JP2014013879A - 光半導体用光反射部材およびそれを用いた光半導体実装用基板ならびに光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光を反射させる樹脂硬化体の変形を防止し、保管が容易な光半導体用光反射部材を提供する。
【解決手段】貫通孔３が設けられた白色顔料を含有する樹脂成形体１と、この樹脂成形体１の下面に形成される白色顔料含有接合層２とを備え、上記貫通孔３の開口内に、基板上の光半導体素子実装予定部または光半導体素子実装部を位置決めした状態で、上記白色顔料含有接合層２を介してその基板上に接合されるようになっており、上記貫通孔３の開口内に実装された光半導体素子の発する光が、上記貫通孔３の内周面３’によって反射されるようにした。
【選択図】図１

Description

本発明は、品質がよく、しかも低コストの光半導体装置を製造することができる光半導体用光反射部材およびそれを用いた光半導体実装用基板ならびに光半導体装置に関するものである。

近年、照明やＰＣモニタや液晶テレビなどのバックライトとして、ＬＥＤ（発光ダイオード）等の光半導体装置の適用が広がってきている。こうした用途に使用される光半導体装置は、ＰＬＣＣ（プラスチックリーディッドチップキャリア）などの個々のＳＭＤ（表面実装デバイス）を回路基板へ実装し、モジュール化されるようになっている。

こうしたＳＭＤのパッケージの構成は、例えば、図５（ａ）およびそのＹ−Ｙ断面図である図５（ｂ）に示される。このものは、外部との電気接合をとるためのリードフレーム１３上に、接着層１１を介して光半導体素子１０が実装され、その状態でリフレクタ１４が上記光半導体素子１０を囲うように配置されている。そして、このリフレクタ１４で囲まれた部分が、封止材１５によって封止されている。なお、図において、１２はリードフレーム（１３の反対極）、１６は光半導体素子１０とリードフレームとを電気的に接合するためのボンディングワイヤである。

上記リフレクタ１４としては、従来、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられてきた。しかし、近年の光半導体素子の高輝度化による発熱温度の増加などのため、耐久性に懸念がもたれてきている。その対策として、本願出願人は、上記リフレクタ１４として、耐熱性および光反射性に優れる特殊なエポキシ樹脂組成物の硬化体を用いることをすでに提案している（特許文献１参照）。

ところで、ＬＥＤモジュールは、リフレクタとして、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる場合には、例えば、次に示すような工程を経由させることにより製造することができる。すなわち、まず、リードフレーム１２，１３の上に、コンプレッションモールドやトランスファーモールドのような熱硬化性樹脂成形装置を用いて、所定形状のリフレクタ１４を樹脂成形する。そして、この樹脂成形の際に基板の裏面に生じた樹脂バリを、ブラスト法のような機械的方法または電気分解のような化学的方法で、適宜取り除き、次いで光半導体素子１０を、上記リフレクタ１４で周囲が囲まれたリードフレーム１３上に、接着層１１を介して実装する。このとき、光半導体素子１０とリードフレーム１２および１３とをボンディングワイヤ１６によって電気的接続する。その後、光半導体素子１０を透明なエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などからなる封止材１５で封止してＳＭＤパッケージを製造する。このＳＭＤパッケージは、ダイサー等を用いて所定個所を切断し、個片化することもできる。こうして得られたＳＭＤパッケージを、ＩＲリフロー等によりモジュール基板に実装することにより、照明機器やバックライトなどに供されるＬＥＤモジュールを製造することができる。

しかしながら、上記の方法では、熱可塑性樹脂をリフレクタに用いた従来のパッケージに比べて工程数が多く、煩雑であるだけでなく、製造コストの大幅な増加となることが懸念される。

このような熱硬化性樹脂をリフレクタに適用する際に生じる問題を解消する方法の一例として、リフレクタを形成するための熱硬化性樹脂組成物からなる半硬化状態（Ｂ−ステージ）のシートを作製し、これを基板の光半導体素子実装面に圧着させて加熱し、この状態でシートを完全硬化させて、基板上にリフレクタを直接接合するという方法が提案されている（特許文献２参照）。

特開２０１１−２５８８４５号公報 特許第４７５４８５０号公報

しかしながら、上記特許文献２の方法は、簡便ではあるものの、新たに、つぎのような２つの問題が生じることが判明した。すなわち、シートを圧着する際の加圧や加熱によりシートの形状が変形するおそれがあるという問題と、基板に接合するまではシートを半硬化状態に維持する必要があり、硬化進行を遅延させるために冷凍庫等の保冷設備で保管しなければならないという問題である。このため、より優れた方法の開発が求められている。

本発明は、上記の課題に鑑みなされたもので、光半導体用光反射部材を特殊な構成とすることにより、低コストで、しかも、樹脂成形体に加圧や加熱による歪みが生じることが防止され、光半導体素子の発する光を効率よく取り出すことができる光半導体用光反射部材およびそれを用いた光半導体実装用基板ならびに光半導体装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明は、基板の光半導体素子実装面上に接合される光半導体用光反射部材であって、上下方向に貫通しその内周面が白色に形成された貫通孔を有する樹脂成形体と、上記樹脂成形体の下面に形成される白色顔料含有接合層とを備え、上記貫通孔の開口内に、基板上の光半導体素子実装予定部または光半導体素子実装部を位置決めした状態で、上記白色顔料含有接合層を介してその基板上に接合されるようになっており、上記貫通孔の開口内に実装された光半導体素子の発する光が、上記貫通孔の内周面によって反射されるようになっている光半導体用光反射部材を第１の要旨とする。

そして、第１の要旨の光半導体用光反射部材が基板上に接合され、上記光半導体用光反射部材の貫通孔の開口内に、その基板上の光半導体素子実装予定部が位置決めされている光半導体実装用基板を第２の要旨とし、さらに、第１の要旨の光半導体用光半反射部材が基板上に接合一体化され、上記光半導体用光反射部材の貫通孔の開口内に光半導体素子が実装されており、上記貫通孔内が透明樹脂によって封止されている光半導体装置を第３の要旨とする。

