JP2014127525A - 封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム、それを用いた光半導体素子の封止方法及び該封止された光半導体素子を備えた光半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】封止用樹脂付き金型成型用離型フィルムであって、離型フィルムとなる熱可塑性樹脂フィルムと、未硬化の状態では常温で固体であって、封止用樹脂となる少なくとも1層の熱硬化性樹脂層とからなり、該熱硬化性樹脂層が前記熱可塑性樹脂フィルムの片面に積層されているものであることを特徴とする封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム。
【選択図】図1
Description
前述のように、複数の樹脂層を機械成型にて一括成型することができる封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム、それを用いた光半導体素子封止方法及び該封止された光半導体素子を備えた半導体デバイスの開発が望まれていた。
[熱可塑性樹脂フィルム]
本発明の封止用樹脂付き金型成型用離型フィルムの離型フィルムとなる熱可塑性樹脂フィルムとして、ポリエチレンやPETフィルム、フッ素系フィルムなどの公知であり市販されているフィルムを好適に用いることができる。中でも、ポリテトラフルオロエチレンやフッ化エチレン系のフッ素樹脂が、離型の面で優れており、例えば、180℃などの高温での連続成形性を考えれば耐熱素材である該フッ素形の樹脂がより好ましいといえる。該離型(固形樹脂を支持する)フィルムの厚みは、10〜200μm程度が好ましい。10μm以上であれば、固形樹脂を塗工する際の強度や伸びの影響が小さく、また、200μm以下であれば、レンズ形状に加工された金型への追従性が良くなる。このましくは、25μm〜100μm程度である。伸びが50%以上であれば、金型への追随性が良く、成型物の形状が所望のものとなり、また、伸びが1000%以下であれば、フィルムコーターなどで加工する場合に、フィルムの厚みが安定する。好ましくは100%以上500%以下である。
本発明の封止用樹脂付き金型成型用離型フィルムの封止用樹脂となる熱硬化性樹脂は、常温で流動性のない固体である。常温で液体であると、離型フィルム上での樹脂厚みが一定にならず、流動的で機械成型で同じものを量産することが出来ない。しかし、本発明の封止用樹脂付き金型成型用離型フィルムの熱硬化性樹脂は、常温で固体であり、成型時加温された状態では、軟化し、液状の熱硬化性樹脂との接着を良好にする。
本発明の光半導体素子の封止には、市販の成型機が使用できる。パッケージデザインによって、封止形状は多岐に渡るが、図2に示すように多数の光半導体素子を配置した光半導体素子基板3の各光半導体素子4の上に半球レンズを成型する場合、上金型5に該光半導体素子基板3を減圧吸着させ、下金型6は所望するパッケージデザインに合うように多数のレンズ形状を彫り込まれたものが使用される(図2(A))。該下金型6の上に本発明の封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム10を配置する。この時、該封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム10は、熱可塑性樹脂フィルム1が金型側、熱硬化性樹脂層2が基板側になるように配置したのち(図2(B))、金型と離型フィルムの間を減圧にして熱可塑性樹脂フィルム1が加工された下金型6に吸着、追随するようにする(図2(C))。金型は所定の温度に加温されている。圧縮成型であれば、その熱可塑性樹脂フィルム1と一体となった熱硬化性樹脂層2上に液状の熱硬化性樹脂7を適量落とす(図2(D))。トランスファー成型であれば、ポッド内に液状の熱硬化性樹脂7を充填する。所定の温度と時間で硬化させた後(図2(E))、熱可塑性樹脂フィルム1と熱硬化性樹脂層2が離型することにより、多数のレンズが成型された基板を取り出し、最終硬化をさせるか(図2(F))、又は金型を開き、多数のレンズが成型された基板を取り出す前もしくは取り出した後に、熱可塑性樹脂フィルム1のみを剥がし、最終硬化をさせる(図2(G))。これをパッケージ単位ごとに細分化し、個片化した光半導体素子8を得た(図2(H))。本発明の封止方法によって外側が硬く、内側が柔らかい樹脂で封止された光半導体素子を一度の成型で得ることができる。
(A)1分子中に1個以上のビニル基を有するオルガノポリシロキサン
(B)1分子中に2個以上のヒドロシリル単位を有するオルガノポリシロキサン
(C)付加硬化用白金触媒
(D)反応制御剤
(E)接着性付与剤
を必須成分とし、
(F)反応性希釈剤
(G)無機粉末充填剤
を必要に応じて加えることができる。
(実施例1)
