不对应的约束层3、荧光体层4、封装树脂层5和脱模层6除去。

即，将外框部12的约束层3从支撑层2上剥离。具体而言，将外框部12的约束层3、荧光体层4、封装树脂层5和脱模层6向上方拉起。

由此，在埋设部分10处，层叠在支撑层2上的约束层3、荧光体层4、封装树脂层5和脱模层6形成为与切口7对应的图案。

接着，在该方法中，如图5的（a）~图5的（c）所示，将埋设部分10的脱模层6从封装树脂层5上剥离。

为了将埋设部分10的脱模层6从封装树脂层5上剥离，例如，如图5的（a）所示，首先，将粘合薄膜19相对配置在封装树脂层5上。

粘合薄膜19例如形成为与支撑层2大致相同的形状（纵长的平带薄膜形状），例如由丙烯酸系粘合剂等公知的粘合剂形成。粘合薄膜19的厚度例如为30~300μm。

接着，如图5的（b）所示，将粘合薄膜19贴附在脱模层6的上表面。由此，脱模层6粘附在粘合薄膜19的下表面。

然后，如图5的（c）的箭头所示，将粘合薄膜19向上方拉起，从而将脱模层6从封装树脂层5上剥离。

接着，在该方法中，如图5的（d）所示，使与发光二极管元件21对应的封装树脂层5和发光二极管元件21相对。

具体而言，在埋设部分10的封装树脂层5上相对配置发光二极管元件21。

此时，相对于封装树脂层5定位发光二极管元件21。其中，发光二极管元件21的相对于封装树脂层5的定位是通过将辊对辊方式中的连续输送暂时停下而实施的。

发光二极管元件21安装在安装基板20上，具体而言，发光二极管元件21通过压焊（wire bonding）或倒装焊接等安装在安装基板20的下表面。更具体而言，发光二极管元件21以在沿厚度方向投影时被包含在安装基板20中的方式设置，详细而言，其设置在安装基板20的下表面中央部。

需要说明的是，在图5的（d）中，安装基板20由未图示的拾取装置（吸引装置）等支撑。

接着，在该方法中，如图5的（d）的箭头和图5的（e）所示，将发光二极管元件21和封装树脂层5朝彼此接近的方向按压。

具体而言，将安装基板20向下方按下，将安装基板20压接在封装树脂层5上。

安装基板20的相对于封装树脂层5的按压力例如为0.01~10MPa，优选为0.1~4MPa。

由此，发光二极管元件21被压入封装树脂层5而埋设在封装树脂层5内。

由此，能够通过封装树脂层5将发光二极管元件21封装。

接着，在该方法中，如图5的（f）的箭头所示，将支撑层2和约束层3从层叠体1上除去。

具体而言，相对于封装树脂层5将支撑层2和约束层3向下方拉下而将约束层3从封装树脂层5上剥离。

其中，在将支撑层2和约束层3拉下的过程中，它们由于支撑层2的粘合性而相互密合不剥离。

此外，在将支撑层2和约束层3拉下的过程中，在辊对辊方式中，会恢复已停止的连续输送。

然后，在封装树脂为热固性树脂时，将封装树脂层5的封装树脂例如在150~300℃下加热5~300分钟，从而使其完全固化（使其为C阶状态）。

由此，得到具备安装基板20、发光二极管元件21、封装树脂层5和荧光体层4的发光二极管装置22。

需要说明的是，发光二极管装置22由未图示的拾取装置（吸引装置）等支撑。

而且，在该方法中，对层叠体1中的脱模层6、封装树脂层5、荧光体层4和约束层3切入与发光二极管元件21对应的图案，然后，使埋设部分10中的封装树脂层5与发光二极管元件21相对，将它们朝彼此接近的方向按压，通过封装树脂层5将发光二极管元件21封装。