すなわち、本発明者らは、耐熱性の高い光半導体装置を、できるだけ少ない工程および低コストで製造すべく鋭意検討を重ねた。その結果、光半導体装置のリフレクタとして熱硬化性樹脂の硬化体を用いて耐熱性を高めるとともに、この樹脂硬化体と基板との接合を、白色顔料含有接合層を介して行うようにすると、光半導体素子の発する光を、リフレクタと基板との間の接合層に吸収させずに済み、光の取り出し効率を高くできることを見い出し、本発明を完成させた。

なお、本発明において、「白色に形成され」とは、白色顔料に由来する色が現れるように形成されていることを意味する。

そして、本発明において、「透明樹脂」とは、無色透明だけでなく、有色透明をも含むことを意味する。また、「透明」とは、光半導体装置としての能力を発揮できるだけの光を透過させることができればよく、その透明の程度は問わないことを意味する。

また、本発明において、「主成分」とは、全体の過半を占める成分のことをいい、全体が主成分のみからなる場合も含む意味である。

さらに、本発明において、「基板」とは、機能を実現するために機能部品を配置する板状の部材を意味するものであって、リジッドであってもフレキシブルであってもよく、その厚みを問わないものである。したがって、フレキシブルな粘着シートも本発明の基板に含まれる。

このように、本発明の光半導体用光反射部材は、上下方向に貫通する貫通孔が設けられた樹脂成形体と、その下面に形成される白色顔料含有接合層とを備え、基板上の光半導体素子実装面に、上記白色顔料含有接合層を介して接合されるようになっている。このため、樹脂成形体からなるリフレクタを、複雑な工程や複雑な設備を必要とせずに基板上に接合することができる。しかも、上記白色顔料含有接合層が、基板上の導線回路による凹凸に応じて容易に追従できるため、樹脂成形体の変形を抑制しつつ接合することができる。また、基板とリフレクタとの間に存在する接合層に白色顔料が含まれているため、光半導体素子の発する光を、この部分でも反射させることができるため、光反射時の損失がない。すなわち、本発明の光半導体用光反射部材を用いた光半導体装置は、耐熱性が高く、高輝度で、しかも低コストとなる。

なかでも、樹脂成形体が、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一種を主成分とする熱硬化性樹脂組成物の硬化体であると、とりわけ耐熱性、耐久性に優れたものとなる。

そして、白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種であると、より安価に光の反射効率を高めることができる。

さらに、樹脂成形体が、トランスファー成形、コンプレッション成形、射出成形または注型成形によって形成されていると、より精緻な形状に形成できるため、光の取り出し効率を一層高めることができる。

また、樹脂成形体の貫通孔が、Ｂ−ステージ状の透明樹脂により満たされていると、光半導体素子を封止するための透明樹脂を別途用意する必要がなくなるため、光半導体装置を効率よく製造することができる。

そして、Ｂ−ステージ状の透明樹脂が、シリコーン樹脂であると、光半導体素子の封止部分が、耐光性、耐熱性および保存安定性に優れるようになり、光半導体装置の長寿命化を図ることができる。

さらに、本発明の光半導体用光反射部材が基板上に接合され、上記光半導体用光反射部材の貫通孔の開口内に、その基板上の光半導体素子実装予定部が位置決めされている光半導体実装用基板によると、高性能の光半導体装置を安価に製造することができる。

したがって、本発明の光半導体用光半反射部材が基板上に接合一体化され、上記光半導体用光反射部材の貫通孔の開口内に光半導体素子が実装されており、上記貫通孔内が透明樹脂によって封止されている光半導体装置は、耐熱性が高く、高輝度で、しかも低コストとなる。

本発明の光半導体用光反射部材の一実施の形態を示す外観斜視図である。 図１の光半導体用光反射部材のＸ−Ｘ断面図である。 本発明の光半導体実装用基板の一実施の形態を示す部分断面図である。 本発明の光半導体装置の一実施の形態を示す部分断面図である。 （ａ）は従来の光半導体装置の外観斜視図であり、（ｂ）はそのＹ−Ｙ断面図である。 本発明の光半導体用光反射部材の他の実施例の形態を示す外観斜視図である。 図６の光半導体用光反射部材のＺ−Ｚ断面図である。 図６の光半導体用光反射部材を製造する方法の説明図である。

つぎに、本発明を実施するための形態について説明する。

図１は、本発明の一実施の形態である光半導体用光反射部材Ａを示した図であり、図２は、そのＸ−Ｘ断面図である。この光半導体用光反射部材Ａは、幅（７０ｍｍ）、長さ（７０ｍｍ）、厚み（０．６０ｍｍ）のシート状をしており、白色顔料を含有する樹脂成形体（以下「樹脂成形体」という）１と、その下面に形成される白色顔料含有接合層２とを備え、上下方向に貫通する平面視略円形の貫通孔３が合計４個所に設けられている。なお、図１において、各部位の大きさ、形状、厚み等は模式的に示したものであり、実際のものとは異なっている（以下の図においても同じ）。

この光半導体用光反射部材Ａは、後述するように、貫通孔３の開口内に、基板４上の光半導体素子実装予定部を位置決めした状態で、白色顔料含有接合層２を介して基板４上に接合することで光半導体実装用基板Ｂとすることができ（図３参照）、さらに、この光半導体実装用基板Ｂの貫通孔３の開口内に光半導体素子６を実装することにより、光半導体素子が発する光を、上記貫通孔３の内周面３’によって反射させ、開口上部から取り出すようにした光半導体装置Ｃとすることができる（図４参照）。また、光半導体装置Ｃは、予め光半導体素子６が実装された基板４に対し、光半導体用光反射部材Ａを、その貫通孔３の開口内に上記光半導体素子６実装部を位置決めした状態で、白色顔料含有接合層２を介して接合することによっても得ることができる。

