CN102543901A - 密封构件、密封方法及光半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供密封构件、密封方法及光半导体装置的制造方法，密封构件包括长条的剥离薄膜和由密封树脂构成的、沿剥离薄膜的长度方向以彼此隔着间隔并列配置的方式层叠在剥离薄膜之上的多个密封树脂层。

Description

密封构件、密封方法及光半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及密封构件、详细来说是用于密封光半导体元件的密封构件、使用该密封构件的密封方法及包括该密封方法的光半导体装置的制造方法。
背景技术
以往，公知用树脂密封发光二级管(LED)等光半导体元件的方法。
例如，提出有下述方法，即，将搭载有半导体芯片、电路零件的被成型品和用于对用于密封被成型品的密封树脂进行成形的模具相对配置，一边利用离型膜覆盖模具的模具面，一边向模具内填充密封树脂，使被成型品和密封树脂压接，从而用树脂密封被成型品(例如，参照日本特开2002-43345号公报)。
若采用上述方法，由于一边利用离型膜覆盖模具的模具面一边使用树脂进行密封，因此，能够使密封树脂容易地从模具脱模，并且能够防止密封树脂残存在模具内。
然而，在记载于上述的日本特开2002-43345号公报的方法中，在每次密封被成型品时都需要进行下述操作，即，放出离型膜，之后向模具内填充密封树脂。
因此，在本次的密封作业之后到下次的密封作业之间，需要用于向模具内再次填充密封树脂的时间，从而存在使作业效率变差的情况。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供能够高效且连续地对密封对象进行密封的密封构件、使用该密封构件的密封方法及包括该密封方法的光半导体装置的制造方法。
本发明的密封构件的特征在于，其包括剥离薄膜，其为长条状；多个密封树脂层，它们由密封树脂构成，沿上述剥离薄膜的长度方向以彼此隔开间隔并列配置的方式层叠在上述剥离薄膜之上。
此外，优选本发明的密封构件用于密封光半导体元件。
此外，优选本发明的密封构件进一步包括由用于形成透镜的透镜形成树脂构成的、介于上述剥离薄膜和各个上述密封树脂层之间的透镜形成树脂层。
此外，优选在本发明的密封构件中，上述密封树脂为热固化性树脂，上述密封树脂层由上述热固化性树脂的B阶段树脂形成。
此外，本发明的密封方法的特征在于，反复进行下述工序，即，一边在长度方向上输送上述的密封构件一边使上述密封树脂层和密封对象相面对的工序，在使上述密封树脂层与上述密封对象接近的方向上按压彼此面对的上述密封树脂层和/或上述密封对象而利用上述密封树脂层密封上述密封对象的工序。
此外，本发明的光半导体装置的制造方法的特征在于，密封对象为光半导体元件，该光半导体装置的制造方法包括上述的密封方法。
若采用本发明的密封方法，使用包括长条的剥离薄膜和沿剥离薄膜的长度方向以彼此隔着间隔并列配置的方式层叠在剥离薄膜之上的多个密封树脂层的密封构件，反复进行下述操作，即，一边在长度方向上输送密封构件一边使密封树脂层和密封对象相面对，在使密封树脂层与密封对象接近的方向上按压彼此面对的密封树脂层和/或密封对象，利用密封树脂层对密封对象进行密封。
因此，能够一边沿密封构件的长度方向输送密封构件，与剥离薄膜一起依次放出各个密封树脂层，一边连续地对密封对象进行密封。
由此，能够在对密封对象进行密封时，每次同时准备剥离薄膜和密封树脂层，从而能够缩短用于再次准备密封树脂层的时间。
其结果，能够高效地连续地对密封对象进行密封，能够在密封对象为光半导体元件的情况下高效地制造光半导体装置。
附图说明
图1是本发明的密封构件的一实施方式的剖视图。
图2是用于说明图1所示的密封构件的制造方法的工序图，其中，
(a)表示在基膜之上形成密封树脂层的工序；
(b)表示在剥离薄膜之上形成透镜形成树脂层的工序。
图3是用于接着图2说明密封构件的制造方法的工序图，其中，
(c)表示层叠密封树脂层和透镜形成树脂层的工序；
(d)表示在基膜、密封树脂层及透镜形成树脂层上形成规定形状的切缝的工序；
(e)表示对规定形状以外的部分的基膜、密封树脂层及透镜形成树脂层进行去除的工序；
(f)表示除掉基膜的工序。
图4是说明本发明的密封方法的一实施方法的说明图，其表示使密封构件与光半导体元件相面对的工序。
图5是说明图4所示的密封方法的说明图，其表示密封光半导体元件的工序。
具体实施方式
图1是本发明的密封构件的一实施方式的剖视图。
如图1所示，密封构件1包括剥离薄膜2、层叠在剥离薄膜2之上的多个密封层3、以覆盖密封层3的方式层叠在剥离薄膜2之上的保护薄膜4。密封构件1用于密封例如发光二极管(LED)等发光元件、例如受光元件等光半导体元件等密封对象。在本实施方式中，对以LED作为密封对象而密封LED的情况进行说明。
剥离薄膜2形成为长条的平带形状。