因此，能够省去日本特开2010-123802号公报中记载的模具定位，因而能够简便且高效地通过封装树脂层5将发光二极管元件21封装。

进而，在层叠体1中，由于封装树脂层5和荧光体层4形成在约束层3上，因而能够通过所述约束层3约束封装树脂层5和荧光体层4。

因此，能够一边通过约束层3约束封装树脂层5和荧光体层4，一边以优异的精度切入与发光二极管元件21对应的图案。

进而，之后，能够一边通过约束层3约束外框部12的脱模层6、封装树脂层5和荧光体层4，一边确实地将其除去。

进而，能够通过约束层3约束残留的埋设部分10的封装树脂层5和荧光体层4的形状来实现形状的维持。

再者，能够通过埋设部分10的封装树脂层5确实地将发光二极管元件21封装。

因此，能够通过实现了形状的维持的封装树脂层5确实地将发光二极管元件21封装。

其结果，能够简便且高效地制造可靠性优异的发光二极管装置22。

需要说明的是，在图1和图2的实施方式中，将荧光体层4设置在层叠体1上，但例如，虽未图示，也可以不将荧光体层4设置在层叠体1上，而通过封装树脂层5将发光二极管元件21封装之后，另行将荧光体层4层叠（贴附）在封装树脂层5的下表面。

优选预先在层叠体1上设置荧光体层4。通过该方法，能够省去另行在将发光二极管元件21封装之后的封装树脂层5上设置荧光体层4的工序。

因此，能够更简便地制造发光二极管装置22。

进而，在图5的实施方式中，在层叠体1中将支撑层2配置在下侧，此外，在发光二极管装置22中将安装基板20配置在上侧，但对上下方向的配置没有特别限定，例如，虽未图示，但也可将它们反过来层叠。即，可以在层叠体1中将支撑层2配置在上侧，在发光二极管装置22中将安装基板20配置在下侧。

图6表示在本发明的发光二极管装置的制造方法的另一实施方式中对层叠体切入图案并将各个单元切开的工序，图7是表示接着图6用于说明发光二极管装置的制造方法的工序图，图8是表示用于说明在图7的（b）所示的工序中将多个单元排列在工作台的上表面的工序的立体图，图9是表示用于说明在图7的（c）所示的工序中对单元集合体进行按压的工序的局部剖切立体图。

需要说明的是，对于与上述的各部对应的构件，在之后的各附图中标以相同的附图标记，省略其详细说明。

在图3的（b）的实施方式中，将埋设部分10在宽度方向上设置了1列，而例如可以在宽度方向设置多列，具体而言，可以如图6的（b）所示，在宽度方向上设置2列。

此外，在图5的（e）的实施方式中，将1个发光二极管元件21埋设在1个埋设部分10的封装树脂层5中，但例如，虽未图示，也可以将多个发光二极管元件21埋设在1个埋设部分10的封装树脂层5中。进而，在该情况下，可以将多个发光二极管元件21分别安装在各个安装基板20上，或者也可以将多个发光二极管元件21一起安装在1个安装基板20（大的安装基板20，具体而言为晶圆等）上。

此外，在图5的实施方式中，通过辊对辊方式实施各工序，但例如也可以如图7~图9所示，通过单片方式（分批方式）实施。

接着，参照图7~图9说明通过单片方式实施除了准备层叠体1的工序（图2）和切入层叠体1的工序（图6）以外的各工序的发光二极管装置22的制造方法。

在该方法中，首先，如图1和图2所示，准备纵长平带状的层叠体1。

接着，在该方法中，如图6所示，切入层叠体1中的约束层3、荧光体层4、封装树脂层5和脱模层6，且将各个包括多个埋设部分10的单元15切开。

具体而言，通过在层叠体1的宽度方向和纵长方向上成列状地形成切口7，形成在宽度方向和纵长方向上排列的埋设部分10。

此外，将层叠体1切开为排列成宽度方向上2列、纵长方向上2列的包括埋设部分10的、俯视呈大致矩形的单元15。即，将支撑层2、约束层3、荧光体层4、封装树脂层5和脱模层6切断以与单元15对应。