上記光半導体用光反射部材Ａにおける樹脂成形体１は、光の反射率を高めるために、白色顔料として酸化チタン（平均粒径０．２１μｍ）を含有する熱硬化性樹脂組成物の硬化体からなり、エポキシ樹脂を主成分としている。そして、その厚みは０．５０ｍｍに形成されている。

また、上記白色顔料含有接合層２は、酸化チタン（平均粒径０．２１μｍ）が添加されたシリコーン系接着剤からなり、上記光半導体素子６が発する光をこの白色顔料含有接合層２においても反射させ、この層から外へ漏れるのを防いでいる。そして、その厚みは０．１０ｍｍに形成されている。また、上記貫通孔３は、光半導体素子６の発する光を上面開口から効率よく取り出すために、上面に向かって開口が広がるすり鉢のような形状に形成されている（図２参照）。

このような光半導体用光反射部材Ａは、例えば、つぎのようにして得ることができる。まず、樹脂成形体１を形成する熱硬化性樹脂組成物の準備を行う。すなわち、エポキシ樹脂と酸化チタンを配合するほか、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤、硬化触媒、重合開始剤、光安定剤、酸化防止剤、変性剤、離型剤、充填剤、カップリング剤、レベリング剤、難燃剤等を配合し、これを二本ロール等の混合機を用いて溶融混合することにより白色顔料を含有する熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。

つぎに、上記熱硬化性樹脂組成物を、トランスファー成形により図１および図２に示す形状の樹脂成形体１に成形する。すなわち、上記熱硬化性樹脂組成物を２００℃程度に加温した状態で、上記形状の空隙を保持している金型へ注入し、これをキュアすることにより、上記形状の樹脂成形体１を得ることができる。なお、トランスファー成形後に、樹脂成形体１を加熱し、硬化を完全に終了させるようにしてもよい。

一方、白色顔料含有接合層２を形成する組成物の準備を行う。すなわち、酸化チタンをシリコーン系粘着剤に添加し、これを均一に混合する。そして、この組成物を上記樹脂成形体１の下面に任意の厚みとなるよう塗布することにより、白色顔料含有接合層２を形成することができる。なお、上記白色顔料含有接合層２の下面（樹脂成形体１と接していない面）には、異物が付着することを防止する目的で、剥離ライナー（図示せず）を貼り合せておくことが好ましい。

この構成によれば、耐熱性に優れた樹脂成形体１を、酸化チタン含有の白色顔料含有接合層２を介して基板と接合することができるため、基板との接合に複雑な工程や複雑な設備を必要としない。また、その接合時には、剥離ライナーを剥離し、現れた白色顔料含有接合層２の下面を、光半導体素子実装予定部または光半導体素子実装部を位置決めしながら基板に重ねて、加圧するだけでよいため、従来品のように樹脂成形体１（リフレクタ）が熱加圧等により変形することがない。したがって、光半導体素子の発する光を計算どおりに反射させることができる。さらに、白色顔料を含有しその貫通孔３の内周面３’が白色に形成されている樹脂成形体１と基板とが、酸化チタン含有の白色顔料含有接合層２によって接合されているため、光半導体素子６の発する光はこの白色顔料含有接合層２に吸収されることがなく、損失なく反射されて貫通孔３の上部開口から取り出される。また、樹脂成形体１がトランスファー成形によって形成されているため、より精緻な形状となっており、これを用いた光導体装置は高性能なものとなる。

なお、上記樹脂成形体１は、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されているが、エポキシ樹脂以外に、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分として用いることができる。また、上記樹脂成形体１は、熱硬化性樹脂のほかにも、エン・チオール樹脂等の光硬化性樹脂や、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂、あるいはゴム等を主成分とする組成物を用いて形成してもよい。なかでも、加熱による変色が少なく、光に対する安定性が高い点から、熱硬化性樹脂を主成分とする組成物を用いることが好ましく、とりわけ、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂を主成分とする組成物を用いることが好ましい。

また、上記樹脂成形体１には、白色顔料として酸化チタンを含有させているが、このほかにも、その樹脂組成物中の樹脂、硬化剤、硬化促進剤の各成分と屈折率の異なるものを用いることができる。これら各成分よりも高い屈折率を示すものとしては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、鉛白、カオリン、アルミナ、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸亜鉛、硫化亜鉛があげられる。また、これら各成分よりも低い屈折率を示すものとしては、内部が空洞化された中空粒子、例えば、シリカ、ソーダガラス、硼珪酸ガラス、無アルカリガラス等の中空粒子があげられる。なかでも、上記各成分との屈折率差が大きくなり、高い反射率を得られる点で、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウムを用いることが好ましい。これらは、単独でまたは２種以上を併用することができる。なお、白色顔料を含有する塗料を塗布することによって、貫通孔３の内周面３’を白色に形成する場合には、これらの白色顔料を樹脂組成物に含有させなくてもよい。

また、これらを白色顔料として用いる場合は、光半導体素子６の発する光を有効に反射させることができる点から、白色顔料以外の樹脂組成物１００重量部に対し、０．１〜８０重量部とすることが好ましく、１〜５０重量部とすることが特に好ましい。また、その粒径は任意の大きさのものを用いることができるが、とりわけ、その平均粒径が０．０１μｍ〜１０μｍのものを用いると、熱硬化性樹脂組成物中に均一に混合できるため好ましい。なお、上記平均粒径は、例えば、レーザ回析散乱式粒度分布測定器を用い、母集団から任意に抽出される試料の粒子径を測定して平均値を求めることにより導出される値である。

さらに、上記樹脂成形体１は、その厚みが０．５０ｍｍに形成されているが、これに限らず任意の厚みに形成することができる。なかでも、樹脂成形体１の厚みを０．１５〜３．０ｍｍとすることが好ましく、０．２０〜２．０ｍｍとすることがより好ましい。