密封层3形成为俯视大致圆形状，其沿剥离薄膜2的长度方向彼此隔着间隔并列配置。此外，密封层3包括用于形成透镜的透镜形成树脂层5和用于密封LED的密封树脂层6。
透镜形成树脂层5是透明的，其形成为俯视大致圆形状且层叠在剥离薄膜2之上。
密封树脂层6是透明的，其形成为与透镜形成树脂层5大致同直径的俯视大致圆形状，以与透镜形成树脂层5共用中心的方式形成在透镜形成树脂层5之上。
也就是说，透镜形成树脂层5介于剥离薄膜2和密封树脂层6之间。
保护薄膜4形成为与剥离薄膜2大致相同的形状(长条的平带形状)。
图2及图3是用于说明图1所示的密封构件的制造方法的工序图。
为了制造密封构件1，如图2的(a)所示，首先，在基膜11之上形成密封树脂层6。
基膜11例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯的聚酯、例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃等形成为长条的平带形状。
基膜11的厚度是例如12μm～250μm，优选为25μm～75μm。
作为用于形成密封树脂层6的密封树脂，可以举出例如热固化型有机硅树脂、环氧树脂、热固化性聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、热固化性聚氨酯树脂等热固化性树脂，优选热固化性有机硅树脂。
为了形成密封树脂层6，在基膜11之上涂布密封树脂的溶液且使其干燥，从而获得处于半固化状态(B阶段)的密封树脂层6。此外，并不对用于溶解密封树脂的溶剂进行特别限定，可以举出公知的有机溶剂。
为了使密封树脂层6进入B阶段，例如在40℃～150℃的温度范围内将其加热1分钟～60分钟。
此外，为了使密封树脂层6完全固化，例如在125℃～250℃的温度范围内将其加热5分钟～24小时。
能够在密封树脂的溶液中调配例如荧光体颗粒、二氧化硅颗粒等。
作为荧光体颗粒，例如可以举出由Y3Al5O12:Ce(YAG(钇铝石榴石)：Ce)等荧光体构成的颗粒。
荧光体颗粒例如以相对于密封树脂的溶液的总固态成分的质量比为1％～10％的比例进行调配。
作为二氧化硅颗粒，例如可以举出平均粒径(体积基准，利用动态光散射法测定)20nm以下的二氧化硅颗粒。
二氧化硅颗粒例如以相对于密封树脂的溶液的总固态成分的质量比为5％～20％的比例进行调配。
作为在基膜11上涂布密封树脂的溶液的方法，例如可以举出刮刀法、凹版涂布法、喷泉式涂布(fountain coater)法等方法。
此外，涂布在基膜11之上的密封树脂的溶液例如通过在100℃～150℃的温度范围内将其加热5分钟～30分钟，从而使其干燥，但没有特别限定。
获得的密封树脂层6的厚度例如为300μm～500μm。
此外，为了制造密封构件1，如图2的(b)所示，通过其它途径，在剥离薄膜2之上形成透镜形成树脂层5。
剥离薄膜2例如由乙烯-四氟乙烯共聚树脂等氟类树脂形成为长条的平带形状。
剥离薄膜2的厚度例如是12μm～250μm，优选为25μm～75μm。
作为用于形成透镜形成树脂层5的透镜形成树脂，例如可以举出与上述的密封树脂相同的树脂。
为了形成透镜形成树脂层5，与上述的密封树脂层6相同地、在剥离薄膜2之上涂布透镜形成树脂或者其溶液，进行加热或者干燥，从而获得处于半固化状态(B阶段)的透镜形成树脂层5。此外，并不对用于溶解透镜形成树脂的溶剂进行特别限定，可以举出公知的有机溶剂。
能够在透镜形成树脂的溶液中调配例如上述的二氧化硅颗粒。
二氧化硅颗粒以相对于透镜形成树脂的溶液的总固态成分的质量比为例如5％～20％的比例进行调配。
作为在剥离薄膜2之上涂布透镜形成树脂的溶液的方法，例如可以举出缺角轮涂布(comma coater)法、刮刀法、凹版涂布法、喷泉式涂布法等方法。
此外，涂布在剥离薄膜2之上的透镜形成树脂的溶液例如通过在100℃～150℃的温度范围内将其加热5分钟～30分钟，从而使其干燥，但没有特别限定。
获得的透镜形成树脂层5的厚度例如是100μm～1200μm，优选为600μm～900μm。
接下来，为了制造密封构件1，如图3的(c)所示，使密封树脂层6和透镜形成树脂层5贴合，在常温下以规定压力对其加压。
由此，使密封树脂层6和透镜形成树脂层5层叠，从而形成密封层3。
接下来，如图3的(d)所示，使用圆形状的刀模在基膜11和密封层3(密封树脂层6及透镜形成树脂层5)上沿剥离薄膜2的长度方向彼此隔着间隔地形成多个俯视大致圆形状的切缝，如图3的(e)所示，除去俯视大致圆形状以外的部分的基膜11及密封层3。
由此，沿剥离薄膜2的长度方向彼此隔着间隔地形成多个密封层3。
密封层3的直径例如是50mm～300mm，优选为100mm～200mm。此外，各个密封层3的间隔例如是20mm～1000mm，优选为50mm～200mm。
然后，如图3的(f)所示，在除掉残留的基膜11后，如图1所示，以覆盖密封层3的方式在剥离薄膜2之上层叠保护薄膜4。
保护薄膜4例如由聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃形成为长条的平带形状。