单元15的尺寸可适当选择，纵长方向上的长度例如为100~1000mm，宽度方向上的长度为100~1000mm。各埋设部分10之间的纵长方向上的间隔和宽度方向上的间隔例如为20~500mm，优选为50~200mm。

接着，如图7的（a）所示，将各单元15的埋设部分10的脱模层6剥离。具体而言，将粘合薄膜19贴附在脱模层6的上表面，接着，将粘合薄膜19向上方拉起。

然后，如图8所示，将剥离了脱模层6的单元15载置在工作台16上。具体而言，将单元15以各单元15在宽度方向和纵长方向上彼此隔开间隔排列的方式载置于工作台16的上表面。各单元15间的间隔例如为10~100mm。

工作台16呈大致矩形板状，例如由铁板、不锈钢板等金属板形成。

由此，在工作台16上制作载置有多个单元15的单元集合体18。

接着，如图7的（b）和图8所示，使发光二极管元件21与单元集合体18中的封装树脂层5相对配置。

然后，如图7的（c）所示，将发光二极管元件21和封装树脂层5朝彼此接近的方向按压而将发光二极管元件21埋设在封装树脂层5内。

具体而言，在安装基板20的上表面配置加热板17，所述加热板17按压安装基板20。即，通过加热板17和工作台16在厚度方向上的夹合，在厚度方向上按压发光二极管元件21和封装树脂层5。

加热板17的温度例如为120~200℃，优选为140~165℃。加热板17形成为略大于单元集合体18的大致矩形板状。

接着，将加热板17升起，将各单元15从工作台16上取下，接着如图7的（d）所示，将支撑层2和约束层3从层叠体1上除去。具体而言，将约束层3从封装树脂层5上剥离。

然后，在封装树脂为热固性树脂时，通过将封装树脂层5例如在150~300℃下加热5~300分钟，使其完全固化（使其为C阶状态）。

由此，得到发光二极管装置22。

而且，图7的实施方式可发挥与图3~5的实施方式同样的作用效果，进而，由于其为单片方式，因此在根据发光二极管元件21和发光二极管装置22的种类或尺寸等而进行小批量生产时，能够降低制造成本。

实施例

以下举出实施例来进一步详细说明本发明，但本发明完全不受其限定。

实施例1

辊对辊方式

通过辊对辊方式实施下述各工序。

层叠体的制造

准备上表面经脱模处理的由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成的约束层（参照图2的（a））。需要说明的是，约束层呈纵长平带状，宽度300mm，厚度50μm。

接着，将荧光体层形成在约束层上（参照图2的（b））。

具体而言，首先，制备含有100质量份常温为液态的热固性有机硅树脂和26质量份荧光体（颗粒状，平均粒径：10μm，YAG颗粒）的液态的荧光体组合物，接着，用刮刀法将其涂布在约束层的整个上表面，接着，在100℃下加热5分钟，形成厚度100μm的完全固化状态（C阶）的荧光体层。

接着，将封装树脂层形成在荧光体层上（参照图2的（c））。

具体而言，首先，用刮刀法将常温为液态的热固性有机硅树脂涂布在荧光体层的整个上表面，接着，在120℃下加热10分钟，形成厚度900μm的半固化状态（B阶状态）的封装树脂层。

接着，将下表面经脱模处理的由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成的厚度50μm的脱模层贴附在封装树脂层的整个上表面（参照图2的（d））。需要说明的是，脱模层形成为尺寸与约束层相同的纵长平带状。

然后，将由丙烯酸类树脂（弱粘合剂）形成的厚度70μm的支撑层贴附在约束层的整个下表面（参照图2的（e））。

由此，制造层叠体（参照图1）。

发光二极管装置的制造

通过圆环形状的刀模对层叠体中的约束层、荧光体层、封装树脂层和脱模层切入与发光二极管元件（参照图5）对应的图案，形成圆环形状的切口（参照图3的（a）和图3的（b））。切口的直径为100mm，各切口间的间隔为50mm。