また、上記樹脂成形体１に設けられた貫通孔３は、その形状が平面視略円形状に形成されているが、そのほかにも様々な形状に形成することができる。なかでも、平面視角形状ではなく、その角部が丸みを帯びたような形状であることが好ましく、とりわけ平面視略円形状、略楕円形状等の形状に形成すると、光反射効率を高めることができるため、好ましい。さらに、貫通孔３が合計４個、２個ずつ２列に配置されているが、これに限らず、その個数や配列は、この貫通孔３内に実装される光半導体素子６の配置に応じて適宜に設定することができ、単数であってもよい。また、貫通孔３の内周面３’の形状は、必ずしも、図２に示すように、その断面が直線に形成されていなくてもよく、曲線に形成されていてもよい。

そして、上記樹脂成形体１は、トランスファー成形によって形成されているが、このほかにも、コンプレッション成形、注型成形、射出成形等によって形成することもできる。また、板状品の切削加工や薄層打ち抜き品の積層によっても形成することができる。しかし、より精緻な形状を形成できる点で、トランスファー成形、コンプレッション成形、注型成形、射出成形によって形成することが好ましい。

さらに、上記樹脂成形体１は、白色顔料含有接合層２との接合性を高めるために、白色顔料含有接合層２と接する部分に対し、予めヤスリ掛けやブラスト等を行い表面粗化を行ってもよい。このほかにも、薬液やプラズマ等による表面洗浄処理や、シランカップリング剤を塗布する等のプライマー処理を行うことによっても、白色顔料含有接合層２との接合性を高めることができる。

そして、上記樹脂成形体１は、予め樹脂組成物に白色顔料を含有させ、この樹脂組成物を成形することにより、貫通孔３の内周面３’を含む全体を白色にしているが、そのほかにも、樹脂成形体１の貫通孔３の内周面３’に白色顔料を含有する塗料を塗布し、白色にするようにしてもよい。とりわけ、樹脂成形体１が、板状品の切削加工や薄層打ち抜き品の積層によって形成される場合には、白色顔料を含有する塗料を用いて、貫通孔３の内周面３’を白色にすることが好ましい。なお、白色顔料を有する塗料は、樹脂成形体１の貫通孔３の内周面３’だけでなく、そのほかの部分、例えば、その全体に対して塗布してもよい。また、上記塗料に用いられる白色顔料は、樹脂成形体１に用いられる白色顔料と同様の白色顔料を用いることができる。

また、白色顔料含有接合層２を、シリコーン系粘着剤をベースにした白色顔料含有組成物で形成しているが、上記白色顔料含有組成物のベースは、シリコーン系粘着剤に限らず任意の粘着剤を用いることができる。なかでも、常温での貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜１００ＭＰａである粘着剤を用いることが好ましく、１０ｋＰａ〜１０ＭＰａである粘着剤であることがより好ましい。また、これらの粘着剤に代えて、接着剤を用いることができる。白色顔料含有接合層２を、接着剤をベースにした白色顔料含有組成物で形成する場合には、常温〜２００℃までの加熱によって硬化する接着剤、あるいは、紫外線や可視光線等の電磁波照射によって硬化する接着剤（例えば、アクリレート系接着剤、メタクリレート系接着剤、エポキシ系接着剤等）をベースとして用いることが好ましい。

そして、白色顔料含有接合層２に配合される白色顔料として、酸化チタンを用いているが、このほかにも樹脂成形体１に用いられる白色顔料と同様の白色顔料を用いることができ、その好適な含有割合も上記と同様である。ただし、樹脂成形体１に用いる白色顔料と必ずしも同一の白色顔料を用いる必要はなく、ベースとなる粘着剤または接着剤の種類に応じ適宜選択されて用いられる。

そして、白色顔料含有接合層２は、その厚みが０．１０ｍｍに形成されているが、これに限らず任意の厚みに形成することができる。なかでも、白色顔料含有接合層２の厚みを１〜２００μｍとすることが好ましく、５〜１００μｍとすることがより好ましい。

さらに、白色顔料含有接合層２は、樹脂成形体１の下面に白色顔料含有組成物を塗布することによって形成しているが、このほかにも、任意の方法によって形成することができる。例えば、別途用意した剥離シートの上に、この白色顔料含有組成物からなる白色顔料含有接合層２を形成した接合層シートを作製し、この接合シートを樹脂成形体１の下面に白色顔料含有接合層２を利用して貼り合せた後、貫通孔３に対応する部位を打ち抜き加工等で除去することによって形成することができる。また、上記接合層シートを作製後、この接合層シートに貫通孔３の形状に対応する貫通孔を予め設け、これを位置合わせをしながら、樹脂成形体１の下面に白色顔料含有接合層２を利用して貼り合せることによっても形成することができる。なお、上記剥離シートは、そのまま剥離ライナーとして利用することもできる。

また、上記光半導体用光反射部材Ａの大きさおよび形状は、適宜選択されるが、小さすぎると所定の大きさの光半導体実装用基板Ｂを作製するのに手間が掛かり、逆に大きすぎると取り扱いにくいため、通常、幅２〜２００ｍｍ、長さ２〜２５００ｍｍのシート状が好適である。

上記光半導体用光反射部材Ａを用い、例えば、つぎのようにして、本発明の光半導体実装用基板Ｂ（図３参照）を得ることができる。

すなわち、まず、アルミニウムからなる基板４を準備する。この基板４の表面には、絶縁層が設けられ（図示せず）、この絶縁層の上に、光半導体素子および外部電源等と接続するための導線回路が設けられている。また、この導線回路の保護と、光半導体素子の発する光の取り出し効率を高めるため、外部電源等との接続予定部および光半導体素子の実装予定部を除く領域が、上記樹脂成形体１と同様の樹脂硬化体で被覆されている。

そして、上記光半導体用光反射部材Ａの貫通孔３の開口内に、基板４の光半導体素子実装予定部を位置決めした状態で、基板４に光半導体用光反射部材Ａを自身の白色顔料含有接合層２を介して密着させ、両者を加圧プレス機等の手段を用いて加圧することにより、基板４に光半導体用光反射部材Ａが接合され、光半導体実装用基板Ｂを得ることができる。