保护薄膜4的厚度例如是12μm～250μm，优选为25μm～50μm。
由此，获得密封构件1。
此外，用于制造上述的密封构件1的各个工序在工业上是利用卷对卷(Roll-to-Roll)法实施的。
图4及图5是说明本发明的密封方法的一实施方式的说明图。
接下来，对使用获得的密封构件1密封LED20而制造LED装置的方法进行说明。在该方法中，如图4所示，使用密封装置21，一边依次放出密封构件1，一边使密封层3和具有LED20的发光基板22相面对，从而连续地密封LED20。
详细来说，密封装置21包括压力部23、密封构件输送部24、保护薄膜剥离部25和剥离薄膜回收部26。
压力部23包括用于载置发光基板22的基部27和相对配置在基部27的上方处的、具有多个半球形状的凹部的模具28。压力部23用于一边对彼此面对的密封层3和发光基板22进行加热，一边在使密封层3和发光基板22靠近的方向上按压上述密封层3和发光基板22。
密封构件输送部24相对于压力部23配置在密封构件1的输送方向上游侧，其用于呈卷状保持密封构件1，并沿密封构件1的长度方向朝向压力部23(基部27和模具28之间)输送被保持的密封构件1。
保护薄膜剥离部25在密封构件1的输送方向上配置在压力部23和密封构件输送部24之间，其用于从密封构件1剥离保护薄膜4，并且呈卷状地卷取被剥离的保护薄膜4。
剥离薄膜回收部26相对于压力部23配置在密封构件1的输送方向下游侧，其用于对使用后的剥离薄膜2进行卷取回收。
然后，为了使用密封装置21连续地密封LED20，首先，将安装有多个LED20的发光基板22载置在压力部23的基部27之上。与此同时，从密封构件输送部24朝向模具28和发光基板22之间放出密封构件1。
此时，在从密封构件输送部24到压力部23的途中，利用保护薄膜剥离部25从密封构件1剥离保护薄膜4，露出密封层3的密封树脂层6。
然后，继续放出密封构件1，使密封树脂层6朝向下方露出，并且以使剥离薄膜2与模具28相面对的方式在安装有LED20的发光基板22的上方处配置密封层3。由此，使密封树脂层6与LED20在上下方向上相面对。
接下来，一边加热模具28，一边使模具28朝向基部27靠近，从而一边加热密封层3，一边朝向发光基板22按压该密封层3。
模具28的温度例如是120℃～200℃，优选为140℃～165℃。
模具28对基部27的按压力例如是0.01MPa～10MPa，优选为0.1MPa～4MPa。
于是，将LED20埋没在密封树脂层6内。此外，将密封层3的透镜形成树脂层5填充到模具28的凹部内。此时，剥离薄膜2以追随着模具28的凹部的方式弯曲，保护模具28的凹部的内表面并且容许透镜形成树脂层5进入到模具28的凹部内。
然后，如图5所示，通过继续加热密封层3，从而使密封树脂层6及透镜形成树脂层5完全固化。
接下来，使模具28以从基部27离开的方式向上方退避而打开模。于是，将剥离薄膜2从模具28的凹部剥离。
由此，利用密封树脂层6密封LED20并且使透镜形成树脂层5形成为透镜。
接下来，一边将剥离薄膜2从利用密封层3密封有LED20的发光基板22剥离，一边从基部27去除利用密封层3密封有LED20的发光基板22，将新的发光基板22载置在基部27上。
与此同时，一边在剥离薄膜回收部26中卷取被剥离的剥离薄膜2，一边从密封构件输送部24放出密封构件1。
于是，再次如上所述地使密封树脂层6和LED20在上下方向上相面对。
如上所述，反复进行下述工序，即，一边输送密封构件1一边使密封树脂层6和LED20相面对的工序，朝向LED20按压与该LED20相面对的密封树脂层6而利用密封树脂层6密封LED20的工序。
由此，能够使用密封装置21连续地密封LED20。
若采用上述密封方法，如图4所示，使用包括长条的剥离薄膜2和沿剥离薄膜2的长度方向以彼此隔着间隔并列配置的方式层叠在剥离薄膜2之上的多个密封树脂层6的密封构件1，反复进行下述操作，即，一边在长度方向上输送密封构件1，一边使密封树脂层6和LED20相面对，朝向LED20按压与该LED20相面对的密封树脂层6而利用密封树脂层6密封LED20。
因此，能够一边沿密封构件1的长度方向输送密封构件1而与剥离薄膜2一起依次放出各个密封树脂层6，一边连续地密封LED20。
由此，能够在密封LED20时，每次同时准备剥离薄膜2和密封树脂层6，能够缩短用于再次准备密封树脂层6的时间。
其结果，能够高效地连续地密封LED20。
此外，若采用上述密封方法，则密封构件1包括透镜形成树脂层5。
因此，能够在密封LED20的同时形成透镜。
其结果，若利用上述密封方法密封LED20，能够高效地制造LED装置。
此外，虽然在上述的密封方法中，作为密封层3准备了密封树脂层6和透镜形成树脂层5，但是也可以只准备密封树脂层6作为密封层3。
实施例
以下，虽然举出实施例进一步详细说明本发明，但是本发明并不限定于下述实施例。
1.密封构件的制造