常温で固体の熱硬化性樹脂である付加硬化型のシリコーン樹脂(商品名:LPS‐AF‐500、硬度Type D45、信越化学工業(製))100質量部にシクロヘキサノンを30質量部加え溶解したのち、蛍光体(YAG)を50質量部加え、よく攪拌した後、熱可塑性樹脂フィルムであるフッ素樹脂フィルム(商品名:アフレックス、厚み50μm、旭硝子(製))に乾燥後の樹脂厚みが100μmになるように途工した。100℃で10分間乾燥させることにより、封止用樹脂と離型フィルムが一体となった封止用樹脂付き金型成型用離型フィルムを製造した。半導体素子の封止成型には、コンプレッションタイプの成型機(FFT、TOWA社(製))を使用した。また、下金型に複数の凹型の半球形状(直径2mm)を加工したものを使用した。成型温度を120℃に設定し、上金型に1mm角の半導体素子が搭載された基板を真空吸着により固定した。下金型に上述した離型フィルムとなるアフレックス層が下になるように配置し、該フィルムを減圧吸着させたところ、加工した半球形状に追随するようにフィルムが変形した。このとき、LPS‐AF‐500層に樹脂クラックやアフレックスからの剥離は見られなかった。この状態でフィルム上に常温で液状の付加硬化型シリコーン樹脂(商品名:LPS‐AF‐3541、硬度Type A70、信越化学工業(製))を適量垂らして、金型を閉じることにより成型を行った。3分後金型を開き、基板を取り出した。離型フィルムを剥がしたところ、LPS‐AF‐500層はLPS‐3541層と接着をし、アフレックス側と剥がれた。基板とLPS‐3541層に剥離は見られなかった。得られた基板を150℃で4時間硬化させた。硬化後のレンズ形状部分は、LPS‐3541を単独で成型したものと比較して、表面タックが無いものが得られた。得られたパッケージを個片化し、ヒートサイクル試験(‐40℃〜125℃/500サイクル)を行ったが、樹脂クラックや樹脂剥離は見られなかった。
実施例1と同様の装置、基板を用いて、離型フィルムにはフッ素樹脂フィルム(商品名:アフレックス、厚み50μm、旭硝子(製))を用いて、成型を行った。封止用樹脂として付加硬化型のシリコーン樹脂(商品名:LPS‐3541、硬度Type A70、信越化学工業(製))で成型を行い、該シリコーン樹脂で封止された基板を得た。これらを150℃4時間でポストキュアを行った。硬化後のレンズ形状部分は、表面タックを有するものが得られた。得られたパッケージを個片化し、ヒートサイクル試験(−40℃〜125℃/500サイクル)を行ったところ、LPS‐3541では樹脂クラックや樹脂剥離は見られなかった。
実施例1と同様の装置、基板を用いて、離型フィルムにはフッ素樹脂フィルム(商品名:アフレックス、厚み50μm、旭硝子(製))を用いて、成型を行った。封止用樹脂として付加硬化型のシリコーン樹脂(商品名:KJR‐632L1‐4、硬度Type D40、信越化学工業(製))で成型を行い、該シリコーン樹脂で封止された基板を得た。これらを150℃4時間でポストキュアを行ったが、この時点で剥離やクラックは見られなかった。KJR‐632L1‐4を硬化したレンズ形状部分は、LPS‐3541を硬化したものと比較して、表面タックが無いものが得られた。得られたパッケージを個片化し、ヒートサイクル試験(−40℃〜125℃/500サイクル)を行ったところ、半導体素子の周辺に微小なクラックが確認された。
Claims (9)
- 封止用樹脂付き金型成型用離型フィルムであって、離型フィルムとなる熱可塑性樹脂フィルムと、未硬化の状態では常温で固体であって、封止用樹脂となる少なくとも1層の熱硬化性樹脂層とからなり、該熱硬化性樹脂層が前記熱可塑性樹脂フィルムの片面に積層されているものであることを特徴とする封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム。
- 前記熱硬化性樹脂層の硬化後の硬さが、JIS K 6253−3に規定されるTypeDデュロメータで35以上の値となるものであることを特徴とする請求項1に記載の封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム。
- 前記熱硬化性樹脂層の少なくとも1層が無機充填剤を含有するものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム。
- 前記熱硬化性樹脂層に含まれる熱硬化性樹脂が、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の封止用樹脂付き金型成型用離型フィルム。
- 一方の金型に光半導体素子基板を固定し、他方の金型に請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の封止用樹脂付き金型成型用離型フィルムを固定する工程と、前記光半導体素子基板と前記封止用樹脂付き金型成型用離型フィルムの間に液状の熱硬化性樹脂を充填する工程と、これらを成形機で一括成型する工程とを含むことを特徴とする光半導体素子の封止方法。
- 前記液状の熱硬化性樹脂として、硬化後の硬さが、JIS K 6253−3に規定されるTypeAデュロメータで80以下の値であるものを用いることを特徴とする請求項5に記載の光半導体素子の封止方法。
- 前記液状の熱硬化性樹脂として、無機充填剤を含有するものを用いることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の光半導体素子の封止方法。
- 前記液状の熱硬化性樹脂として、シリコーン樹脂を用いることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の光半導体素子の封止方法。
- 請求項5乃至請求項8のいずれか1項に記載の光半導体素子の封止方法により封止された光半導体素子を具備するものであることを特徴とする光半導体デバイス。
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