なお、上記基板４は、アルミニウム基板以外にも、例えば、銅、鉄、それらの合金等の金属基板、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂等の有機基板、フレキシブルプリント基板、セラミック基板等を用いることができる。基板４に絶縁性がある場合には、上記絶縁層は設けなくてもよい。また、外部電源等との接続予定部および光半導体素子の実装予定部を除く領域が上記樹脂成形体１と同様の樹脂硬化体で被覆されているが、樹脂成形体１と異なるものによって被覆されていてもよく、導線回路の保護等が必要ない場合には被覆しなくてもよい。

また、上記基板４と光半導体用光反射部材Ａとの接合は、加圧プレス機を用いて行うほか、オートクレーブ等を用いて行うこともできる。加圧プレス機を用いる場合には、１Ｐａ〜１００ＭＰａの圧力で加圧することが好ましく、１０Ｐａ〜５０ＭＰａの圧力で加圧することがより好ましい。荷重が多すぎると、光半導体用光反射部材Ａおよび基板４に変形や破損が発生するおそれがあり、逆に、少なすぎると、光半導体用光反射部材Ａと基板４とを充分に密着させることができないおそれがあるためである。

そして、上記白色顔料含有接合層の基板４に対する接合力は、せん断接合強度が１０ｋＰａ〜１００ＭＰａの範囲にあることが好ましく、２０ｋＰａ〜５０ＭＰａであることがより好ましい。せん断接合強度が低すぎると、容易に接合位置がずれる等の不具合が生じるやすくなる傾向にあり、また、逆に高すぎると、光半導体用光反射部材Ａの接合位置を間違える等した場合にはこれを取り外すことが必要となるが、その取り外しが著しく困難となる傾向にあるためである。なお、上記「せん断接合強度」は、光半導体用光反射部材Ａをステンレス板に接合した場合において、両者に接合面と並行な方向からせん断力を掛け、基板４から樹脂成形体１が脱離するのに要した力を測定することにより得られる値である。

つぎに、上記光半導体実装用基板Ｂを用い、例えば、つぎのようにして、本発明の光半導体装置Ｃ（図４参照）を得ることができる。

すなわち、上記光半導体実装用基板Ｂの貫通孔３の開口内の基板４上に、光半導体素子６をダイアタッチ剤からなる接着層７によって接着固定するとともに、ボンディングワイヤ５によって上記導線回路と電気的に接合する（実装）。そして、この貫通孔３と基板４とで形成される凹部を透明樹脂８によって封止することによって、光半導体装置Ｃを得ることができる。

また、予め光半導体素子６が実装された基板４に対し、光半導体用光反射部材Ａを、その貫通孔３の開口内に上記光半導体素子６実装部を位置決めした状態で、白色顔料含有接合層２を介して密着させ、両者を加圧プレス機等の手段を用いて加圧し、この貫通孔３と基板４とで形成される凹部を透明樹脂８によって封止することによっても、光半導体装置Ｃを得ることができる。

上記光半導体装置Ｃは、従来品のように樹脂成形体１（リフレクタ）が熱加圧等により変形していないため、光半導体素子６の発する光を計算どおりに反射させることができる。また、基板４と樹脂成形体１とが、酸化チタン含有の白色顔料含有接合層２によって接合されているため、光半導体素子６の発する光がこの白色顔料含有接合層２に吸収されることがなく、損失なく反射されて貫通孔３の上部開口から取り出され、高輝度となる。さらに、樹脂成形体１がトランスファー成形によってより精緻な形状に形成されているため、高性能なものとなる。

なお、上記光半導体素子６は、フリップチップ法で実装してもよい。また、光半導体素子６を実装する前に、上記光半導体実装用基板Ｂに対してプラズマ処理を行い洗浄してもよい。そして、上記透明樹脂８には、必要に応じて、蛍光体や充填剤等を配合することもできる。

さらに、この光半導体装置Ｃには、必要に応じてレンズを搭載してもよい。また、光半導体装置Ｃは、ダイシング等の方法により、必要な単位、例えば、光半導体素子６ごとに切り分けて個片化し、半導体装置としてもよい。

また、本発明において、上記光半導体用光反射部材Ａの貫通孔３内を予めＢ−ステージ状の透明樹脂１８で満たすようにしてもよい。このような光半導体用光反射部材Ａ’を図６に示す。また、そのＺ−Ｚ断面図を図７に示す。すなわち、この光半導体用光反射部材Ａ’は、図１に示す光半導体用光反射部材Ａの樹脂成形体１の貫通孔３が、Ｂ−ステージ状の透明樹脂１８により満たされているものであって、それ以外は、光半導体用光反射部材Ａと同一であり、説明を省略する。また、この透明樹脂１８にも、必要に応じて、蛍光体や充填剤等を配合することもできる。

なお、本発明において、透明樹脂がＢ−ステージ状にあるとは、熱硬化性樹脂が、溶剤に可溶なＡ−ステージと、最終硬化したＣ−ステージとの間にあって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、溶剤に膨潤するが完全に溶解せず、加熱によって軟化するが溶融しない状態を示すものである。

上記Ｂ−ステージ状の透明樹脂１８としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一種を主成分とする熱硬化性樹脂組成物をＢ−ステージ状にして用いることが好ましく、なかでも、耐光性、耐熱性および保存安定性に優れる点から、シリコーン樹脂を主成分とするものを用いることがより好ましい。これらの熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、蛍光体や充填剤等を配合することができる。

上記シリコーン樹脂としては、例えば、２段階硬化型シリコーン樹脂、１段階硬化型シリコーン樹脂等があげられ、なかでも２段階硬化型シリコーン樹脂を用いることが好ましい。２段階硬化型シリコーン樹脂は、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢ−ステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣ−ステージ化（最終硬化）する熱硬化性のシリコーン樹脂である。そして、このような２段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応と付加反応との２つの反応系を有する縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂等があげられる。縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、特開２０１３−０２３６０３に開示される「（１）１分子中に少なくとも２個のアルケニルシリル基を有するオルガノポリシロキサン、（２）１分子中に少なくとも２個のヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン、（３）ヒドロシリル化触媒、および（４）硬化遅延剤を含有しているシリコーン樹脂組成物」があげられる。これに対し、１段階硬化型シリコーン樹脂は、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で最終硬化する熱硬化性のシリコーン樹脂である。