将含有质量比5％的Y3Al5O12:Ce荧光体颗粒、质量比10％的平均粒径(体积基准，利用动态光散射法测定)20nm以下的二氧化硅颗粒的热固化性有机硅树脂，涂布在由聚对苯二甲酸乙酯构成的厚度50μm的长条状的基膜的脱模面上，进行120℃×10分钟的加热，从而获得厚度400μm的半固化状态(B阶段)的密封树脂层(参照图2的(a))。
通过其它途径，将含有质量比10％的平均粒径(体积基准，利用动态光散射法测定)20nm以下的二氧化硅颗粒的热固化性有机硅树脂，涂布在由乙烯-四氟乙烯共聚树脂构成的厚度50μm的长条状的剥离薄膜上，进行120℃×10分钟的加热，从而获得厚度600μm的半固化状态(B阶段)的透镜形成树脂层(参照图2的(b))。
接下来，使获得的密封树脂层和透镜形成树脂层贴合，在常温下，以规定压力进行加压，层叠密封树脂层和透镜形成树脂层，形成密封层(参照图3的(c))。
接下来，使用圆形状的刀模在基膜和密封层(密封树脂层及透镜形成树脂层)上沿剥离薄膜的长度方向彼此隔着150mm的间隔地形成多个直径150mm的俯视大致圆形状的切缝(参照图3的(d))，除去俯视大致圆形状以外的部分的基膜及密封层(参照图3的(e))。
由此，沿剥离薄膜的长度方向彼此隔着150mm的间隔地形成多个直径150mm的俯视大致圆形状的密封层。
然后，在除掉残留的基膜后(参照图3的(f))，以覆盖密封层的方式在剥离薄膜之上层叠由聚丙烯构成的长条状的保护薄膜(参照图1)。
由此，获得密封构件。
2.光半导体元件的密封
使用图4所示的密封装置，一边依次放出密封构件，一边使密封层和具有LED的发光基板相面对，连续地密封LED。
详细来说，将安装有多个LED的发光基板载置在压力部的基部之上。与此同时，从密封构件输送部朝向模具和发光基板之间放出密封构件。
此时，在从密封构件输送部到压力部的途中，利用保护薄膜剥离部从密封构件剥离保护薄膜，露出密封层的密封树脂层。
继续放出密封构件，使密封树脂层朝向下方露出，并且以使剥离薄膜与模具相面对的方式在安装有LED的发光基板的上方处配置密封层。由此，使密封树脂层与LED在上下方向上相面对(参照图4)。
接下来，以160℃加热模具并且以2.77MPa的按压力使该模具朝向基部靠近，一边加热密封层一边朝向发光基板按压该密封层。
由此，将LED埋没在密封树脂层内。此外，在模具的凹部内填充密封层的透镜形成树脂层。
继续加热密封层，使密封树脂层及透镜形成树脂层完全固化(参照图5)。
接下来，以使模具从基部离开的方式使模具向上方退避而打开模。
由此，利用密封树脂层密封LED，并且使透镜形成树脂层形成为透镜。
接下来，一边将剥离薄膜从利用密封层密封有LED的发光基板剥离，一边从基部去除利用密封层密封有LED的发光基板，将新的发光基板载置在基部上。
与此同时，一边在剥离薄膜回收部中卷取被剥离的剥离薄膜，一边从密封构件输送部放出密封构件。
由此，使密封树脂层与LED再次在上下方向上相面对。
如上所述，反复进行下述工序，即，一边输送密封构件一边使密封树脂层和LED相面对的工序，朝向LED按压与该LED相面对的密封树脂层而利用密封树脂层密封LED的工序。
此外，虽然上述说明提供了作为本发明的示例的实施方式，但是上述内容只是示例，不能对本发明进行限定性解释。对本领域的技术人员来说能够想到的本发明的变形例都包含在后述的权利要求书中。

Claims (6)

1.一种密封构件，其特征在于，
其包括：
剥离薄膜，其为长条状；
多个密封树脂层，它们由密封树脂构成，沿上述剥离薄膜的长度方向以彼此隔开间隔并列配置的方式层叠在上述剥离薄膜之上。
2.根据权利要求1所述的密封构件，其特征在于，
该密封构件用于密封光半导体元件。
3.根据权利要求2所述的密封构件，其特征在于，
该密封构件还包括透镜形成树脂层，该透镜形成树脂层由用于形成透镜的透镜形成树脂构成且介于上述剥离薄膜和各个上述密封树脂层之间。
4.根据权利要求1所述的密封构件，其特征在于，
上述密封树脂为热固化性树脂，
上述密封树脂层由上述热固化性树脂的B阶段树脂形成。
5.一种密封方法，其特征在于，
反复进行下述工序：
准备包括长条的剥离薄膜和多个密封树脂层的密封构件的工序，该多个密封树脂层由密封树脂构成且沿上述剥离薄膜的长度方向以彼此隔开间隔并列配置的方式层叠在上述剥离薄膜之上；
一边在长度方向上输送上述密封构件，一边使上述密封树脂层和密封对象相面对的工序；
将相面对的上述密封树脂层和/或上述密封对象向使上述密封树脂层与上述密封对象靠近的方向按压，利用上述密封树脂层密封上述密封对象的工序。
6.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于，
反复进行下述工序：
准备包括长条的剥离薄膜和多个密封树脂层的密封构件的工序，该多个密封树脂层由密封树脂构成且沿上述剥离薄膜的长度方向以彼此隔开间隔并列配置的方式层叠在上述剥离薄膜之上；
一边在长度方向上输送上述密封构件，一边使上述密封树脂层和光半导体元件相面对的工序；