接着，将由切口的外侧所隔出的外框部的约束层、荧光体层、封装树脂层和脱模层从支撑层上除去（参照图4）。

接着，将由丙烯酸系粘合剂形成的厚度70μm的粘合薄膜相对配置在封装树脂层上（参照图5的（a）），接着，将粘合薄膜贴附在脱模层的上表面（参照图5的（b）），然后，将粘合薄膜向上方拉起，从而将脱模层从封装树脂层上剥离（参照图5的（c）的箭头）。

接着，使埋设部分的封装树脂层与安装在安装基板的下表面的发光二极管元件相对，相对于封装树脂层定位发光二极管元件（参照图5的（d））。

接着，将安装基板向下方按下，以2.77MPa的压力将安装基板压接在封装树脂层上，从而将发光二极管元件压入封装树脂层，将发光二极管元件埋设于封装树脂层内（参照图5的（d）的箭头和图5的（e））。

由此，通过封装树脂层将发光二极管元件封装。

然后，将支撑层和约束层相对于封装树脂层向下方拉下，将约束层从封装树脂层上剥离（参照图5的（f）的箭头）。

然后，通过在150℃下加热120分钟，使封装树脂层完全固化（使其为C阶状态）。

由此，得到发光二极管装置。

实施例2

辊对辊方式和单片方式

通过辊对辊方式实施准备层叠体的工序（参照图2）和切入层叠体的工序（参照图6），通过单片方式实施除上述以外的各工序。

即，与实施例1同样地处理，制造层叠体（参照图1和图2）。

接着，切入层叠体中的约束层、荧光体层、封装树脂层和脱模层，并且将各个包括4个埋设部分的单元切开（参照图6的（b））。

各单元的尺寸为300×300mm，各埋设部分的直径为100mm，各埋设部分间的间隔为50mm。

接着，将由丙烯酸系粘合剂形成的厚度70μm的粘合薄膜贴附在脱模层的上表面，接着通过将粘合薄膜向上方拉起而将埋设部分的脱模层剥离（参照图7的（a））。

然后，将单元以宽度方向和纵长方向上彼此隔开间隔排列的方式载置于工作台的上表面（参照图8）。各单元间的间隔为20mm。

将发光二极管元件与埋设部分的封装树脂层相对配置（参照图7的（b）和图8）。

接着，在安装基板的上表面配置160℃的加热板，通过其按压安装基板（参照图7的（c）和图9）。

然后，将加热板升起，将各单元从工作台上取下，并且将支撑层和约束层从层叠体上除去。

然后，通过在150℃下加热120分钟，使封装树脂层完全固化（使其为C阶状态）。

由此，得到发光二极管装置（参照图7的（d））。

另外，虽然作为本发明的例示实施方式给出了上述说明，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员所清楚的本发明的变形例是包括在本发明的保护范围内的。

Claims (3)

1.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，其是发光二极管元件通过封装树脂层封装的发光二极管装置的制造方法，该制造方法包括以下工序：

准备层叠体的工序，所述层叠体具备支撑层、形成在所述支撑层的厚度方向一侧的约束层、和形成在所述约束层的厚度方向一侧的、由封装树脂制成的所述封装树脂层；

对所述层叠体中的所述封装树脂层和所述约束层切入与所述发光二极管元件对应的图案的工序；

在切入了所述图案的所述封装树脂层和所述约束层中，将与所述发光二极管元件不对应的部分除去的工序；

使与所述发光二极管元件对应的所述封装树脂层和所述发光二极管元件相对，将它们朝彼此接近的方向按压，通过所述封装树脂层将所述发光二极管元件封装的工序；以及，

将所述支撑层和所述约束层从所述层叠体上除去的工序。

2.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，

封装树脂为热固性树脂，

所述封装树脂层由热固性树脂的B阶树脂形成。

3.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，

在准备所述层叠体的工序中，使荧光体层夹在所述约束层与所述封装树脂层之间，

将所述封装树脂层形成在所述荧光体层的厚度方向一侧。

Images