上記蛍光体は、波長変換機能を有するものであり、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体等があげられ、なかでも黄色蛍光体が好ましく用いられる。黄色蛍光体としては、例えば、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ〔ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ〕、Ｔｂ₃Ａｌ₃Ｏ₁₂：Ｃｅ〔ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ〕等のガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮ等の酸窒化物蛍光体等があげられる。赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ₂：Ｅｕ等の窒化物蛍光体等があげられる。

このような蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状等があげられる。なかでも、流動性に優れる点から、球状が好ましく用いられる。そして、蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、０．１〜２００μｍの範囲にあることが好ましく、１〜１００μｍの範囲にあることがより好ましい。さらに、蛍光体の配合割合は、熱硬化性樹脂組成物１００質量部に対して、０．１〜８０質量部であることが好ましく、０．５〜５０質量部であることがより好ましい。

上記充填剤としては、例えば、シリコーン粒子等の有機微粒子や、シリカ、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の無機微粒子等があげられる。また、充填剤の配合割合は、熱硬化性樹脂組成物１００質量部に対して、０．１〜７０質量部であることが好ましく、０．５〜５０質量部であることがより好ましい。

この構成によれば、光半導体用光反射部材Ａ’は、白色顔料含有接合層２を介して基板４に接合する際に、光半導体用光反射部材Ａ’の貫通孔３の開口内のＢ−ステージ状の透明樹脂１８が、基板４上に実装された光半導体素子６に容易に追従し、スムーズに光半導体素子６の周囲を取り囲むようになっている。そして、このＢ−ステージ状の透明樹脂１８に対し、加熱処理等を行い、Ｃ−ステージ化（最終硬化）して透明樹脂８とすることにより、光半導体素子６が透明樹脂８によって封止された光半導体装置Ｃを得ることができる。このように、予め、Ｂ−ステージ状の透明樹脂１８によって貫通孔３の開口が満たされている光半導体用光反射部材Ａ’を、光半導体装置Ｃの製造に用いると、光半導体用光反射部材Ａと同様の効果が得られることに加え、光半導体素子６を封止するための透明樹脂８を別途用意する必要がなくなり、使い勝手がよい。

このような光半導体用光反射部材Ａ’は、例えば、つぎのようにして製造することができる。まず、光半導体用光反射部材Ａ（図１，図２参照）を先に示した方法により製造する。そして、図８に示すように、得られた光半導体用光反射部材Ａの白色顔料含有接合層２側に、剥離シート１９を貼り合せる。このとき、貫通孔３の下部開口は、剥離シート１９によって塞がれている。つぎに、この貫通孔３と剥離シート１９とで形成された凹部２０に、熱硬化性樹脂組成物をディスペンサー、スキージ等を用いて充填する。そして、この熱硬化性樹脂組成物に対し、加熱処理を行い、熱硬化性樹脂組成物をＢ−ステージ化することにより、Ｂ−ステージ状の透明樹脂１８で貫通孔３が満たされた光半導体用光反射部材Ａ’（図７参照）を得ることができる。なお、図７では、光半導体用光反射部材Ａ’の下面から剥離シート１９が剥離された状態を示したが、剥離シート１９がなくても、Ｂ−ステージ状の透明樹脂１８は、先述のとおり、一定の成形性があるため、貫通孔３の下部開口から脱落することはない。

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。

まず、光半導体用光反射部材Ａ（図１，図２参照）、これを用いた光半導体実装用基板Ｂ、および光半導体装置Ｃを製造し、これらの変形または平均輝度の評価を、後記に示すように行った。

〔実施例１〕
＜光半導体用光反射部材Ａの製造＞
下記に示す材料を、プラネタリーミキサーを用いて溶融混合し、樹脂成形体１形成用の熱硬化性樹脂組成物を作製した。
（熱硬化性樹脂組成物）
トリグリシジルイソシアヌレート：１００重量部
ヘキサヒドロフタル酸無水物：１６５重量部
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロンジチオエート：２重量部溶融シリカ（平均粒径４５μｍ）：１５０重量部
ルチル型酸化チタン（平均粒径０．２１μｍ）：２００重量部

上記熱硬化性樹脂組成物を冷却固化し、これを粉砕後、打錠してトランスファー成形用の樹脂組成物タブレットを作製した。この樹脂組成物タブレットを、図１に示す樹脂成形体１の形状に対応した空隙を有する金型を用いて、１８０℃の温度で、型締め圧２０ＭＰａ、射出圧５ＭＰａ、キュア時間２分間の条件でトランスファー成形し、樹脂成形体１を形成した。得られた樹脂成形体１を、熱風乾燥機を用いて１８０℃の温度で３時間の後加熱処理を行い、硬化を完了させた。

つぎに、シリコーン系粘着剤（東レデュポン社製、ＳＤ４５８０）１００重量部と、ルチル型酸化チタン（平均粒径０．２１μｍ）１０重量部とを自転公転式混合器を用いて混合し、白色顔料含有組成物を作製した。この白色顔料含有組成物を、上記樹脂成形体１の下面に塗布し、厚み１００μｍの白色顔料含有接合層２を形成した。この白色顔料含有接合層２の樹脂成形体１と接していない側の全面に、異物の付着を防止する目的で、剥離ライナー（三菱樹脂社製、ＰＥＴフィルム「ＭＲＳ５０」）を貼り合せた。

＜光半導体実装用基板Ｂの製造＞
基板４として、厚み２ｍｍのアルミ板を用い、このアルミ板上に８０体積％のアルミナを配合したエポキシ樹脂からなる絶縁層を形成し、この絶縁層の上に、フォトリソグラフィの方法で銅からなる配線回路を形成した。つぎに、光半導体素子の実装予定部と、外部電源等との接続予定部とにマスクを設け、ＬＥＤ用白色反射材（タムラ製作所製、ＲＰＷ−２０００−１１）をスクリーン印刷によって塗布し硬化させて、光半導体素子の実装予定部と外部電源等との接続予定部を除く領域に保護層を形成した。

