JP2011003870A - 光半導体封止用シート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートにおいて、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状及び/又は凸形状を有する凹凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状及び/又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有する凹凸部形成層を含んでなる光半導体封止用シートであって、前記封止樹脂層が、さらに、光半導体素子を包埋しうる素子包埋層を含み、前記封止樹脂層の凹凸部形成層の20℃の貯蔵弾性率が6MPa〜1500MPaである、光半導体封止用シート。
【選択図】なし
Description
〔1〕 剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートにおいて、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状及び/又は凸形状を有する凹凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状及び/又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有する凹凸部形成層を含んでなる光半導体封止用シートであって、前記封止樹脂層が、さらに、光半導体素子を包埋しうる素子包埋層を含み、前記封止樹脂層の凹凸部形成層の20℃の貯蔵弾性率が6MPa〜1500MPaである、光半導体封止用シート、ならびに
〔2〕 前記〔1〕記載の光半導体封止用シートを光半導体素子搭載基板に封止樹脂層が基板に対向するよう積層して加圧成型後、剥離シートを剥離して、凸形状及び/又は凹形状が表面に形成されてなる、光半導体装置
に関する。
幅10mm、長さ15mm、厚さ0.1mmの試料について、粘弾性測定装置(DMS210U、セイコーインスツルメンツ社製)を用いて、周波数10Hzの条件で、20℃の貯蔵弾性率を測定する。
<剥離シート>
無延伸ポリプロピレンフィルム(東セロ社製、商品名「S-40」、40μm)上に、径160nm、高さ260nmの凸部がピッチ250nmで配列された凸金型を配置し、真空プレス装置(ニチゴーモートン社製、V-130)を用いて、1MPaの加圧下で、160℃、5分間プレス成形して、表面に凹形状を有する剥離シートが得られた(厚さ40μm)。
ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体(Gerest社製、商品名「VDT-731」)3.4g、2,4,6,8-テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン(信越化学社製、商品名「LS-8670」)5μL、及び白金触媒(Gerest社製、商品名「6831.2」)18μLの混合物に、ヒドロメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体(Gerest社製、商品名「HMS-301」)1.0gを加え、0℃で5分間攪拌混合して、凹凸部形成層の構成樹脂であるポリシロキサンオイル(樹脂A)を得た。
得られたポリシロキサンオイルを、上記で得られた剥離シートの凹形状を有する面に、50μmの厚さにアプリケータを用いて塗工し、60℃で10分乾燥して、シート状の封止樹脂層(凹凸部形成層)を調製した。次に、該凸部形成層の上に、得られたメタクリル変性ポリアルミノシロキサンを、210μmの厚さにアプリケータを用いて塗工し、100℃で10分乾燥して、光半導体封止用シートを得た(厚さ300μm)。
実施例1の封止樹脂層の凹凸部形成層として、ポリシロキサンオイルを調製して剥離シートの凹形状を有する面に塗工して、剥離シートと封止樹脂層とを嵌合させる代わりに、粒状の低密度ポリエチレン(日本ポリエチレン社製、商品名「LF440C」)を、0.2MPaの加圧下で、100℃、5分間プレスして、ポリエチレンシート(樹脂B、厚さ50μm)を調製後、実施例1の剥離シートの凹形状を有する面に、前記ポリエチレンシートを被せ、0.5MPaの加圧下で、160℃、5分間プレス成形して、剥離シートと封止樹脂層の凸部形成層とを嵌合させた。これ以外は、実施例1と同様にして、ポリエチレンシート上に、メタクリル変性ポリアルミノシロキサンを塗工して、光半導体封止用シートを得た(厚さ300μm)。
実施例1の封止樹脂層の凹凸部形成層として、ポリシロキサンオイルを用いる代わりに、エピコート 828(ジャパンエポキシレジン社製)5g、リカシッド MH-700(新日本理化社製)5g、及びキュアゾール 2PZ(四国化成社製)0.1gを、20℃で10分間攪拌混合して、エポキシ樹脂(樹脂C)を調製して用いる以外は、実施例1と同様にして、光半導体封止用シートを得た(厚さ300μm)。
実施例2の封止樹脂層の凹凸部形成層として、ポリエチレンシートを調製して用いる代わりに、シート状のポリスチレン(大倉工業社製、商品名「セロマー S-2」、40μm)を用いる以外は、実施例2と同様にして、光半導体封止用シートを得た(厚さ300μm)。
<剥離シート>