将相面对的上述密封树脂层和/或上述光半导体元件向使上述密封树脂层与上述光半导体元件靠近的方向按压，利用上述密封树脂层密封上述光半导体元件的工序。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105190857A (zh) * 2013-05-24 2015-12-23 日东电工株式会社 密封片和其制造方法
CN105247667A (zh) * 2013-05-23 2016-01-13 日东电工株式会社 密封片材粘贴方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014127525A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム、それを用いた光半導体素子の封止方法及び該封止された光半導体素子を備えた光半導体デバイス
CN106469767B (zh) * 2015-08-18 2017-12-01 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的装备系统
CN106469768B (zh) * 2015-08-18 2018-02-02 江苏诚睿达光电有限公司 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的装备系统
CN106469778B (zh) * 2015-08-18 2017-12-22 江苏诚睿达光电有限公司 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
CN106469780B (zh) * 2015-08-18 2018-02-13 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
JP6423399B2 (ja) * 2016-09-27 2018-11-14 アピックヤマダ株式会社 樹脂成形方法、フィルム搬送装置および樹脂成形装置
US11538777B2 (en) * 2020-07-01 2022-12-27 Sandisk Technologies Llc Semiconductor structure containing pre-polymerized protective layer and method of making thereof
US11776922B2 (en) 2020-07-01 2023-10-03 Sandisk Technologies Llc Semiconductor structure containing pre-polymerized protective layer and method of making thereof
KR102333673B1 (ko) * 2021-06-02 2021-12-02 넥스타테크놀로지 주식회사 반도체 몰딩용 필름 제조 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163617A (ja) * 1992-11-21 1994-06-10 Nitto Denko Corp 半導体装置の封止方法
CN1119343A (zh) * 1994-05-24 1996-03-27 夏普株式会社 制造半导体器件的方法
US20050196908A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Texas Instruments Incorporated System and method for forming mold caps over integrated circuit devices

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211738A (ja) * 1994-01-14 1995-08-11 Nippon Chemicon Corp 回路素子の封止方法
US6881611B1 (en) * 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
JP3680005B2 (ja) 1998-07-10 2005-08-10 アピックヤマダ株式会社 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
TW421833B (en) * 1998-07-10 2001-02-11 Apic Yamada Corp Method of manufacturing semiconductor devices and resin molding machine