そして、上記光半導体用光反射部材Ａの剥離ライナーを剥離し、貫通孔３の開口内に、基板４の光半導体素子実装予定部を位置決めした状態で、光半導体用光反射部材Ａをその白色顔料含有接合層２を介して基板４に密着させ、両者を加圧プレス機により０．２ＭＰａの圧力を掛けて加圧、接合することにより、目的の光半導体実装用基板Ｂを製造した（図３参照）。

〔比較例１〕
上記樹脂成形体１の代わりに、熱硬化性樹脂組成物を溶融混合した直後の溶融液状状態で、トランスファー成形用金型に注型し、冷却固化し、成形後に硬化を完了させるための加熱処理を行わないようにして、樹脂成形体１の形状を有する半硬化状態（Ｂ−ステージ状）の半硬化体を形成するとともに、白色顔料含有接合層を形成せずに、この半硬化体を、予め１８０℃に加熱した基板４の光半導体素子実装面に圧着し（圧着条件：時間１０分間、圧力０．２ＭＰａ）、その後、０．２ＭＰａの圧力を維持しながら熱風乾燥機を用いて１８０℃の温度で３時間の後加熱処理を行い、この半硬化体を完全硬化させ、樹脂成形体として基板４上に直接接合するほかは、実施例１と同様にして、光半導体実装用基板を製造した。

＜変形評価＞
実施例１および比較例１の光半導体実装用基板をそれぞれ２０個製造し、それらの樹脂成形体のサイズ（幅、長さ、厚み）を測定し、設計サイズ（金型内寸）と対比したところ、実施例１品は設計サイズとほぼ同寸であったのに対し、比較例１品は厚み方向に平均１００μｍの変形が見られた。

〔実施例２〕
＜光半導体装置Ｃの製造＞
上記光半導体実装用基板Ｂの貫通孔３の開口内に、光半導体素子（Ｃｒｅｅ社製、ＴＲ−５０５０）をダイアタッチ剤（信越化学工業社製、ＫＥＲ−３０００−Ｍ２）で所定位置に接着固定するとともに、金ワイヤ（田中貴金属社製、ＳＲ−２５）で配線回路にワイヤボンディングを行い実装した。そして、蛍光体(Genelite社製、GLD(Y)-550A)を約１０重量％配合した封止剤（信越化学工業社製、ＫＥＲ−２５００）を用いて、この貫通孔３と基板４とで形成される凹部を封止することにより、目的の光半導体装置Ｃを得た（図４参照）。これをブレードダイシング(装置：ＤＩＳＣＯ社製「ＤＦＤ６３６１」、ブレード：ＤＩＳＣＯ社製「B1A801-SDC320N50M51 54*0.2*40」)を用いて光半導体素子ごとに切り分け、個片化した光半導体装置を得た。

〔比較例２〕
上記光半導体実装用基板Ｂに代えて、下記の光半導体実装用基板αを用いたほかは、実施例２と同様にして目的の光半導体装置を得た。
（光半導体実装用基板α）
白色顔料含有組成物を作製せずに、シリコーン系粘着剤をそのまま樹脂成形体１の下面に塗布し、接合層を形成したほかは、実施例１と同様にして製造した光半導体実装用基板。

＜平均輝度評価＞
実施例２および比較例２で製造した、光半導体素子ごとに個片化した光半導体装置をそれぞれ２０個用意し、それらを定電流１５０ｍＡで駆動発光させ、その輝度を、半球型積分球を備えた全光束測定機を用いて測定した。その結果、実施例２の光半導体装置の平均輝度は、全光束３０ルーメンであったのに対し、比較例２の光半導体装置の平均輝度は、２８ルーメンと低いものであった。

つぎに、光半導体用光反射部材Ａ’（図６，図７）およびこれを用いた光半導体装置を製造し、この光半導体装置について、平均輝度の評価を後記に示すように行った。

〔実施例３〕
＜光半導体用光反射部材Ａ’−１の製造＞
実施例１と同様に、光半導体用光反射部材Ａを製造し、白色顔料含有接合層２の全面に、剥離ライナー（三菱樹脂社製、ＰＥＴフィルム「ＭＲＳ５０」）を貼り合せたものを準備した。そして、下記に示すようにシリコーン樹脂組成物を調製し、このシリコーン樹脂組成物１００質量部に対し、市販のＹＡＧ系蛍光体（平均粒径８．９μｍ）を５質量％配合して自転公転式混合器で混合し、蛍光体入りシリコーン樹脂組成物を作製した。
（シリコーン樹脂組成物）
ジメチルビニルシリル末端ポリジメチルシロキサン（ビニルシリル基当量０．０７１ｍｍｏｌ／ｇ）２０ｇ（１．４ｍｍｏｌビニルシリル基）、トリメチルシリル末端ジメチルシロキサン−メチルヒドロシロキサン共重合体（ヒドロシリル基当量４．１ｍｍｏｌ／ｇ）０．４０ｇ（１．６ｍｍｏｌヒドロシリル基）、ヘキサメチルジシラザン処理シリカ粒子２ｇ、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金濃度２質量％）０．０３６ｍＬ（１．９μｍｏｌ）、および、水酸化テトラメチルアンモニウムのメタノール溶液（１０質量％）０．０６３ｍＬ（５７μｍｏｌ）を混合し、２０℃で１０分間撹拌することにより、シリコーン樹脂組成物を調製した。

得られた蛍光体入りシリコーン樹脂組成物を、光半導体用光反射部材Ａの貫通孔３と剥離ライナーとで形成される凹部２０（図８参照）に、ディスペンサー（武蔵エンジニアリング社製、ＭＰＰ−１）を用い、ポッティングで充填し、これを８０℃で１５分間加熱することにより、Ｂ−ステージ化させ、貫通孔３内がＢ−ステージ状の透明樹脂１８で満たされた光半導体用光反射部材Ａ’−１を得た。