無延伸ポリカーボネート(カネカ社製、商品名「TR フィルム無延伸品」、35μm)の上に、実施例1で用いたのと同じ凸金型を配置し、真空プレス装置(V-130)を用いて、1MPaの加圧下で、180℃、10分間プレス成形して、表面に凹形状を有するフィルムを得た(厚さ30μm)。次いで、このフィルムをフッ素系表面処理剤(住友スリーエム社製、商品名「ノベック EGC-1720」)に1分間浸漬した後、100℃で30分間加熱し、1日間室温(25℃)に放置して、離型処理を施したポリカーボネート製剥離シートを得た。
コロイダルシリカ(日産化学社製、商品名「スノーテックス O-40」)10g、イソプロピルアルコール20g、及び塩酸水溶液(35重量%)100μLの混合物を80℃に加熱したところに、アルコキシオリゴマー(信越化学社製、商品名「X-40-9225」)12g、両末端シラノール型シリコーンオイル(信越化学社製、商品名「X-21-3153」)4g、及びイソプロピルアルコール16gの混合物を1時間かけて滴下した。滴下後、混合溶液を80℃でさらに30分間攪拌混合し、その後、反応溶液を室温(25℃)に冷まし、溶剤をエバポレーターで留去して、シリカ含有シリコーン樹脂(樹脂D)を得た。
得られたシリカ含有シリコーン樹脂を、上記で得られた剥離シートの凹形状を有する面に、50μmの厚さにアプリケータを用いて塗工し、150℃で10分乾燥して、シート状の封止樹脂層(凹凸部形成層)を調製した。次に、該凸部形成層の上に、実施例1と同様にして得られたメタクリル変性ポリアルミノシロキサンを、220μmの厚さにアプリケータを用いて塗工し、100℃で10分乾燥して、光半導体封止用シートを得た(厚さ300μm)。
実施例1の封止樹脂層の凹凸部形成層として、ポリシロキサンオイルを用いる代わりに、シリコーンエラストマー(旭化成ワッカーシリコーン社製、商品名「ELASTOSIL LR7665」)を用いて、剥離シートの凹形状を有する面に、50μmの厚さにアプリケータを用いて塗工し、100℃で30分、次いで160℃で2時間乾燥して、シート状の封止樹脂層(凸部形成層)を調製する以外は、実施例1と同様にして、光半導体封止用シートを得た(厚さ300μm)。
実施例1の封止樹脂層の凹凸部形成層として、ポリシロキサンオイルを用いる代わりに、シリコーンエラストマー(東レ・ダウコーニング社製、商品名「OE-6336」)を用いて、剥離シートの凹形状を有する面に、50μmの厚さにアプリケータを用いて塗工し、150℃で1時間乾燥して、シート状の封止樹脂層(凸部形成層)を調製する以外は、実施例1と同様にして、光半導体封止用シートを得た(厚さ300μm)。
得られた各光半導体封止用シートを、光半導体素子(波長域460nm)を実装した平板の基板に、封止樹脂層を光半導体素子に対向するよう被せ、その上から、凹部(8mm×8mm、深さ250μm)を有するSUS製金型を、真空プレス装置(V-130)を用いて、0.1MPaの圧力下で、80℃で15分加熱した。その後、真空プレス装置から取り出し、室温(25℃)に戻して成形後の光半導体封止用シートが変形しない状態となってから金型をはずし、150℃の乾燥機にて、実施例1、3、及び比較例1、2の光半導体封止用シートを用いた場合は2時間、実施例2、4、5の光半導体封止用シートを用いた場合は1時間、それぞれポストキュアを行った後、室温(25℃)状態となった段階で剥離シートを剥離して、アレイパッケージを得た。
各アレイパッケージの発光輝度を全天候輝度計測に従って測定した。一方、それぞれのアレイパッケージについて、構成樹脂は同じであるが、剥離シート及び封止樹脂層に凹凸形状がない以外は同様にして調製した光半導体封止用シートを用いてアレイパッケージ(参考例)を調製し、それを基準とした場合の、発光輝度向上率を下記式により算出して、光取り出し効率を評価した。なお、輝度測定には積分球を使用し、マルチ測光システム(MCPD-3000、大塚電子社製)を用いて行った。
発光輝度向上率(%)=(実施例又は比較例の輝度/参考例の輝度)×100−100
2 封止樹脂層
2−1 封止樹脂層の凹凸部形成層
2−2 封止樹脂層の素子包埋層
3 光半導体素子
4 基板
5 圧縮成型用金型
Claims (4)
- 剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートにおいて、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状及び/又は凸形状を有する凹凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状及び/又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有する凹凸部形成層を含んでなる光半導体封止用シートであって、前記封止樹脂層が、さらに、光半導体素子を包埋しうる素子包埋層を含み、前記封止樹脂層の凹凸部形成層の20℃の貯蔵弾性率が6MPa〜1500MPaである、光半導体封止用シート。
- 封止樹脂層における、凸形状の凸部の高さ及び/又は凹形状の凹部の深さが100nm〜10μmである、請求項1記載の光半導体封止用シート。
- 封止樹脂層に無機粒子が含有されてなる、請求項1又は2記載の光半導体封止用シート。
- 請求項1〜3いずれか記載の光半導体封止用シートを光半導体素子搭載基板に封止樹脂層が基板に対向するよう積層して加圧成型後、剥離シートを剥離して、凸形状及び/又は凹形状が表面に形成されてなる、光半導体装置。
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