JP2002299699A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2005294733A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
DE102004041867A1 (de) * 2004-08-27 2006-03-16 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Dekorierter Spritzgussartikel, sowie Transferfolie und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP4676735B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
JP2006140362A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
JP2006323147A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Seiko Epson Corp マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、及び光学膜、プロジェクション用スクリーン、プロジェクターシステム、電気光学装置、電子機器
US7985357B2 (en) * 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
US8048358B2 (en) * 2006-04-18 2011-11-01 Texas Instruments Incorporated Pop semiconductor device manufacturing method
JP2008230114A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Hitachi Chem Co Ltd 封止フィルム
JP2009137253A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Dainippon Printing Co Ltd 熱転写シートを用いた保護層形成方法
JP2010159411A (ja) * 2008-12-12 2010-07-22 Nitto Denko Corp 半硬化状シリコーン樹脂シート
JP5566088B2 (ja) * 2008-12-12 2014-08-06 日東電工株式会社 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物
JP4913858B2 (ja) * 2009-04-14 2012-04-11 日東電工株式会社 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163617A (ja) * 1992-11-21 1994-06-10 Nitto Denko Corp 半導体装置の封止方法
CN1119343A (zh) * 1994-05-24 1996-03-27 夏普株式会社 制造半导体器件的方法
US20050196908A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Texas Instruments Incorporated System and method for forming mold caps over integrated circuit devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105247667A (zh) * 2013-05-23 2016-01-13 日东电工株式会社 密封片材粘贴方法
CN105190857A (zh) * 2013-05-24 2015-12-23 日东电工株式会社 密封片和其制造方法

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Publication number Publication date
JP2012142364A (ja) 2012-07-26
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US20140199795A1 (en) 2014-07-17
KR20120075424A (ko) 2012-07-06
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EP2472615A3 (en) 2014-01-08
US20120160412A1 (en) 2012-06-28

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