＜光半導体用光反射部材Ａ’−１を用いた光半導体装置の製造＞
つぎに、基板とする粘着シート（日東電工社製、品番 リバアルファ３１９５０Ｅ）の非発泡面上に、フリップチップ型の光半導体素子（ＬＥＤチップ：Ｃｒｅｅ社製、ＤＡ１０００）を配置した。そして、光半導体用光反射部材Ａ’−１から剥離ライナーを剥離して、白色顔料含有接合層２を露出させ、貫通孔３の開口内に光半導体素子を位置決めし、加圧プレス機を用い０．２ＭＰａの圧力をかけることにより、光半導体用光反射部材Ａ’−１を、白色顔料含有接合層２を介して、上記粘着シートに接合した。これを１００℃で１時間加熱し、さらに、１５０℃で２時間加熱することにより、Ｂ−ステージ状の透明樹脂１８をＣ−ステージ状（完全硬化）させて、光半導体素子を封止を完了した。これを、光半導体素子ごとにブレードダイサーでダイシングし、目的の光半導体装置を得た。

〔実施例４〕
＜光半導体用光反射部材Ａ’−２の製造＞
実施例１の樹脂成形体１形成用の熱硬化性樹脂組成物の代わりに、熱硬化性シリコーン樹脂（信越化学工業社製、ＫＥＲ−２５００：Ａ液およびＢ液を等量混合）１００質量部に対し、ルチル型酸化チタン（平均粒径：０．２１μｍ）６８重量部を配合したもの用い、これを自転公転式混合器で混合して、金型に注型し、樹脂成形体１を作製した他は、実施例１と同様にして、光半導体用光反射部材Ａを製造した。そして、この光半導体用光反射部材Ａの白色顔料含有接合層２の全面に、剥離ライナー（三菱樹脂社製、ＰＥＴフィルム「ＭＲＳ５０」）を貼り合せた。そして、実施例３と同様にして、蛍光体入りシリコーン樹脂組成物を作製し、光半導体用光反射部材Ａの貫通孔３と剥離ライナーとで形成される凹部２０にポッティングで充填し、これを加熱してＢ−ステージ状とすることにより、光半導体用光反射部材Ａ’−２を得た。

＜光半導体用光反射部材Ａ’−２を用いた光半導体装置の製造＞
光半導体用光反射部材Ａ’−２を用いた他は、実施例３と同様にして、目的の光半導体装置を得た。

〔比較例３〕
白色顔料含有組成物の代わりに、ルチル型酸化チタンを含有しない単なるシリコーン系粘着剤（東レデュポン社製、ＳＤ４５８０）を、樹脂成形体１の下面に塗布し、厚み１００μｍの白色顔料不含の接合層を形成し、光半導体用光反射部材Ａを作製した他は、実施例３と同様にして、目的の光半導体装置を得た。すなわち、このものは、白色顔料含有接合層２ではなく、白色顔料不含の粘着剤からなる接合層を介して、光半導体素子が配置された粘着シート（基板）に接合している。

〔平均輝度評価〕
実施例３、４および比較例３の光半導体装置をそれぞれ１０個製造し、それらを定電流３５０ｍＡでそれぞれ駆動発光させ、その輝度を、半球型積分球を備えた全光束測定機を用いて測定した。その結果、実施例３の光半導体装置の平均輝度は、全光束１２５ルーメンであり、実施例４の光半導体装置の平均輝度は、１２６ルーメンであった。これに対し、比較例３の光半導体装置の平均輝度は、１１７ルーメンと低いものであった。これらの結果から、実施例３および４の光半導体用光反射部材は、高性能の光半導体装置を製造することができるだけでなく、光反射部材形成時に、光半導体素子の封止部分まで同時に形成することができ、生産性にも優れていることがわかる。

このように、本発明の光半導体用光反射部材は、従来法よりも少ない工数、コストで製造することができ、しかも、常温で保存できるため、従来品に対して保管が容易である。また、本発明の光半導体実装用基板は、高性能の光半導体装置を安価に製造することができる。そして、本発明の光半導体装置は、耐熱性が高く、高輝度で、しかも低コストである。

本発明は、低コストで、高品質の光半導体装置を製造するのに適している。

１ 樹脂成形体
２ 白色顔料含有接合層
３ 貫通孔
３’ 貫通孔内周面

Claims (8)

1. 基板の光半導体素子実装面上に接合される光半導体用光反射部材であって、上下方向に貫通しその内周面が白色に形成された貫通孔を有する樹脂成形体と、上記樹脂成形体の下面に形成される白色顔料含有接合層とを備え、上記貫通孔の開口内に、基板上の光半導体素子実装予定部または光半導体素子実装部を位置決めした状態で、上記白色顔料含有接合層を介してその基板上に接合されるようになっており、上記貫通孔の開口内に実装された光半導体素子の発する光が、上記貫通孔の内周面によって反射されるようになっていることを特徴とする光半導体用光反射部材。
2. 上記樹脂成形体が、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一種を主成分とする熱硬化性樹脂組成物の硬化体である請求項１記載の光半導体用光反射部材。
3. 上記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種である請求項１または２記載の光半導体用光反射部材。
4. 上記樹脂成形体が、トランスファー成形、コンプレッション成形、射出成形または注型成形によって形成されている請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体用光反射部材。
5. 上記樹脂成形体の貫通孔が、Ｂ−ステージ状の透明樹脂により満たされている請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体用光反射部材。
6. 上記Ｂ−ステージ状の透明樹脂が、シリコーン樹脂である請求項５記載の光半導体用光反射部材。
7. 上記請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体用光反射部材が基板上に接合され、上記光半導体用光反射部材の貫通孔の開口内に、その基板上の光半導体素子実装予定部が位置決めされていることを特徴とする光半導体実装用基板。
8. 上記請求項１〜７のいずれか一項に記載の光半導体用光半反射部材が基板上に接合一体化され、上記光半導体用光反射部材の貫通孔の開口内に光半導体素子が実装されており、上記貫通孔内が透明樹脂によって封止されていることを特徴とする光半導体装置。

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